「nitride」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体結晶層の製造方法及び窒化物半導体結晶層 - 特許庁

NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, APPARATUS FOR FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, AND PROGRAM例文帳に追加

窒化チタン膜の形成方法、窒化チタン膜の形成装置及びプログラム - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING OF NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化物半導体素子、窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 - 特許庁

MULTI-LAYER INDIUM-CONTAINED NITRIDE BUFFER LAYER FOR NITRIDE EPITAXY例文帳に追加

窒化物エピタキシのための多層インジウム含有窒化物緩衝層 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体デバイスの製造方法および窒化物半導体デバイス - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE FILM, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ALMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び窒化アルミニウム単結晶 - 特許庁

NITRIDE-CONTAINING MOLDED PRODUCT AND MANUFACTURING METHOD OF SINGLE CRYSTAL NITRIDE例文帳に追加

窒化物含有成型体及び単結晶窒化物の製造方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III NITRIDE, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III NITRIDE AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILTER, AND SILICON NITRIDE FILTER例文帳に追加

窒化ケイ素フィルターの製造方法及び窒化ケイ素フィルター - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

窒化物半導体基板およびそれを用いた窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体デバイス - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

窒化物半導体成長基板およびそれを用いた窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE HEATER, AND RESISTIVE PASTE FOR ALUMINUM NITRIDE HEATER例文帳に追加

窒化アルミニウムヒータ、及び窒化アルミニウムヒータ用抵抗体ペースト - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER OR NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物半導体層、窒化物半導体素子とその製造方法 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR AND CRYSTAL GROWTH METHOD OF THE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体用基板および窒化物半導体用基板の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

窒化物半導体基板、それも用いた窒化物半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体素子を製造する方法および窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD OF GROWING LOW-DEFECT NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

低欠陥窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体基板 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体、その製造方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

COMPOSITE SLIDING MATERIAL COMPRISING BORON NITRIDE AND SILICON NITRIDE AND PROCESS FOR MAKING THE SAME例文帳に追加

窒化ホウ素／窒化ケイ素系複合摺動材料とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SINGLE CRYSTAL, NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND DEVICE例文帳に追加

窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、およびデバイス - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE AND ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

窒化アルミニウム基板の製造方法及び窒化アルミニウム基板 - 特許庁