「ふいになる」を含む例文一覧(3530)
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A choke coil 10 and a capacitor 11 connected in series are provided to be parallel with the FET 9. - 特許庁 - また缶外面になる面には Ｆｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とその上に再結晶軟質化したＮｉメッキ層とを有することが望ましい。
Desirably, the side to be used as the outside face of the can is provided with an Fe-Ni diffusion plated layer, and the surface thereof is provided with a recrystallized and softened Ni plated layer. - 特許庁 - 異なるセル数により構成されるＭＯＳＦＥＴＭ２、Ｍ３と抵抗Ｒ３、Ｒ４により２種類の電流制限値を設定する。
The two types of the current limit values are set by MOSFET M2 and M3, which are constituted of the different number of cells and by resistors R3 and R4. - 特許庁 - また缶外面になる面には Ｆｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とその上に再結晶軟質化したＮｉメッキ層とを有することが望ましい。
Further, the outer surface of the can is to be provided, preferably, with a Fe-Ni diffusion plated layer and a recrystallized and softened Ni plated layer over it. - 特許庁 - ＴＡＣを含むドープ１２を流延ダイ１６から流延ベルト２０上に乾燥後のフイルム膜厚が４０μｍとなるように流延する。
A dope 12 containing TAC is cast from a casting die 16 onto a casting belt 20 so that a film thickness after drying becomes 40 μm. - 特許庁 - 本発明のスカーフ衣類は、スカーフを衣類の前身頃、後身頃、襟、更には袖にすることにより、スカーフの衣類着用が可能となる。
The scarf garment is wearable as a garment by utilize a scarf as the front body part, the back body part, the collar and also the sleeves. - 特許庁 - 扇形ｆ１内に貫通孔４７が設けられているので、接点から加わる力の方向は連結ピン５０側に向くことになる。
Because a through-hole 47 is formed in a sector form f1, a direction of a force applied from a contact point is directed a connection pin 50 side. - 特許庁 - 異常検知スイッチＳ１１〜Ｓ１３は、圧縮機に関する異常が有る場合にはオフ、異常がない場合にはオンとなる。
Failure detection switches S11-S13 is turned off when some failure occurs in a compressor and is turned on when no failure occurs. - 特許庁 - 第１および第２ＦＥＴ６１，６２は、それらの寄生ダイオードが互いに逆向きとなるように直列接続されている。
The first and second FETs 61, 62 are connected to each other in series so that their parasitic diodes are reversely arranged. - 特許庁 - トラフ１０の断面の径が、内端部２０から外端部２１に向かって徐々に大きくなることにより、隣接するトラフ１０同士が、内端部２０から外端部２１までの全域に亘って互いに接している。
Because a diameter of cross section of the trough 10 becomes larger gradually from the inner edge section 20 to the outer edge section 21, the adjacent pair troughs 10 have contact with each other over a whole domain from the inner edge section 20 to the outer edge section 21. - 特許庁 - さらに、太陽電池２１の両端間にはｐチャネルＭＯＳＦＥＴよりなる第１の半導体スイッチ２７が接続され、太陽電池２１と第１の半導体スイッチ２７との間にはｎチャネルＭＯＳＦＥＴよりなる第２の半導体スイッチ２８が挿入されている。
Furthermore, a first semiconductor switch 27 consisting of a p-channel MOSFET is connected between both ends of the solar cell 21, and a second semiconductor switch 28 consisting of an n-channel MOSFET is inserted between the solar cell 21 and the first semiconductor switch 27. - 特許庁 - これにより、ＭＯＳＦＥＴ２２、２４がドレイン端子とソース端子との間にかかる電圧が特定の値未満になるまで一時的にドレイン端子とソース端子との間がＯＦＦ状態となる。
With such a configuration, OFF-states are temporarily formed between the drain terminals and the source terminals until the voltages between the drain terminals and the source terminals are made to be lower than the specified value. - 特許庁 - 芳香族化合物を含むポリマーフイルムからなる光学補償シートであって、芳香族化合物のフイルムの厚み方向の分布において、芳香族化合物がフイルムの表面に集中せず、そして芳香族化合物が長時間経過後にもフイルムの表面に析出し難い光学補償シート。
In the optical compensation sheet consisting of a polymer film containing an aromatic compound, the aromatic compound does not concentrate on the film surface in the distribution of the aromatic compound in the film thickness direction and the aromatic compound hardly separates on the film surface even after the lapse of long time. - 特許庁 - これにより、サージによってＦＥＴ２１，２２のソース端子及びドレイン端子が導通状態（オン状態）となること、ひいては過電流がＦＥＴ２１，２２、モータ２０等に流れることが抑制される。
