「ふいになる」を含む例文一覧(3530)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 70 71 次へ＞- ＭＯＳＦＥＴからなる複数個のスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４を並列に接続し、各スイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４を負荷電流に応じて最適効率になるようにそれぞれ独立に制御する。
A plurality of switching elements Q11-Q14 each composed of an MOSFET are connected in parallel and each switching element Q11-Q14 is controlled independently to exhibit optimal efficiency depending on a load current. - 特許庁 - これにより、常に、一対の枠体の双方にＰＴＦＥ多孔質膜１１が接するようになり、流路中にＰＴＦＥ多孔質膜１１を確実に存在させることが可能となる。
Thus, the PTFE porous membrane 11 comes always into contact with both of the pair of the frames to enable the membrane 11 to be surely in a flow passage. - 特許庁 - この突出ネジ部１４ａに取付具１のナット部１１を締着した際に、複数の突出片１０ｂがルーフ１３に喰い込むと共に、複数の突起片１０ｄがルーフ１３に喰い込むようになる。
When the nut unit 11 of the mounting bracket 1 is tightened to the protruding screw unit 14a, the plurality of protruding pieces 10b encroach a roof 13, and at the same time, the plurality of protruding pieces 10d are composed to encroach the roof 13. - 特許庁 - これにより、ＢＰＦ１１の端子ａ２はＦＥＴのオンインピーダンスによりアースに終端され、ＡＭＰ１２にはＡＮＴ１０の受信信号がほとんど印加されないようになる。
This makes a terminal a2 of a BPF 11 terminated to the ground by an on impedance of the FET, and a reception signal of an ANT 10 is hardly applied to an AMP 12. - 特許庁 - このようにゲート配線の接続領域（コンタクト部）１０の一部をｘ方向に隣接するＭＩＳＦＥＴの間に形成することにより、ｙ方向に隣接するＭＩＳＦＥＴのゲート配線間の接続が容易になる。
Since the part of the connecting area (contact section) 10 of the gate wiring is formed between the MISFETs adjoining to each other in the x-direction, the connection between the gate wiring of MISFETs adjoining to each other in the y-direction become easier. - 特許庁 - これにより、ＦＥＴ４およびＦＥＴ５のゲート端子に入力されるパルス電圧の値を双方で異なる値にすることが可能となり、例えば、ゲートスレッショルド電圧が同一のものを使用したとしてもＦＥＴ４およびＦＥＴ５をそれぞれ独立したタイミングで動作させることができる。
Thus, the values of the pulse voltages inputted to the gate terminals of the FET 4 and the FET 5 can be turned to the different values at both, and even when the ones of the same gate threshold voltage are used for instance, the FET 4 and the FET 5 are operated at the respectively independent timings. - 特許庁 - ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が被覆されてなること。
This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method. - 特許庁 - ポリエステルマルチフイラメント糸によりカットパイルが形成されてなる立毛布帛であって、該ポリエステルマルチフイラメント糸側面の明度指数Ｌが３０以下となるよう染色された際、該ポリエステルマルチフイラメント糸の側面と断面との色相差ΔＥが３以下である。
This raised fabric is obtained by forming cut piles from polyester multifilament yarns and has ≤3 hue difference ΔE between the lateral face and the cross section of the polyester multifilament yarns when dyed so as to provide ≥30 lightness index L of the lateral face of the polyester multifilament yarns. - 特許庁 - スイッチＳＰ１がオフになるとＦＦＳ時においてタイマの計測が開始され、スイッチＳＰ２がオフになると赤目軽減用の発光ダイオードＤ_A が消灯し、また、モータＦＭによるフイルム給送が開始される。
When the switch SP1 is switched off, timer measurement is started at the time of FFS; when the switch SP2 is switched off, the light- emitting diode DA for red-eye reduction is turned off, and further film feeding by the motor FM is started. - 特許庁 - 高速用カム固着に基づく最終デューティ比Ｄｆｉｎの増加は、吸気率の増加に比べて顕著なものとなるため、最終デューティ比Ｄｆｉｎに基づき高速用カム固着を的確に且つ精度よく検出することができるようになる。
