「EB」を含む例文一覧(505)
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また、この電子線照射装置１では、外窓３４における電子線ＥＢの出射軸方向の厚さが、電子線出射窓２４における電子線ＥＢの出射軸方向の厚さよりも小さくなっている。 - 特許庁 - Ruthenium scrap containing ≥80 wt.% ruthenium is subjected to alkali or acid treatment to remove impurities stuck to the surface, and after that, its purity is made high by EB(electron beam) dissolution.
８０ｗｔ％以上のルテニウムを含有するルテニウムスクラップをアルカリ又は酸処理し、表面に付着した不純物を除去した後、ＥＢ溶解により高純度化することを特徴とする高純度ルテニウムのリサイクル方法。 - 特許庁 - Thus, application of a high voltage between the gate and backgate of each of the transistors Pt11-Pt15 can be prevented when the voltage signal EB from the outside is input, irrespective of whether the high operation power source VDE is supplied or not supplied.
これにより、高電位電源ＶＤＥの供給時／非供給時に関わらず、外部からの電圧信号ＥＢの入力時には各トランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５のゲート−バックゲート間に高電圧が印加されることが防止される - 特許庁 - The electron beam EB to be controlled in opening angle by each lens is scanned on a sample 32 by an upper stage deflector 35 and a lower stage deflector 36, and the deflection is effected in two stages so as to effect the vertical scanning of the surface of the wafer sample 32.
各レンズにより開き角等が制御される電子ビームＥＢは、上段偏向器３５と下段偏向器３６により、試料３２上で走査されるが、ウエハ試料３２の表面を垂直走査するように２段偏向される。 - 特許庁 - A proximity sensor 1a comprises an oscillator 2, a transmission antenna 3 that radiates an alternating current signal Ea based on a signal from the oscillator 2, a receiving antenna 4 that receives an alternating current signal Eb, and a resonator 5 connected to the receiving antenna 4.
近接センサ１ａは、発振器２と、発振器２の信号に基づいて交流信号Ｅａを放射する送信アンテナ３と、交流信号Ｅｂを受信する受信アンテナ４と、受信アンテナ４に接続された共振器５を備える。 - 特許庁 - Otherwise, an S-I-S or S-EP-S block copolymer and an S-B or S-EB linear block type block copolymer are melt blended.
或いは、Ｓ−Ｉ−Ｓ又はＳ−ＥＰ−Ｓブロック共重合体と、Ｓ−Ｂ−Ｓ又はＳ−ＥＢ−Ｓブロックブロック共重合体とＳ−Ｂ又はＳ−ＥＢリニアジブロック型のブロック共重合体とからなるブロック共重合体を、溶融混練する。 - 特許庁 - To minimize the total length of boundary lines for main fields and sub-fields formed in an effective pattern region per chip area, in a semiconductor device manufactured by using an EB lithography system.
本発明はＥＢ描画装置を用いて製造される半導体装置に関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を、チップ面積に対して最短化することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing an arene compound useful as a raw material of a base material component contained in a radiation-sensitive composition forming a chemically amplifiable positive type resist film effectively responsive to an EB (electron beam) and the like.
ＥＢ（電子線）等に有効に感応する化学増幅型のポジ型レジスト膜を成膜可能な感放射線性組成物に含まれる基材成分の原料として有用なアレーン系化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The meandering quantity of the steel sheet 1 is detected based on the edge positions Ea and Eb, a steering roll 2 is inclined in the sheet threading direction according to the detected meandering quantity of the steel sheet 1, and the meandering of the steel sheet 1 is corrected.
そして、エッジ位置Ｅａ，Ｅｂに基づいて鋼板１の蛇行量を検出し、検出した鋼板１の蛇行量に基づいてステアリングロール２を通板方向に対して傾斜させ、鋼板１の蛇行を修正する。 - 特許庁 - This enables the electron beam irradiation equipment 1 to measure the current generated by the electron beam EB that has been returned to the side of the electron beam irradiation window 24, by scattering and the like among the electron beams emitted from the electron beam irradiation window 24.
