「EB」を含む例文一覧(505)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞- The matching rate specific to each quality of service is determined on the basis of a first parameter (Eq) indicating of a ratio Eb/I of average energy of one bit to average energy of interference and a second parameter (Pq) indicating a maximum puncture rate specific to the quality of the service.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - The concentration value EB of at least the second compound B within the second area 2* of the patient is measured or delivered a plurality of times, and the estimated concentration value CB of the second compound is determined by simulating the non-detected concentration in the first internal area of the patient.
患者の第二領域（２^*）内の少なくとも第二化合物（Ｂ）の濃度値（Ｅ_B ）が複数回測定又は導出され、第二化合物の見積濃度値（Ｃ_B ）が患者の第一内部領域における非検出濃度をシミュレートすることによって決定される。 - 特許庁 - A matching rate specific for each of service qualities is decided on the basis of a first parameter (Eq) expressing a ratio Eb/I of the average energy of one bit to the average energy of interference and a second parameter (Pq) expressing a maximum puncture rate specific for the relevant service quality.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - Namely, coupling of a parallel degree of freedom between a boundary node P of extension and a node j (j=1, 4) of the element eB in which the node P exists depends on an equation.
はり構造やシェル構造とソリッド構造の結合構造の結合境界面上の節点間（節点の自由度の数が異なる場合も含む）で、並進自由度と回転自由度の両方について、その結合を表す変位の連続条件を自動的に算出する。 - 特許庁 - Subsequently, the binarizing processor diffuses an error Eb of a gradation expression of the entire of the target block BL generated by determining the presence or absence of the dot formation for each pixel in the target block BL into surrounding undetermined pixels outside the target block BL.
次いで、２値化処理部は、該着目ブロックＢＬ内の各画素についてドット形成の有無を判断したことにより生じた該着目ブロックＢＬ全体の階調表現の誤差Ｅｂを該着目ブロックＢＬ外の周辺の未判断画素に拡散させる。 - 特許庁 - An A-phase signal Ea showing a rate of change of rotation of a gear grinding tool 42 having two spiral bars is counted by a first counter 116 in a time of a Z-phase signal Eb showing a zero position of the gear grinding tool 42 and the dividing signal F.
２条の螺旋条を有する歯車研削工具４２の零点位置を示すＺ相信号Ｅｂと分周信号Ｆとの時間内で、歯車研削工具４２の回転変化量を示すＡ相信号Ｅａを第１カウンタ１１６でカウントする。 - 特許庁 - To provide a rubber composition for tire clinch, and a tire with a tire clinch using the same, which are excellent in rolling resisting characteristic (rolling resistance (tanδ)) and in crack resisting performance (tensile physical property, elongation at break (EB(%))), and improved in steering stability and ride quality.
転がり抵抗特性（転がり抵抗（ｔａｎδ））に優れ、耐クラック性能（引張物性、破断時伸び（ＥＢ（％）））に優れ、操縦安定性、さらに乗心地も向上させたタイヤクリンチ用ゴム組成物およびそれを用いたタイヤクリンチを有するタイヤを提供する。 - 特許庁 - When a financial commodity purchase request including information of the subscriber number and the keyword number of the customer, transaction contents, the amount of money of a transaction, etc., is transmitted from a customer terminal 1, it is transmitted to a securities company host 5 through a business condition integrating EB system 3.
顧客端末１から顧客の加入者番号及び暗証番号、取引内容、取引金額等の情報を含む金融商品の買付依頼を送信すると、それが業態統合ＥＢシステム３を介して証券会社ホスト５に伝送される。 - 特許庁 - A tile 1 comprising a tile body 10 and a hanging part 11 suspending downward from one side part of the tile body 10, is laid to cover an upper part Ea of a verge E with the tile body 10 and to cover a side part Eb of the verge E with the hanging part 11.
瓦主体１０と、この瓦主体１０の一辺部から下方に突き出す垂れ１１とを備えており、ケラバＥの上部Ｅａを瓦主体１０によって覆い、ケラバＥの側部Ｅｂを垂れ１１によって覆うように葺きこまれる瓦１である。 - 特許庁 - The snap fit parts Na, Nb, Nc engaging in the axial direction are constructed by a loop shape part L provided outside of an upper outer circumference wall part Tb of the second member E and a hook shape projection part H provided outside of a lower outer circumference wall part Eb of the first member T.
