「ふいになる」を含む例文一覧(3530)

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  • ふいになる
    to come to naught  - 斎藤和英大辞典
  • 雨になる前に風が吹いた。
    The rain was preceded by wind. - Tatoeba例文
  • 不意に縮小するか中止になる
    diminish or discontinue abruptly  - 日本語WordNet
  • 雨になる前に風が吹いた。
    The rain was preceded by wind.  - Tanaka Corpus
  • 不意打ちになると見こんでいた。
    Their hope was to surprise it,  - Ambrose Bierce『空飛ぶ騎兵』
  • あたりが暗くなるにつれてますます風が強く吹いてきた.
    As it became darker, so the wind blew harder.  - 研究社 新英和中辞典
  • 技術的には歩射射法とかなり異なる。
    From the aspect of technique, it greatly differs from Busha/Kachiyumi shaho (shooting an arrow while walking).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • 基板１の上にＦｅ_70Ｃｏ_30からなる下磁性層２を成膜する。
    A lower magnetic layer 2 of Fe70Co30 is film-formed on a substrate 1. - 特許庁
  • このとき、放電保護用のＦＥＴ２、充電保護用のＦＥＴ３の耐圧は、ＦＥＴ２＜ＦＥＴ３となるようにＦＥＴが選択される。
    The discharge protection FET 3 and the charge protection FET 2 are selected such that the breakdown voltage thereof satisfies a relation FET 2<FET 3. - 特許庁
  • ポリ塩化ビニルフイルムを積層してなる壁装材
    WALL COVERING MATERIAL PRODUCED BY LAMINATED POLYVINYL CHLORIDE FILM - 特許庁
  • ＢＰＦ１２１−１〜４は、各々異なる通過帯域を有する。
    BPF121-1 to 4 have a different passband respectively. - 特許庁
  • ＦＥＴＭ１とＦＥＴＭ２のソースは、電流源となるＦＥＴＭ３のドレインと接続される。
    Sources of the FETM 1 and the FETM 2 are connected to the drain of an FETM 3 being a current source. - 特許庁
  • 副ＭＯＳＦＥＴ１５は主ＭＯＳＦＥＴ１４に逆方向電圧が印加された時にオンになる。
    The sub MOSFET 15 turns on when a reverse voltage is applied to the main MOSFET 14. - 特許庁
  • 本発明の摺動部材は、ＦｅおよびＷからなるＦｅ−Ｗ相とＦｅおよびＳからなるＦｅ−Ｓ相が、ＦｅまたはＦｅ合金からなる基材中に分散してなる摺動部を少なくとも一部に備えることを特徴とする。
    At least a part of the sliding member is provided with a sliding part formed by dispersing an Fe-W phase consisting of Fe and W and an Fe-S phase consisting of Fe and S into a base material consisting of Fe or an Fe alloy. - 特許庁
  • 目的の周波数はｆ_１であるので、最終的には周波数ｆ_１においてＱ値が高くなる。
    A targeted frequency represents the f_1, and this eventually results in an increase in Q value in the frequency f_1. - 特許庁
  • 排気流れに関して異なる位置に上流側ＤＰＦ１４と、下流側ＤＰＦ１８とを配置する。
    An upstream side DPF 14 and a downstream side DPF 18 are disposed at different positions in exhaust gas flow. - 特許庁
  • ＦＥＴ６と並列になるように、コンデンサ７が設けられる。
    A capacitor 7 is provided to be parallel with the FET 6. - 特許庁
  • 主電力変換スイッチである第１ＭＯＳＦＥＴ２がオンになると、第４ＭＯＳＦＥＴ１０もオンし、第３ＭＯＳＦＥＴ５のゲート電荷は第４ＭＯＳＦＥＴ１０により引き抜かれ、その電位は急速に低下して、第３ＭＯＳＦＥＴ５はオフとなる。
    The electric potential decreases rapidly, and the third MOSFET 5 is turned off. - 特許庁
  • 本発明の除去材は、主にＦｅＯＯＨまたはＦｅ_２Ｏ_３からなる非晶質ナノ多孔質体である。
    The material for removal is an amorphous nano porous material composed of mainly FeOOH or Fe_2O_3. - 特許庁
  • ＰＴＦＥからなる基材１にアラミド繊維２を分散させた。
    Aramid fiber 2 is dispersed in a base material 1 made of PTFE. - 特許庁
  • これらのＦＥＴ２０，３０は、互いに異なる閾値電圧を持っている。
    These FET's 20, 30 have different threshold voltages, respectively. - 特許庁
  • 磁性層は、ＮｉＦｅＣｒからなる第１の副層２４８と、その上に形成されたＮｉＦｅからなる第２の副層２５０とを含むことが可能である。
