「ふいになる」を含む例文一覧(3530)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 70 71 次へ＞- 第１湿潤フイルム５５に含まれる溶媒化合物の拡散が促進され、溶媒化合物の放出が容易になる。
The diffusion of solvent compounds containing in the first wet film 55 is enhanced so as to become easy to release the solvent compounds. - 特許庁 - ＳＫＨ５１（Ｆｅ基合金）からなる予備成形体３２に対し、焼入処理及び焼戻処理を施す。
A pre-molded article 32 made of SKH51 (Fe-based alloy) is subjected to quenching treatment and tempering treatment. - 特許庁 - これにより、スピンＭＯＳＦＥＴにおける電気的な対称性が確保され、この場合の条件を解析すると、ＭＲ比が高くなることが見出された。
Consequently, the electric symmetry of the spin MOSFET is secured and an increase in the MR ratio is found out by analyzing conditions of this case. - 特許庁 - そして幅方向に湿潤フイルム１７を延伸しながら所定の溶媒含有率になるまで乾燥する。
The wet film 17 is dried until brought to a predetermined solvent content while stretched in its width direction. - 特許庁 - 写真フイルムは、可視光に感光する可視光感光層５１と赤外領域の光に感光する赤外感光層５４とからなる。
A photographic film is comprised of a visible light-sensitive layer 51 which is sensitive to visible light and an infrared light-sensitive layer which is sensitive to light in the infrared area. - 特許庁 - この場合、分析周波数にはデータ数の制約がないので、分析周波数と検出周波数ｆ１を完全に一致させることが可能となる。
Since an analysis frequency is not limited in terms of the number of data, the analysis frequency can be perfectly agreed with the detection frequency f1. - 特許庁 - ＭＥＭＳセンサ１０に設けられた検出用のキャパシタ１に、ＤＭＯＳＦＥＴからなる第１トランジスタ３のゲートが接続されている。
A gate of a first transistor 3 consisting of DMOSFET is connected with a capacitor 1 for detection which is provided to the MEMS sensor 10. - 特許庁 - ＳＩＬ２２および２つのＰＭＡアシスト層２７ａ，３２は、それぞれ、（ＣｏＦｅ／Ｎｉ）_x 等からなる積層体である。
The SIL 22 and two PMA assist layers 27a, 32 each are a laminate composed of (CoFe/Ni)_x, or the like. - 特許庁 - これにより、ＡＣ２００Ｖ系の交流電圧入力時でのＦＥＴＱ１のゲートへの過剰電荷供給がなくなる。
In this way, excessive supply of charges to a gate of the FET Q1 at the time of input of AC voltage of the AC200V system is prevented. - 特許庁 - この構成により撮像された対話者像の視線一致状態と視線不一致状態の切替表示が可能になる。
According to this configuration, it is possible to switchingly display the line of sight coincidence state and the line of sight discrepancy state of the imaged speaker image. - 特許庁 - ＦＥＤにおいて、各色の蛍光体の発光輝度が異なることに起因する色温度低下を抑制し、良好なホワイトバランスを得る。
To suppress color temperature drop caused by difference among emission luminance values of phosphors of respective colors to obtain excellent white balance, in an FED (Field Emission Display). - 特許庁 - 操作画面に表示するカメラ装置の状態と実際のカメラ装置の状態が不一致になることを防ぐ。
To provide a monitoring camera operation device for preventing noncoincidence between a camera device state to be displayed on an operation screen and an actual camera device state. - 特許庁 - 既印刷内容と新たに印刷した記録内容の向きが不一致となる印刷失敗を未然に防止できる記録装置を提供する。
To make it possible to prevent a printing failure which makes the directions of already printed contents and that of freshly recorded recording contents different. - 特許庁 - 金融機関の合併により磁気ストライプの貼付位置が異なる複数の通帳を取り扱うことができるようにする。
To deal with plural bankbooks having the different sticking positions of magnetic stripes because of the consolidation of financial institutions. - 特許庁 - プラスチックフイルムからなる袋体への収容物の収容において、袋体を保護する機能をもたせるようにする。
To provide a function for protecting a bag body when storing a storage object in the bag body made of a plastic film. - 特許庁 - マスクシート材１５に、インスタントフイルム毎に異なる装飾用の画像と、基準線３５ｃとを印刷する。
Images for decoration which are different for every instant film and reference lines 35c are printed on a mask sheet material 15. - 特許庁 - 光学系全体での焦点距離をｆ、第５レンズ群２５の焦点距離をｆ_5 としたときに、「０．８≦ｆ_5 ／ｆ≦１．２」なる条件を満たす。
Here, a condition of 0.85≤f5/f≤1.2 is met, where (f) is the focal length of the whole optical system and f5 is the focal length of the 5th lens group 25. - 特許庁 - 制御部１１２は、所定の送信レートとなるよう画像データを読み出し、Ｉ／Ｆ１１３を介してホストＰＣ１２０に送信する。
