「EB」を含む例文一覧(505)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞- Luminance histograms are respectively prepared with respect to both left and right images (S1) and the horizontal deviation of each histogram of the left and right images is found as a luminance deviation value Eb (S2).
左右双方の画像について、それぞれの輝度ヒストグラムを作成し（Ｓ１）、左右画像の各ヒストグラムの横軸方向のずれを輝度ずれ値Ｅｂとして求める（Ｓ２）。 - 特許庁 - The lanthanoid atom-activated yttrium precursor that is prepared by the RF sputtering or EB vapor deposition is calcined in an atmosphere at 500 to 1,000°C to give the phosphor.
ＲＦスパッタリング法又はＥＢ蒸着法により得られたランタノイド元素付活酸化イットリウム前駆体を５００〜１０００℃の温度で大気焼成して得ることができる。 - 特許庁 - Although the noises Ea, Eb, Ec are intruded into both signal lines 54 and 55, these noised are negated each other since they are inputted to the differential amplifier 44 with the same phase.
又、信号線５４及び５５には共にノイズＥａ、Ｅｂ、Ｅｃが混入するが、これらノイズは差動アンプ４４に同相で入力するので、互いに打ち消し合う。 - 特許庁 - Based on the measured value Eb for the error rate, obtained by execution of the self-diagnosis and the measured value Ea for the error rate at the time of its initial activation, diagnosis for an optical pickup operation is performed.
自己診断の実行によって得られたエラーレートの計測値Ｅｂと初回起動時のエラーレートの計測値Ｅａに基づいて光ピックアップの動作診断を行う。 - 特許庁 - When a charging voltage of the capacitor C1 is smaller than Vcmin when powering, and when the charging voltage of the capacitor C1 is larger than Vcmax when regenerating, only the battery Eb is connected to the power converter 2, and in cases other than these conditions, the battery Eb and the capacitor C1 are connected to the power converter 2.
そして、力行時に、コンデンサＣ１の充電電圧がＶCminよりも小さい場合、及び、回生時に、コンデンサＣ１の充電電圧がＶCmaxよりも大きい場合には、バッテリＥｂのみが電力変換器２に接続された状態とし、上記の条件以外の場合には、バッテリＥｂとコンデンサＣ１とが電力変換器２と接続された状態とする。 - 特許庁 - The electron beams EB are radiated from an outgoing window 40g of an electron beam generation unit 40A, 40B to a substrate surface while being scanned in a scanning direction (a first direction) Y, and a substrate W concerned is moved in a horizontally moving direction (a second direction) X and the electron beams EB are radiated to the substrate surface Wf two-dimensionally.
電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。 - 特許庁 - Just after batch resetting of charges in an imaging sensor, in an imaging apparatus, a 1st blind is traveled from an upper end Eu of an image Gs formed in the imaging sensor to a lower end Eb, and a 2nd blind is traveled from the upper end Eu of the image Gs to the lower end Eb after the lapse of an exposure time (to).
撮像装置では、撮像センサにおける電荷の一括リセットの直後に、撮像センサに結像された画像Ｇｓの上端部Ｅｕから下端部Ｅｂに向かう方向に先幕を走行させるとともに、露光時間ｔｏの経過を待って後幕を画像Ｇｓの上端部Ｅｕから下端部Ｅｂに向かう方向に走行させる。 - 特許庁 - In particular, the pattern dimension is evaluated by using two or more kinds of patterns to suppress variance in the proximity effect in an electron beam (EB) drawing device while checking the size of the proximity effect.
とくに、ＥＢ描画装置における近接効果のバラツキを少なくするために２種類以上を用いて、近接効果の大きさを確認しながらパターン寸法を評価する。 - 特許庁 - In the respective processing stations, the single sheet 6 is processed in a state of standstill and held in a position for making its rear edge BH align with the rear edge EB of the tool or the rear edge EA of the pile 14.
各処理ステーションにおいて、枚葉紙６は、その後縁ＢＨが、工具の後縁ＥＢ、またはパイル１４の後縁ＥＡに揃う位置で静止させられ保持された状態で処理される。 - 特許庁 - To provide a method of reducing a drawing time keeping the drawn graphic forms high in quality when the graphic forms are drawn on a photomask, such as a reticule using a vector-type (forming beam-type) EB (electron beam) drawing device.
ベクター型（成形ビーム型）ＥＢ描画装置を用いたレチクル等のフォトマスクへの描画において、描画品質を維持しつつ、描画時間を短縮できる方法を提供する。 - 特許庁 - A resist 3 is applied on a SiN thin film 2 (d), a part of the resist where a pinhole is to be formed is exposed by means of EB plotting, the resist is developed and, thereby, the pinhole 4 is formed.
