「ふいになる」を含む例文一覧(3530)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 70 71 次へ＞- フイルムカートリッジ２３が装填されていない時は、スイッチがオンとなる。
In the case the film cartridge 23 is not loaded, the switch is turned on. - 特許庁 - ＲＩＦは、領域ＤＡＮ−２の複製とＲＩＦ自身のＦＥとからなる。
An RIF consists of the duplicate of the area DAN-2 and an FE of the RIF itself. - 特許庁 - ポリビニールアルコールフイルムと肥料の複合体からなる農業用マルチフィルム。
The mulching film for the agricultural use comprises a composite of a polyvinyl alcohol film and fertilizer. - 特許庁 - スロッシング周波数ｆ_１は、階段の揺れの周波数ｆ_２と一致させられてなるのが好ましい。
Preferably, a sloshing frequency f_1 corresponds to a rocking frequency f_2 of a staircase. - 特許庁 - このラッチ回路Ｌ２の出力は、フリップフロップＦＦ１の出力信号Ｑとなる。
An output from the latch circuit L2 is changed into an output signal Q from the flip-flop FF1. - 特許庁 - フイルム通過スイッチ３３は、展開ローラ２２からインスタントフイルム２１が排出される側に配置されており、インスタントフイルム２１が展開ローラ２２により送り出されたとき、押圧を受けてオンになる。
The film passing switch 33 is placed at a discharge side of the instant film 21 from the expansion roller 22, and when the expansion roller 22 feeds the instant film 21, the switch 33 receiving the pressure is closed. - 特許庁 - この一体化されたＦｉｎＦＥＴ／厚いポリシリコン含有ゲート構造によって、しきい電圧が現行のＣＭＯＳ回路設計と両立し、かつゲート電極の抵抗率が従来の対称ＦｉｎＦＥＴよりも低いＦｉｎＦＥＴの製造が可能になる。
Because of the integrated Fin FET/thick polycilicon-containing gate structure, an Fin FET having the threshold voltage which is compatible with the present CMOS circuit design and the gate electrode the resistivity of which is lower than that of the conventional symmetrical Fin FET can be manufactured. - 特許庁 - 外部電源１から２次電池２への充電経路に、充電制御回路７によって制御されるＭＯＳＦＥＴからなる充電制御素子４とＭＯＳＦＥＴからなる逆流防止素子５とを有する。
A charging path from an external power source 1 to a secondary battery 2 includes the charging control element 4 composed of a MOSFET controlled by a charging control circuit 7, and a reverse current prevention element 5 composed of the MOSFET. - 特許庁 - フイルム２１上に導電塗料の端子パターン１１１を設けてなる第一フレキシブル基板１０と、フイルム５１上に金属箔の端子パターン５１１を設けてなる第二フレキシブル基板５０とを具備する。
The flexible board includes a first flexible board 10 providing the terminal pattern 111 of conductive paint on a film 21, and a second flexible board 50 providing the terminal pattern 511 of metal foil on a film 51. - 特許庁 - 磁性材料は、一般式ε−Ｆｅ_２Ｏ_３を主相とし、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶のＦｅサイトの一部がＡで置換されたε−Ａ_ｘＦｅ_２−ｘＯ_３の（０＜ｘ≦０．３０）結晶からなる。
The magnetic material is made of a (0<x≤0.30) - 特許庁 - メモリ磁性層１１は、ＧｄＦｅまたはＧｄＦｅＣｏ合金からなるので、希土類金属Ｇｄと遷移金属Ｆｅ、Ｃｏの組成により保磁力を最適に設定するとともに、ＧｄＦｅまたはＧｄＦｅＣｏの組成及び膜構成によりメモリ磁性層の磁化を最適にする。
A memory magnetic layer 11 comprises a GdFe or GdFeCo alloy, so that a coercive force is set in an optimum manner with compositions of rare earth metal Gd and transition metals Fe, Co, and magnetization of the memory magnetic layer is made optimum with the composition of GdFe or GdFeCo and the film construction of the same. - 特許庁 - ゲート電極に所定のバイアス電圧を与えたＦＥＴ１２の微分抵抗はドレイン・ソース間電圧が高くなると右上がりに指数関数的に上昇し、また、ゲート・ソース間電圧が高くなると微分抵抗は低くなる。