    The magnetic layer may comprise a first sub-layer 248 comprises NiFeCr and a second sub-layer 250 comprises NiFe formed thereon. - 特許庁
  • プロトン置換により、前駆体フイルム６５は水素置換フイルム６８となる。
    By the proton substitution, the precursor film 65 becomes a hydrogen substitution film 68. - 特許庁
  • 水性インキ筆記性合成樹脂フイルム並びに該フイルムよりなる封筒、便箋及び付箋
    AQUEOUS INK WRITABLE SYNTHETIC RESIN FILM, ENVELOPE, LETTER PAD AND TAG MADE OF THE FILM - 特許庁
  • ＦＥＴ５がオンとなると、このＦＥＴ５を介してコンデンサ６に電圧Ｖｃｃが充電される。
    When the FET 5 is switched on, a capacitor 6 is charged with voltage Vcc via the FET5. - 特許庁
  • ＦＥＴ５がオンとなると、このＦＥＴ５を介してコンデンサ６に電圧Ｖccが充電される。
    When the FET 5 is turned on, a capacitor 6 is charged with a voltage Vcc via the FET 5. - 特許庁
  • 80 歳になる老人は急な坂道を歩一歩上がっていった.
    The 80‐year‐old man went up the steep slope step by step.  - 研究社 新和英中辞典
  • 複数のＭＯＳＦＥＴを異なる面方位を有する基板上に形成する。
    To form a plurality of MOSFETs on a substrate having different plane orientations. - 特許庁
  • 蓄積モードのＭＯＳＦＥＴにおいて、さらなるオン抵抗の低減を図る。
    To decrease ON resistance furthermore in a storage mode MOSFET. - 特許庁
  • 動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを効率的に低コストで形成する。
    To form MOSFETs having a different operating voltage efficiently at a low cost. - 特許庁
  • この際にダイオードＤ１が導通し、ＦＥＴ２のソースおよびＦＥＴ３，ＦＥＴ４のソースに正電圧が供給されるようになる。
    In this case, a diode D1 is energized, and the positive voltage is supplied to the source of a FET 2 and the sources of FETs 3, FET 4. - 特許庁
  • 素子カバー２は、Ｆｅを主成分としＡｌを添加したＦｅ−Ａｌ合金材料からなる。
    The element cover 2 comprises an Fe-Al alloy material containing Fe as a main component and added with Al. - 特許庁
  • 第２の強磁性層２３は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。
    The second ferromagnetic layer 23 has a single-layer structure made of CoFe or NiFe or a multilayer structure made of CoFe/NiFe/CoFe. - 特許庁
  • これにより、ＦＥＴ２〜ＦＥＴ４のゲート−ソース間の電位は負となってこれらのＦＥＴはオフするようになる。
    Consequently, although the potential between the gates and sources in the FETs 2-4 becomes negative and the FETs are turned off. - 特許庁
  • Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯからなる組成を主成分とする。
    This material contains a composition consisting of a Fe2O3, a ZnO, a CuO and an NiO as its main component. - 特許庁
  • その後、第２のＡｌ−Ｏバリア膜４の上にＦｅ_50Ｃｏ_50からなる下磁性層５を成膜する。
    Then, a lower magnetic layer 5 of Fe70Co30 is film-formed on the second Al-O barrier film 4. - 特許庁
  • ２つの異なる周波数ｆ１、ｆ２は、２５０ＭＨｚ≧ｆ１＞ｆ２≧１０ＭＨｚかつ０．９≧ｆ２／ｆ１≧０．１の関係を満たす。
    The two different frequencies f1 and f2 satisfy a relation of 250 MHz≥f1>f2≥10 MHz, and 0.9≥f2/f1≥0.1. - 特許庁
  • 異なる種類の写真フイルムに対応する２つのフイルム搬送路を、フイルムキャリア１７に設ける。
    A film carrier 17 is provided with two film carrying paths corresponding to different kinds of photographic films. - 特許庁
  • 軟質ポリウレタンフォームよりなる本体部２と、該本体部２の表面を覆う不織布よりなる表面材３とを備えてなるパフ１。
    The puff 1 comprises a main body 2 composed of a soft polyurethane foam and a surface material 3 composed of an unwoven fabric covering the surface of the main body 2. - 特許庁
