「EB」を含む例文一覧(505)

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  • For example, an EB resist 5 is applied on the substrate 3 made of quartz glass (a).
    例えば、石英ガラス製の基板３上にＥＢレジスト５を塗布する（ａ）。 - 特許庁
  • The pattern data 11 are supplied to an EB drawing device, and the photomask is manufactured.
    パターンデータ１１をＥＢ描画装置に供給し、フォトマスクを製造する。 - 特許庁
  • The electron source 11 of an electron gun projects an electron beam EB.
    電子銃等の電子源１１は電子線（電子ビーム）ＥＢを発射する。 - 特許庁
  • Je: well, that might change a couple things. thank you. (eb: thank you.)
    JE: それは色々変化をもたらすかもしれませんね ありがとうございました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Further, the method for developing the EB is provided by seeding and culturing non-differentiated embryonic stem cells in the container for developing the EB.
    さらに、この培養容器に、未分化胚性幹細胞を播種、培養することにより胚様体を形成させることを特徴とする胚様体形成方法。 - 特許庁
  • The modulus of elasticity Ea of the conductive column group 23, the modulus of elasticity Eb of the narrow insulating plate 24, and the modulus of elasticity Ec of the wide insulating plate 24 satisfy the relation of Ea> Ec>Eb or Ea<Ec<Eb.
    導電柱群２３の縦弾性係数Ｅａと、幅狭絶縁板２４の縦弾性係数Ｅｂと、幅広絶縁板２５の縦弾性係数Ｅｃとの関係をＥａ＞Ｅｃ＞ＥｂもしくはＥａ＜Ｅｃ＜Ｅｂの大小関係を満たしている。 - 特許庁
  • After the laminate region 21 is formed, alignment for EB exposure is carried out.
    積層領域２１を形成した後に、ＥＢ露光のためのアライメントを行う。 - 特許庁
  • To provide an easy-to-manufacture EB(electron beam) transfer mask which suppresses spatial charge effect in EB transfer and deterioration in drawing precision due to resist heating, etc., for the generation of EB transfer mask data composed of complementary masks.
    コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁
  • When a desired entry word is selected from the entry word list areas Ea and Eb, explanatory information (Ec) corresponding to the selected entry word is read from the dictionary and displayed on full screen.
    各見出し語一覧エリアEa,Ebから所望の見出し語が選択されると、選択見出し語に対応した説明情報(Ec)が辞書から読み出されて全画面表示される。 - 特許庁
  • The drive mechanism 50 for retreating an end bow member EB is arranged on the eng bow member EB without seeking the setting space of the drive mechanism 50 on a body 12 side.
    エンドボー部材ＥＢを退避するための駆動機構５０を、エンドボー部材ＥＢに配設し、駆動機構５０の設置スペースを車体１２側に求めないようにした。 - 特許庁
  • The peripheral edge of the EB exposure reticle of the same shape with a SEMI standard wafer is supported at the three points from both above and below, so that the EB exposure reticle can be stably held.
    ＳＥＭＩ規格ウェハと同形状のＥＢ露光用レチクルの外周縁を３ヶ所で上下方向から支持することにより、同レチクルを安定に保持できる。 - 特許庁
  • A group of registers 123 write the signal values of the 1st bit A0 the 8th bit A7 of the address bus 140 to the resistor corresponding to the address when the enable signal EB is 'effective'.
    レジスタ群１２３は、イネーブル信号EBが‘有効’のときに、アドレスバス１４０の第１ビットＡ0 〜第８ビットＡ7 の信号値を、上記アドレスに対応するレジスタに書き込む。 - 特許庁
  • A round base plate 11 having a resist for electron beam lithography is rotated in the X direction, then an electron beam EB scans it radially (Y direction) from Y1 to Y2.
    電子ビーム描画用レジスト12を有する円形基板11をＸ方向に回転させながら、電子ビームEBを基板径方向（Ｙ方向）にＹ1からＹ2まで走査させる。 - 特許庁
  • Also, the overlap of linear pattern etching is used with EB drawing for obtaining the structure.
    また、線状パターンエッチングの重ね合わせとＥＢ描画を併用して上記構造を得る。 - 特許庁
  • The computer 9 determines a motor constant Km according to an operation Eb=KmRmv0 (Rm: motor resistance).
    コンピュータ９は、Ｅ_b＝Ｋ_mＲ_mｖ_0 （Ｒ_m：モータ抵抗）を演算してモータ定数（Ｋ_m）を求める。 - 特許庁
  • The signal subtraction sections 14, 15 subtract the electric signal Eb from the electric signal Ea.
    信号減算部１４，１５は、電気信号Ｅａから電気信号Ｅｂを減算する。 - 特許庁
  • An electron beam curable(EB) coating 38 is applied to coat the ink print 36.
