「nitride」に関連した英語例文の一覧と使い方(334ページ目) - Weblio英語例文検索

In an aluminum alloy material forming an anodic oxidized film and a ceramic film on the surface in the described order, the anodic oxidized film contains ≥0.1% one kind or two kinds or more selected from among C, N, P, F, B, S, further, the ceramic film is made of one or more kinds selected from among an oxide, nitride, carbonitride, boride, silicide.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜およびセラミック皮膜を記載順に形成したアルミニウム合金材であって、前記陽極酸化皮膜が、C 、N 、P 、F 、B 、S の内から選択された1 種または2 種以上の元素を0.1%以上含有するとともに、前記セラミック皮膜が、酸化物、窒化物、炭窒化物、ホウ化物、ケイ化物の内から選択された1 種または2 種以上からなることである。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets.例文帳に追加

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 - 特許庁

This actuator includes a substrate; a stationary electrode mounted on a main surface of the substrate; a movable beam facing the main surface and retained above the substrate at a certain interval; and a dielectric film provided between the stationary electrode and the movable beam and formed of aluminum nitride in which c-axis orientation is made at an orientation full width at half maximum of 4.6 degrees or less.例文帳に追加

基板と、前記基板の主面の上に設けられた固定電極と、前記主面に対向し、前記基板の上方に間隙をあけて保持された可動梁と、前記固定電極と前記可動梁との間に設けられ、配向半値全幅が４．６度以下でｃ軸配向した窒化アルミニウムからなる誘電膜と、を備えたことを特徴とするアクチュエータが提供される。 - 特許庁

When a mixed melt 103 is formed from an alkaline metal and a substance containing at least a group III metal in a reaction vessel 101, and a group III nitride 110 constituted of the group III metal and nitrogen is grown from the mixed melt 103 and a substance containing at least nitrogen, the atmosphere in the reaction vessel 101 is constituted of a mixed gas of the substance containing at least nitrogen and an inert gas.例文帳に追加

反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物１１０を結晶成長させる場合に、反応容器１０１内の気体雰囲気を、少なくとも窒素を含む物質と不活性気体との混合気体とする。 - 特許庁

This ceramic heater is provided with an aluminum nitride-based sintered layer 1 forming a heat radiating/heating surface, a ceramics-sintered layer 3 having a low thermal conductivity which is made integral with the rear surface of the heat radiating/heating surface of the layer 1, and a resistance heat generating element 2 which is embedded in the layer 1 or the layer 3.例文帳に追加

放熱・加熱面をなす窒化アルミニウム系焼結体層１と、前記窒化アルミニウム系焼結体層１の放熱・加熱面の裏面に一体化された熱伝導率の低いセラミックス系焼結体層３と、前記窒化アルミニウム系焼結体層１もしくは前記セラミックス系焼結体層３に埋め込み型に配置された抵抗発熱素子２とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a tunnel insulating layer 101; a conductive film 102 for a floating gate; a dielectric layer 103; a conductive film 104 for a control gate; a gate electrode layer 105 formed of a tungsten layer; and a protective layer 107 formed of a dual layer consisting of a nitride layer 107a and an oxide layer 107b, on a sidewall of the gate electrode layer 105.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１００上に順次積層されたトンネル絶縁膜１０１、フローティングゲート用導電膜１０２、誘電体膜１０３、コントロールゲート用導電膜１０４、およびタングステン膜で形成されたゲート電極膜１０５、並びに、ゲート電極膜１０５の側壁に、窒化膜１０７ａおよび酸化膜１０７ｂからなる二重膜で形成された保護膜１０７を含む。 - 特許庁

Exothermic resistors 121, 122 from which heat generation is obtained by current flow such as silver and palladium, and electrode parts 14, 15 for power supply which have low resistance value per unit area and hardly generate heat even if current is flowed such as silver and silver-platinum, are formed on one face of an insulating substrate 11 of long flat-shape having high heat conductive characteristics such as aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウム等高熱伝導特性を有する長尺平板状の絶縁基板１１の一面に、銀・パラジウム等の通電により発熱が得られる発熱抵抗体１２１，１２２と電力を供給させるための銀、銀白金等の単位面積当たりの抵抗値が低く通電しても大きな発熱現象が起こりにくい給電用の電極部１４，１５を形成する。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