これにより、電子線照射装置１では、電子線出射窓２４から出射した電子線のうち、散乱等で電子線出射窓２４側に戻ってきた電子線ＥＢによって生じる電流を測定することができる。 - 特許庁 - A transmission power control information preparing device 207 prepares transmission power control information 30 based on the Eb/N0 so that more accurate transmission power control can be attained and stable communication can be executed.
そして、送信電力制御情報作成器２０７は、このＥｂ／Ｎ０により送信電力制御情報３０を作成することにより、より正確な送信電力制御が可能となり安定した通信を行うことができる。 - 特許庁 - At an earth conductive plate 5c constituting an earth conductive block EB together with an earth terminal 2, a partitioning part 56 positioned between the earth plug blade insertion port 10c and the earth terminal 2 is installed protruding forward (upward in the figure).
接地端子２とともに接地導電ブロックＥＢを構成する接地導電板５ｃに、前方（図における上方）に突出して接地栓刃挿入口１０ｃと接地端子２との間に位置する仕切り部５６を設けた。 - 特許庁 - In such a case, a control part 37 causes only an erasing light source 102 to be turned on in an erasing area EB where the storage phosphor sheet IP2 is conveyed (passes through), and causes the erasing light sources 102 in other erasing areas EA and EC to be turned off.
その際、制御部３７は、蓄積性蛍光体シートＩＰ２が搬送される（通過する）消去エリアＥＢの消去光源１０２のみを点灯させ、他の消去エリアＥＡ，ＥＣの消去光源１０２を消灯させる。 - 特許庁 - Preferably, the two tops have a height of a prescribed distance Ea toward the center of the metal band based on the projected straight line, and also, the height Eb of the root part formed between the two tops is controlled to 50 to 80% of Ea.
２つの頂は、前記投影直線を基準として金属帯板の中心寄りに所定距離Ｅaの高さを有し、かつ２つの頂の間に形成される谷底部の高さＥbが、Ｅaの50〜80％とすることが好ましい。 - 特許庁 - To provide an analytical method for a scan test circuit in which a flip-flop having a nonconformity in a shift operation in a flip-flop chain of the scan test circuit is specified in a short time even without using a special analyzer such as an EB tester or the like.
ＥＢテスタ等の特殊な解析装置を用いなくても、スキャンテスト回路のフリップフロップチェーンにおいてシフト動作に不具合のあるフリップフロップを短時間で特定可能なスキャンテスト回路の解析方法を提供する。 - 特許庁 - The electron beam EB is varied in radiation angle by an electronic deflection apparatus (not shown), and is radiated into a chamber 1 forming an electron beam radiation region where the atmosphere around the beverage vessel 30 (object) is managed in a negative pressure state.
飲料容器３０（対象物）まわりの雰囲気を負圧の状態に管理した電子線照射領域を形成するチャンバ１内に、電子線ＥＢが不図示の電子偏向器で照射角度を変えられて入射される。 - 特許庁 - A pixel value of a pixel EB of the inspected image and a pixel value range of the reference pixel EA corresponding to the inspected image are compared and it is judged that image details of the inspected images are conformed with the reference image if a difference between them is within the pixel value range.
被検査画像の画素ＥＢの画素値と、それに対応する参照画素ＥＡの画素値範囲とが比較され、上記画素値範囲内の値であれば参照画像と画像内容が一致する画素であると判定する。 - 特許庁 - By the photodecomposition and the oxidation performed by the energy beam EB, adhesive substances 83 originated from an adhesive sheet, etc. used when mounting the laser chip 20 on the supporter 31 are removed from the whole of the supporter 31 or altered.