Thereby, it is suppressed that source terminals and drain terminals of the FETs 21, 22 become a conductive state (ON state) by the surge, and furthermore, it is suppressed that the overcurrent is flowed to the FETs 21, 22, and a motor 20. - 特許庁 - また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。
Further, while a polycrystalline silicon film 111 that becomes a low breakdown voltage MISFET gate electrode is formed on a high breakdown voltage MISFET gate electrode FG, impurities for adjusting the low breakdown voltage MISFET threshold are implanted. - 特許庁 - 袋体の表裏シートは、合成樹脂等の単層又は複層フイルム、もしくはこれら複層フイルム間にアルミ箔を介在させた積層フイルムからなる厚さ１００〜２５０ミクロンの合成樹脂可撓シートが好ましい。
It is preferable that the front and back sheets of the bag body are synthetic resin flexibility sheets of 100 to 250 μm in thickness composed of a laminated film in which aluminum foil is intervened among a single layer or multilayer films, or these multilayer films such as a synthetic resin material. - 特許庁 - 第２成分は、Ｃｅ、ＣｅＯ_２等のＣｅ化合物、Ｆｅ、Ｆｅ_２Ｏ_３等のＦｅ化合物、Ｃｕ、ＣｕＯ等のＣｕ化合物のうちの少なくとも１つからなる。
The second component is composed of at least any one of Ce and Ce compounds such as CeO_2, Fe and Fe compounds such as Fe_2O_3 and Cu, and Cu compounds such as CuO. - 特許庁 - また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。
An impurity is injected for adjusting a threshold value of a low breakdown-strength MISFET, with a polycrystal silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown-strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high breakdown strength MISFET. - 特許庁 - また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。
An impurity is injected for adjusting the threshold of a low breakdown strength MISFET, with a polycrystalline silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high-breakdown strength MISFET. - 特許庁 - キートップ板１−１は、合成樹脂フイルム２１１からなる表面側板部材２１０と、合成樹脂フイルム２３１からなる裏面側板部材２３０と、ゴム状弾性板２５０とを、この順番に第１，第２接着層２７０，２９０を介して一体に貼り合わせて構成される。
The key top plate 1-1 is composed by integrally sticking a front surface-side plate member 210 formed of a synthetic resin film 211, a back surface-side plate member 230 formed of a synthetic resin film 231, and a rubber-like elastic plate 250 on one another in that order through first and second adhesion layers 270 and 290. - 特許庁 - センス電圧が閾値電圧Ｖｒｅｆ１以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ１以上となるときや、閾値電圧Ｖｒｅｆ２以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ２以上となるときには、スイッチング素子ＳＷを遮断する。
When a duration in which the sense voltage becomes the threshold voltage Vref1 or higher reaches a specified time Delay1 or longer, and when a duration in which the sense voltage becomes the threshold voltage Vref2 or higher reaches a specified time Delay2 or longer, the switching element SW is shut off. - 特許庁 - 光磁気ディスク１を、ディスク基板２上に、ＡｌＴｉからなる反射層４、Ｓｂからなる非線形材料層６、ＴｂＦｅＣｏからなる記録再生層７、およびＳｉＮからなる第２の誘電体層８を少なくとも積層させて構成する。
The magneto-optical disk 1 is obtained by laminating at least a reflection layer 4 consisting of AlTi, nonlinear material layer 6 consisting of Sb, recording and reproducing layer 7 consisting of TbFeCo and second dielectric layer 8 consisting of SiN on a disk substrate 2. - 特許庁 - レベル変換回路は、論理回路からの相補信号１０Ａ，１０Ｂを入力するそれぞれゲート接地形のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１００，１０１及びｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３と、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１０４，１０５からなるｐチャネル交差ラッチと、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０６，１０７からなるｎチャネル交差ラッチとからなる。