A ball 3 is made of silicon nitride and a shot blasting process for introducing dislocation into a ceramic crystal formed on the surface of the ball 3 is carried out by blasting a shot comprising particles having specific gravity of ≥3.0, Vickers hardness of ≥400 and an average particle diameter of ≥200 μm and ≤1,000 μm and after that, a polish finishing work is carried out.例文帳に追加

玉３を窒化珪素製とし、その表面に、比重が３．０以上で、ビッカース硬さが４００以上で、平均粒径が２００μｍ以上１０００μｍ以下の粒子からなるショットを投射することにより、前記表面をなすセラミックス結晶に転位を導入するショットブラスト工程を行った後に、仕上げ研磨加工を行う。 - 特許庁

To provide a substrate for a surface acoustic wave device on which an aluminum nitride mono-crystal layer in which any crack can be prevented, and piezoelectric characteristics such as an electro/mechanical connection coefficient or the temperature coefficient of central frequencies can be made satisfactory, and the propagating speed of surface acoustic waves can be made high is formed on a sapphire mono-crystal substrate, and a method for manufacturing this substrate.例文帳に追加

サファイア単結晶基板の上に、クラックがなく、電気−機械結合係数や中心周波数の温度係数などの圧電特性も良好で、弾性表面波の伝播速度の高い窒化アルミ単結晶層を形成した弾性表面波装置用の基板およびその製造方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

The ceramics circuit board 10 comprises a ceramics board 11 serving as an insulating layer such as a silicon nitride plate (Si_3N_4 plate) 11a; a circuit pattern forming metal plate 12 joined via a brazing material with one surface of the ceramics board 11; and the heat dissipating metal plate 13 joined via a brazing material with the other surface of the ceramics board 11.例文帳に追加

セラミックス回路基板１０は、窒化珪素板（Si_3N_4板）１１ａ等の絶縁層として機能するセラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面にろう材を介して接合された回路パターン形成用金属板１２と、セラミックス基板１１の他方の面にろう材を介して接合された放熱用金属板１３とを有している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal display, capable of enhancing reflection efficiency by forming a rugged reflection plate, utilizing BCB to be a general organic insulating substance or an silicon nitride to be an inorganic insulating substance and manufacturing a reflection-type or semi-transmission type liquid crystal display, utilizing the ordinary manufacturing line of the liquid crystal display, as it is.例文帳に追加

一般的な有機絶縁物質であるＢＣＢまたは無機絶縁物質である窒化シリコンを利用して、凹凸状の反射板を構成して反射効率が高めることができ、かつ通常の液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The EL sheet is constituted of the laminating one by one of forming a transparent electrode layer 2 on a transparent substrate 1, forming of a barrier layer 3, which consists of a resin of the same composition to the binder resin of the luminescence layer on it, forming the luminescence layer 4 using the nitride-coated fluorescent substance on it, and forming an insulating layer 5 and an back electrode layer 6 on it.例文帳に追加

透明基板１上に、透明電極層２を形成し、その上に、発光層のバインダー樹脂と同一組成の樹脂からなるバリヤー層３を形成し、その上に、窒化物コーティングされた蛍光体を用いた発光層４を形成し、その上に、絶縁層５と背面電極層６を順次積層してＥＬシートを構成する。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

To provide a roll for continuous hot-dip metal plating capable of preventing a roll shaft part from coming off from a roll body part during the use, suppressing cracks caused in a joined part of the roll shaft part and the roll body part, enhancing the thermal shock resistance of silicon nitride ceramic, and preventing a roll from being fractured by thermal shock during the use.例文帳に追加

使用中にロール軸部がロール胴部から抜けることを防止するとともに、ロール軸部とロール胴部との接合部に割れが発生することを抑えた、また窒化ケイ素系セラミックスの耐熱衝撃性を向上させ、使用時に熱衝撃によりロールが破壊することを防止した連続溶融金属めっき用ロールを提供する。 - 特許庁

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element, and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

A blue-violet semiconductor laser element 100 (a nitride semiconductor laser element) having an active layer 25 comprises: a semiconductor element layer 2 in which resonator end surfaces 2a and 2b are formed; an inorganic dielectric layer 30 formed on the resonator end surface 2a; and a fluorinated polymer layer 38 formed on the surface at the opposite side of the resonator end surface 2a of the inorganic dielectric layer 30.例文帳に追加