このエネルギービームＥＢによる光分解および酸化によって、支持体３１の全体から、レーザチップ２０を支持体３１に装着する際に用いられた粘着シートなどに由来する粘着物８３が除去または変質させられる。 - 特許庁 - By radiating an ultraviolet ray UV or an electron beam EB through a transparent body 1 having a mosaic pattern, a curing lowering part 5 whose curing degree is partially lowered correspondingly to the mosaic pattern is formed in the Fresnel lens part 11.
モザイク模様を有する透明体１を介して紫外線ＵＶまたは電子線ＥＢを照射することによって、フレネルレンズ部１１に、前記モザイク模様に対応して部分的に硬化度の低下した硬化低下部５が形成されている。 - 特許庁 - A body 14 of the biopsy port 12 has an insertion path 14h communicating with a treatment instrument insertion channel Ch, and a path 14s for the syringe having a syringe port Eb is formed so as to be communicating with the insertion path 14h.
鉗子栓１２の本体１４に、処置具挿通チャンネルＣｈに連通する挿通路１４ｈが設けられると共に、この挿通路１４ｈに連通するように、シリンジ口Ｅｂを有するシリンジ用通路１４ｓが形成される。 - 特許庁 - A second element Eb is connected between the first and second power supply nodes 28 and 29 serially to the fourth MOS transistor Pb and has current-voltage characteristics crossing with a current-voltage characteristic curve of the first element Ea.
第２の素子Ｅｂは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第４のＭＯＳトランジスタＰｂと直列に接続され、第１の素子Ｅａの電流電圧特性曲線と交差する電流電圧特性を有する。 - 特許庁 - To improve throughput by changing an exposure method at the time of plotting a device pattern and at the time of exposing the periphery of a molded chip area, so called, at the time of peripheral exposure by using a variable molding type EB(electron beam) direct plotting device.
可変成形型のＥＢ直描装置を用いて、デバイスパターンの描画時と成形チップ領域の外周を露光する、いわゆる周辺露光時の露光方法を変えることにより、スループットを向上させることを課題とする。 - 特許庁 - Then, a second EB projection exposure 12B is carried out under the condition that a beam blur and a focus position are set at 20 nm and 21 μm, respectively, through the intermediary of a second mask 14 where a second mask pattern continuously joined to the first mask pattern is formed.
次に、第１のマスクパターンと連続する第２のマスクパターンが形成された第２のマスク１４を介して、ビームブラー：２０ｎｍで且つ焦点位置：２１μｍの条件で第２回目のＥＢプロジェクション露光１２Ｂを行なう。 - 特許庁 - This absorbent article is provided with an end flap E2 extending from the edge of an absorbent body 4, and the end flap E2 is so formed that the substantially whole area of its skin opposite face Ea has water repellency and the substantially whole area of its skin non-opposite face Eb has hydrophilicity.
吸収体４の端縁から延出するエンドフラップＥ２を有し、このエンドフラップＥ２は、その肌対向面Ｅａの実質的に全域が撥水性であると共に肌非対向面Ｅｂの実質的に全域が親水性である。 - 特許庁 - A line width (W) of a contour line of each toon object is calculated by W=RNDUP(a×Eb×Db÷D) in accordance with a distance (D) from a visual point 303 to each toon object and a coefficient (a) defined depending on a status of a game.
各トゥーンオブジェクトの輪郭線の線幅（Ｗ）は、視点３０３から各トゥーンオブジェクトの基準点までの距離（Ｄ）と、ゲームの状況に応じて定められる係数（ａ）とに従って、Ｗ＝ＲＮＤＵＰ（ａ×Ｅｂ×Ｄｂ÷Ｄ）と算出される。 - 特許庁 - Since the mask areas 11 and 12 are exposed to the electron beams EB which are narrowed in the direction with the image resolution of the patterns P1 and P2 required therein namely, in the widthwise directions of the patterns, a fine pattern can be formed even when a large beam current having a noticeable coulomb effect is used.