The level conversion circuit is provided with a P-channel latch consisting of common gate P-channel MOSFETs 100, 101 and N-channel MOSFETs 102, 103 that receive complementary signals 10A, 10B from a logic circuit and of P-channel MOSFETs 104, 105 and with an N-channel latch consisting of N-channel MOSFETs 106, 107. - 特許庁 - 幕末のこの時期、藩内は尊皇攘夷を唱える「金鉄組」と、佐幕的な立場を執る「ふいご党」とに分かれ、成瀬家は金鉄組、竹腰家はふいご党に近かった。
Around that time during the end of the Edo period, the domain was divided into the 'Kanetetsu group' who were in Sonno-joi-ha (a group of activists who admired the Emperor and hated foreigners, advocating the need for expelling them from Japan) and the 'Fuigo party' who were in Sabaku-ha, and the Naruse family was near to the Kanetetsu group and the Takenokoshi family near to the Fuigo party. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - １−メトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＥ−２５４ｐｃ）とメタノールからなることを特徴とする共沸又は共沸様組成物。
The azeotropic or quasi-azeotropic composition is composed of 1-methoxy-1,1,2,2-tetrafluoroethane (HFE-254pc) and methanol. - 特許庁 - リセット信号／ＲＥＳＥＴが“Ｈ”になると、クロック信号ＣＬＯＣＫに同期して、フリップフロップ回路ＦＦ１，ＦＦ２は、データを取り込む。
When the reset signal/RESET becomes 'H', the flip-flop circuits FF1, FF2 fetch data by being synchronized with a clock signal CLOCK. - 特許庁 - 高圧迫構造は、カフ１Ａの幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２の小圧迫物１０を尺骨部に相対する側に設けてなる。
The high pressure structure is provided with a small pressure object 10 of a width W2 narrower than a width W1 of the cuff 1A on the side facing the ulna part. - 特許庁 - 成形用型１０の表面にはＰＴＦＥからなるテフロンフィルムシート１を貼り、その表面に複合材料２０のガラス繊維を貼る。
A Teflon film sheet 1 consisting of PTFE is stuck to the surface of a mold 10 for molding and the glass fibers of a composite material 20 are stuck to the surface. - 特許庁 - 半導体装置１１はＮ^＋型のシリコンからなる半導体基板１２上に形成されたトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴ２２を備えている。
The semiconductor device 11 is provided with a MOSFET 22 formed on a semiconductor substrate 12 composed of N^+-type silicon and constituted in a trench gate structure. - 特許庁 - ディレクトリ用のファイルエントリ（ＦＥ）とファイル識別記述子（ＦＩＤ）を、ディレクトリ毎に異なるＥＣＣブロック７２〜７８に記録する。
File entries (FE) for directories and file identification descriptors (FID) are recorded in ECC blocks 72 to 78 different by directory. - 特許庁 - すなわち、コンパレータ１２１の出力のオンオフ１周期内におけるオフ時間は、上限電圧V_Hが下降するに伴って短くなる。
This means that an off-time in a cycle of the turning-on/off of an output of the comparator 121 becomes short as the upper limit value V_H decreases. - 特許庁 - 変化量ＤＶＯ２が判定閾値ＤＶＯ２ＴＨより高くなると、ＤＰＦ１２が故障したと判定する（Ｓ２３，Ｓ２４）。
When the change amount DVO2 is higher than a determination threshold value DVO2TH, a failure of the DPF 12 is determined (S23, S24). - 特許庁 - Ｆｅ基合金からなる鍛造用金型１０のキャビティ１１ａ（１２ａ）におけるクラックＣ等の損傷部に、混合粉末を塗布する。
A mixed powder is applied to a damaged area such as a crack C in the cavity 11a (12a) of a forging die 10 made of an Fe-base alloy. - 特許庁 - 互いに異なる符号の零でない分散値を有する２つのＥＤＦ１０、２０を直列に接続して、ＥＤＦＡ１内の光伝送路を構成する。
Two EDFs 10 and 20 having the non-zero dispersion values of mutually different codes are serially connected and an optical transmission line inside EDFA 1 is constituted. - 特許庁 - 瞬停が発生した後、再び、電源電位が元に戻ると、フリップフロップ回路ＦＦ１，ＦＦ２のデータは、互いに同じ値となる。
When power potential returns again after short break occurs, pieces of data of the flip-flop circuits FF1, FF2 mutually become the same value. - 特許庁 - また、フイルムカートリッジ２３が装填されカートリッジ室蓋２１が閉じられると、突出部材４２の押圧により、スイッチがオフとなる。