第２部材Ｅの上側外周壁部Ｔｂの外側に設けたループ状部Ｌと、第１部材Ｔの下側外周壁部Ｅｂの外側に設けたフック状突部Ｈにより、軸方向に係合するスナップフィット部Ｎａ・Ｎｂ・Ｎｃを構成する。 - 特許庁 - The prescribed position of the catalyst layer 15 is irradiated with an XeCl pulse laser beam of a wavelength 308 nm, pulse width 14 nsec, and energy density 600 mJ/cm^2 as an energy beam EB in a reactive gaseous atmosphere and thereby the irradiated positions are heated.
次いで、反応ガス雰囲気中で、エネルギービームＥＢとして、波長３０８ｎｍ、パルス幅１４ｎｓｅｃ、エネルギー密度６００ｍＪ／ｃｍ^2 のＸｅＣｌパルスレーザビームを、触媒層１５の所定の位置に照射することにより、照射された位置を加熱する。 - 特許庁 - To provide a device configuration which securely maintains an atmospheric gas in a region where an object is treated within a low oxygen concentration region and enables efficient consecutive treatments in an electron beam EB irradiation treatment device which treat objects consecutively.
複数の被処理物を連続的に処理する電子線照射処理装置において、被処理物を処理する領域における雰囲気ガスを低酸素濃度域に確実に維持し、かつ、効率的に連続処理を行うことが可能な装置構成を提供する。 - 特許庁 - In the carbon fiber composite material, breaking elongation (EB) at 23°C is 200-500%, a dynamic modulus of elasticity (E'/30°C) at 30°C is 25-3,000 MPa, and a dynamic modulus of elasticity (E'/250°C) at 250°C is 15-1,000 MPa.
本発明の炭素繊維複合材料は、２３℃における破断伸び（ＥＢ）が２００％〜５００％であり、３０℃における動的弾性率（Ｅ’／３０℃）が２５ＭＰａ〜３０００ＭＰａであり、２５０℃における動的弾性率（Ｅ’／２５０℃）が１５ＭＰａ〜１０００ＭＰａである。 - 特許庁 - A matching rate specific for each quality of service is determined based upon a first parameter (E_q) representing a ratio Eb/I of average energy of 1 bit to average energy of interference and a second parameter (P_q) representing a maximum puncture rate specific for the corresponding quality of service.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - If the frame error is detected, an update amount dEiu (upward update amount) to increase the reference value is determined depending on the logic state of the error occurrence flag, the reference Eb/I0 value is increased by the update amount dEiu so as to set the error occurrence flag (steps S16-S18).
フレームエラーが検出された場合には基準値を上げる更新量ｄＥｉｕ（上方更新量）をエラー発生フラグの論理状態に応じて決定し、基準Ｅｂ／Ｉ０値を更新量ｄＥｉｕだけ上げ、エラー発生フラグをオンとする（ステップＳ１６〜Ｓ１８）。 - 特許庁 - A body 14 of the biopsy port 12 has an insertion path 14h provided with a slit 15 on an inlet Ea and communicating with a treatment instrument insertion channel, and a path 14s for the syringe having a syringe port Eb is formed so as to be communicating with the insertion path 14h.
鉗子栓１２の本体１４に、入口Ｅａにスリット１５を有し、処置具挿通チャンネルに連通する挿通路１４ｈが設けられると共に、この挿通路１４ｈに連通するように、シリンジ口Ｅｂを有するシリンジ用通路１４ｓが形成される。 - 特許庁 - This antichlamidial agent contains benzoquinone in the extract, increases the infection preventive effect of somatic cells on infectious elementary bodies(EB) in the life cycle of chlamidia and exhibits a certain antimicrobial effect due to annihilating intracellular reticular bodies(RB).
この抗クラミジア剤は、抽出物としてベンゾキノンを含有するものであり、クラミジアの生活環における感染性の基本小体（ＥＢ）に対する体細胞の感染防止性を高め、細胞内での網様体（ＲＢ）を死滅させることによる確実な抗菌作用がある。 - 特許庁 - The releasing layer 15 is made of material in which slip material with silicon acrylate etc. as a major component is added into a medium or a reducer that is photosensitive monomer is added into the medium and they are cured by irradiation of ultraviolet (UV) or electron beams (EB).
