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threading dislocationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 52件
The third buffer layer 5 is provided for reducing threading dislocation and residual strain of the light emitting layer 6, improving planarity of a base of the light emitting layer 3, and moderating a piezoelectric field of the light emitting layer 6 by using carriers generated in the third buffer layer 5, and Si is added to the third buffer layer as an impure substance acting as a donor.例文帳に追加
第3のバッファ層5は、発光層6の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層3の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第3のバッファ層5で生成されたキャリアを利用して発光層6のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてSiを添加してある。 - 特許庁
Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加
デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層(ドリフト層)と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層(転位変換層)を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁
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