Since increasing of the final duty ratio Dfin based on the high speed cam secured is remarkable as compared with increasing of the intake rate, the high speed cam secured can be properly and accurately detected, based on the final duty ratio Dfin. - 特許庁 - 試料としてＭＯＳ・ＦＥＴを用いると、ＭＯＳ・ＦＥＴのソース４２とドレイン４４を第１電極１２と第２電極１４に接続し、ゲート４６を第３電極２８に接続して、異なるゲート電位についてＴＳＣ測定が可能となる。
When a MOS.FET is used as a sample, a source 42 and a drain 44 of the MOS.FET are connected to the first electrode 12 and the second electrode 14, and a gate 46 is connected to the third electrode 28 to enable a TSC measurement to be performed on different gate potentials. - 特許庁 - Ｆｅを主成分とし、Ｓ：１〜４質量％、Ｍｏ：１８〜３０質量％含むＦｅ系焼結合金からなるＦｅ系焼結合金粉末を鋼裏金上に焼結する。
The powder composed of an Fe-based sintering alloy consisting essentially of Fe and containing 1 to 4 mass% S and 18 to 30 mass% Mo is sintered onto a steel back plate. - 特許庁 - 長尺のチューブ状プラスチックフイルムに、複雑な形状のガゼット折りを安定して形成することができるフイルム用折込型及び該折込型を装着してなるフイルム折込機を提供する。
To provide film tucking forms and stably forming the gusset tucking of complicated shape on a continuous tubular plastic film and also a tucking machine with tucking forms to be fitted thereon. - 特許庁 - トータルＦｅ含有量が１５質量％以上、ＦｅＯ含有量が１０質量％以上、ＣａＯ／ＳｉＯ_２（質量比）が２以上、５未満、好ましくは金属Ｆｅ含有量が１質量％以上である製鋼スラグからなる。
The soil conditioner includes the steel slag having a total Fe content of 15 mass% or more, an FeO content of 10 mass% or more and a CaO/SiO_2 (mass ratio) of ≥2 and <5 and preferably having a metal Fe content of ≥1 mass%. - 特許庁 - 調光回路４６のフォトトランジスタ６３の前面に、透過性のあるフイルタ部４０ａと、遮光性を持つＮＤフイルタ部４０ｂとからなるフイルタ４０を配置する。
A filter 40 consisting of a filter part 40a having transmissibility and an ND filter part 40b having light shielding property is arranged on the front of the phototransistor 63 of a light control circuit 46. - 特許庁 - 乳化重合ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）と充填材の組成物であって、該ＰＴＦＥの粉体異形化率が５０％以下であることを特徴とするＰＴＦＥ組成物、及び該ＰＴＦＥ組成物を造粒してなるＰＴＦＥ造粒物。
This polytetrafluorethylene composition is a composition of the emulsion polymerized polytetrafluoroethlyene(PTFE) with a filler, and is characterized by having ≤50% powder shape modification ratio, and the PTFE granulated product is obtained by granulating the above PTFE composition. - 特許庁 - 目標がそれぞれ異なる歩射・騎射・堂射を明確に把握して弓を引いている射手は非常に少数となった。
Archers who draw the bow with a clear understanding of Busha, Kisha and Dosha, which have different goals, have become very rare. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - アルミニウム合金素線４は、この形成前となるアルミニウム合金の組成が、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｓｉを含むようになっている。
The composition of the aluminum alloy before the aluminum alloy strand 4 is formed, contains Fe, Zr and Si. - 特許庁 - 励磁周波数ｆ１とｆ２との差は、トルクセンサ２０が検出するトルクの信号の周波数帯域よりも大きくなるように設定される。
The difference between the excitation frequencies f1 and f2 is set in such a way as to be greater than the frequency band of signals of torque detected by the torque sensor 20. - 特許庁 - ｆｅ，ｆｍの中間で、結合電極に掛かる高周波高電圧ＡＣＶが極小になる周波数が存在する。
Between the fe and the fm, such frequency as a high frequency high voltage ACV applied on a coupling electrode becomes minimum is present. - 特許庁 - これにより、多層ロジックは、ナノワイヤＳｉ／ＧｅＴＦＥＴを用いることで、非常に高いオンチップトランジスタ密度となる。