The differential resistance of the FET 12 applying prescribed bias voltage to a gate electrode is increased rightward exponentially, when the voltage between a drain and a source becomes high, and id decreased when voltage between the gate and the source becomes high. - 特許庁 - ＦＥＴのゲート絶縁膜上に成膜される感応電極３１に二つの端子１０、１１を設け、異なる電位を与えて電流を流す。
Two terminals 10, 11 are disposed on a sensitive electrode 31 deposited on a gate insulation film of the FET, and different potentials are applied them, thereby causing current to flow therein. - 特許庁 - Ｓｍ及びＦｅの２元合金であっても、ラーベス相（ＳｍＦｅ_2）の単相からなる磁歪素子を得る。
To obtain a magnetostriction element consisting of a single phase of a Laves (SmFe_2) phase even with a binary alloy of Sm and Fe. - 特許庁 - 入力端子ＩＮの電圧が”Ｈ”の時は、インバータ８の出力が”Ｌ”となり、ＦＥＴ３がオフ、ＦＥＴ５がオンとなる。
When the voltage of an input terminal IN is "H", the output of an inverter 8 becomes "L", an FET 3 is switched off, and an FET5 is switched on. - 特許庁 - 入力端子ＩＮの電圧が”Ｈ”の時は、インバータ８の出力が”Ｌ”となり、ＦＥＴ３がオフ、ＦＥＴ５がオンとなる。
When the voltage of an input terminal IN is "H", the output of an inverter 8 is "L" and an FET 3 is turned off and an FET 5 is turned on. - 特許庁 - レンズ付きフイルムユニット４９は、前カバー５０、後カバー５１、及びフイルム収納や撮影機構などを備えた本体部５５とからなる。
This lens-fitted photographic film unit 49 is constituted of a front cover 50, a rear cover 51, and a main body part 55 equipped with a film housing and a photographing mechanism. - 特許庁 - 陽極室では塩化第一鉄（ＦｅＣｌ2 ）が塩化第二鉄（ＦｅＣｌ3 ）になる反応及び塩化物及び塩酸の塩素イオンが塩素ガスになる反応が起こる。
A reaction to convert ferrous chloride (FeCl2) to ferric chloride (FeCl3) and a reaction to convert chlorides and the chlorine ion of hydrochloric acid to chlorine gas take place in the anode compartment. - 特許庁 - 次に、入力端子ＩＮが”Ｌ”になると、インバータ８の出力が”Ｈ”となり、ＦＥＴ３からコンデンサ４の充電電流が流れ、ＦＥＴ５がオフとなる。
Next, when an input terminal IN becomes "L", the output of an inverter 8 becomes "H", and a charge current flows to a capacitor 4 from the FET3, and the FET5 is switched off. - 特許庁 - 標準比重が２．１６以上のＰＴＦＥからなる第１未焼成シートと標準比重が２．１６未満のＰＴＦＥからなる第２未焼成シートとを積層し、この積層体に圧力を加えて圧着物を得る。
A first unbaked sheet comprising a PTFE with a standard specific gravity of ≥2.16 and a second unbaked sheet comprising PTFE with a standard specific gravity of < 2.16 and are laminated, and a pressure is applied on this laminated body to obtain a press-bonded article. - 特許庁 - 重量％で、Ｍｏ：５．０〜３０．０％を含有し、さらに必要に応じてＣｒ：５．０〜２０．０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる組成を有するＦｅ基合金からなる光ディスク成形用スタンパ。
This stamper for molding the optical disk consists of a Fe-based alloy having the composition containing 5.0-30.0 wt.% Mo, if necessary 5.0-20.0 wt.% Cr, and Fe and inevitable impurities as the balance. - 特許庁 - 次に、入力端子ＩＮが”Ｌ”になると、インバータ８の出力が”Ｈ”となり、ＦＥＴ３からコンデンサ４の充電電流が流れ、ＦＥＴ５がオフとなる。
Next, when the input terminal IN is "L", the output of the inverter 8 is "H", and charging current of a capacitor 4 is applied from the FET 3, and the FET 5 is turned off. - 特許庁 - 光磁気記録媒体１０は、ポリカーボネート、ガラス等から成る基板１と、ＳｉＮから成る下地層２と、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層３と、ＧｄＦｅＣｏから成る再生層４と、ＳｉＮから成る保護層５と、ＮｉとＦｅとの合金から成る金属層６とを備える。