    このインク印刷３６を覆って電子ビーム硬化性（ＥＢ）コーティング３８が被覆される。 - 特許庁
  • A first MOS transistor F1 supplies power to the motor M from a power supply EB.
    第１のＭＯＳトランジスタＦ１は、モータＭに電源ＥＢから電力を供給する。 - 特許庁
  • The auto tensioners 31 and 32 are mounted on the engine block EB side face of the support member 33.
    支持部材３３のエンジンブロックＥＢ側の面にオートテンショナ３１、３２を取り付ける。 - 特許庁
  • To consistently secure stable cleaning property in a drum (EB) whose wear rate is low.
    磨耗レートが低いドラム（ＥＢ）に対して、終始にわたり安定したクリーニング性を確保する。 - 特許庁
  • As the energy beam EB, for example, a laser beam or an ultraviolet ray is used preferably.
    エネルギービームＥＢとしては、例えば、レーザ光または紫外線を用いることが好ましい。 - 特許庁
  • BATCH TRANSFER MASK, PARTIAL BATCH EB EXPOSURE SYSTEM AND BATCH TRANSFER MASK FORMING METHOD
    一括転写マスク、部分一括ＥＢ露光装置および一括転写マスク作成方法 - 特許庁
  • To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.
    コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁
  • Specifically, the length of the carbon nano-tube is so controlled as to be set shorter than d-Vg/ Eb, where Eb is the withstand voltage of the insulation layer 4, (d) is the film thickness thereof, and Vg is an application voltage.
    具体的には、絶縁層４が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、印加電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短く制御する。 - 特許庁
  • To provide a serial receiving apparatus which can temporarily halt code readout from an EB and also can have a RD check functioning correctly even when code readout from the EB is halted.
    ＥＢからのコードの読み出しを一時的に止めることができ、かつＥＢからのコードの読み出しを止めてもＲＤチェックが正しく機能するシリアル受信装置を提供する。 - 特許庁
  • The breakdown voltage processing at a low voltage side electrode is performed by setting the constant voltage power source Eb to 30-50 KV and by turning on and off the high-voltage relay S that is a change-over switching element.
    定電圧電源Ebを３０ＫＶ〜５０ＫＶに設定して切り替えスイッチング素子である高圧リレーS のオン・オフを行なうことによって低圧側電極の耐電圧処理を行なう。 - 特許庁
  • To provide an EB-PVD (Electron-Beam Physical Vapor Deposition) apparatus equipped with an independent system designed to monitor and maintain a constant relative level of the molten pool within the EB-PVD chamber.
    ＥＢ−ＰＶＤチャンバ内部の溶融プールの一定の相対液面を監視して維持するように設計された、独立したシステムを備えるＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。 - 特許庁
  • In a stage where processing at a high-voltage side electrode sufficiently is performed, the input side of a high-voltage relay S is connected to a third grid, and the output side thereof is connected to the grounding side of a constant voltage power source Eb.
    高圧側電極の処理が十分に為された段階で、第３グリッドに高圧リレーS の入力側を接続し、出力側を定電圧電源Ebの接地側に接続する。 - 特許庁
  • In a lithographic operation, generally various adjustment/ correction operations are performed for the EB lithographic system 5, and then the EB lithographic data (pattern) stored in the pattern memory 8 are drawn.
    描画に際しては、一般的には、ＥＢ描画装置５の各種の調整・較正作業を実施した後に、パターンメモリ８に格納されているＥＢ描画データ（パターン）を描画する。 - 特許庁
  • The drawing data correction program 6 of an EB lithographic device 5 corrects the read EB lithographic data 2 on an irradiation position on the basis of the content of a predetermined irradiation correction condition.
    ＥＢ描画装置５の描画データ補正プログラム６は、予め設定されている照射補正条件９の内容に基づいて読み込んだＥＢ描画データ２の照射位置を補正する。 - 特許庁
  • Electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive resin composition are compression molded and then cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation sheet.
    電子線（ＥＢ）架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が、圧縮成形され、ＥＢ照射により架橋されてなる放熱シートである。 - 特許庁
  • A grounded anode 15 forming the electric field generating the electron beam EB with the beam formation electrode 12 is arranged face to face to the deflection part 13 while putting the electron beam EB between them.
    ビーム形成電極１２とともに電子ビームＥＢを生成する電界を形成する接地されたアノード１５を、電子ビームＥＢを挟んでデフレクション部１３と対向するように配置する。 - 特許庁
  • A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.
    フィラメント１１より放出された電子を加速して電子ビームＥＢを生成する電界を形成するためのビーム形成電極１２に、その開口部よりも電子ビームＥＢが射出する側に突出するように、電子ビームＥＢを偏向するデフレクション部１３を設ける。 - 特許庁
  • Even when the position of an EB bonding part 33 is fluctuated, since the EB bonding part 33 is located in one part of the upper SiGe layer 18b, the fluctuation of the Ge content in the EB bonding part 33 can be suppressed so that the high current amplification factor can be stably provided.