このように、パターンの解像度の要求される方向、すなわちパターンの幅方向に絞った電子線ＥＢで露光することにより、クーロン効果が顕著な大ビーム電流によっても微細なパターンを形成することができる。 - 特許庁 - When selecting one of apertures of an objective lens diaphragm 5, a primary electron beam EB receives two-stage deflections by first and second deflecting coils 26 and 27 to be deflected with an aperture position P of a differential exhaust diaphragm 25 as a supporting point.
対物レンズ絞り５の開口のいずれかを選択する場合、一次電子ビームＥＢは第１の偏向コイル２６と第２の偏向コイル２７とによって２段偏向を受け、差動排気用絞り２５の開口位置Ｐを偏向支点として偏向される。 - 特許庁 - The carbon fiber composite material shows a breaking elongation (EB) at 23°C of ≥40%, a dynamic modulus of elasticity at 30°C (E'/30°C) of ≥30 MPa and a dynamic modulus of elasticity at 250°C (E'/250°C) of ≥15 MPa.
本発明の炭素繊維複合材料は、２３℃における破断伸び（ＥＢ）が４０％以上であり、３０℃における動的弾性率（Ｅ’／３０℃）が３０ＭＰａ以上であり、２５０℃における動的弾性率（Ｅ’／２５０℃）が１５ＭＰａ以上である。 - 特許庁 - This adhesive composition is obtained by melt blending an S-B-S or S-EB-S block copolymer, an S-I-S or S-EP-S block copolymer and an S-I or S-EP linear diblock type block copolymer.
Ｓ−Ｂ−Ｓ又はＳ−ＥＢ−Ｓブロック共重合体と、Ｓ−Ｉ−Ｓ又はＳ−ＥＰ−Ｓブロックブロック共重合体とＳ−Ｉ又はＳ−ＥＰリニアジブロック型のブロック共重合体とからなるブロック共重合体を、溶融混練する。 - 特許庁 - The arrangement of cache store in a data path, between server devices RSA, RSB, and RSC and editing devices EA and EB, is proposed, and the significant section of the loaded data section is stored in the cache store, in such a status that preparation is arranged.
サーバ装置ＲＳＡ、ＲＳＢ，ＲＳＣと編集装置ＥＡ，ＥＢとの間のデータ経路においてキャッシュストアをアレンジすることを提案し、このキャッシュストアは、ロードされたデータセクションの重要な部分を準備が整った状態に保持する。 - 特許庁 - When a patterned part 10 is formed on a substrate having an insulation layer 21 coated with a resist layer 23, an EB reduction projection aligner performs exposure such that an exposed patterned part 10' has a width W' wider than a target width W of the patterned part 10.
絶縁層２１上にレジスト層２３が塗布された基板にパターン部１０を形成する際、露光後のパターン部１０´の幅Ｗ´が、目標とするパターン部１０の幅Ｗより広くなるようにＥＢ縮小投影露光機で露光する。 - 特許庁 - The fired titanium oxide thin film having 1-5 nm thickness is obtained by depositing titanium oxide on the surface of a substrate in an oxidizing atmosphere by EB vapor deposition while using TiO_2 as a vapor deposition source and firing the titanium oxide-deposited substrate in the atmosphere or in an oxygen atmosphere.
焼成酸化チタン薄膜は、ＴｉＯ_２を蒸発源として酸化性雰囲気中でＥＢ蒸着により基体表面に形成された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成された膜であり、１〜５ｎｍの厚みを有する。 - 特許庁 - The ball bearing 50 is assembled to the outer race 20 by a snap ring 70, and the snap ring 70 is provided with a circulation part 71 that constitutes a part of an exhaust passage 90 for discharging the oil in the oil chamber S toward an engine body EB side.
ボールベアリング５０はスナップリング７０によりアウターレース２０に組み付けられ、スナップリング７０にはオイル室Ｓのオイルを機関本体ＥＢ側に向けて排出する排出通路９０の一部を構成する流通部７１が形成されてなる。 - 特許庁 - A center of the mounting board 61 is detected by moving the semiconductor electron beam detector 60 so that the output signals from the regions A1 to A4 become all equal to position the electron beam path 75 and the electron beam EB on the same axis.
