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nitrideを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16740



例文

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物系半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING NITRIDE FILM例文帳に追加

窒化膜形成方法 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE BONDED BODY例文帳に追加

窒化アルミニウム接合体 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CARBON NITRIDE例文帳に追加

窒化炭素の製造方法 - 特許庁

例文

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物系半導体素子 - 特許庁


例文

METHOD FOR REFINING NITRIDE例文帳に追加

窒化物の精製方法 - 特許庁

NITRIDE SYSTEM SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系半導体装置 - 特許庁

SILICON NITRIDE MATERIAL CUTTER例文帳に追加

窒化珪素質切削工具 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE NANORIBBON例文帳に追加

窒化アルミニウムナノリボン - 特許庁

例文

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系半導体素子 - 特許庁

例文

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE例文帳に追加

窒化アルミニウムの製法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加

窒化珪素質焼結体 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

BORON NITRIDE SINTERED BODY例文帳に追加

窒化ほう素質焼結体 - 特許庁

NITRIDE-CONTAINING TARGET例文帳に追加

窒化物含有ターゲット - 特許庁

METHOD FOR REMOVING TITANIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化チタンの除去方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING NITRIDE FILM例文帳に追加

窒化膜の形成方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

窒化物半導体構造 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE COMPOSITION例文帳に追加

窒化アルミニウム組成物 - 特許庁

COMPOSITE NITRIDE PHOSPHOR例文帳に追加

複合窒化物蛍光体 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED DISK例文帳に追加

窒化珪素質ディスク - 特許庁

NITRIDE FILM FORMATION METHOD例文帳に追加

窒化膜の形成方法 - 特許庁

NITRIDE-COATING METHOD例文帳に追加

窒化物コーティング法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加

窒化珪素焼結体 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体装置 - 特許庁

Electroconductive ceramic composed of silicone nitride and titanium nitride. 例文帳に追加

窒化ケイ素と窒化チタンとからなる導電性セラミックス - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD FORMING GALLIUM NITRIDE LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法 - 特許庁

CARBON NITRIDE AND HYDROGEN STORAGE MATERIAL USING THE CARBON NITRIDE例文帳に追加

窒化炭素物及び該窒化炭素物を用いた水素吸蔵材 - 特許庁

SILICON NITRIDE COMPOSITE LAMINATE CONTAINING CARBON FIBER AND BORON NITRIDE例文帳に追加

炭素繊維と窒化硼素を含む窒化珪素複合積層体 - 特許庁

SILICON NITRIDE POWDER AND SLURRY AND FILLER USING THE SILICON NITRIDE POWDER例文帳に追加

窒化ケイ素粉末及びこれを用いたスラリー、充填材 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILM OF GROUP III NITRIDE SUCH AS GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム等のIII族窒化物の成膜方法 - 特許庁

TITANIUM NITRIDE PEELING LIQUID, AND METHOD FOR PEELING TITANIUM NITRIDE FILM例文帳に追加

窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 - 特許庁

ELECTRODE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体用電極および窒化物半導体装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体基板および窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

The third layer is composed of nitride such as chromium nitride (CrN).例文帳に追加

第3層は、窒化クロム(CrN)などの窒化物からなる。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子 - 特許庁

III GROUP NITRIDE FILM AND III GROUP NITRIDE MULTI LAYER- FILM例文帳に追加

III族窒化物膜及びIII族窒化物多層膜 - 特許庁

SUBSTRATE FOR FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体形成用基板及び窒化物半導体 - 特許庁

TREATING METHOD OF ALUMINUM NITRIDE POWDER AND ALUMINUM NITRIDE例文帳に追加

窒化アルミニウム粉末の処理方法及び窒化アルミニウム - 特許庁

CARBON NITRIDE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CARBON NITRIDE例文帳に追加

窒化炭素及び窒化炭素の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体製造装置および窒化物半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR APPARATUS AND NITRIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物半導体装置および窒化物半導体製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板 - 特許庁

例文

METHOD OF PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

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