「ふいになる」を含む例文一覧(3530)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 70 71 次へ＞- 少なくとも３層のＰＴＦＥ多孔質膜を含む積層体２において、最外層ＰＴＦＥ多孔質膜４の圧力損失が、少なくとも１つの中間層ＰＴＦＥ多孔質膜５の圧力損失の１／２以下となるようにした。
In a laminate 2 containing at least three-layered PTFE porous film, the pressure drop of an outermost layer PTFE porous film 4 is designed to be less than half of that of at least one intermediate layer PTFE porous film 5. - 特許庁 - 光学ヘッドの製造のばらつきに係わらず、確実に、基準ＦＥＮオフセット量を最良となるＦＥＮオフセット量に決定することができる光ディスク装置の基準ＦＥＮオフセット量調整方法を提供する。
To provide an adjusting method of a reference FEN offset amount for an optical disk device which can certainly decide the reference FEN offset amount as the best FEN offset amount independent on the variations in the manufacture of optical disks. - 特許庁 - 不意に病にかかり、気を失って死んだ方がましだと思うような病苦の中にあるときこそ必死に坐禅すれば、またとない大悟の機会となる。
If a person meditates desperately when he or she is suffering from a sudden disease and hoping to fall senseless and die, it would be a good opportunity to reach great enlightenment. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - このとき、同一の高周波電極１０２に、互いに異なる周波数ｆ１，ｆ２を有する高周波電力を同時に供給する。
In this treatment, high-frequency electric powers having different frequencies f1 and f2 are simultaneously supplied to the one and the same radiofrequency electrode 102. - 特許庁 - もしも、カセットＣ内にウエハＷが斜めに収容されていると、第１および第２ウエハセンサ１１，１２の出力信号が不一致になる。
However, if the wafer W is held aslant in the cassette C, the output signals of the first and second wafer sensors 11 and 12 are not consisted with each other. - 特許庁 - フライバックトランス１２の１次巻線に並列に、ダイオード３０と第２のＦＥＴ３２とからなるクランプ回路２８を接続する。
A clamping circuit 28 comprising a diode 30 and a second FET 32 is connected, in parallel to the primary winding of the flyback transformer 12. - 特許庁 - ロードスイッチ回路６では、常に、そのソースよりもドレインが高電位になるようにして直流の信号がＦＥＴ６Ｄに供給される。
In a load switch circuit 6, its drain is always higher in potential than the source and a DC signal is supplied to an FET 6D. - 特許庁 - 認識した輪郭線ｆ１，ｆ２に重なる四角枠Ｆを、ユーザーの切替操作に応じて順に移動させ所望の輪郭線を選択させる。
A rectangular frame F overlapped on the recognized contours f1, f2 is sequentially moved in response to a switching operation of the user and the user selects a desired contour. - 特許庁 - 操作スイッチ７がオンのときは信号入力部５２の入力信号はハイレベルにされてＦＥＴ２はオンになる。
When an operating switch 7 is turned on, the input signal of an signal inputting part 52 is at a high level, and FET2 is turned on. - 特許庁 - 認識した輪郭線ｆ１，ｆ２に重なる四角枠Ｆを、ユーザーの切替操作に応じて順に移動させ所望の輪郭線を選択させる。
A square frame F overlapping the recognized outlines f1 and f2 is made to move in order according to the change in the operation of the user, and to select the desired outlines. - 特許庁 - 半導体構造体は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴが製造されるウェハ領域の層構造が、ｐ型ＭＯＳＦＥＴが製造されるウェハ領域の層構造とは異なるものとなるように製造される。
A semiconductor structure is formed such that the layer structure of a wafer region by which an n-type MOSFET is manufactured is different from the layer structure of a wafer region by which a p-type MOSFET is manufactured. - 特許庁 - 単体のＭＩＳＦＥＴから構成される回路素子に代えて、しきい値電圧の異なる複数のＭＩＳＦＥＴからなる同一ノードトランジスタから回路素子を構成する。