A control unit 112 reads the image data at a specified transmission rate, and transmits the data to a host PC 120 through an I/F 113. - 特許庁 - ＲＩＰ処理をするＦＥＰを備えた画像形成システムにおいて、システムの高性能化や高機能化への展開が容易となるようにする。
To facilitate development for enhancing the performance and the function of a system, in an image formation system provided with an FEP for executing RIP processing. - 特許庁 - マイクロコンピュータの起動後の処理によって写真フイルムが無駄になることのないカメラを提供する
To provide a camera capable of preventing photographic film from being wasted due to a processing after starting a microcomputer. - 特許庁 - 袋体となるプラスチックフイルムへの収容物の収容において、袋体を保護する機能をもたせるようにする。
To provide a function for protecting a bag body when storing a storage object in a plastic film which forms the bag body. - 特許庁 - ＲＬとＭＯＳＦＥＴを接続せず、コンデンサＣ１に代えて蓄電池を接続すれば、蓄電池充電回路になる。
The RL is not connected to the MOSFET, and the storage battery is connected instead of the capacitor C1, thus obtaining the charging circuit for the storage battery. - 特許庁 - フィルム幅方向に揺動を行い、かつ１３ｋｇｆ以下となるように巻取り張力を調整して巻き取ったものであるのが好ましい。
The acrylic resin film is preferably wound by oscillating the film in the film width direction, and adjusting the winding tension so as to be ≤13 kgf. - 特許庁 - また、上記にＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５．０ａｔ％含有させてなる軟磁性ＦｅＣｏターゲット材。
Further, the soft magnetic FeCo target material is obtained by incorporating 0.2 to 5.0at% of one or two selected from Al and Cr into the above. - 特許庁 - 基板上の所定の領域に、ＭＯＳＦＥＴ構造のＨＶトランジスタ２３と保護抵抗回路２５からなる高耐圧用のＥＳＤ保護素子２１、及び、ＭＯＳＦＥＴ構造のＬＶトランジスタ２４と保護抵抗回路２６からなる低耐圧用のＥＳＤ保護素子２２が形成されている。
An ESD protection element 21 for high breakdown voltage composed of an HV transistor 23 of a MOSFET structure and a protection resistor circuit 25, and an ESD protection element 22 for low breakdown voltage composed of an LV transistor 24 of the MOSFET structure and a protection resistor circuit 26 are formed in a predetermined region on a substrate. - 特許庁 - これによって第１受光部２４から出力される第１ＦＥＳが零になるとき、第２受光部２５から出力される第２ＦＥＳも零にすることができる。
Thereby, when the first FES outputted from the first light receiving section 24 becomes zero, the second FES outputted from the second light receiving section 25 can also be made zero. - 特許庁 - このため、この後、そのねじ部２８に対してルーフ１内面側から螺合するだけで、モール９がルーフ１に取付けられることになり、作業性が向上することになる。
Therefore, the molding 9 can be installed on the roof 1 only by engaging with the threaded portion from inside the roof 1, which allows enhancement of the working effectiveness. - 特許庁 - バイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、ＣＭＯＳＦＥＴとなる部分をエミッタ拡散のための熱処理によって過剰な熱に晒さないようにする。
To prevent a part becoming CMOSFET from being exposed to excessive heat in a heat treatment for emitter diffusion in a manufacturing method of a semiconductor device where a bipolar transistor and CMOSFET are formed on one substrate. - 特許庁 - マイクロコンピュータの起動時にコマ送り処理やリワインド処理を行なうカメラにおいて、フイルムパトローネ，乾電池の順に装填した際に、フイルムパトローネが使用不能になるのを防止する。
To prevent a situation that a film cartridge can not be used in the case of loading the film cartridge and a dry battery in this order in a camera which performs frame feeding processing and rewinding processing at the time of starting a microcomputer. - 特許庁 - マイクロコンピュータの起動時にコマ送り処理やリワインド処理を行なうカメラに、フイルムパトローネ，乾電池の順に装填した際に、フイルムパトローネが使用不能になるのを防止する。
To prevent a situation that a film cartridge can not be used in the case of loading the film cartridge and a dry battery in this order in a camera which performs frame feeding processing and rewinding processing at the time of starting a microcomputer. - 特許庁 - 従って、トランジスタＱ４に流れる電流はｈｆｅに依存し、同様にして、トランジスタＱ３に流れる電流もｈｆｅ依存性を有することになる。