The magnetic-optical recording medium 10 is provided with a substrate 1 consisting of polycarbonate, glass, etc., a ground layer 2 consisting of SiN, a recording layer 3 consisting of TbFeCo, a reproducing layer 4 consisting of GdFeCo, a protective layer 5 consisting of SiN and a metallic layer 6 consisting of alloy of Ni and Fe. - 特許庁 - Ｓｉからなる探針素材１３上に、順に、ＳｉＯ２層１４、ＦｅＰｔ薄膜層１５を形成すると共に、そのＦｅＰｔ薄膜層１５の形成中ないしはＦｅＰｔ薄膜層１５の形成後に熱処理を行う。
An SiO2 layer 14 and an FePt thin film layer 15 are formed in this order on a probe base material 13 comprising Si, and heat treatment is performed during formation of the FePt thin film layer 15 or after formation of the FePt thin film layer 15. - 特許庁 - 並びに、原料としてパーマロイ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ａｌ系またはＣｒ：３〜１０ｍａｓｓ％、残部Ｆｅからなる粉末を用いることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
The electromagnetic wave absorbent powder comprises of a material powder of Permalloy, Fe-Cr-Al, Fe-Cr-Si, Fe-Cr-Si-Al, or powder of 3 to 10 mass% Cr and remaining mass% Fe. - 特許庁 - 海岸線に対して２５〜５０度の角度となるように、海岸線に沿って人工リーフ１を海底に構築した捨石マウンド上に設置した。
An artificial reef 1 is provided on a rubble mound constructed on the sea bottom along a coastline to form an angle of 25 to 50 degrees for the coastline. - 特許庁 - 延伸多孔質ＰＴＦＥよりなるフィルタを使用することによりトナー捕集効果を高めてトナー漏れを解消するとともに、その延伸多孔質ＰＴＦＥよりなるフィルタの取付けを容易としたトナー回収容器を提供する。
To provide a toner recovering container which enhances the toner capturing efficiency and eliminates toner leakage by using a filter consisting of a stretched porous PTFE and facilitates the mounting of the filter consisting of the stretched porous PTFE. - 特許庁 - これによりＦｅ系金属部材１とＺｎ系ろう材３からなる接合層４との境界部に、Ａｌを主成分とするＡｌ−Ｆｅ−Ｚｎ系金属間化合物からなる金属間化合物層が形成される。
In this way, an intermetallic compound layer composed of an Al-Fe-Zn-based intermetallic compound essentially consisting of Al is formed at the boundary part between the Fe-based metal member 1 and a joining layer 4 composed of the Zn-based brazing filler metal 3. - 特許庁 - ビーム長によって共振周波数ｆ１，ｆ２が異なる複数のビーム型の振動子素子２５，２６を有し、 内側から外側に向ってビーム長が大きくなる順に前記複数の振動子素子２５，２６が配置されて成る。
The microresonator comprises a plurality of beam type oscillator elements 25 and 26 having resonance frequencies f1 and f2 dependent on the beam length wherein the oscillator elements 25 and 26 are arranged in such an order as the beam length increases from the inside toward the outside. - 特許庁 - また、第１ＭＯＳＦＥＴ２がオフになると、第１ダイオード８と第３ＭＯＳＦＥＴ５のゲート入力容量により安定したゲートバイアス電圧が確保されるため第４ＭＯＳＦＥＴ１０に環流電流が流れる。
When the third MOSFET 5 is off, a stable gate bias voltage is ensured by the gate input capacity of the first diode 8 and the third MOSFET 5, so that reflux current flows through the fourth MOSFET 10. - 特許庁 - 入力配線用回路基板１８は、入力配線端子３０の下方に第１および第２の端子ｆ１、ｆ１′、ｆ１′′、…およびｆ２、ｆ２′、ｆ２′′、…の対からなる検出端子が形成される。
