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reverse blockの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 101件
Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon.例文帳に追加
一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート18に第1の電圧を印加し、第2のウェルには第1の電圧と反対の極性の第2の電圧を印加し、第1のウェルには第1の電圧と同じ極性の第3の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート16に電子を注入することで消去前書き込みを行う。 - 特許庁
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