Instead of a circuit element composed of a single MISFET, a circuit element is composed of identical node transistors comprising a plurality of MISFETs differing in threshold voltage. - 特許庁 - １次フィルタ３によってバックグラウンドが低減され、励起成分となる第二エネルギ帯域のＸ線の割合が著しく高くなるため、Ｆｅを精度良く分析可能となる。
Since the back ground is reduced by the primary filter 3 and the ratio of X-rays of the second energy band becoming the exciting component becomes markedly high, Fe is precisely analyzed. - 特許庁 - 質量％で、Ｎｉ：０．２〜１０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＮｉ含有鉄基合金材料の表面が、主としてＦｅＯＯＨおよびＦｅ_3Ｏ_4からなる皮膜で覆われており、該皮膜中の鉄の平均原子価数が２．７７超２．９９未満である耐候性に優れた鋼材。
In the steel having excellent weatherability, the surface of an Ni-containing iron based alloy material comprising, by mass, 0.2 to 10% Ni, and the balance Fe with inevitable impurities is coated with a film mainly consisting of FeOOH and Fe_3O_4, and the average valence of iron in the film is >2.77 to <2.99. - 特許庁 - ＩＣチップ２２において、シャント抵抗２３を、その電流通過方向に沿った辺がＭＯＳＦＥＴ２の一列に並んだパッド５（パッド列）に直交する向きとなるようにＭＯＳＦＥＴ２に隣接して形成する。
In the IC chip 22, a shunt resistor 23 is formed adjacently to a MOSFET 2 so that its side along the current passing direction may become perpendicular to the linearly arranged pads 5 (pad row) of the MOSFET 2. - 特許庁 - フインとフインの間隔はパイプの外径が２５ｍｍの時、６ｍｍ以内、フインの高さは３ｍｍ、巾は３〜４ｍｍが理想であるが、パイプ径の大小により間隔、高さ、巾は異なるため一概にきめなくてもよい。
Ideally, when an outside diameter is 25 mm, an interval between fins is 6 mm or less a height of the fin is 3 mm, and its width is 3 to 4 mm, but they may not be determined sweepingly because the interval, height, and width differ depending on size of pipe diameter. - 特許庁 - そして、調整部３５からはＦＥ＝Ｖ１＋Ｖ２，Ｖ３＝０のときにＦＥ＝０となるように第１制御信号がフォーカスコイルに出力され、Ｖ１＝０，ＦＥ＝Ｖ２＋Ｖ３のときにＦＥ＝Ｖ１＋Ｖ２となるように第２制御信号がフォーカスコイルに出力されるようにした。
Then, a 1st control signal is outputted to a focus coil from an adjustment part 35 so as to obtain the equation FE=0 when FE=V1+V2, V3=0, and a 2nd control signal is outputted to the focus coil so as to obtain FE=V1+V2 when V1=0, FE=V2+V3. - 特許庁 - これにより、写真フイルムカートリッジを挿脱する際に、従来のようにスライドケース１２をカメラ本体１０から完全に外さなくともカートリッジ室２６の底蓋４３が開閉可能になるので、写真フイルムカートリッジの装填、取り出しを迅速、且つ容易に行うことが出来るようになる。
Thus, the cover 43 of a cartridge chamber 26 can be opened/closed even though the case 12 is not completely detached from a camera main body 10 in the case of loading/unloading the photographic film cartridge, so that the photographic film cartridge is rapidly and easily loaded and taken out. - 特許庁 - もし、前任の審査官と異なる判断をする場合には、出願人に対して「不意打ち」とならないよう、必要に応じ、出願人との意思疎通を図る。
If the new examiner intends to determine differently from the previous examiner, the new examiner should communicate with the applicant so that the applicant may not be blindsided. - 特許庁 - Ｆｅ元素を混合することにより、Ｔｉを用いたろう層の低融点化が可能になり、１２００℃近傍でのろう付けが可能になる。
By mixing an Fe element, the lowering of the melting point of the brazing layer using the Ti becomes possible, and the brazing in the vicinity of 1200°C becomes possible. - 特許庁 - その後に温度センサ１８の検知温度Ｄがオフ温度値Ｄｆ以下になると、電磁弁１５がオフになり、また圧縮機１２が停止する。