On an input wiring circuit board 18, is formed with the detection terminals consisting of the pairs of 1st and 2nd terminals f1, f1', f1",... and f2, f2', f2",... are formed. - 特許庁 - ネガフイルム１１には、各コマ１１ａ毎に、第１無線タグ１２が設けられており、この第１無線タグ１２内にはフイルムＩＤとコマ番号とからなるフイルムコマＩＤが格納されている。
A first radio tag 12 is provided for every frame 11a in a negative film 11 and a film frame ID consisting of a film ID and a frame number is stored in the first radio tag 12. - 特許庁 - また、２台の冷却器４２、４３をガス回収ラインに取り付けることにより、フイルム製膜装置１０の連続運転がさらに可能になる。
Further, by attaching two coolers 42 and 43 to a gas recovery line, the continuous operation of the film forming apparatus 10 becomes further possible. - 特許庁 - そして、オフモードになると、オフ制御信号がＭＯＳＦＥＴ７及び８に供給されオフにすると共に、メモリ素子に記録される。
When the pattern becomes an off mode, an off control signal is applied to the MOSFET 7 and 8 to turn them off, and also to be recorded into the element. - 特許庁 - ケース本体３は、レンズ付きフイルムユニット６を収納する収納位置と、レンズ付きフイルムユニット６の各部を露呈させる撮影位置との間で移動自在となるようにレンズ付きフイルムユニット６に取り付けられる。
The case body 3 is attached to a film unit with a lens 6 so as to freely move between a housing position where the film unit 6 is housed and a photographing position where the respective parts of the film unit 6 are exposed. - 特許庁 - 第１工程は、製鋼スラグに含まれる酸化鉄をＦｅ_２Ｏ_３および／またはＦｅ_３Ｏ_４に変化させることにより、ＦｅＯの濃度が１質量％以下となるよう、製鋼スラグを酸化させる。
In the first step, the steel-making slag is oxidized by converting iron oxide included in the steel-making slag into Fe_2O_3 and/or Fe_3O_4 to reduce the FeO concentration to 1 mass% or less. - 特許庁 - 駆動指令信号Ｓd1がＨレベル、駆動指令信号Ｓd2がＬレベルに変化すると、ＭＯＳＦＥＴ２０がオンとなりＭＯＳＦＥＴ１４、１６をオフさせるとともに、ＭＯＳＦＥＴ１３にミラー比ｍ×ＩＨなる電流が流れる。
When a drive command signal Sd1 is changed to a H level and a drive command signal Sd2 is changed to a L level, a MOSFET 20 is turned on to turn off MOSFETs 14 and 16, and a current of m(mirror ratio)×IH flows to a MOSFET 13. - 特許庁 - 第１の化合物半導体は第２の化合物半導体とは異なり、その結果、第１のＦＥＴは第２のバンド構造とは異なる第１のバンド構造を有し、第２のＦＥＴの閾値電圧とは異なる閾値電圧を生じる。
The first compound semiconductor is different from the second compound semiconductor such that the first FET includes a first band structure different from second band structure, giving rise to a threshold voltage different from that of the second FET. - 特許庁 - 金属層１１は、少なくともＣｒとＦｅとを含有し、かつＣｒ又はＦｅを主成分とする表面金属層１１０と、ハニカム体１０との境界部に形成される金属シリサイドからなる拡散層１１１とからなる。
A metal layer 11 is composed of the surface metal layer 110 containing at least Cr and Fe and composed essentially of Cr or Fe and a diffusion layer 111 composed of metal silicide formed at a boundary part with the honeycomb body 10. - 特許庁 - 入力信号Ｓ１がフリップフロップ回路ＦＦ６の出力Ｓ７と異なる論理レベルとなると、出力３が変化しＦＥＴ２２をＯＮバイアス、ＦＥＴ４３をＯＦＦバイアスする。
If an input signal S1 becomes a logical level different from that of an output S7 of a flip-flop circuit FF 6, an output 3 is changed to make a FET 22 to be an onbias and a FET 43 to be an offbias. - 特許庁 - 各種パターン２３−１，２４−１，２５−１，２６−１，２７−１をフイルム２１−１上に形成してなるフレキシブル基板２０−１を具備する。