    ＥＢ接合部３３の位置が変動しても、ＥＢ接合部３３がＳｉＧｅ上部層１８ｂ中の一部位にあるので、ＥＢ接合部３３におけるＧｅ含有率の変動を抑制することができ、高い電流増幅率を安定して得ることができる。 - 特許庁
  • This displacement measuring device 1 includes: an irradiation part 5 for emitting a beam B; an optical path length changing part 6 for emitting a first beam B1 by allowing transmission of a part of the beam B, and emitting an elongated beam EB by separating another part of the beam B; and a displacement detection part 7 for detecting displacement of a ceiling 3 by receiving the first beam B1 and the elongated beam EB.
    変位計測装置１は、光線Ｂを出射する照射部５と、前記光線Ｂの一部を透過し第１光線B1を出射すると共に前記光線Ｂの他の一部を分離して延長光EBを出射する光路長変更部６と、前記第１光線B1及び前記延長光EBを受光して天井３の変位を検出する変位検出部７とを備える。 - 特許庁
  • A first storage part 721 stores the tokens M dropped from an ineffective end EB of the field F.
    第１貯留部７２１は、フィールドＦの無効端ＥBから落下したメダルＭを貯留する。 - 特許庁
  • An extended beacon (EB) including information about the SRA and MSRA is transmitted.
    ＳＲＡおよびＭＳＲＡについての情報を含むＥＢ（拡張されたビーコン）が、伝送される。 - 特許庁
  • Patterns are delineated on a semiconductor device or on a mask for photolithography by using an EB lithography system.
    ＥＢ描画装置を用いて半導体装置や写真製版用マスクにパターンを描画する。 - 特許庁
  • For example, UV hardening resin and EB hardening resin are used as the airtight material 9.
    気密性材料９としては、例えばＵＶ硬化性樹脂やＥＢ硬化性樹脂を用いる。 - 特許庁
  • An extended beacon (EB) including information about the SRA and MSRA is transmitted.
    ＳＲＡおよびＭＳＲＡについての情報を含むＥＢ（拡張されたビーコン）が、伝送される。 - 特許庁
  • EB AND UV CROSSLINKING METHOD FOR LAYER OF COMPOSITION AND PRODUCT PREPARED WITH THESE LAYERS
    組成物の層のＥＢ及びＵＶ架橋法並びに、これらの層を伴って製造された製品 - 特許庁
  • CULTURING CONTAINER AND CULTURING METHOD FOR FORMING EMBRYOID BODY (EB) OF EMBRYONIC STEM CELL (ES CELL)
    胚性幹細胞（ＥＳ細胞）の胚様体（ＥＢ）形成のための培養容器及び培養方法 - 特許庁
  • To enable a first pattern formed on a resist film through a first EB projection exposure to register more precisely with a second pattern formed on the resist film through a second EB projection exposure.
    第１回目のＥＢプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第１のパターンと、第２回目のＥＢプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第２のパターンとの間の位置ずれを低減する。 - 特許庁
  • It obtains a reference image 2' corresponding to the optical proximity effect correction mask and a reference image 3' corresponding to the OPC pattern after converting a format of the EB data 2 (after OPC) and the EB data 3 (after SUB).
    ＥＢデータ（ＯＰＣ後）２とＥＢデータ（ＳＵＢ後）３のフォーマット変換を行った後、光学近接効果補正マスクに対応する参照画像２’と、ＯＰＣパターンに対応する参照画像３’を得る。 - 特許庁
  • In the case that the likelihood is a threshold value A or below, a reference Eb/I0 is increasingly updated immediately (step 105).
    ゆう度がしきい値Ａ以下の場合、すぐに基準Ｅｂ／Ｉ０を上げるように更新する（ステップ１０５）。 - 特許庁
  • A coating pattern is printed on a substrate with the coating material and is cured by using an electron beam ('EB') processing.
    基体に被覆材で被覆模様を印刷し、そして電子ビーム（“ＥＢ”）加工処理を使用して硬化させる。 - 特許庁
  • Thus, variation of a low voltage side output voltage VOL of the external output signal EB is suppressed.
    これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 - 特許庁
  • Thus, a variation of a low voltage side output voltage VOL of the external output signal EB is suppressed.
    これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 - 特許庁
  • A tenth grid G8 and a convergence cup C are connected to each other, and supplied with a plate voltage Eb.
    第１０グリッドＧ８及びコンバーゼンスカップＣは、接続され、陽極電圧Ｅｂが供給されている。 - 特許庁
  • A TVG-processing unit 41 TVG-processes a receiving signal EB(t), and generates a receiving signal EBc(t).
    ＴＶＧ処理部４１は、受信信号ＥＢ（ｔ）をＴＶＧ処理し、受信信号ＥＢｃ（ｔ）を生成する。 - 特許庁
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