When the detection temperature D of the temperature sensor 18 reaches an OFF temperature value Df or less thereafter, the solenoid valve 15 is switched off and the compressor 12 is stopped. - 特許庁 - バルブケース２の吐出口６にオリフイス穴を設けて消火薬剤を噴霧状に放出するようにしてなる。
The orifice hole is provided in a discharge port 6 of the valve case 2 so that the fire extinguishing agent is discharged into a mist. - 特許庁 - マウントカートリッジ１０をフイルムキャリア２にセットすると、閉じ板１４が係合突起６に押されて、開放位置になる。
When the mount cartridge 10 is set at a film carrier 2, the closing plate 14 is pressed by an engaging projection 6 and is brought into an operation position. - 特許庁 - 連結補助具２１は、トラフ１１の周方向においてカバー体１５に沿って延びる補助具本体２２よりなる。
The coupling assisting tool 21 consists of the main body 22 of the assisting tool which extends along the cover body 15, in the circumferential direction of the trough 11. - 特許庁 - そして、実流量が目標値になると、差圧計１２０の圧損信号により、ＤＰＦ１０による気体の圧力損失を測定する。
The pressure loss of the gas due to the DPF 10 is measured based on a pressure loss signal from a differential pressure gage 120, when the actual flow rate is brought into the target value. - 特許庁 - これにより、インバータ回路２の各ＦＥＴが進相スイッチング状態になる前にスイッチング切替えができる。
Thereby, switching can be changed before each FET of the inverter circuit 2 is brought in the advanced-phase switching state. - 特許庁 - フリップフロップＦＦ１１とフリップフロップＦＦ１３との間ではホールドタイムエラーが発生しないが、フリップフロップＦＦ１２とフリップフロップＦＦ１３との間ではホールドタイムエラーが発生するものとすると、フリップフロップＦＦ１１、ＦＦ１３は配線が短くなるような順序で、フリップフロップＦＦ１２、ＦＦ１３はクロック到達時間の遅い順にスキャンパスＰ４１〜Ｐ４４を繋ぎ直す。
Assuming that a hold time error does not occurs between flipflops FF11 and FF13 but occurs between flipflops FF12 and FF13, the flipflops FF11 and FF13 reconnect scan paths P41-P44 in the order for shortening the wiring, and the flipflops FF12 and FF13 reconnect the scan paths P41-P44 in the order of late arriving time of clock. - 特許庁 - 入力端子２４を入力配線端子３０に圧着することにより、検出端子２８が第１および第２の端子ｆ１およびｆ２、ｆ１′およびｆ２′…の対からなる検出端子に跨って当接して、いわばスイッチ群の各スイッチが閉状態になる。
By press-bonding the input terminals 24 to the input wiring terminals 30, the detection terminals 28 abut on the detection terminals consisting of the pairs of 1st and 2nd terminals f1 and f2, f1' and f2',..., sitting astride them, as if each switch of a group of switched were closed. - 特許庁 - 希土類元素（ＲＥ）と鉄元素（Ｆｅ）とを含む超磁歪材であって、ＲＥＦｅ_２からなるシート状デンドライトの領域α及び前記領域α間に位置し、ＲＥＦｅ_２＋Ｘ（ただし、Ｘは０．０１以上６．５以下）からなる鉄リッチ相の領域βを有する。
The super-magnetostrictive material contains a rare earth element (RE) and an iron element (Fe), and has sheet-shaped dendrite regions α composed of REFe_2 and a region β of an iron-rich phase located between the regions α and composed of REFe_2+x (wherein X is 0.01 to 6.5). - 特許庁 - 黄色ブドウ球菌検出用ＰＣＲプライマーセットであって、黄色ブドウ球菌のｆｅｍＡ遺伝子の特定領域にアニーリング可能な特定の塩基配列ｆｅｍ−ＡＦ及びｆｅｍ−ＲＫＫからなる２種のプライマーのセットからなる。
