「EB」を含む例文一覧(505)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞- To provide a wiring structure for semiconductor device in which observations by means of an EB taster can be performed easily.
ＥＢテスタによる観測が容易な構成を備えた、半導体装置の配線構造を提供する。 - 特許庁 - The elongation at break (Eb) (JIS K 5400 : No. 1 test piece) of the skin coating film (in-mold coating) 16 is 20-200%.
表皮塗膜（インモールドコート）１６が、破断伸び（Ｅ_b ）（JIS K 5400：１号形試験片) が２０〜２００％を示す。 - 特許庁 - The substrate 17 is a semiconductor wafer having an EB resist material formed on the electron beam irradiation surface, for example.
基材１７は、例えば電子線照射表面にＥＢレジスト材が形成された半導体ウェハである。 - 特許庁 - Then, an annealing treatment with UV irradiation or EB irradiation is performed in the semiconductor substrate 1.
次に、半導体基板１に対して、ＵＶ照射もしくはＥＢ照射を伴うアニール処理を施す。 - 特許庁 - A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.
半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁 - A respiratory gas conditioning system 100 includes an inhale branch (IB), an exhale branch (EB), a low-dead-space heat and moisture exchanger (HME) 50, and a connector 70 for connecting the branches (IB and EB) to a patient (PZ).
呼吸ガスコンディショニングシステム（１００）には、吸気枝管（ＩＢ）、呼気枝管（ＥＢ）、低デッドスペース熱湿度交換器（ＨＭＥ）（５０）、および枝管（ＩＢ、ＥＢ）を患者（ＰＺ）に接続するためのコネクター（７０）が含まれる。 - 特許庁 - To provide a processing method which uses graphic data for EB writing formed by coarse address grids from CAD source data expressed by fine address grids and obtains graphic data for EB writing removed of rounding.
細かいアドレスグリッドで表現されたＣＡＤソースデータから粗いアドレスグリッドで生成されたＥＢ描画用の図形データを用い、これより、丸め込みを除去したＥＢ描画用の図形データを得る処理方法を提供する。 - 特許庁 - An SiO_2 thin film 4 is deposited at 50 nm on an Si substrate 3 using EB deposition, and further, a rodhium (Rh) thin film 6 serving as a reflection member 5 is deposited at 1 μm using EB deposition (Fig.2(a)).
Ｓｉ基板３上にＥＢ蒸着によってＳｉＯ_２薄膜４を５０ｎｍ蒸着し、さらにＥＢ蒸着によって反射部材５となるロジウム（Ｒｈ）薄膜６を１μｍ蒸着する（図２（ａ））。 - 特許庁 - A resist 12 for electron beam description is provided on a silicon disk 11 and parts corresponding to respective frames on the perimeter are exposed while the disk 11 is rotated by using an electron beam EB modulated in correspondence with a servo signal.
シリコン円板11上に電子ビーム描画用レジスト12を設け、円板11を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームEBを用いて、円周上の各フレームに対応する部分に露光する。 - 特許庁 - To conduct synchronization maintenance and synchronization detection for variable data rate transmission adopting a CDMA system at a low Eb/No.
ＣＤＭＡ方式による可変データレート伝送の同期保持と同期検波が低Ｅ_b／Ｎ_0で行なえるようにする。 - 特許庁 - A first figure 8a has three elements ea, eb and ec and a second figure 8b one element ed.
第１図柄８ａは三つの要素ｅａ，ｅｂ，ｅｃを有し、第２図柄８ｂは一つの要素ｅｄを有する。 - 特許庁 - The image shift soil 17 deflects an electron beam EB and moves an observation visual field by the amount dislocated by the inclination.
イメージシフトコイル１７は電子ビームＥＢを偏向し、傾斜によってずれた量だけ観察視野を移動させる。 - 特許庁 - Mounting members 40 and 41 formed of elongate flat timbers are each welded at one end to the engine block EB.
エンジンブロックＥＢに細長の扁平角材からなる取付部材４０、４１各々の一方端を溶接する。 - 特許庁 - To provide a mask blank capable of suitably applying EB defect correction and also thinning a light-shielding film.
ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。 - 特許庁 - A voltage higher than a focus voltage Vf1 and lower than an anode voltage Eb is applied to the third grid G3.
第３グリッドＧ３には、フォーカス電圧Ｖｆ１より高くアノード電圧Ｅｂより低い電圧が印加される。 - 特許庁 - In the occurrence of the ground-defect, the reference voltage Ea becomes lower than the comparative voltage Eb, inverting the comparator 90.
地絡が発生したとき、基準電圧Ｅａが比較電圧Ｅｂより低くなり、コンパレータ９０が反転する。 - 特許庁 - A thermally conductive resin composition containing electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive filler is compression molded and cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation three-dimensional resin molding having a three-dimensional shape.
電子線（ＥＢ）架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が、圧縮成形され、ＥＢ照射により架橋されてなり、三次元形状を有する放熱性立体樹脂成形品である。 - 特許庁 - Regarding Olympus, which was mentioned earlier, Mr. Junichi Hayashi, an outside director of the company was the head of BNP Paribas' bond trading division when Mitsubishi Electric's exchangeable bonds were sold, before the inappropriate practice came to light in 2002.
先ほどお話の出たオリンパスについてですが、先ほど申しました三菱電機EB債、2002年ですけれども、その前のEB債を販売する時点で、BNPパリバの債券部長は、現在のオリンパスの社外取締役の林純一さんなのです。 - 金融庁 - To provide a purification method of gas containing harmful organic matter more enhanced in energy utilizing efficiency than a conventional method by putting high-density active seeds and ozone caused by irradiation with an electron beam EB to practical use.
電子ビームEB照射により生ずる高密度活性種とオゾンとを活用することにより、従来法に比べてエネルギー利用効率が向上された、有害有機物を含むガスの浄化法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a culturing container and a culturing method for forming an embryoid body (EB) of an embryonic stem cell (ES cell) in which qualitatively stable EB can readily and efficiently be formed from the ES cell.
ＥＳ細胞から質的に安定したＥＢを簡便に、かつ効率よく形成することが可能な胚性幹細胞（ＥＳ細胞）の胚様体（ＥＢ）形成のための培養容器及び培養方法を提供しようとするものである。 - 特許庁 - Since the cooler Eb is provided, a cold heat source medium can be cooled addition to be cooled in the vaporizer Ea.
冷却器Ｅｂを備えるので、蒸発器Ｅａでの冷却に加えて冷熱源媒体を冷却することができる。 - 特許庁 - In the exposure using the mask 10, all the four mask regions 10-1 to 10-4 are scanned by an electron beam EB.
上記のマスクを用いた露光では、４つのマスク領域１０−１〜１０−４の全てに電子線ＥＢを走査する。 - 特許庁 - To provide an accounting/electronic banking (EB) integrated system to generate data to be used by the accounting system and the electronic banking system.
会計システムとＥＢシステムで用いるデータを作成する会計・ＥＢ統合システムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - An electron beam exposure system projects an electron beam EB on a wafer 31 and forms an image, which beam is patterned by passing it through a mask 15.
電子ビーム露光装置は、マスク１５を通過してパターン化された電子ビームＥＢをウエハ３１に投影結像させる。 - 特許庁 - To provide a reticle holding unit or the like which is improved so as to be used for an EB exposure reticle by reforming a commodity reticle holding unit (reticle pod).
市販のレチクル保持装置（レチクルポッド）をＥＢ露光用レチクル用に改良したレチクル保持装置等を提供する。 - 特許庁 - Here, S is polystyrene block, B is butadiene block, I is isoprene block, EB is hydrogenated butadiene block and EP is hydrogenated isoprene block.
ここで、Ｓはポリスチレンブロック、Ｂはブタジエンブロック、Ｉはイソプレンブロック、ＥＢは水添ブタジエンブロック、ＥＰは水添イソプレンブロックである。 - 特許庁 - To reduce maintenance time resulting from aluminum scattered in a product chamber part (3) of an electron beam (EB) aluminum vapor deposition apparatus (1).
