「transistor memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

TRANSISTOR, MEMORY CELL ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF THE TRANSISTOR例文帳に追加

トランジスタ、メモリセルアレイ、および、トランジスタ製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR, MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加

トランジスタ、メモリセルアレイ、及びトランジスタの製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR-FREE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ - 特許庁

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタ - 特許庁

ONE-TRANSISTOR CELL FeRAM MEMORY ARRAY例文帳に追加

１トランジスタセルＦｅＲＡＭメモリアレイ - 特許庁

This device has a memory cell transistor and a peripheral circuit transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと周辺回路トランジスタとを有する。 - 特許庁

SPIN TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

不揮発性メモリおよび薄膜トランジスタ - 特許庁

MEMORY ARRAY USING SOI-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

ＳＯＩ型トランジスタを用いたメモリアレイ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY TRANSISTOR, NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND DATA ERASING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタ、不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリトランジスタのデータ消去方法 - 特許庁

TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY USING SAME例文帳に追加

トランジスタとそれを用いた半導体メモリ - 特許庁

SPIN TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

スピントランジスタ、集積回路、及び、磁気メモリ - 特許庁

MEMORY USING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トンネル電界効果トランジスタを用いたメモリ - 特許庁

TWO TRANSISTOR FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

２トランジスタ強誘電体不揮発性メモリ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY AND TRANSISTOR例文帳に追加

トランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR, MEMORY CELL, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トランジスタ、メモリセル、およびその形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, PHASE CHANGE CHANNEL TRANSISTOR AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加

相変化メモリ素子、相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁

A memory cell 10 includes, e.g., a memory cell transistor MT0 and a select transistor ST0.例文帳に追加

メモリセル１０は、例えばメモリセルトランジスタＭＴ０と選択トランジスタＳＴ０とを含んでいる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体メモリトランジスタの製造方法 - 特許庁

SELECTION TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD OF SELECTION TRANSISTOR, MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MEMORY DEVICE例文帳に追加

選択トランジスタ、選択トランジスタの作成方法、メモリ装置及びメモリ装置の製造方法 - 特許庁

TWO TRANSISTOR SINGLE CAPACITOR FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

２トランジスタ単一キャパシタ強誘電性メモリ - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY ELEMENT HAVING FERROELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR MEMORY COMPRISING IT AND METHOD FOR DRIVING TRANSISTOR例文帳に追加

トランジスタとそれを用いた半導体メモリ、およびトランジスタの駆動方法 - 特許庁

EVALUATING METHOD FOR THRESHOLD VALUE OF MEMORY TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

メモリトランジスタのしきい値評価方法及び半導体メモリ装置 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell and a transistor.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル、トランジスタを有する。 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY例文帳に追加

電界効果トランジスタ、集積回路、及びメモリ - 特許庁

RESISTIVE MEMORY INCLUDING BIPOLAR TRANSISTOR ACCESS DEVICE例文帳に追加

バイポーラトランジスタアクセスデバイスを有する抵抗メモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH NONVOLATILE MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタを含む半導体装置 - 特許庁

The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリのメモリセル（ＭＣ_1）は、コントロールトランジスタ（Ｃ_1）とメモリトランジスタ（Ｍ_1）とで構成されている。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell including the memory transistor MT and the selection transistor ST.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリトランジスタＭＴと選択トランジスタＳＴとを含むメモリセルを備えている。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタ、メモリセル、および電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MEMORY AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT INCLUDING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびそれを用いたメモリおよび半導体回路 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY TRANSISTOR, AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタおよびその駆動方法 - 特許庁

UNIPOLAR TRANSISTOR MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ユニポーラトランジスタメモリーセルおよびその製造方法 - 特許庁

SPIN TRANSISTOR AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME例文帳に追加

スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ - 特許庁

MFOS MEMORY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＦＯＳメモリトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のトランジスタの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING NON-VOLATILE MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタを有する半導体装置 - 特許庁

SPIN TRANSISTOR, PROGRAMMABLE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ - 特許庁

SPIN TRANSISTOR, AND NON-VOLATILE MEMORY USING SAME例文帳に追加

スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ - 特許庁

MOCVD METAL OXIDE FOR ONE TRANSISTOR MEMORY例文帳に追加

１トランジスタメモリ用のＭＯＣＶＤ金属酸化物 - 特許庁

ONE-TRANSISTOR ONE-CAPACITOR TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

１トランジスタ１キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁

A memory cell is configured by a readout transistor, a write-in transistor, and a capacitor.例文帳に追加

メモリセルを、読み出しトランジスタ、書き込みトランジスタ、キャパシタにより構成する。 - 特許庁

The cell unit comprises a memory string, a first transistor, a second transistor, and a diode.例文帳に追加

セルユニットは、メモリストリング、第１トランジスタ、第２トランジスタ、及びダイオードを備える。 - 特許庁

To form easily a memory transistor and a high breakdown voltage MOS transistor in the same transistor substrate without changing the operating characteristics of the memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタの動作特性を変動させることなく、容易にメモリトランジスタと高耐圧ＭＯＳトランジスタとを同一半導体基板上に形成する。 - 特許庁