この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。 - 特許庁

The III nitride semiconductor substrate 1 includes a first layer 11 composed of Al_aGa_1-aN (0≤a<1) having a constant composition a, a second layer 12 formed on the first layer 11, and a third layer 13 formed on the second layer 12 and composed of Al_bGa_1-bN (0<b≤1) having a constant composition b.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板１は、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１と、この第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成され、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering titanium having high purity at a low cost with which in a vacuum-melting process with an electron- beam, while removing impurities from platy or bulky titanium-containing scrap partly sticking low melting point metal and hard titanium nitride or titanium oxide, these scraps are easily melted and refined, and the raise of gas components such as oxygen in the electron-beam melting, is restrained.例文帳に追加

一部に低融点金属及び硬質の窒化チタンや酸化チタン等の化合物が付着している板又は塊状のチタン含有スクラップから、これらの不純物を効率良く除去し、電子ビーム溶解等に真空溶解工程において、容易に溶解・精製できるようにするとともに、さらに電子ビーム溶解における酸素等のガス成分の上昇を抑え、低コストで高純度チタンを効率良く回収する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor is AlN, GaN or the like and expressed by general formula: Al_xGa_yIn_1-x-yN (wherein, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1) and is used as a light-emitting element of an LED or the like.例文帳に追加

また、ＡｌＮ、ＧａＮ等一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１, ０≦ｙ≦１, ０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されかつＬＥＤの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が０．００２Å以内であるサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。 - 特許庁

A conductive film 15, a nitride film 17, a conductive film 18, and an interlayer insulating film 19 are deposited, a hole is bored in a bit contact forming region, and a side wall 21 formed of the same film with the interlayer insulating film 19 is provided, whereby the interlayer insulating film 19 on the pad is etched in a self-aligned manner.例文帳に追加

導電膜１５、窒化膜１７、導電膜１８、および層間絶縁膜１９を堆積し、ビットコンタクト形成領域を開孔した後、層間絶縁膜１９と同一の膜から成るサイドウォール２１を形成することによって、パッド上の層間絶縁膜１９のエッチングを自己整合で行なう。 - 特許庁

This method for producing the lithium complexed metal nitride expressed by general formula Li_3-xM_xN (M is at least a metal element selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Al; x is a value more than 0 and less than 0.8) comprises the steps of mixing lithium amide powder with metal M powder and a heat treating the mixture.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_３−ｘＭ_ｘＮ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌより選ばれた少なくとも一種の金属元素、ｘは０＜ｘ＜０．８の範囲の値）で表されるリチウム複合金属窒化物の製造方法であり、リチウムアミド粉末と金属Ｍの粉末とを混合し、加熱処理する構成とする。 - 特許庁

This thermally conductive sheet contains a plate-like boron nitride particle 2, the thermal conductivity in the plane direction (orthogonal direction) SD perpendicular to the thickness direction TD of the thermally conductive sheet 1 is 4 W/m K or greater, the maximum resisting force to cutting which acts on the cutting edge at the cutting work of the thermally conductive sheet 1 is 120 N/30 mm or less.例文帳に追加

板状の窒化ホウ素粒子２を含有する熱伝導性シート１であり、熱伝導性シート１の厚み方向ＴＤに直交する面方向（直交方向）ＳＤの熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、その熱伝導性シート１の切断加工時に切断刃にかかる最大切断抵抗力が、１２０Ｎ／３０ｍｍ以下である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 8 which is made to have a nitride series compound semiconductor, a hole 11 of a recessed part which is made of a pit or a crack which exists in one principal surface 12 of the semiconductor substrate 8, a first electrode 3 formed on the one principal surface of the semiconductor substrate 8, and a high resistive layer 10 arranged at the recessed part of the hole 11.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を有してなる半導体基板８と、半導体基板８の一方の主面１２に存在するピット又はクラックからなる凹形状部位である穴部１１と、半導体基板８の一方の主面に形成されている第１電極３と、穴部１１の凹形状部位に配置されている高抵抗層１０とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