Thus, the current flowing to the TR Q4 depends on the hfe and similarly, the current flowing to the TR Q3 has dependence on its hfe. - 特許庁 - ワイヤ中のＦｅ量、Ｍｎ量、Ｓｉ量およびＴｉ量について式（１）〜式（６）を満たすようにし、Ｔｉとして金属ＴｉまたはＴｉＦｅを添加し、更にフラックスの割合がワイヤ全質量に対して０．５〜９質量％となるようにする。
The contents of Fe, Mn, Si and Ti in the wire satisfy the inequalities (1) to (6). - 特許庁 - またキャビン４のルーフ１３内に設けられたエアコン装置に導入する外気をルーフ１３内に取り入れる外気導入口２１をルーフ１３の左右一側又は両側に突出させた庇部１４にリヤサイドパネル１１側となる機体３の内側に向けて開口させて設けた。
An outside air inlet 21 to take in the outside air to be introduced in an air-conditioner provided within the roof 13 of the cabin 4 into the roof 13 is opened in the eaves part 14 protruded on one side or both sides of the roof 13 inward of a vehicle body 3 forming the rear side panel 11 side. - 特許庁 - 次いで、両ウインドウに半導体材料を充填し、ベース上に重なるエミッタ、およびウインドウ内に形成されたチャネルの上に重なるＭＯＳＦＥＴドレインを形成する。
The method further comprises the steps of filling a semiconductor material in both the windows, and forming an emitter to be superposed on a base and a MOSFET drain to be superposed on the channel formed in the window. - 特許庁 - スイッチ制御部３は、４つのＭＯＳＦＥＴ４１〜４４の各ゲート端子と接続され、励磁電流の導通方向が周期的に交互になるように、４つのＭＯＳＦＥＴ４１〜４４を、組ごとに、周期的に交互にオンする制御信号を４つのＭＯＳＦＥＴ４１〜４４に供給する。
A switch control unit 3 is connected to each gate terminal of four MOSFETs 41-44, and supplies the four MOSFETs 41-44 with control signals that alternately switch on the four MOSFETs 41-44 cyclically in every set so that the direction of conduction of an exciting current may alternate cyclically. - 特許庁 - 複数個のＭＯＳ ＦＥＴが必要であり、かつ各々のＭＯＳ ＦＥＴに要求される特性（例えば、最大ドレイン電流定格）が異なる場合、一つのパッケージ内に複数個のＭＯＳ ＦＥＴを有し、かつ複数個ある ＭＯＳ ＦＥＴの特性をそれぞれ異なる仕様に容易にカスタマイズできる半導体集積回路を提供する。
To provide a semiconductor integrated circuit which has a plurality of MOSFETs within one package, and besides can easily customize the properties of the plural pieces of MOSFETs into severally different specifications, in the case that a plurality of MOSFET's are necessary, and that the properties (for example, the rating of the maximum drain current) requested for each MOSFET are different. - 特許庁 - 両者が不一致の場合、現在のモードで記憶媒体に保存することになる画像データの発生源が、最後に保存した画像データの発生源と異なることになるので、フォルダを作成するためのフォルダ作成フラグをＯＮに設定する（ステップＳ９０７）。
When both the do not agree, the generation source of image data to be held on the storage medium during the present mode becomes different from the generation source of finally stored image data, so that a folder creation flag for creating a folder is set to ON (step S907). - 特許庁 - ポリビニルアルコール系樹脂二軸延伸フイルムを２枚以上貼り合わせた積層体、更にはポリビニルアルコール系樹脂二軸延伸フイルムを２枚以上貼り合せてなる積層体を割繊してフラットヤーンとし、これを製織した織物からなる農業用被覆材。
The agricultural cover material comprises a laminate formed by laminating two or more polyvinyl alcohol resin biaxially stretched films, or comprises a fabric formed by weaving flat yarns which are formed by cutting the laminate formed by laminating two or more polyvinyl alcohol resin biaxially stretched films into a fibrous form. - 特許庁 - そして、ダイオードのリード若しくはＭＯＳ型ＦＥＴのリードの何れか一方が選択的に接続され、複数のスルーホールからなる取付部４５を回路基板４１の適所に配設すると共に、ダイオードの一部のリードと、ＭＯＳ型ＦＥＴの一部のリードとを異なる形状に形成する。
The leads of either the diode or the MOS type FET are selectively connected, an attaching portion 45, consisting of a plurality of through-holes, is disposed on a proper portion of the circuit board 41, and some of the leads of the diode and some of the leads of the MOS type FET are formed into shapes that differ from one another. - 特許庁 - また、プロテクタ用帯状部１０４が血圧測定用カフ１０１に対して一体となるように設けられていることから、血圧測定用カフ１０１を上腕１に巻き付けると同時に、プロテクタ用帯状部１０４も巻き付けることが可能となる。
