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zrb_2 buffer layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加
この窒化物系半導体素子は、ZrB_2基板1の表面上に形成された窒化物系半導体層(バッファ層2、n型クラッド層3、発光層4、p型クラッド層5およびp型コンタクト層6)と、ZrB_2基板1の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜9とを備えている。 - 特許庁
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