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sin laの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
After La(O) film 11 as a cap film and a W film 12 of a metal electrode are formed on a silicon film 7 on an NMOS region and on a SiN film 9 on a PMOS region; and then heat treated to diffuse La elements of the La(O) film 11 into high-dielectric gate insulating film in NMOS region.例文帳に追加
そしてNMOS領域上のシリコン膜7及びPMOS領域上のSiN膜9上にキャップ膜としてのLa(O)膜11及びメタル電極のW膜12を形成した後、加熱処理して、La(O)膜11のLa元素をNMOS領域の高誘電率ゲート絶縁膜に拡散させる。 - 特許庁
To solve the following problem: a conventional MONOS having a configuration for accumulating electric charges in SiN has insufficient accumulating quantity of electric charges and cannot have a large threshold change width, and a high density of electric charges by introduction of dopant cannot be realized by a technique for introducing an La-based element into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加
従来のMONOSは、SiNに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またHfO_2,ZrO_2,TiO_2中へLa系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁
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