Further, since a strip-like portion 104 for the protector is provided so as to be integrated with a blood pressure measuring cuff 101, the blood pressure measuring cuff 101 is wound around an upper arm 1, and the strip-like portion 104 for the protector is also wound at the same time. - 特許庁 - 透明基材の少なくとも一面に、硬化型樹脂からなるハードコート層及び金属酸化物からなる反射防止層がこの順に形成された反射防止フイルムにおいて、該ハードコート層表面に下式を満足する表面処理が施された反射防止フイルムを用いる。
The anti-reflection layer is formed by forming the hard coat layer made of a curing resin and the anti-reflection layer made of a metal oxide in this order on a transparent substrate, and the surface of the hard coat layer is subjected to a surface treatment satisfying the following formula. - 特許庁 - 制御ブロック３０はＲＦ信号の振幅が最大になる時のＦＥ信号の値及びＴＥ信号の振幅が最大になる時のＦＥ信号の値の差として非点収差の方向及び量を算出し、位相が進んでいる方角に設置されている発熱ヒータにのみ電流を供給する。
The control block 30 calculates a direction and quantity of astigmatism as difference of a value of the FE signal when amplitude of the RF signal becomes the maximum and a value of the FE signal when amplitude of the TE signal becomes the maximum, and a current is supplied only to a heater arranged at a direction of phase advance. - 特許庁 - 一枚以上の電子回路パッケージ２をシェルフ１に収容してなる電子回路ユニットにおいて、電子回路パッケージ２の一の隅部を、シェルフ１にヒンジ連結する。
In an electronic circuit unit which stores one or more sheets of electronic circuit packages 2 in a shelf 1, one corner of the electronic circuit package 2 is coupled with the shelf 1 by hinge. - 特許庁 - この方法は、厚さが互いに異なる誘電体層の形成を可能にするために、ＦｉｎＦＥＴのフィンの少なくとも片側に不純物を導入するいくつかのステップを含む。
Several steps are included to introduce impurities into at least one side of a fin of a FinFET to enable formation of dielectric layers with different thicknesses. - 特許庁 - 写真フイルム２２ｂは、フイルム感度ＩＳＯ３２００のものが装填されており、ＩＳＯ１００を基準とした適正ＥＶ値が「８」未満となるようにされており、ストロボ光を用いずに撮影できるようにされている。
A photo film 22b having a film speed of ISO 3200 has been loaded and has been configured such that a proper EV based on ISO 100 becomes less than "8", thus photographing is made possible without using stroboscopic light. - 特許庁 - ピント調整検査器１０を、フイルムキャリアの写真フイルムセット面にセットすると、各平行線パターン２２〜２５が焼付光軸に対して傾斜した状態になる。
When the focusing inspecting unit 10 is set on the photographic film setting surface of a film carrier, respective parallel line patterns 22 to 25 are inclined with reference to the printing optical axis. - 特許庁 - 可撓性を有する樹脂フイルムからなるフイルム板２０を上方向に湾曲して湾曲部２３を形成すると共にこの湾曲部２３内に合成樹脂製のキートップ本体３０を成形してキートップ１を形成する。
The key top 1 is constituted by forming the curved part 23 by curving the film plate 20 of flexible resin film upward and forming the synthetic resin key top body 30 inside the curved part 23. - 特許庁 - 第２バイアス回路は、第１及び第２ＦＥＴの接続ノードにおけるバイアス電圧と、第１バイアス回路の出力電圧とが等しくなるように、第２ＦＥＴのゲートに制御信号を与える比較装置を有する。
The second bias circuit has a comparator supplying a control signal to the gate of the second FET so that a bias voltage at a connection node between the first and second FETs is equalized to the output voltage of the first bias circuit. - 特許庁 - オペアンプＯＰは、ＡＢ級にバイアスするゲート電圧Ｖｇｓ＿ＡＢとなる調整電圧Ｖｓｅｔのときに、制御電圧Ｖｍｏｄｅ＿Ｃを入力するとＦＥＴにＣ級となるゲート電圧Ｖｇｓ＿Ｃを出力する。
When the control voltage Vmode_C is input during the adjustment voltage Vset to be a gate voltage Vgs_AB for biasing to class AB, the operational amplifier OP outputs a gate voltage Vgs_C for making class C to the FET. - 特許庁 - スイッチＳＰ３がオンになるとストロボ充電が禁止され、スイッチＳＰ２がオンになると、赤目軽減用の発光ダイオードＤ_A が発光し、また、モータＦＭによるフイルム給送が禁止される。
When the switch SP3 is turned on, strobe charge is inhibited; when the switch SP2 is switched on, a light emitting diode DA for red-eye reduction emits light; and further film feeding by a motor FM is inhibited. - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