The PCR primer set for detecting the Staphylococcus aureus includes a set of two kinds of primers comprising specific base sequences of fem-AF and fem-RKK capable of being annealed with a specified region of a femA gene of the Staphylococcus aureus. - 特許庁 - 温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。
A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths. - 特許庁 - ＴＸシャントトランジスタＳＨ（ＴＸ）を構成するＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ５において、ＧＮＤ端子に近い側に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ５から送信端子ＴＸに近い側に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１になるに連れて、ゲート幅Ｗｇが大きくなるように構成されている。
In an MISFETQ_N1 to an MISFETQ_N5 constituting a TX shunt transistor SH (TX), the gate width Wg is configured to be widened as it goes from the MISFETQ_N5 connected to the side close to a GND terminal to the MISFETQ_N1 connected to the side close to a transmission terminal TX. - 特許庁 - このようにして格納された正損レベルを元に正損分布（オリジナルＧｒｆ１）を作成する。
Soundness distribution (original Grfl) is prepared based on the thus stored soundness levels. - 特許庁 - 水素バリヤ層８０が、ＦｅＲＡＭセルアレイとセル動作回路部とからなるＦｅＲＡＭマクロ４１に形成されているキャパシタ５６を覆って、ＦｅＲＡＭマクロとロジック部とを相互に分離する境界まで延在している。
A hydrogen barrier layer 80 covers a capacitor 56, formed at an FeRAM macro 41 comprising the FeRAM cell array and a cell operation circuit part, extending as far as to the boundary which separates the FeRAM macro and logic part. - 特許庁 - そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。
In particular, as for n channel MISFETs, the diode is connected such that the direction from the body region of one MISFET to the source region or drain region of an adjacent MISFET is a forward direction. - 特許庁 - 第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。
A second fixed magnetic layer 4c is constituted by laminating a CoFeB layer 4c1 made of CoFeB and an interfacial layer 4c2 made of CoFe or Co from the bottom. - 特許庁 - フイルム排出口における遮光性能を確保することが可能となるフイルムケース製造システム及び製造方法並びにフイルムケースを提供する。
To provide a system and method for manufacturing a film case by which light shielding performance at a film discharge outlet can be ensured, and a film case. - 特許庁 - 多数のｐＭＯＳＦＥＴが形成されているｎウェルと接地の間にｍ個のｐＭＯＳＦＥＴを配置すると、ｍ個のｐＭＯＳＦＥＴに電圧降下が発生し、ｎウェルの電位が接地より該電圧降下の分だけ高くなる。
When m pieces of pMOSFETs are arranged between an n-well mounted with a lot of pMOSFETs and grounding, a voltage drop is caused in the m pieces of pMOSFETs, so that electric potential of the n-well gets higher by the voltage drop than the grounding. - 特許庁 - 例えば、符号化対象ブロックが９Ｆ（１５，２）の場合、直前ブロックは９Ｆ（１４，２）、直前ラインブロックは９Ｆ（１５，１）、直前フレームブロックは、直前フレームの同一位置におけるブロックとなる。
For example, when the coding object block is 9F (14, 2), the immediately preceding block is 9F (14, 2), the immediately preceding line block is 9F (15, 1), and the immediately preceding frame block becomes a block at the same position of the immediately preceding frame. - 特許庁 - Ｐｒ_2Ｏ_2ＳＯ_4及び／又はＰｒ_2Ｏ_2Ｓからなる化合物に、Ｐｔ、Ｒｈ及びＦｅからなる群より選択された少なくとも１種の金属を担持してなることを特徴とする、酸素吸放出材が提供される。