Consequently multilayer logic results ultra-high on-chip transistor density by using nanowire Si/Ge TFETs. - 特許庁 - ポケット拡散層の不純物濃度はＭＩＳＦＥＴのしきい値が所望の値になるように設定される。
The concentration of impurities in the pocket diffusion layer is set so that the threshold value of the MISFET becomes a required value. - 特許庁 - この血圧計用カフ１００によれば、プロテクタ用空気袋１０５で血圧測定時における外部からの振動を吸収することが可能となる。
With the sphygmomanometer cuff 100, the vibrations from the outside when measuring the blood pressure is absorbed by an air bag 105 for the protector. - 特許庁 - 搬送用トレイ（70）上の半製品は、これら３つのゾーンを順に通過して最終製品としてのＰＴＦＥ粉末になる。
The half-finished product on the conveying trays (70) passes these three zones in turn to end up in the PTFE powders as the finished product. - 特許庁 - 実動作状態でゲート信号ＳｄがＬレベルになると、ＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ２はともにオフする。
When a gate signal Sd becomes an L level in an actual operating state, both the MOSFETs Q1, Q2 are turned off. - 特許庁 - 次に状態維持モードになると、オン制御信号がメモリ素子から読出され引き続きＭＯＳＦＥＴ７及び８をオンとする。
Then, when the pattern becomes a state-holding mode, the on control signal is read from the element to remain the MOSFET 7 and 8 in on states. - 特許庁 - そして、正負イオンと正負微小ミストとの混合体を、チューブを介して除電対象となる帯電体に吹き付けるように構成する。
Then, a mixture of the positive and negative ions and the positive and negative fine mists are sprayed to a charged body being a destaticizing target through a tube. - 特許庁 - 一対のＦＥＴチップ９Ａは、ドレインを互いに接続して、寄生ダイオードが逆方向となるように直列接続している。
The pair of FET chips 9A is connected in series so that the drains are mutually connected and a parasitic diode is in an opposite direction. - 特許庁 - これにより、ＭＯＳ構造のＳｉＣ半導体装置である縦型パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲートリーク不良を防止することが可能となる。
In this way, in a vertical power MOSFET as the SiC semiconductor device of the MOS structure, gate leak failure can be prevented. - 特許庁 - 異なる前方エラー訂正（ＦＥＣ）手順が、チャネルブロックについて、その優先度に基づいて選択され得る。
A different forward error correction (FEC) procedure can be selected regarding the channel block, based on its priority. - 特許庁 - チャネルとなるナノワイアの周囲をゲート電極が取り巻いて形成されているＦＥＴが、より容易に高い精度で製造できるようにする。
To enable an FET composed of a nano-wire serving as a channel and a gate electrode formed around the nano-wire to be manufactured easily with high accuracy. - 特許庁 - 単セル１００の電圧が−Ｖｆ以下となると、ダイオード１７１に電流が流れ、ＭＥＡ１１０に電流が流れることを抑制する。
When a voltage of the single cell 100 becomes -Vf or lower, current flows through the diode 171 to restrict the current flow through the MEA 110. - 特許庁 - これにより、サービス利用者の語彙と情報サービスの語彙が不一致の場合でも、サービス利用者は適切に情報サービスを利用可能となる。
Even if the vocabulary by the service user and the vocabulary in the information service are different, the service user can use the information service appropriately. - 特許庁 - III 族窒化物半導体からなるＨＦＥＴの製造方法において、素子分離領域を容易に形成する方法を提供すること。
To provide a method of manufacturing an HFET composed of a group-III nitride semiconductor, wherein an element isolation region is easily formed. - 特許庁 - 対物レンズ３１の焦点距離をｆ１、接眼レンズ３２の焦点距離をｆ２とした時に「０．４＜｜ｆ１｜／｜ｆ２｜＜０．７」なる条件を満たす。
When the focal length of the objective lens 31 is f1 and the focal length of the eyepiece 32 f2, the lenses satisfy conditions '0.4<|f1|/|f2|<0.7'. - 特許庁 - しかも、主要部品はＭＯＳＦＥＴが１コで、サイクル充電やスタンバイ充電に使用可能な、小型で廉価な充電回路になる。
