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tungsten inclusionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To provide a semiconductor device having metal wires formed on an upper layer wire by RIE using tungsten as a contact burying material in which tungsten can be prevented from being etched by chemical due to the misalignment of a pattern at the time of patterning the upper layer interconnect, no inclusion margin is required at the time of patterning the upper layer interconnect, and the reduction of a pattern size is facilitated.例文帳に追加
コンタクト埋め込み材としてタングステンを用い、その上層配線にRIEを用いて加工するメタル配線をもつ半導体装置の製造に際して、上層配線のパターニングの際にパターンの合わせずれに起因してタングステンが薬液でエッチングされてしまうことを防止でき、上層配線のパターニングの際に包含余裕をとる必要がなくなり、パターンサイズの縮小が容易になる半導体装置を提供する。 - 特許庁
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