SiＮ薄膜２の上にレジスト３を塗布し（ｄ）、ＥＢ描画により、レジスト３のピンホールを作成したい部分を露光し、レジスト３を現像することにより、ピンホール４を形成する。 - 特許庁 - In this system, when a type Th of the harmony sound is set, effect classifications Eb and Ec to be attached to harmony sound or speech, according to the set type Th (C).
このシステムでは、ハーモニー音のタイプＴｈを設定すると、設定したタイプＴｈに応じてハーモニー音又は音声に付与すべき効果の種類Ｅｂ，Ｅｃが自動設定される（Ｃ）。 - 特許庁 - The light-emitting element EA among the plurality of light-emitting elements E has a maximum-diameter larger than that of the light-emitting element EB which is positioned away from the optical axis A of the lens 44 in comparison with the light-emitting element EA.
複数の発光素子Ｅのうちの発光素子ＥAは、発光素子ＥAと比較してレンズ４４の光軸Ａから離間した位置にある発光素子ＥBよりも最大径が大きい。 - 特許庁 - To achieve a prolonged service life of a cleaning blade and long-term stabilization of its cleaning performance by stabilizing the behavior of the edge of the cleaning blade in cleaning of an EB drum in an image forming apparatus.
ＥＢドラムのクリーニングにおいて、クリーニングブレードエッジ部の挙動を安定化することで、クリーニングブレードの高寿命化、クリーニング性の長期安定化を達成することを目的とする。 - 特許庁 - A comparator 30 compares a voltage applied to the first element Ea with a voltage applied to the second element Eb and turns on or off the second MOS transistor PS according to the comparison result.
比較器３０は、第１の素子Ｅａにかかる電圧と第２の素子Ｅｂにかかる電圧とを比較し、比較結果に応じて第２のＭＯＳトランジスタＰＳをオンまたはオフにする。 - 特許庁 - To provide a CDMA receiver capable of preventing a deterioration of a receiving quality and having a high strength against fading due to a multipath or the like by accurately tracking even in a low Eb/No environment.
低Ｅｂ／Ｎｏの環境下においても高精度でトラッキングを行い、マルチパス等によるフェージングに強く、受信品質の劣化を防ぐことができるＣＤＭＡ受信装置を提供する。 - 特許庁 - An electron beam cast from an electron beam tube 3 (EB tube) is passed through a window 4 to the inside of a process chamber 5 and cast onto an irradiating object 2 like resist or ink on a work 1.
電子線管３（ＥＢ管）から放射される電子線は、窓４を介して処理室５内に放射され、ワーク１上に塗布されたレジストやインキ等の被照射物２に照射される。 - 特許庁 - In S3, an engine output correction coefficient K corresponding to response speed of exhaust recirculation is calculated, on the basis of an intake air flow rate Af, exhaust pressure Pre and a charge level Eb.
Ｓ３では、吸気流量Ａｆ、排気圧力Ｐｒｅ、及び充電レベルＥｂに基づいて、排気還流の応答速度に対応するエンジン出力補正係数Ｋを算出する。 - 特許庁 - The extension rods R3x and R4x form a second imaging region outside a first imaging region formed of the end rings Ef and Eb and the rods R1-R4.
延長ロッドＲ３ｘ，Ｒ４ｘは、エンドリングＥｆ，ＥｂおよびロッドＲ１〜Ｒ４により形成される第１のイメージング領域の外側に第２のイメージング領域を形成する。 - 特許庁 - After the scan, the relative position between the mask 10 and the wafer being treated is changed by the dimensions of one mask region and, again, all the four mask regions 10-1 to 10-4 are scanned by the electron beam EB.
電子線を走査後、１つのマスク領域の寸法分だけ、マスク１０とウエハとの相対位置を変えて、再び４つのマスク領域の全てに電子線ＥＢを走査する。 - 特許庁 - Four piezoelectric bimorphs 29A-29D provided in a movable body 20 are set in a predetermined direction of polarization and applied with voltages EA and EB having a phase difference of 90°.
可動体２０に設けられた４つの圧電バイモルフ２９Ａ〜２９Ｄは、所定の分極方向に設定されており、交互に９０度位相の異なる電圧ＥＡ，ＥＢが印加される。 - 特許庁 - An opening angle control lens 33 controls the opening angle of an electron beam EB incident on a wafer sample 32 to be a small value, for example, 10-5 to 10-6 rad. in an interlocking manner with an objective lens 38.
開き角制御レンズ３３は、対物レンズ３８と連動して、ウエハ試料３２に入射する電子ビームＥＢの開き角を小さな角度、例えば、１０^-5〜１０^^-6ｒａｄに制御する。 - 特許庁 - When the heat dissipation sheet is produced, the thermally conductive resin composition is prepared and compression molded, and then cross-linked by EB irradiation.