Moreover, the compact and inexpensive charging circuit is obtained, in which one MOSFET is used as a main component and which is used for the cycle charging and the standby charging. - 特許庁 - 認証用コードＣを正確に認識してコピーすることが難しいので、偽造カードの場合の比較結果は不一致となる。
Since it is difficult to recognize and copy accurately the code C for authentication, the code will not match that of a forged card when compared. - 特許庁 - ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。
A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET. - 特許庁 - 抵抗８、９およびコンデンサ１０により、ゲート電圧が緩やかに上昇した後、ＭＯＳＦＥＴ５がオンとなる。
After the gate voltage gently rises by resistances 8 and 9 and a capacitor 10, a MOSFET5 turns on. - 特許庁 - クロスポイント型ＦｅＲＡＭにおいて、チップ面積のさらなる削減に寄与できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
To provide a semiconductor device contributive to reduce the chip area furthermore in a cross point type FeRAM, and to provide its fabricating process. - 特許庁 - フラッシュＲＯＭの新たな書き込み前後でフラッシュＲＯＭからＲＡＭにアクセスするアドレスが不一致になることを防止する。
To prevent an address for gaining an access from a flash ROM to a RAM from being mis-matched before and after new writing in the flash ROM. - 特許庁 - 従来と異なる方法によりチャネル領域に歪みを発生させたＭＩＳＦＥＴ構造を有する半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device having a MISFET structure where distortion is caused in a channel region by a method different from a conventional method. - 特許庁 - ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。
A p-well 111 as a MOSFET channel region is formed in one side of an n^--layer 110, and an n^+-drain region 118 is formed on the other side. - 特許庁 - 不一致計数回路１３２は，計数結果を保存するカウンタ１１２Ａと，ＸＯＲ回路１１２Ｃと，ＡＮＤ回路１１２Ｄとからなる。
The mismatch counting circuit 132 is comprised of a counter 112A for storing the results of counting, an XOR circuit 112C, and an AND circuit 112D. - 特許庁 - また、ＦｅＲＡＭメモリセルの層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２中に、バリア層となるＰＺＴ膜Ｓ１ｂ、Ｓ２ｂを形成する。
Further, a PZT films S1b, S2b which serves as barrier layers are formed in the interlayer insulating films S1, S2 of the FeRAM memory cell. - 特許庁 - ＦＥＴの閾値電圧が設計値と異なる場合においても、不要波に対して所望の抑圧量を得ることができる周波数逓倍器を提供する。
To provide a frequency multiplier obtaining a desired suppression amount to unneeded waves even when the threshold voltage of an FET is different from a design value. - 特許庁 - 流れる電流が定格電流を超えるとＭＯＳ−ＦＥＴのベース電圧がゼロになって、ＬＥＤに流れなくなる。
When the flowing current exceeds a rated current, the base of voltage of MOS-FET becomes zero, and the current does not flow in the LED. - 特許庁 - ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。
A p-well 111 to be a channel region of a MOSFET is formed in one side of an n^- layer 110, and an n^+ drain region 118 is formed in the other side. - 特許庁 - ピンレリーフ１５は、被検体の被観察部位に対面し、進退可能なピン１９を複数マトリクス状に配列してなる。
The pin reliefs 15 face the region to be observed by a subject and are made by arranging a plurality of withdrawable pins 19 in the form of a matrix. - 特許庁 - スリップ発生時にインバータの一部のスイッチング素子がオフ状態で作動しなくなるオフ異常をより適正に判定する。
To more properly determine an off-abnormality state in which some switching elements making up an inverter are kept off to disable operation at the occurrence of slippage. - 特許庁
- Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
- 本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