On the other hand, when the film cartridge 23 is loaded and the cartridge chamber cover 21 is closed, the switch is turned off in accordance with the pressure of the projecting member 42. - 特許庁 - さらに、上記にＢ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなるＦｅＣｏ軟磁性ターゲット材。
Further, the FeCo soft magnetic target material is obtained by incorporating ≤30at% of one or more selected from among B, Nb, Zr, Ta, Hf, Ti and V into the above. - 特許庁 - 画像形成装置に対して瞬間的な電源再投入が行われた場合において、異なる制御系での動作状態の不一致を解消すること。
To eliminate disagreement on an operation state in different control systems when power is instantaneously resupplied to an image forming apparatus. - 特許庁 - 透光性のフイルム２０の表面に金属色からなる半透過膜２１と印刷層２３とを形成する。
A semi-transmissive film 21 formed in a metallic color and a printing layer 23 are provided on the surface of a light transmissive film 20. - 特許庁 - 支持体２上に感光性樹脂からなる特定方向に凹凸形状を有する万線状レリーフ１を形成する。
A numerously-lined relief 1 which is composed of a photo-sensitive resin and has convex and concave forms in a specific direction, is formed on a supporting body 2. - 特許庁 - レンズ付きフイルムユニットには、異なる露出を選択するモード選択操作部１５が外部に露呈して設けられている。
The film unit with a lens is provided with a mode selection operating unit 15 outwardly exposed to select one in different exposure levels. - 特許庁 - 高温になる加熱部の入力が誤操作やいたずら等の不意により入ることなく、安全性の高い加熱調理器を提供すること。
To provide a heating cooker with high safety of which, the power of a heating part, turning into high temperature, is not suddenly switched on by erroneous operation or mischief. - 特許庁 - これにより、第２のフィードバック信号における不要波成分をＢＰＦ１８で除去することが可能となる。
Thus, an unwanted wave component in the second feedback signal can be removed by the BPF 18. - 特許庁 - 切換弁が中立状態で巻下流路が負圧になることを防止し、吊荷が不意に下降することのないウインチの油圧回路を提供する。
To provide a hydraulic circuit for winch which prevents a lowering passage from being under negative pressure when a selector valve is in the neutral state so that a suspended load can be prevented from being suddenly lowered. - 特許庁 - 母材Ｗ２側にブレージングビード３に近接してシーリング材塗布位置の基準となるガイド溝６を予め形成しておく。
A guide groove 6 being a reference of the position of the sealing material to be applied is formed beforehand on the side of the base metal W2 adjacently to the brazing bead 3. - 特許庁 - 電源部１とアースとの間にシャント抵抗２、ＦＥＴ３、ランプ４が直列に接続されてなる。
This overcurrent detection circuit is constituted by connecting in series a shunt resistor 2, FET 3 and a lamp 4 between a power source 1 and the earth. - 特許庁 - これにより、ＭＯＳＦＥＴ２、３のキャリアである電子、正孔のいずれについても移動度が高められ、動作速度が速くなる。
Accordingly, the mobility is improved regarding either of electrons and holes as the carriers of the MOSFETs 2 and 3, and a working speed is increased. - 特許庁 - キートップ本体上面部５１とフイルム板２０の上面にスプレー塗装による塗装膜からなる装飾層６０を形成する。
Decorated layers 60 composed of coating films sprayed for coating are formed on upper surfaces of the key top body upper surface portions 51 and the film plate 20. - 特許庁 - 原料金属２０は、Ａｌの含有量が７重量％から１７重量％の範囲にあり、残部が実質的にＦｅからなる。
In the raw material metal 20, the content of Al lies in the range of 7 to 17 wt.%, and the balance is substantially composed of Fe. - 特許庁 - これにより、マスクパターンの形成・除去工程並びに使用するレチクル枚数の削減が可能になり、動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを、一定の性能を確保しつつ、効率的に低コストで形成することが可能になる。
Thus, it becomes possible to curtail a formation-removal process of a mask pattern and the number of reticles in use, and the MOSFETs having the different operating voltage can be formed efficiently at a low cost with a constant performance being ensured. - 特許庁
- 特許庁
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