上記放熱シートを製造するにあたり、上記熱伝導性樹脂組成物を調製して、圧縮成形した後に、ＥＢ照射により架橋させる放熱シートの製造方法である。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of relief pattern capable of manufacturing a complicated pattern at high quality by performing high-resolution pattern plotting with respect to the manufacturing method of relief pattern using charged particle beams of an EB plotting apparatus and the like.
ＥＢ描画装置などの荷電粒子ビームを用いたレリーフパターンの作製方法において、解像度の高いパターン描画を行い複雑なパターンを高品質に作製する。 - 特許庁 - The radically polymerizable varnish essential for UV/EB ink is prepared to improve its lipophilic property.
また、得られた顔料分散体を用いることにより、透明性、着色力、光沢に優れた、紫外線または電子線を照射して硬化乾燥するラジカル重合性印刷インキを提供する。 - 特許庁 - The spool 34 has first and second resistance applying members 51, 52 for abutting at each of change-over positions on the opening side of each of the exhaust ports EA, EB toward the shaft hole 32.
また、スプール３４には、各切換位置で各排出ポートＥＡ，ＥＢにおける軸孔３２に向けた開口側に当接する第１及び第２抵抗付加部材５１，５２が設けられている。 - 特許庁 - In an EB vapor deposition device, cobalt(Co) 13 is vapor deposited on the objective material 11 for vapor deposition while the material 11 is traveled from a supply roll 2 to a winding roll 3 along a cooling roll 1.
冷却ロール１，供給側ロール２，巻き取り側ロール３とにより被蒸着材１１を走行させながら、コバルト（Ｃｏ）１３を蒸着するＥＢ蒸着装置である。 - 特許庁 - The sub-mirror holder 1032 is provided with a stopper part Sp that protrudes to the link shaft Ja side from the extended line Le that extends the guidance section Qa to the end point Eb or more.
そして、サブミラーホルダ１０３２には、案内区間Ｑａを終点Ｅｂ以降に延長した延長線Ｌｅからリンク軸Ｊａ側に突出するストッパ部Ｓｐが設けられている。 - 特許庁 - Electronic bank transfer information requested by a customer using an ATM 20 or an EB system 12 is written into the account information of an account for receiving money of a loan customer at an account information storage section 13.
取引先がＡＴＭ２０やＥＢシステム１２より依頼した振込情報は、口座情報格納部１３の融資先の入金用口座の口座情報に書き込まれる。 - 特許庁 - The vapor deposition metal film 3 is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, EB vapor deposition or sputtering and the thickness thereof is preferably 10-200 mμm.
前記蒸着金属膜が３真空蒸着、イオンプレーティング、ＥＢ蒸着あるいはスパッタリングで形成されていること、厚さが１０ｍμｍ以上、２００ｍμｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method and device for designing an EB mask which can cope with the 'checker flag problem' by detecting point-contact patterns and microscopic bridge patterns with reliability.
点接触パターンや微小ブリッジパターンを確実に検出して、チェッカーフラッグ問題に対処することが可能なＥＢマスクの設計方法及びＥＢマスク設計装置を提供する。 - 特許庁 - When a substrate 31 having a rugged pattern on a surface is made, plotting of a pattern in accordance with the rugged pattern is performed by scanning of an electron beam EB.
表面に凹凸パターンを有する基板３１を作製する際、レジスト１２が塗布された円形基盤１１に、電子ビームＥＢの走査により凹凸パターンに応じたパターンの描画を行う。 - 特許庁 - Basically, the resistance of resistors 94, 96 is preliminarily set so that the reference voltage Ea of the comparator 90 in the absence of the ground-defect becomes higher than comparative voltage Eb.
基本的には、地絡が発生していない場合のコンパレータ９０の基準電圧Ｅａは、比較電圧Ｅｂより高い電圧となるように抵抗器９４、９６の抵抗値を設定しておく。 - 特許庁 - Next, the protective resist film 14 is subjected to electron beam(EB) exposure to make a protective opening in an upper-side part of a top formation region of a gate electrode in the protective resist film 14.
次に、保護レジスト膜１４に対してＥＢ露光を行なって該保護レジスト膜１４におけるゲート電極の頂部形成領域の上側部分に保護開口部を形成する。 - 特許庁 - This is a getter shield structure of an electron beam position detection device 31 that outputs electric signals corresponding to the irradiation of the electron beam eB installed in the cathode-ray tube, and comprises an index electrode 15 that is made of a conductive material and has an opening for detecting the electron beam position and a shied plate 17 that shields the electron beam eB transmitted from the opening.