また、剥離層１５は、シリコンアクリレートなどを主成分とするスリップ剤をメジュームに添加したものや、感光性モノマーであるレジューサーなどをメジュームに添加したものが使用されており、紫外線（ＵＶ）又は電子線（ＥＢ）の照射によって硬化させている。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the photoelectric conversion element which carries out photoelectric conversion, the photoelectric conversion element contains at least one transparent electrode film fabricated by a plasma-free EB evaporation or pulse laser evaporation apparatus.
光電変換を行う光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子が少なくとも１つの透明電極膜を有しており、前記透明電極膜をＥＢ蒸着装置またはパルスレーザー蒸着装置によってプラズマフリーで作製する。 - 特許庁 - The matching rate intrinsic to each quality of the service is determined based on a first parameter (Eq) expressing a ratio Eb/I of one bit mean energy to a mean energy of interference and a second parameter (Pq) expressing the maximum puncture rate intrinsic to the quality of the corresponding service.
各サービスの質に固有のマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する1ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表す第１のパラメータ（Ｅｑ）および該当のサービスの質に固有の最大パンクチャレートを表す第２のパラメータ（Ｐｑ）とに基いて決定される。 - 特許庁 - In the EB vapor deposition apparatus (1) having a planetary (9) in the product chamber part (3), sticking preventing plates on the inside wall of the product chamber part (3) are eliminated or the number is reduced by arranging blind sticking preventing plates (19) and sticking preventing top plates (20) to cover the planetary (9) by surrounding.
プロダクトチャンバー部（３）内にプラネタリィ（９）を有したＥＢアルミ蒸着装置（１）において、プラネタリィ（９）を取り囲むように覆うブラインド防着板（１９）、防着天板（２０）を配置することで、プロダクトチャンバー部（３）内壁の防着板数を無くす又は減少させる。 - 特許庁 - The matching rate specific to each quality of service is determined on the basis of a first parameter (Eq) representative of the ratio Eb/I of average energy of one bit to average energy of interference, and of a second parameter (Pq) representative of the maximum puncture rate specific to the quality of service considered.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - A matching rate specific to each quality of service is determined on the basis of a first parameter (Eq) representative of a ratio Eb/I of average energy of one bit to average energy of interference and a second parameter (Pq) representative of a maximum puncture rate specific to the quality of service.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - The respective resistance values of the resistors R1 and R2 are set so as to have the charging current to the secondary battery EB 1/20 CmA-1/10 CmA and approximately 1/50 CmA in the on-state of and off-state of the switching device Q1, respectively.
抵抗Ｒ１，Ｒ２は、スイッチング素子Ｑ１がオンの状態で二次電池Ｅ_Bへの充電電流が１／２０ＣｍＡ〜１／１０ＣｍＡとなり、スイッチング素子Ｑ１がオフの状態で二次電池Ｅ_Bへの充電電流が１／５０ＣｍＡ程度となるようにそれぞれの抵抗値が設定されている。 - 特許庁 - To provide an EB mask, a beam dimension calibrator, and a beam dimension calibrating method which can calibrate with high accuracy dimensional errors between the dimension calibration in the x-axis direction and the dimensional calibration in the y-axis direction and the absolute dimension of an electron beam.
本発明は、ｘ軸方向の寸法校正とｙ軸方向の寸法校正との寸法誤差と電子ビームの絶対的な寸法を高精度に校正できるＥＢマスクならびにビーム寸法校正装置およびビーム寸法校正方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Since the powder can be supplied to the gap across a pair of electrodes Ea and Eb in a state that the periphery of the powder discharged from the powder supply device 10 is surrounded by the gas which forms the plasma atmosphere, the energy of plasma is efficiently applied to the powder to cause the excitation emission.
また、粉体供給装置１０から排出された粉体の周囲を、プラズマ雰囲気を生成するガスで包囲した状態で１対の電極Ｅａ，Ｅｂ間に供給することができるので、プラズマのエネルギーを効率よく粉体に付与して励起発光させることができる。 - 特許庁 - When a battery 15 is at an overdischarge state, a temperature switch IC 12 of the battery pack 10 does not monitor voltage of a terminal for communication of the battery protection IC 11, and shuts down by monitoring voltage of a voltage monitoring terminal VM2 arranged on a terminal EB- for external connection.