領域Ａ１〜Ａ４からの出力信号が全て等しくなるように半導体電子線検出器６０を移動させて実装用基板６１の中心を検出し、電子線通路７５と電子線ＥＢとを同軸上に位置させる。 - 特許庁 - A placing table 2 is provided to hold a semiconductor wafer W as a substrate to be treated in a vacuum chamber 1, and an electron beam irradiation mechanism 6 is provided on the ceiling of the vacuum chamber 1 to produce an electron beam EB.
真空チャンバ１の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを支持する載置台２が設けられており、真空チャンバ１の天井部には、エレクトロンビームＥＢを発生させるためのエレクトロンビーム照射機構６が設けられている。 - 特許庁 - The inside of a vacuum chamber 1 is structured so that an electron gun 9 irradiates an evaporation material 7 stored in a crucible 8 with an electron beam EB to vaporize the evaporation material 7 and make the vaporized particles deposit on a substrate 4.
真空チャンバ１内において、坩堝８内に収容された蒸発材料７に電子銃９からの電子ビームＥＢを照射することにより蒸発材料７を蒸発させ、蒸発粒子を基板４上に付着させる様に成す。 - 特許庁 - A predicted voltage command Ea based on a sample temperature Ts is output in a prediction controller in a control system for a first heater, and a voltage command Eb is output in a PID controller 42 to make the deviation ΔT zero.
第１ヒータの制御系では、予測制御器において試料温度Ｔｓに基づいた予測電圧指令Ｅａが出力され、一方、ＰＩＤ制御器４２において上述の偏差ΔＴがゼロになる方向に電圧指令Ｅｂが出力される。 - 特許庁 - This vacuum vapor-deposition apparatus is directed for vaporizing an evaporation material 7 stored in a crucible 8 by irradiating the evaporation material 7 with an electron beam EB emitted from an electron gun 9 to make the vaporized particles deposit on a substrate 4, in the inside of a vacuum chamber 1.
真空チャンバ１内において、坩堝８内に収容された蒸発材料７に電子銃９からの電子ビームＥＢを照射することにより蒸発材料７を蒸発させ、蒸発粒子を基板４上に付着させる様に成す。 - 特許庁 - Thus, it is prevented that a high voltage is applied between the gate and the back-gate of the transistors Pt 11 to Pt 15 at the application of the external voltage signal EB to the input and output buffer independently of application / non application of the high level power supply VDE.
これにより、高電位電源ＶＤＥの供給時／非供給時に関わらず、外部からの電圧信号ＥＢの入力時には各トランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５のゲート−バックゲート間に高電圧が印加されることが防止される - 特許庁 - The resin mold has a micro rugged structure on the surface, and a fluorine element concentration (Es) in the surface part of the resin mold is not less than the average fluorine element concentration (Eb) in the resin constituting the resin mold.
本発明の樹脂モールドは、表面に微細凹凸構造を有する樹脂モールドであって、樹脂モールド表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）が、樹脂モールドを構成する樹脂中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - Outside a cell, the peptide inhibits the adhesion on and the intrusion into a cell of chlamydia by causing the change in potential difference of the cell membrane in chlamidia (EB) having a cell wall same as in the cell of a gram negative bacterium.
ペプチドは、細胞外ではグラム陰性菌の細胞同様に細胞壁を有するクラミジア（ＥＢ）に対して細胞膜の電位差に変異をおこさせることにより、細胞に付着したり進入したりすることを抑制していると考えられる。 - 特許庁 - According to the method, when the open containers 1 each having the neck portion are sequentially transferred by a rotary transfer body 11, electron beams EB are emitted from an electron beam irradiation means 40 to irradiate the open containers 1 which are transferred in a negatively pressurized atmosphere, thereby carrying out sterilizing processing.