陰極線管内に設けられ電子ビームｅＢの入射に応じて電気的な信号を出力する電子ビーム位置検出装置３１のゲッタシールド構造であって、導電性材料からなり電子ビーム位置検出のための開口部を有するインデックス電極１５と、開口部から透過した電子ビームｅＢを遮蔽するシールド板１７とが備えられる。 - 特許庁 - When a substrate 31 having an irregular pattern on a surface is manufactured, plotting of a pattern in accordance with the irregular pattern is performed for a disk 11 to which a resist 12 is applied by scanning of an electron bean EB.
表面に凹凸パターンを有する基板３１を作製する際、レジスト１２が塗布された円形基盤１１に、電子ビームＥＢの走査により凹凸パターンに応じたパターンの描画を行う。 - 特許庁 - A matching speed specific to each transport channel is set from at least one 1st parameter(RM_i) showing Eb/I ratio expected, and the 2nd parameter (N_data) showing the capability of a physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - When the rectangular-shaped beam EB that has passed through the projection lens of the lower stage is scanned on the knife edge 1, non-scattered electrons e1 and forward-scattered electrons e2, not absorbed by a knife-edge plate 2, pass to the downward direction.
下段の投影レンズを通過した矩形ビームＥＢをナイフエッジ１上でスキャンすると、ナイフエッジ板２に吸収されない無散乱電子ｅ１及び前方散乱電子ｅ２が下方へと通過する。 - 特許庁 - After EB (electron beam) curing of the resist film 4, a photosensitive polysilazane film 7 is disposed on the carbon film 2 so as to cover the resist film 4 in such a way that the pattern recesses in the resist film 4 are nearly thoroughly filled.
レジスト膜４にＥＢキュア処理を施した後、レジスト膜４を覆うように、感光性ポリシラザン膜７をカーボン膜２上に設け、レジスト膜４のパターン段差を略完全に無くすように埋め込む。 - 特許庁 - The matched rate original for each of the transport channels is determined from at least one first parameter (RM_i) representing an expected Eb/I and a second parameter (N_data) representing physical channel ability.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - The matching speed specific to each transport channel is decided, from at lease one first parameter (RM_i) to represent the predictable Eb/I ratio and the second parameter (N_data) to represent the capability of a physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.
電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁 - The same rate specific to each transport channel is determined from at least one first parameter (RM_i) indicative of an expected Eb/I ratio and a second parameter (N_data) indicative of the capacity of the physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - To provide a method of controlling deposition rate, a mechanism for controlling deposition rate and an electron-beam physical vapor deposition (EB-PVD) apparatus capable of depositing a film onto an object to be deposited at a low deposition rate while quantitatively-stably generating vaporized particles.
蒸発粒子を量的に安定発生させつつ、被成膜対象に低成膜レートで成膜する成膜レート制御方法、成膜レート制御機構、およびＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。 - 特許庁 - An output part 1 varies potential of an external output signal EB according to variation of potential of an internal input signal A from a ground side to a VDD side or from the VDD side to the ground side.
内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。 - 特許庁 - The proximity sensor 1a also comprises a resistance 7 for electrically connecting the reception antenna 4 for receiving the alternating current signal Eb from an inspected area and the transmission antenna 3.
また、近接センサ１ａは、近接センサ１ａは、被検査領域からの交流信号Ｅｂを受信する受信アンテナ４と、送信アンテナ３と受信アンテナ４を電気的に接続する抵抗７を備える。 - 特許庁 - A correlation energy calculation section 20 calculates a correlation energy Eb between a correlation value DI/C2 detected by the correlation detection section 15 and a correlation value DQ/C2 detected by the correlation detection section 17.
相関エネルギー算出部２０は、相関検出部１５で検出された相関値ＤＩ・Ｃ２と相関検出部１７で検出された相関値ＤＱ・Ｃ２との相関エネルギーＥｂを算出する。 - 特許庁 - The matching rate specific to each transport channel is determined from at least one first parameter (RM_i) representative of the expected Eb/I ratio and a second parameter (N_data) representative of the capacity of the physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - To provide a near-field exposing method with which the pattern of a fine opening formed on an exposure mask can be accurately and efficiently exposed, with proximity EB lithography, to 1:1 with respect to an object to be exposed.
露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供する。 - 特許庁 - A Z-phase signal Eb showing a zero position of a gear grinding tool 42 having two spiral bars is converted into a Z-phase pulse doubling signal Ed having double pulses by a pulse doubling part 109.
２条の螺旋条を有する歯車研削工具４２の零点位置を示すＺ相信号Ｅｂを、パルス倍増部１０９により、２倍のパルスを有するＺ相パルス倍増信号Ｅｄに変換する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
