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linear cleavageの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
The notch 112 is preferably linear, has a V-shaped cross section and is formed to a part of a cleavage scheduled place.例文帳に追加
ノッチ112は、好ましくは、線状で、かつ、断面がV字形であって、劈開予定場所の一部に形成する。 - 特許庁
The organic optical crystal is characterized in that no linear defect exists on a cleavage surface of an inner part of the crystal.例文帳に追加
本発明の有機光学結晶は、前記結晶内部の劈開面上に直線状欠陥が存在しないことを特徴とする。 - 特許庁
For example, as shown in a microphotograph of Fig. 1, a cleavage surface of a DAST (4-dimethylamino-N-methyl-4-stilbazolium tosylate) crystal has a cleavage surface in a direction parallel to an axis (a) and parallel to a (001) plane and the linear defect exists here.例文帳に追加
例えば、図1の顕微鏡写真に示すように、DAST結晶の劈開面は、a軸と平行方向および(001)面と平行方向に劈開面を有しており、ここに前記直線状欠陥が存在する。 - 特許庁
The linear tetrapyrrole dye is synthesized by the oxidation and cleavage of a tetraphenyl porphyrin compound having an alkyl group and an alkoxy group on its phenyl group.例文帳に追加
この発明にかかるリニアテトラピロール系色素は、フェニル基にアルキル基、アルコキシ基を有するテトラフェニルポルフィリン化合物を酸化・開裂して合成するものであることを主要な特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for providing a linear cleavage line while preventing short circuit of a semiconductor layer and a heat radiating block, and the like.例文帳に追加
本発明は、劈開ラインを直線的にでき、かつ、半導体層が放熱用ブロックなどと短絡することを防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The group III nitride semiconductor stacked structure 2 includes a linear ridge 20 formed in parallel to a projection vector of the c-axis to the crystal growth surface and a pair of laser resonance surfaces 21 and 22 composed of cleavage planes perpendicular to the projection vector.例文帳に追加
III族窒化物半導体2は、前記結晶成長面へのc軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ2と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面21,22とを含む。 - 特許庁
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