ＥＢアルミ蒸着装置（１）のプロダクトチャンバー部（３）内に飛散したアルミニウムに起因するメンテナンス時間の短縮を図る。 - 特許庁 - Then, the method also includes a step of then coating an EB resist 107 on a surface of the side of a recess 46 between the struts by a resist spray coating unit (E).
その次に、ストラット間凹部４６の側の面にＥＢレジスト１０７を、レジスト噴霧塗布装置により塗布する（Ｅ）。 - 特許庁 - A discharging means which discharges the secondary battery EB consists of the switching device Q2 and the discharge control circuit 4.
スイッチング素子Ｑ２および放電制御回路４により二次電池Ｅ_Bを放電させる放電手段を構成している。 - 特許庁 - The belt characteristic adjustment part 4 changes tension of a seat belt and adjusts the belt absorption energy Eb(t).
このベルト特性調整部４によれば、シートベルトの張力を変化させて、ベルト吸収エネルギーＥｂ（ｔ）を調整する。 - 特許庁 - EB data as mask design data are transformed into a format of the apparatus for inspecting the defects, thereby acquiring inspection data.
マスク設計データとしてのＥＢデータを欠陥検査装置用のフォーマットに変換することにより検査データを得る。 - 特許庁 - To improve convenience of a user using an electronic book EB and a printed book PB complementarily to enjoy reading.
電子書籍ＥＢと印刷書籍ＰＢとを相補的に利用して読書を楽しむユーザーの利便性を向上させる。 - 特許庁 - By adjusting distances Φ1, Φ2, and Φ3 between facing faces of electrodes EL282b and EL282d with an optical axis Ax of electron beams EB so that they may be changed in the optical axis direction, the intensity of a deflection field is changed in the optical axis direction Ax of the electron beams EB.
電極ＥＬ２８２ｂ，ＥＬ２８２ｄの電子ビームＥＢの光軸Ａｘを挟む対向面間の距離Φ１、Φ２、Φ３が光軸方向で変化するように調整することにより、偏向場の強度を電子ビームＥＢの光軸Ａｘ方向で変化させる。 - 特許庁 - A differential part 2 outputs an output signal according to the external output signal EB and a predetermined reference signal VREF and functions as a voltage follower so that the external output signal EB shows potential according to the predetermined reference signal VREF.
差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。 - 特許庁 - A differential part 2 outputs an output signal according to the external output signal EB and a predetermined reference signal VREF, and functions as a voltage follower so that the external output signal EB becomes potential according to the predetermined reference signal VREF.
差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。 - 特許庁 - Consequently, this makes it possible curbing of the output loss generated, in the transit of the electron beam EB emitted from the electron beam emission window 24 across the outside window 34 to a very small value and to fully secure the dose of the electron beam EB emitted outside the equipment.
したがって、電子線出射窓２４から出射した電子線ＥＢが外窓３４を通過する際の出力ロスを極めて小さく抑えることができ、装置外部に出射する電子線ＥＢの線量を十分に確保できる。 - 特許庁 - The ally character Fa which is an NPC among the plurality of ally characters Fa, Fb and Fc selects one enemy character E (enemy character Eb in the figure) from the enemy characters Ea and Eb inside a provocation object recognition range RAa as a provocation object character.
複数の味方キャラクタＦａ，Ｆｂ，Ｆｃの内、ＮＰＣである味方キャラクタＦａは、挑発対象認識範囲ＲＡａ内の敵キャラクタＥａ，Ｅｂの内から一の敵キャラクタＥ（図では敵キャラクタＥｂ）を挑発対象キャラクタとして選択する。 - 特許庁 - In other words, electron beams EB are slanted against an optical axis O in the multipole 7 which generates six-polar fields and new two-fold symmetry third aberration S3 is introduced to each electron constituting the slanted electron beams EB.