A flexible substrate 20-1 includes a film 21-1 and various types of patterns 23-1, 24-1, 25-1, 26-1 and 27-1 formed on the film. - 特許庁 - また、ＦＥＴ２１（２２）がＯＦＦとされることによってＸ（Ｙ）軸センサ１（２）の電源が断とされ、以後、Ｘ（Ｙ）軸センサ１（２）による電源消費がなくなる。
After this, the X-, (Y-) axis sensor 1, (2) does not consume electric power supply anymore. - 特許庁 - 不一致の場合には表示数優先制御が実行され、ベルグループに含まれる２つの役に同時に入賞となる。
If the order does not coincide, display number priority control is executed, and two combinations included in the bell group are simultaneously won. - 特許庁 - 手首に装着する装着部（カフ）１と、この装着部１に一体に又は着脱可能に取付けられた本体２とからなる。
The electronic sphygmomanometer consists of a fitting part (cuff) 1 to be fitted to a wrist and a main body 2 attached to the fitting part 1 integrally or attachably/detachably. - 特許庁 - Ｓｉ酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極４上に、テトラゴナル構造で（００１）配向のＢｉＦｅＯ_３からなる強誘電体層５を有してなる強誘電体メモリ素子１。
The ferroelectric memory element 1 has a ferroelectric layer 5 of a tetragonal structure composed of BiFeO_3 having (001) orientation formed on a perovskite type electrode 4 deposited on an Si oxide film. - 特許庁 - ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ_75 Ｆｅ_25 からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ_60 Ｆｅ_20 Ｂ_20 層とＣｏ_75 Ｆｅ_25 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。
The SyAF pinned layer 345 is formed such that a second ferromagnetic layer 3 composed of Co_75 Fe_25, a non-magnetic spacer layer 4 composed of ruthenium, and a first ferromagnetic layer 5 that is a composite layer of a Co_60Fe_20B_20 layer and a Co_75Fe_25 layer are laminated sequentially from the side of the pinning layer 2. - 特許庁 - 本発明は、ロール状写真フイルムが収容されてなるフイルムカートリッジが装填されるカメラに関し、カートリッジ内のフイルムスプールを確実に回転させることができるとともに、コストの低減化を図る。
To surely rotate a film spool in a film cartridge and to reduce cost in a camera, in which the film cartridge housing a roll-like photographic film is loaded. - 特許庁 - 特定のディレクトリに関する管理情報が記録されるＦＥ３０１において、この更新回数が所定値以上となった時点で、ＦＥ３０１を、記録媒体上の別の位置となるＦＥ３０６に移動させる。
When the number of updates in an FE 301 on which management information about a particular directory is recorded reaches a given value, the FE 301 is shifted to an FE 306 in the other position on a recording medium. - 特許庁 - 表示板１０は、モールド樹脂製の本体部３０の表裏面に、可撓性を有する樹脂フイルムからなる第一のフイルム板２０と第二のフイルム板４０を覆うように取り付けて構成される。
The plate 10 is constituted by attaching a first film plate 20 and a second film plate 40, both of which are composed of flexible resin films, to the front and rear surfaces of a main body section 30 made of a molded resin so as to cover the section 30. - 特許庁 - フイルムサイズが異なる複数フォーマットのインスタントフイルムを適宜に使い分けできるようにするとともに、使用期限を経過したインスタントフイルムの使用を防止する光学式プリンタを提供する。
To provide an optical printer which allows the proper selective use of instant films of plural formats varying in film sizes and prevents the use of the instant films expired of the validity. - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