電池１５が過放電状態になる場合、電池パック１０の温度スイッチＩＣ１２は、電池保護ＩＣ１１の通信用の端子の電圧をモニタせず、外部接続用端子ＥＢ−に設けられる電圧モニタ端子ＶＭ２の電圧をモニタすることにより、シャットダウンする。 - 特許庁 - A mechanism of transmitting starting rotational force of an internal combustion engine includes the one-way clutch 40, a ball bearing 50, and an inner seal member 60 sequentially from an engine body EB side in an annular space formed of an inner peripheral surface 31 of the outer race 30 and an outer peripheral surface 21 of the inner race 20.
内燃機関の始動回転力伝達機構は、アウターレース３０の内周面３１とインナーレース２０の外周面２１とにより形成される環状空間に、機関本体ＥＢ側から順にワンウェイクラッチ４０、ボールベアリング５０、及び内側シール部材６０を備える。 - 特許庁 - When the radio wave angle difference θx is located in an overlap range Eb to inhibit key position determination, a triangular line 25 connecting the radio wave angle difference θx and two magnetic field intensities Hd, Hp is computed to make final determination of the key position by an angle θr defined by the triangular line 25.
電波角度差θｘが重複範囲Ｅｂに位置してキー位置を判定できない場合、電波角度差θｘ及び２つの磁界強度Ｈｄ，Ｈｐを繋いだ三角線２５を算出し、この三角線２５が成す角度θｒにより、キー位置を最終判断する。 - 特許庁 - Temperatures of three points including both edges of an equally heated region Eb and the central area of the process tube 11 are detected by thermocouples 17b, 17d and 17c and temperatures of regions Ea, Ec are detected by thermocouples 17a, 17e using profile thermocouples 17 of five-point type thermocouples.
５点型熱電対のプロファイル熱電対１７を用い、プロセスチューブ１１内の均熱領域Ｅｂの両端部と中央部の３箇所の温度を各熱電対１７ｂ，１７ｄ，１７ｃで検出すると共に、各領域Ｅａ，Ｅｃの温度を各熱電対１７ａ，１７ｅで検出する。 - 特許庁 - The system 100 is characterized in that the HME 50 is located close to a ventilator 60; and a water reservoir (RS) is located upstream from the HME 50 to moisture-enrich the gas exhaled by the patient (PZ) as it flows along the exhale branch (EB).
このシステム（１００）の特徴は、ＨＭＥ（５０）がベンチレーター（６０）の近くに位置していること、および水リザーバー（ＲＳ）がＨＭＥ（５０）よりも上流側に位置していて、患者（ＰＺ）による呼気ガスが呼気枝管（ＥＢ）内を通過しているときにそれを増湿させる点にある。 - 特許庁 - The reference ends in X- and Y-directions of this member 18 are sensed by deflecting an electron beam EB, and the electron beam is deflected by reference to the determined ends, and image signals for the specified region on the specimen are produced while the signals for the specimen part at a certain distance from the reference ends are sensed.
電子ビームＥＢを偏向することによって基準部材１８のＸ，Ｙ方向の基準端部を検出し、基準端部を基準として電子ビームを偏向し、基準端部から所定の距離の試料部の信号を検出しながら、試料の所定領域の像信号を取得する。 - 特許庁 - The scanning of the four mask regions 10-1 to 10-4 by the electron beam EB and the changing of the relative position between the mask 10 and the wafer are repeated, so that an object substrate 20 in the wafer is exposed four times through the four mask regions 10-1 to 10-4 of the mask 10.
このように、マスク１０の４つのマスク領域に電子線ＥＢを照射する工程と、マスク１０とウエハとの相対位置を変える工程とを繰り返し行うことにより、被処理基板２０にマスク１０の４つのマスク領域１０−１〜１０−４のマスクパターンを４重露光する。 - 特許庁 - The securities company host 5 transmits a report text which includes a transfer source account (customer's account at a bank) and a transfer destination account (an account of the securities company itself at a bank) besides the subscriber number, transaction contents, and the amount of money of the transaction to the customer terminal 1 through the business condition integrating EB system 3.
証券会社ホスト５は、加入者番号、取引内容、取引金額に加えて振込元口座（顧客の銀行口座）と振込先口座（証券会社自身の銀行口座）とを含む通知文を、業態統合ＥＢシステム３を介して顧客端末１に送信する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a chemically amplified negative resist film, which composition is effectively sensitive to EB (electron beam) or EUV (extreme ultraviolet radiation) and excellent in roughness, etching resistance, and sensitivity and which composition stably forms a highly precise fine pattern.