The above problem is solved by using an acid resistant electrode catalyst which has a part of metal elements constituting one of compounds selected from a nitride, an oxinitride and an oxide partially reduced, and which possesses the oxygen reduction capability at a voltage of 0.8 eV or higher in terms of standard hydrogen electrode potential in a predetermined acidic electrolyte.例文帳に追加

窒化物、酸窒化物及び酸化物から選ばれるいずれかの化合物を構成する金属元素の一部が部分的に還元されており、所定の酸性電解質中での標準水素電極電位基準で０．８ｅＶ以上の電位で酸素還元能を有する耐酸性電極触媒により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層２にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域４を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域４を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

Spherical or elliptical magnetic powder containing iron, palladium and nitrogen, further containing at least one element selected from a rare earth element, silicon and aluminum, including an iron nitride phase represented by general formula Fe_16N_2 and having 5 to 30 nm average particle size is used as the magnetic powder incorporated in a magnetic layer.例文帳に追加

磁性層に含有させる磁性粉末として、鉄とパラジウムと窒素とを含有し、かつ希土類元素、シリコンおよびアルミニウムの中から選ばれる少なくともひとつの元素を含有し、さらに一般式Ｆｅ_16Ｎ_2 で表される窒化鉄相を少なくとも含む、平均粒子サイズが５〜３０ｎｍの球状ないし楕円状の磁性粉末を使用する。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the vertical CMOS sensor, where the quality and reliability of the vertical CMOS image sensor are ensured by selectively applying a high-temperature double-annealing process and other additional passivation nitride films so that circular defects causing cracks in dielectric substance are reduced and dark leakage characteristics are improved.例文帳に追加

暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 - 特許庁

and having kinematic viscosity at 25°C of 10-500,000 mm^2/s: 5-30 mass%, and (C) an inorganic compound powder selected from an aluminum powder having an average particle diameter of 0.5-100 μm, a zinc oxide powder, an alumina powder, a boron nitride powder and an aluminum nitride powder: 0-60 mass%.例文帳に追加

（Ａ）平均粒径０．５〜５μｍの水酸化アルミニウム粉末αと、平均粒径６〜２０μｍの水酸化アルミニウム粉末βを、α／（α＋β）＝０．１〜０．９の割合で混合し、混合後の平均粒径が１〜１５μｍとなる水酸化アルミニウム粉末混合物：２０〜９５質量％、（Ｂ）Ｒ^1_aＳｉＯ_(4-a)/2 （１）〔Ｒ^1は炭素数１〜１８の飽和又は不飽和の一価炭化水素基、１．８≦ａ≦２．２〕で表される２５℃の動粘度が１０〜５００，０００ｍｍ^2／ｓのオルガノポリシロキサン：５〜３０質量％、（Ｃ）平均粒径０．５〜１００μｍのアルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末、アルミナ粉末、窒化ホウ素粉末及び窒化アルミニウム粉末の中から選ばれる無機化合物粉末：０〜６０質量％。 - 特許庁

The method also includes a step of forming the silicon nitride film 24 on the silicon oxide film 22, by using a silicon-containing gas and NH3 as raw materials.例文帳に追加

シリコン窒化膜２４を含む第１のゲート絶縁膜１６を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１０上にシリコン酸化膜２２を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、ＮＨ_3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとＮＨ_3とを原料として、シリコン酸化膜２２上にシリコン窒化膜２４を形成する工程とを有している。 - 特許庁

The corrosion resistant member of glass can be manufactured by mixing, molding, heat-treating silicon nitride, alumina, silica and oxides of elements of group 3a and/or group 2a, or performing thermal spraying on a base material.例文帳に追加

Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ及び３ａ族及び／又は２ａ族の元素によって構成されたガラスからなる耐蝕性部材、及びこれら組成からなるガラス質の耐蝕性溶射膜を被覆した部材は、腐食性ガス及びプラズマに対する耐蝕性と耐熱強度が高く、パーティクルの発生が少なく、このようなガラス質の耐蝕性部材は窒化ケイ素、アルミナ、シリカ及び３ａ及び／又は２ａ族元素の酸化物を混合・成型・熱処理又は基材に対して溶射を行うことによって製造することができる。 - 特許庁

