「EB」を含む例文一覧(505)

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  • To perform path search even under low Eb/Io before an antenna directivity is formed in a cellular system using an adaptive array antenna.
    アダプティブアレイアンテナを用いたセルラシステムにおいて、アンテナ指向性が形成される前の低Eb/Io下でもパスサーチを行う。 - 特許庁
  • An electron beam irradiating mechanism 6 which generates an electron beam EB is provided to the sealing part of the vacuum chamber 1.
    真空チャンバ1の天井部には、エレクトロンビームEBを発生させるためのエレクトロンビーム照射機構6が設けられている。 - 特許庁
  • To provide a handling method, a unit and the like which are capable of holding a circular EB exposure reticle stably and transferring it safely.
    円形のEB露光用レチクルを安定に保持するとともに安全に搬送するハンドリング方法及び装置等を提供する。 - 特許庁
  • The optical transmission device 10 generates an amplitude modulated signal EB(t) by an amplitude modulator 12 according to an input signal E(t) and an optoelectronic converter 13 converts it, so that light intensity modulated light signals PA and PB are outputted to optical fiber transmission lines F1 and 20.
    光伝送装置10において、入力信号E(t)に基づいて振幅変調器12が振幅変調した信号EB(t)を生成し、電気/光変換器13が変換することにより、光強度変調をかけた光信号PA,PBを光ファイバ伝送路F1,20に出力する。 - 特許庁
  • The rotary stage 11 is rotated at a constant speed and the irradiation energy of the electron beam EB is increased in response to the increase of the distance between the rotation center of the rotation stage 11 and the irradiation position of the electron beam EB on the circular substrate 1.
    回転ステージ11を一定の回転速度で回転させるとともに、電子線EBの照射エネルギーを、回転ステージ11の回転中心から電子線EBの円形基板1上における照射位置までの距離の増加に応じて増加させる。 - 特許庁
  • The power unit comprises a power converter circuit 2 that feeds power charged in the battery Eb or a capacitor C1 to a motor M1 when powering, and charges power generated by the rotation of the motor M1 to the battery Eb or the capacitor C1 when regenerating.
    力行時には、バッテリEb或いはコンデンサC1に充電された電力をモータM1に供給すると共に、回生時には、モータM1の回転により発生する電力を、バッテリEb或いはコンデンサC1に充電する電力変換回路2を有する。 - 特許庁
  • In an electron beam delineating system 1 at a low acceleration voltage, illumination conditions of electron beams EB on a second formation aperture 89 are adjusted so that diameters of crossovers 9a, 9b of the electron beams EB in a reduction projection optical system 120 is made larger than an aperture size.
    低加速電圧の電子ビーム描画システム1において、縮小投影光学系120内での電子ビームEBのクロスオーバ9a,9bの径がアパーチャサイズよりも大きくなるように、第2成形アパーチャ89への電子ビームEBの照明条件を調整する。 - 特許庁
  • This paperboard has 1.2-1.5 (Eb/Es) value where a bend elastic constant Eb is measured from a taper rigidity Ms measured in the travel direction in winding by JIS P8125 and a linear elastic constant Es is measured in the travel direction in winding.
    巻き取りの走行方向で測定したJIS P8125によるテーバーこわさMsから計算される曲げ弾性率Ebを、巻き取りの走行方向で測定した引張り弾性率Esで除したEb/Esの値が、1.2以上かつ1.5以下である板紙。 - 特許庁
  • The above part of the pair of photoelectric conversion sections PD is provided with a light shielding section LS having two light shielding regions Ea and Eb for shielding the light flux having passed the exit pupil, and one microlens ML sandwiched between the two light shielding regions Ea and Eb.
    そして、一対の光電変換部PDの上方には、射出瞳を通過した光束を遮光する2つの遮光領域Ea、Ebを有した遮光部LSと、これら2つの遮光領域Ea、Ebに挟まれた1つのマイクロレンズMLが設けられている。 - 特許庁
  • A mobile terminal 3 includes a data processing part 22, which measures the standard deviation of Eb/I0, i.e., a ratio between signal power Eb set per bit at the receiving side and interference power I0 set per Hz and changes the control width of transmission power, in response to the measured standard deviation.
    、移動端末2に、受信側の1ビット当たりの信号電力Ebと1Hz当たりの干渉電力I0との比であるEb/I0の標準偏差を測定しそれに基づき送信電力制御の制御幅を変更させるデータ処理部22を設ける。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a photomask for deciding whether the design data have a high affinity with an EB drawing device.
    EB描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁
  • EB LITHOGRAPHY SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE, MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY
    EB描画装置、半導体装置、写真製版用マスク、半導体装置の製造方法、および写真製版用マスクの製造方法 - 特許庁
  • To provide a transport or carry case which can stand irradiation for sterilization such as electron beams(EB) or γ rays.
    輸送用若しくは搬送用のケースであって、電子線(EB)やγ線などの滅菌用放射線照射に耐え得るものを提供する。 - 特許庁
  • To provide a static pressure screw which can be utilized even under a vacuum environment like in an EB exposure device, by reducing an outflow of gas to the outside.
