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nitrideを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16740



例文

IRON NITRIDE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化鉄材及びその製造方法 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DEVICE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体の発光デバイス - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

窒化物結晶の成長方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LED例文帳に追加

窒化物半導体発光素子 - 特許庁

例文

MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE LED DEVICE例文帳に追加

窒化物LED素子の製造方法 - 特許庁


例文

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT ARRAY例文帳に追加

窒化物半導体発光素子アレイ - 特許庁

NITRIDE FILM AND FILM-FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

窒化物膜及びその成膜方法 - 特許庁

The silicon nitride film 405 is removed.例文帳に追加

シリコン窒化膜405を除去する。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DEVICE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体発光装置 - 特許庁

例文

ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY例文帳に追加

窒化アルミニウム焼結体 - 特許庁

例文

METHOD FOR GROWING NITRIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

窒化物単結晶の育成方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体発光装置 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING SILICON NITRIDE FILTER例文帳に追加

窒化ケイ素フィルタの製造法 - 特許庁

ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY例文帳に追加

窒化アルミニウム質焼結体 - 特許庁

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT例文帳に追加

窒化物系半導体光素子 - 特許庁

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子 - 特許庁

APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE例文帳に追加

III族窒化物製造装置 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF TRANSITION METAL NITRIDE例文帳に追加

遷移金属窒化物の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体製造方法 - 特許庁

BALL END MILL MADE FROM CUBIC BORON NITRIDE例文帳に追加

CBN製ボールエンドミル - 特許庁

SUBSTRATE HAVING STACKED ALUMINUM NITRIDE LAYER例文帳に追加

窒化アルミニウム積層基板 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM OF SILICON OXIDE NITRIDE例文帳に追加

酸化窒化シリコンの成膜方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE FILM MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

酸化珪素膜の製造方法 - 特許庁

NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING HETEROSTRUCTURE例文帳に追加

窒化物系発光ヘテロ構造 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム基板及び半導体レーザデバイス - 特許庁

GALLIUM NITRIDE WAFER AND MARKING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE WAFER例文帳に追加

窒化ガリウムウエハおよび窒化ガリウムウエハのマーキング方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム基板、エピタキシャル基板、および窒化ガリウムを形成する方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND GALLIUM NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の製造方法および窒化ガリウム結晶 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

III族窒化物半導体素子及び窒化ガリウムエピタキシャル基板 - 特許庁

GALLIUM INDIUM NITRIDE SMOOTH STRUCTURE FOR GROUP III NITRIDE DEVICES例文帳に追加

III族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造 - 特許庁

MARKING METHOD OF NITRIDE GALLIUM SUBSTRATE, AND NITRIDE GALLIUM SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム基板のマーキング方法及び窒化ガリウム基板 - 特許庁

The ceramics-based material includes titanium nitride and/or aluminium nitride.例文帳に追加

セラミックス系材料は、窒化チタン、又は、及び、窒化アルミニウムを含む。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE FILM, AND DEVICE OF FORMING GALLIUM NITRIDE FILM例文帳に追加

窒化ガリウム膜の形成方法、及び窒化ガリウム膜の形成装置 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE AND ALUMINUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム及び窒化アルミニウムのエピタキシャル成長方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム基板および窒化物半導体エピタクシャル基板 - 特許庁

The silicon nitride film 5 is a multilayer film of silicon nitride films 5a, 5b, 5c.例文帳に追加

窒化シリコン膜5は窒化シリコン膜5a,5b,5cの積層膜である。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

III族窒化物半導体素子およびIII族窒化物半導体基板 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element comprises a multilayer film of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体の多層膜を備えている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE, ALUMINUM NITRIDE, NITRIDING FURNACE AND TRAY FOR REACTION例文帳に追加

窒化アルミニウムの製造方法、窒化アルミニウム、窒化炉および反応用トレー - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE POWDER AND APPARATUS FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE POWDER例文帳に追加

窒化ガリウム粉体の製造方法、及び窒化ガリウム粉体の製造装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体エピタキシャルウエハ及び窒化物半導体素子 - 特許庁

To manufacture a gallium nitride substrate used for a nitride-based semiconductor structure.例文帳に追加

窒化物ベースの半導体構造に用いる窒化ガリウム基板を製造する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE AND METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MAKING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

III族窒化物半導体の作製方法、及びIII族窒化物半導体 - 特許庁

SILICON NITRIDE COMPOSITE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE COMPOSITE例文帳に追加

窒化珪素コンポジット及び窒化珪素コンポジットの製造方法 - 特許庁

例文

GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

III族窒化物結晶およびIII族窒化物結晶基板 - 特許庁

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