ＥＢ（電子線）又はＥＵＶ（極紫外線）に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、及び感度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成することのできる化学増幅型のネガ型レジスト膜を成膜可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - After an organic insulating film 3 and an inorganic insulating film 4 formed on a semiconductor substrate 1 are etched and a wiring groove 5a is formed, a damage component coupled to surfaces of insulating films 3, 4 by the etching is removed by an electron beam EB irradiation and ultraviolet ray UV irradiation.
半導体基板１上に形成した有機絶縁膜３および無機絶縁膜４にエッチング加工を施して配線溝５ａを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜３，４の表面に結合したダメージ成分を電子線ＥＢ照射または紫外線ＵＶ照射によって除去する。 - 特許庁 - The polypropylene flame-retardant fiber contains a 1-8 mass% polyester composition containing a phosphorus and 0.5-3 mass% EB 44-69 (R)or FLAMESTAB NOR116 (R), and its woven fabrics and roll screens are disclosed.
リン含有ポリエステル組成物を１質量％から８質量％及びチバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製ＥＢ４４−６９又はＦＬＡＭＥＳＴＡＢ ＮＯＲ１１６を０．５質量％から３質量％の範囲で含有するポリプロピレン系難燃繊維、及びその織編物、並びにそのロールスクリーン。 - 特許庁 - In the electron beam irradiation equipment 1, an electron beam EB emitted from an electron gun 10 is focused by a focusing coil 6_2, when it passes an electron beam passage hole 2 and is applied to an electron beam permeable unit 20 with electron beam permeable members 21 lined up in the Y-axis direction.
電子線照射装置１では、電子銃１０から出射された電子線ＥＢは、電子線通過孔２を通過する際に集束コイル６_２によって集束されて、Ｙ軸方向に並んだ複数の電子線透過部材２１を有する電子線透過ユニット２０に照射される。 - 特許庁 - To make compensatable the adverse effect of a dimensional difference occurring, when backward scattering electrons generated at the time of electron beam exposure cover light exposure pattern in the vicinity of an EB exposure area, by light exposure pattern formed on a photomask, and to eliminate a need of complicated calculation for plotting the photomask.
電子ビーム露光時に発生する後方散乱電子が、ＥＢ露光領域に近接する光露光パターンに振りかぶることで生じる寸法差の影響を、フォトマスクに形成する光露光用パターンで補正することができ、且つフォトマスクの描画に際して複雑な計算を必要としない。 - 特許庁 - When it is found that a potential difference Ea-Eb between the nodes Na and Nb gets out of a previously set range, the balance monitoring circuit 54 operates on the fact that the capacitors 40 and 42 get unbalanced and acts on a relay circuit 74 so as to shut off an electric power in a charging circuit 26.
バランス監視回路５４は、両ノードＮa，Ｎb間の電位差（Ｅa−Ｅb）が予め設定した範囲を越えたときは、両コンデンサ４０，４２間の分担電圧のバランスが失われたものとして動作し、充電回路２６内で電力を遮断するようリレー回路７４に作用する。 - 特許庁 - Using a reel 4 provided with a conical winding core 3 of which diameter is enlarged from a flange 2A at one end EA to a flange 2B at the other end EB, a trimming part B at one end side of the trimming sheet S is positioned to the side of the end EA of the winding core 3, and it is wound around the core 3.
一端ＥＡのフランジ２Ａから他端ＥＢのフランジ２Ｂに向かって拡径する円錐状の巻き芯３を具えるリール４を用い、縁取りシートＳを、その一側縁の縁取り部Ｂを前記巻き芯３の一端ＥＡ側に位置させて巻き芯３に巻き取る。 - 特許庁 - A first counter 116 counts an A-phase signal Ea showing a rate of change of rotation of a gear grinding tool 42 as a phase pulse number N1 between a Z-phase signal Eb showing a zero position of the gear grinding tool 42 and a shaping pulse P0 showing each tooth of a ground gear 22.
第１カウンタ１１６は、歯車研削工具４２の零点位置を示すＺ相信号Ｅｂと、被研削用歯車２２の各歯を示す整形パルスＰ０との間で、歯車研削工具４２の回転変化量を示すＡ相信号Ｅａを位相パルス数Ｎ１としてカウントする。 - 特許庁 - When the GaN based semiconductor laser 20 is driven by the pulse current Ep, a pulse bias current Eb which continues from at least a time before the rise time of the pulse current Ep until the fall time is applied to the semiconductor laser 20, synchronously with the pulse current Ep.
