「reverse-blocking state」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which possesses reverse blocking characteristics and achieves a normally-off characteristic, on-state resistance, and the suppression of off-state current.例文帳に追加

本発明は、逆阻止特性を有し、かつノーマリオフ特性、オン抵抗とオフ電流の抑制を実現する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a charge remaining quantity of the battery 22 is reduced, a Zener diode ZD1 is turned into a reverse-blocking state, a transistor Q2 is turned off while a transistor Q2 is turned on, and a light emitting diode LED1 is lighted up.例文帳に追加

バッテリ22の電荷の残量が少なくなると、ツェナーダイオードZD1が逆阻止状態となり、トランジスタQ2がオフし、トランジスタQ1はオンして発光ダイオードLED1が点灯する。 - 特許庁

The semiconductor snubber 200 includes a capacitor 210 formed at least on one end side of the substrate region during reverse bias of the reflux diode 100, a resistance 220 including a part of the substrate region, and a reverse blocking diode 222 formed on at least a part of the substrate region so as to be in a reverse blocking state with respect to forward bias of the reflux diode 100.例文帳に追加

半導体スナバ２００は、還流ダイオード１００の逆バイアス時に少なくとも前記基板領域の一端側に形成されるキャパシタ２１０と、基板領域の一部を含む抵抗２２０と、還流ダイオード１００の順バイアスに対して逆阻止状態となるように、基板領域の少なくとも一部に形成された逆阻止型ダイオード２２２とを含む。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

When a lamp voltage comes to 400 V or less, lighting for fluorescent lamps FL1, FL2 is determined, a voltage induced in a sub-winding Tr2 is also reduced, a Zener diode ZD7 is brought into a reverse-blocking state, and the output of an inverter circuit 15 is lowered compared with that in a start time to light the lamps FL1, FL2.例文帳に追加

ランプ電圧が４００Ｖ以下になると蛍光ランプFL1 ，FL2 が点灯したと判断して、補助巻線Tr2dに誘起される電圧も低下し、ツェナダイオードZD7 が逆阻止状態になり、インバータ回路15の出力を始動時より低くして蛍光ランプFL1 ，FL2 を点灯させる。 - 特許庁