すなわち、６極場を発生している多極子７内で電子線ＥＢを光軸Ｏに対して傾斜させることにより、その傾斜された電子線ＥＢを構成する各電子に対して、新たな２回対称３次収差Ｓ３を導入している。 - 特許庁 - An electromagnetic wave Ea transmitted from a transmission antenna 7 is made to get incident diagonally on an electromagnetic wave absorber and is reflected, and a reflected wave Eb thereof is received by a reception antenna 8 to receive therein a reflected wave Eb' reflected via an electromagnetic wave reflecting plate 3.
送信アンテナ７から送信した電磁波Ｅａを電磁波吸収体１に斜めから入射して反射させ、その反射波Ｅｂを受信アンテナ８で受信する際に、電磁波反射板３を介して反射した反射波Ｅｂ’を受信する。 - 特許庁 - By applying the electron beams EB to the PET bottle 12 having the water film 15 formed at the mouth 12b, the dose lowers at the mouth 12b where the water film 15 is formed, while the electron beams EB are applied intactly to a PET bottle body 12a which is not formed with the water film 15 so that a uniform dose of the electron beams EB is applied to the PET bottle 12.
口部１２ｂに水膜１５が形成されたＰＥＴボトル１２に電子線ＥＢを照射することにより水膜１５が形成された口部１２ｂでは線量が低下し、水膜１５が形成されていないＰＥＴボトル本体１２ａは電子線ＥＢがそのまま照射されるので、ＰＥＴボトル１２に均一な線量の電子線ＥＢが照射される。 - 特許庁 - To provide a film-forming method which can form a film with high accuracy in a shortened process period of time, and to provide an EB-PVD apparatus.
高精度で、かつ、工程期間短くして、成膜を可能とする成膜方法およびＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。 - 特許庁 - The window material 13 is joined (brazed) to the frame material 11 to seal airtightly the electron passing hole 11c, and passes the electron beam EB.
窓材１３は、電子通過孔１１ｃを気密に閉じるように枠材１１に接合（ロウ付け）され、電子線ＥＢを透過する。 - 特許庁 - ΣE=Ea+Eb+Ec is determined, and it is multiplied by energy conversion factor K to obtain the total use energy amount E(E=ΣE×K).
ΣＥ＝Ｅａ＋Ｅｂ＋Ｅｃを求め、エネルギー換算係数Ｋを乗じ、合計使用エネルギー量Ｅ（Ｅ＝ΣＥ×Ｋ）とする。 - 特許庁 - After a latent image is formed by exposing the object (EB exposure), the resist surface layer 3 is removed (a rough surface region is removed) before developing.
被加工物に露光し潜像形成後（ＥＢ露光後）、現像前に、レジスト表面層３を除去（面荒れ領域除去）する。 - 特許庁 - Gold is deposited onto the rear surface of the p-conductive silicon substrate 70 by the EB deposition method, and a second electrode 76 is formed.
また、ｐ伝導型シリコン基板７０の裏面に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第２電極７６を形成した。 - 特許庁 - Gold is deposited onto the rear surface of the n-conductive silicon substrate 80 by the EB deposition method, and a second electrode 86 is formed.
また、ｎ伝導型シリコン基板８０の裏面に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第２電極８６を形成した。 - 特許庁 - To provide an EB drawing device in which the image of a first aperture can be formed on a second forming aperture mask accurately.
第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるＥＢ描画装置を提供すること。 - 特許庁 - Gold is deposited onto the end face of the n-conductive carbon nanowall 73 by an EB deposition method, and a first electrode 75 is formed.
ｎ伝導型カーボンナノウォール７３の端面上に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第１電極７５を形成した。 - 特許庁 - Gold is deposited onto the end face of the p-conductive carbon nanowall 82 by an EB deposition method, and a first electrode 85 is formed.
ｐ伝導型カーボンナノウォール８２の端面上に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第１電極８５を形成した。 - 特許庁 - The irradiation of electron beams EB or ultraviolet rays UV is performed while the semiconductor substrate is heated in an inorganic atmosphere.
電子線ＥＢまたは紫外線ＵＶの照射は、不活性な雰囲気中で半導体基板を加熱した状態で行われる。 - 特許庁