GaN系半導体レーザ20をパルス電流Ｅｐにより駆動する際に、少なくとも該パルス電流Ｅｐの立ち上がり時点よりも前の時点から立ち下がり時点まで続くパルス状のバイアス電流Ｅｂを、このパルス電流Ｅｐと同期させて該半導体レーザ20に印加する。 - 特許庁 - The matching rate specific to each quality of service is determined on the basis of a first parameter (E_q) representative of the ratio Eb/I of the average energy of a bit to the average energy of the interference, and on the basis of a second parameter (P_q) representative of the maximum puncture rate specific to the quality of service considered.
各サービスの質に特定的なマッチングレートは、干渉の平均エネルギに対する１ビットの平均エネルギの比Ｅｂ／Ｉを表わす第１のパラメータ（Ｅ_q）および、該当のサービスの質に特定的な最大パンクチャレートを表わす第２のパラメータ（Ｐ_q）に基づいて判定される。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting a mask defect with which a defect is inspected with high accuracy and within a minimum time length by automatically inspecting a minimum region on the mask to be subjected to EB defect inspection, a device for inspecting the mask defect, and a method for manufacturing a semiconductor device.
ＥＢ欠陥検査をしなければならないマスク上の最小限の領域を自動的に検査することを可能にし、高精度の欠陥検査を最小時間で行うマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The threshold value coefficient that is a variable coefficient is obtained by adding a correction coefficient Eb to eliminate block distortion depending on a block border to a sum between a control coefficient E to eliminate a mosquito noise outputted from the image decoder 1 and a correction coefficient Ea in matching with a face area.
閾値係数は、画像復号器１から出力されたモスキートノイズを除去するための制御係数Ｅに顔領域に合わせた補正係数Ｅａを加算したものに、ブロック境界に応じてブロック歪を除去する補正係数Ｅｂを加算したもので、可変である。 - 特許庁 - When a plurality of partial electrocardiographic complexes including the abnormal parts of the whole electrocardiographic complex exist, they move in the direction of an arrow AL or AR, so that the electrocardiographic complex (abnormal electrocardiographic complex) of the part 30D displayed in the zoomed state in the area EB can sequentially switch to that of the part 30D positioned in a moving direction.
全体波形において異常波形を含む部分波形が複数個存在するときは、矢印ＡＬまたはＡＲ方向に移動して、領域ＥＢに拡大表示される部分３０Ｄの波形（異常波形）を移動方向に位置する部分３０Ｄのそれに順次切替えることができる。 - 特許庁 - The hybrid EB cell comprises: a crucible 7 storing a film deposition material 11; a heater 9 heating the film deposition material 11 in the crucible 7 to a temperature lower than its melting point; and an electron gun 1 converging accelerated electrons on the film deposition material 11 in the crucible 7, so as to be emitted.
ハイブリッドＥＢセルは、成膜材料１１を収納する坩堝７と、この坩堝７の中の成膜材料１１をその融点以下の温度に加熱するヒータ９と、この坩堝７の中の成膜材料１１に向けて加速した電子を収束して発射する電子銃１とを有する。 - 特許庁 - The first phosphor film 31 is a film formed by using a EB depositing method, and its film thickness is set in a range wherein obtaining sufficient luminescent luminance can be compatible with securing transmissivity of visual light, when irradiating a ultraviolet ray onto the first phosphor film 31.
第１の蛍光体膜３１は、ＥＢ蒸着法を用いて形成された膜であって、その膜厚が、当該第１の蛍光体膜３１に紫外線を照射した際に十分な発光輝度が得られることと可視光透過率を確保することが両立可能な範囲に設定された膜である。 - 特許庁 - The system comprises a mobile information terminal Ha with a browser function; a computer Ea with a server function; a storage means Eb for storing data on the management of the conveying in and out of materials and equipment and lifting; a computer Fa with a browser function; and a mobile information terminal Ga with a browser function.
Ｈａは、プラウザ機能付の携帯型情報端末、Ｅａはサーバー機能を有するコンピュータ、Ｅｂは資機材の搬出入・揚重管理データを記憶する記憶手段、Ｆａはプラウザ機能付のコンピュータ、Ｇａはプラウザ機能付の携帯型情報端末である。 - 特許庁
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