「threading dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The AlGaN layers 16, 18, and 20 including an AlGaN light-emitting layer 18 are formed thus on the GaN substrate 10 having a lattice constant close to that of AlGaN, so that a threading dislocation density introduced into the AlGaN layers 16, 18, and 20 is reduced significantly, as compared with conventional methods which use a sapphire substrate.例文帳に追加

このように、ＡｌＧａＮの格子定数と近い格子定数を有するＧａＮ基板１０上に、内部にＡｌＧａＮ発光層１８を含むＡｌＧａＮ層１６，１８，２０を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、ＡｌＧａＮ層１６，１８，２０の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