回転搬送体１１によって、首部を有する開口容器１を連続搬送する際、減圧雰囲気内で搬送中の開口容器１に対して、電子線照射手段４０から電子線ＥＢを照射して滅菌処理を実施する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the titanium stock for the target, a titanium ingot refined by VAR melting or EB melting is rough-forged at a temperature above 700°C but below the β transformation point, finish-forged at a temperature above room temperature and below 350°C, and then annealed.
ＶＡＲ溶解またはＥＢ溶解で溶製されたチタンインゴットを７００℃〜β変態点未満の温度域で粗鍛造した後、室温〜３５０℃にて仕上げ鍛造し、次いで焼鈍を行うことを特徴とするターゲット用チタン材の製造方法。 - 特許庁 - A resist film 11 formed of chemically sensitized resist material is subjected to a first EB projection exposure 12A under the condition that a beam blur and a focus position are set at 20 nm and 2 μm, respectively, through the intermediary of a first mask 13 where a first mask pattern has been formed.
化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜１１に対して、第１のマスクパターンが形成された第１のマスク１３を介して、ビームブラー：２０ｎｍで且つ焦点位置：２μｍの条件で第１回目のＥＢプロジェクション露光１２Ａを行なう。 - 特許庁 - A matching rate specified to each service quality is determined based on a first parameter (E_q) indicating an average energy ratio of 1 bit to an average energy of interference Eb/I and a second parameter (P_q) indicating a maximum puncture rate specified to the service quality.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - The webbing takeup device 10 is structured so that a motor 100 is started driving when a signal from a buckle switch 136 is changed over from High level to Low level and the voltage Eb increases in accordance with the cumulated time from changing-over of the signal by a computing circuit 128.
本ウエビング巻取装置１０では、バックルスイッチ１３６からの信号がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに切り替わると、モータ１００が駆動開始し、更に、演算回路１２８にて信号が切り替わってからの積算時間に応じて電圧Ｅｂが増加する。 - 特許庁 - To provide a turbo product code encoder, method, and program capable of obtaining an encoding rate n/(n+1) (n is a positive integer) being an optimum encoding rate by suppressing deterioration in the performance without increasing an Eb/No value and a turbo product code decoder, method, and program therefor.
Ｅｂ／Ｎｏ値が増大することなく、性能劣化を抑制して、最適な符号化率である符号化率ｎ／（ｎ＋１）（ｎ：正整数）を得ることができるターボ積符号符号化装置、方法、プログラムおよびターボ積符号復号装置、方法、プログラムを提供する。 - 特許庁 - In this case, a two-way prediction coding mode is designed to be selected only when the residual error Ef or Eb is a predetermined value or more, with the predetermined value being designed to be set in response to the forward motion vector or backward motion vector.
この場合において、双方向予測符号化モードは、残差ＥｆまたはＥｂが所定値以上となるときにのみ、選択され得るようになされており、その所定値は、順方向動きベクトルまたは逆方向動きベクトルに対応して設定されるようになされている。 - 特許庁 - Since a conductor or a semiconductor coated with an insulating film is used as the current detecting component 11a, the dose of the electron beam outputted from the EB tube 1 can be measured precisely, without being affected by a suspended electric charge near the current detecting component 11a.
電流検出部１１ａとして絶縁被膜がコーティングされた導体又は半導体を用いているので、電流検出部１１ａ近傍の浮遊電荷に影響されることなく、ＥＢ管１から出力される電子線量を正確に測定することができる。 - 特許庁 - To provide a new film-forming vapor deposition material capable of forming a heat resistant coating film sufficiently excellent in heat resistance and thermal shock resistance even by EB-PVD method, and to provide a vapor deposition method using the vapor deposition material.
本発明の目的はＥＢ−ＰＶＤ法によっても十分に耐熱性および耐熱衝撃性に優れている耐熱性被覆が形成できる新規な被覆用蒸着材およびその蒸着材を使用する蒸着方法を提供することにある。 - 特許庁
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