The oxygen absorbing-releasing material is characterized in that a compound comprising Pr_2O_2SO_4 and/or Pr_2O_2S supports at least a metal selected from a group consisting of Pt, Rh, and Fe. - 特許庁 - 検出結果ｆが０になると、保護回路５１〜５８のシフトレジスタ１５，１７がリセットされ、ＮＡＮＤゲート１６，１８の出力が１となるため、Ｆ／Ｆ１９の出力値は変化せず、前値保持となる。
When the detection result (f) reaches 0, each of the shift registers 15, 17 of the protection circuits 51-58 is reset, and since an output of NAND gates 16, 18 becomes '1', an output value of a F/F 19 is unchanged but keeps a previous value. - 特許庁 - 当該ターゲットは、希土類元素の１種以上、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれる１種以上、および選択的にＣｒ、Ａｌ、ＳｎおよびＩｎからなる群から選ばれる１種以上からなる。
The target comprises one or more selected from rare earth elements, one or more selected from the group consisting of Fe, Co and Ni, and selectively, one or more selected from the group consisting of Cr, Al, Sn and In. - 特許庁 - １）ＰＴＦＥをベースとして２〜２５重量％の範囲の量のフッ素化アニオン界面活性剤からなる、５〜１００ｎｍの粒径を有するＰＴＦＥのラテックスと；２）ＰＴＦＥをベースとして１８〜６０重量％の範囲の量でＰＴＦＥラテックスに添加されたフッ素化非イオン界面活性剤とからなるホモポリマーまたは改質された、ＰＴＦＥベースの配合物。
A compound comprises (1) a PTFE latex composed of a homopolymeric or modified PTFE as the base and 2-25 wt.%, based on the PTFE, fluorinated anionic surfactant and having a particle diameter of 5-10 nm and (2) 18-60 wt.%, based on the PTFE, fluorinated nonionic surfactant added to the above PTFE latex. - 特許庁 - これにより、移動の際に生じる隣接通信端末の不一致をすばやく解決し、正常な経路制御を継続することが可能になる。
Consequently, it becomes possible to quickly settle the uncoincidence of an adjoining communication terminal occurring when movement is performed, and continue normal path control. - 特許庁 - レーザ素子部は、基板の厚み方向において、基準位置Ｂｆに対する積層上面の高さ位置１０ａｆ、１０ｂｆが互いに異なる。
In the laser element, height positions 10af, 10bf on a laminated upper surface to a reference position Bf differ each other in the thickness direction of the substrate. - 特許庁 - また、所定の場合に、圧電体４２２の振動周波数ｆが、共振周波数ｆ_Ｅ付近となるように制御する。
In a given case, an oscillation frequency f of the piezoelectric material 422 is controlled to be close to the resonance frequency f_E. - 特許庁 - 従来は、直ちにフイルターリング５処理に入る為、人間の手の甲の静脈パターン以外の物体の影像の認識受人が可能となる。
Conventionally, since filtering 5 is immediate started, images of objects other than the venous patterns of the back of the hand could be recognized and received. - 特許庁 - ここで、第２焦点ｆ２を第１焦点ｆ１を基点として垂直方向又は水平方向に異なる位置に配置する。
Here, the second focal point f2 is arranged at a different position in a vertical direction or a horizontal direction with the first focal point f1 as a basic point. - 特許庁 - これにより、ファイル編集に伴って影響を受ける所定のデータ区間内の全てのブロックデータが不一致部分になる。
Thereby all block data in the predetermined data section influenced accompanying the file editing become a part for the mismatching part. - 特許庁 - また缶外面になる面にはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とその上に再結晶軟質化したＮｉメッキ層とを有することが望ましい。
Further, desirably, the face to be used as the outside face of the can is provided with an Fe-Ni diffusion plated layer, and the surface thereof is provided with a recrystallized and softened Ni plated layer. - 特許庁
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