Electrons or electron holes are injected from the dissimilar semiconductor or nitride semiconductor layer to emit light.例文帳に追加

少なくともIIIＡ族元素から選択される１以上の元素とＶＡ族元素から選択される１以上の元素とを含む窒化物半導体層２１と、窒化物半導体層とは極性が異なり且つ異種の半導体２５と、異種の半導体と窒化物半導体との間に設けられる発光層２４と、を有し、異種の半導体と窒化物半導体層との互いの半導体から発光層に電子あるいは正孔を注入させて発光することを特徴とする半導体発光素子２６、半導体複合素子、及び半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The carbon material for the lithium secondary battery negative electrode includes composite particles composed of particles occluding or releasing metals or metalloids, these alloys, oxide, nitride or carbide, and a resin carbon material which surround the particles; and a net-like structure composed of nanofibers and/or nanotubes bonded to the surface of the composite particles and surrounding the composite particles.例文帳に追加

本発明によるリチウム二次電池負極用炭素材は、リチウムイオンの吸蔵・放出が可能な金属もしくは半金属またはこれらの合金、酸化物、窒化物もしくは炭化物を含む粒子と、該粒子を包囲する樹脂炭素材とからなる複合粒子、ならびに該複合粒子の表面に結合し、かつ、該複合粒子を包囲するナノファイバーおよび／またはナノチューブからなる網状構造体を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The photoresists contain the adhesion promotion component including the Si containing group, exhibit good resolution and adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces, and particularly useful for the ion lithography applications and are useful for sub 300 nm, sub 200 nm, and a short wavelength image formation such as 248 nm, 193 nm, and EUV.例文帳に追加

本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 - 特許庁

The heterojunction FET is made of the nitride semiconductor, and includes a semiconductor layer including a barrier layer 40 and a cap layer 50 formed on the barrier layer 40, a gate electrode 100 provided on the semiconductor layer to have its lower portion buried in the semiconductor layer, and a source electrode 80 and a drain electrode 90 provided apart on the semiconductor layer on both sides of the gate electrode 100.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合ＦＥＴは、窒化物半導体からなるヘテロ接合ＦＥＴであって、バリア層４０とバリア層４０の上に形成されたキャップ層５０を含む半導体層と、半導体層に下部を埋没するようにして半導体層上に設けられたゲート電極１００と、ゲート電極１００の両側に離間して半導体層上に夫々設けられたソース電極８０及びドレイン電極９０とを備える。 - 特許庁

The resin composite composition includes an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler, wherein the epoxy resin is a polycyclic aromatic epoxy resin having biphenyl structure, anthracene structure, or naphthalene structure, the curing agent is an aromatic amine, and the inorganic filler includes conifer cone-like hexagonal boron nitride obtained when flaky primary particles are not oriented but aggregated and is 30-85 vol.% of the total resin composite composition.例文帳に追加

エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーを有する樹脂複合組成物であって、エポキシ樹脂がビフェニル構造或いはアントラセン構造或いはナフタレン構造である多環芳香族型エポキシ樹脂であり、硬化剤が芳香族アミンであり、無機フィラーが鱗片状の一次粒子が配向せずに集合してなる松ボックリ状の六方晶窒化ホウ素を含み、樹脂複合組成物全体の３０〜８５体積％である樹脂複合組成物。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method uses polishing liquid containing colloidal silica particles having a positive ζ potential and anionic surfactant and having pH ranging 1.5-7.0 to polish the body to be polished at least including a first layer containing polysilicon or modified polysilicon and a second layer containing at least one selected from a group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbonate, silicon carbonitride, silicon carbide and silicon oxynitride.例文帳に追加

正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a forging die includes: a step where treatment liquid containing metal salt for generating compound oxides in reaction with titanium compound on a surface of a cermet base material is applied on the surface of the cermet base material constituted of a sintered body with its hard phase consisting essentially of at least one titanium compound of titanium carbide, titanium nitride and titanium carbonitride; and a step of forming an oxidation-resistant film after the coating.例文帳に追加

本発明に係る鍛造加工用金型の製造方法は、炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも１種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材の表面に、前記サーメット基材表面のチタン化合物と反応して複合酸化物を生成する金属塩を含む処理液を塗布する工程と、前記塗布の後に耐酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