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impurities diffusion coefficientの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
Diffusion coefficient of main impurities of the surface region 18 is less than diffusion coefficient of main impurities of the embedded layer 10.例文帳に追加
表面領域18の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層10の主要不純物の拡散係数より小さい。 - 特許庁
Ion implantation process for implanting heavily impurities which are low in diffusion coefficient within a substrate is carried out.例文帳に追加
重くて基板内の拡散係数が低い不純物を注入するイオン注入工程が実施される。 - 特許庁
In the semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency; a clad layer 4, adjoining a substrate side of an active layer 5 is doped with diffusion impurities Zn so that the diffusion coefficient of the diffusion impurities becomes large in a portion doped with the diffusion impurities, thereby the impurities are prevented from accumulation in the active layer 5 of the impurities are restrained.例文帳に追加
CODレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層5の基板側に隣接するクラッド層4に、拡散不純物Znをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層5への不純物蓄積が抑制される。 - 特許庁
The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加
拡散係数の異なる2種の第2導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第1導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第2導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁
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