  • Ｎｉが３５．５〜３６．５％（ｍａｓｓ％）含有され残部がＦｅおよび不可避の不純物よりなるＦｅ−Ｎｉ基合金からなる燃料電池用のセパレータのガス流路の表面に、Ｆｅ_３Ｏ_４からなる耐腐蝕層を設けること。
    A corrosion resistant layer made of Fe_3O_4 is installed on the surface of a gas passage of a separator for fuel cell made of a Fe-Ni group alloy in which Ni is contained 35.5-36.5% (mass%) and the rest is composed of Fe and inevitable impurities. - 特許庁
  • １２０℃のポリエチレンを厚みが２２５μｍとなるようにＰＯＦ１２に被覆する。
    Polyethylene of 120°C is coated on the POF 12 so that the thickness is 225μm. - 特許庁
  • 好ましくは、複数の外側大径フイーラホイールユニットの径を、外側になるにつれて拡径寸法が次第に大きくなるようにする。
    Preferably the diameters of a plurality of outside large-diameter filler wheel units are made gradually larger toward the outside. - 特許庁
  • Ｎ型ＦＥＴのゲート電極となる第１の導電体１１６とＰ型ＦＥＴのゲート電極となる第２の導電体１１７とが互いに同電位となるように電気的に接続されている。
    In the semiconductor device, the first conductor 116 as a gate electrode of an n-type FET and the second conductor 117 as a gate electrode of a p-type FET are electrically connected to each other so as to have the same potential. - 特許庁
  • フイルム巻上げ時のラチェット音は巻芯２２の内部で発生するため、外部に漏れにくくなる。
    A ratchet sound is generated in the spool 2 when the film is wound and become hard to leak out. - 特許庁
  • これにより、電子カメラの処理がフイルム特性情報に基づいて行われ、フイルム特性情報の異なるデジタルフイルムを使用することによって記録する画像の特性を変えることができるようになる。
    Thus, the processing of the electronic camera is operated based on the film characteristic information, and the characteristics of images to be recorded can be changed by using digital films whose film characteristic information is different. - 特許庁
  • ＮｄＦｅＢ粒子から成るコアにＦｅＣｏナノ粒子のシェルを被覆したＮｄＦｅＢ／ＦｅＣｏナノコンポジット磁石を提供する。
    To provide an NdFeB/FeCo nano composite magnet covering a core configured of NdFeB particles with the shell of FeCo nano particles. - 特許庁
  • 次に、ＤＣＧオフ時には、各ＣＭＯＳ型ＦＥＴ８０は一斉にオフし、各ＣＭＯＳ型ＦＥＴ９０は一斉にオンとなる。
    When the DCG is off, each of the CMOS type FETs 80 turns off simultaneously, and each of the CMOS type FETs 90 turns on simultaneously. - 特許庁
  • パターン認識の際には、基準エッジモデルおよびエラーエッジモデルの双方に対する不一致度が算出され、前者の不一致度を、後者の不一致度が小さくなるほど値が大きくなるように調整する。
    During pattern recognition, nonconincidence to both the reference edge model and the error edge model is calculated, and the value of the former nonconincidence is adjusted to be larger as the latter nonconincidence gets smaller. - 特許庁
  • Ｆｅ、Ａｌ及びＮｉを必須に含んでなる処理剤、特にこれらの部分合金を必須に含んでなる有機ハロゲン化物の分解用処理剤を用いる。
    The detoxifying agent for halogenated organic compounds includes Fe, Al and Ni essentially, particularly, includes a partial alloy of them essentially. - 特許庁
  • 具体的には、ＦＥＴ３に直列に接続される抵抗素子４に並列接続されるＦＥＴ５を、ＦＥＴ３と共通の制御信号Ｖinに基づき、ＦＥＴ３と異なるタイミングでターンオフ期間に係るようにオフする。
    Specifically, an FET 5 connected in parallel to a resistance device 4 connected in series to the FET 3 is turned off so as to be in a turn-off period at a different timing from that of the FET 3, based on a control signal Vin common to the FET 3. - 特許庁
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