    外部への気体流出を低減し、EB露光装置内のような真空環境でも利用可能な静圧ねじを提供する。 - 特許庁
  • The hydrofoil structure 103 has an annular shape when viewed from the water surface side, and a foil trailing edge Eb is formed on the inner circumferential side.
    水中翼構造物103は、水上側から見て環状であり、かつ、内周側に翼後縁Ebが形成されている。 - 特許庁
  • Furthermore, the longitudinal direction size xE of the tape of the end mark EB is made longer than the longitudinal direction size x of the tape of the cueing mark PM.
    また、エンドマークEBのテープ長手方向寸法xEを、頭出しマークPMのテープ長手方向寸法xよりも大きくする。 - 特許庁
  • That is, the predicted voltage Ea predicted in the prediction controller is increased or decreased by the voltage command Eb based on the deviation ΔT.
    すなわち、予測制御器で予測した予測電圧Eaを、偏差ΔTに基づいた電圧指令Ebの分だけ増減している。 - 特許庁
  • As a result, the fallen charged particles (ions) are scattered outside of this apparatus from the outlet opening Eb by driving an air discharge fan 35.
    これにより落下した帯電粒子(イオン)は出口開口Ebから空気吐出ファン35の駆動により本装置の外部へ飛散される。 - 特許庁
  • In the semiconductor-device manufacturing method, an energy beam EB of a shorter wavelength than the oscillating wavelength of a laser chip 20 is projected on a supporter 31 mounting the laser chip 20.
    レーザチップ20を搭載した支持体31に、レーザチップ20の発振波長よりも短波長のエネルギービームEBを照射する。 - 特許庁
  • The electron beam exit wound 9 is comprised of a slit prepared along the scanning direction of electron beams EB with the scanning magnet 16.
    電子線射出口9を、走査磁石16による電子線EBの走査方向に沿って設けられたスリットによって構成する。 - 特許庁
  • Then, the set effect classifications Eb and Ec are attached to the generated harmony sound signal Sv or the speech signal Sm (L, M).
    そして、生成されたハーモニー音信号Sv又は音声信号Smに、設定された種類の効果Eb,Ecが付与される(L,M)。 - 特許庁
  • A mask 14 for electron beam exposure has a circuit pattern 42 comprising an opening 40 in a pattern forming region 14a of a substrate 46, irradiates an electron beam Eb, and projects and exposes the circuit pattern 42 into a sample 20 by the electron beam Eb through the circuit pattern 42.
    本電子ビーム露光用マスク14は、開口40からなる回路パターン42を基板46のパターン形成領域14aに有し、電子ビームEbを照射して、回路パターン42を透過した電子ビームEbによって回路パターン42を試料20上に投影露光するように構成されている。 - 特許庁
  • If no frame error is caused, an update amount dEid (downward update amount) to decrease a reference value is decided in response to a magnitude of a reference Eb/I0 value (Ei) to decrease the reference Eb/I0 value by the update amount dEid so as to clear an error occurrence flag (steps S13 to S15).
    フレームエラーが発生していない場合には基準値を下げる更新量dEid(下方更新量)を基準Eb/I0値(Ei)の大きさに応じて決定し、基準Eb/I0値を更新量dEidだけ下げ、エラー発生フラグをオフとする(ステップS13〜S15)。 - 特許庁
  • Furthermore, if there is no space in the storage regions EB, EC, the oldest image data are sequentially moved while being thinned similarly to the case of the storage region EA, and storage target frames of the storage regions EB, EA are sequentially moved to the regions which are made empty by the move.
    また、記憶領域EB ,EC にも空き領域がなくなった場合には、上記記憶領域EA の場合と同様にそれぞれ最古の画像データを間引きながら順次移動させ、この移動により空きとなった領域に記憶領域EB ,EA の保存対象フレームを順次移動させる。 - 特許庁
  • A water film 15 is formed on a mouth 12b of a PET bottle 12 where an excessive dose of the electron beams EB occurs before applying the electron beams EB to the PET bottle 12, thereby eliminating need of using the shelter structure 2 according to a shape and a type of the bottle 12.
    PETボトル12に電子線EBを照射する前にPETボトル12の電子線EBの過剰線量となる口部12bに水膜15を形成することにより、PETボトル12の形状や種類に応じた遮蔽構造体2を用いる必要がなくなる。 - 特許庁
  • In this scanning electron microscope, the acceleration voltage of an electron beam EB irradiated on a sample 2 is set to 4 kV, and a voltage of -3 kV is applied to the sample 2 from a power source 11, so that the electron beam EB is decelerated immediately in front of the sample and is irradiated on the sample 2 with an energy of 1 kV.
    試料2に照射される電子ビームEBの加速電圧は、4kVとされており、試料2には電源11より−3kVの電圧が印加されていることから、電子ビームEBは試料の直前で減速され、1kVのエネルギーで試料2に照射される。 - 特許庁
  • A phase detection circuit 6 blends a wave reception signal Ein output from a transducer 2 with the reference signals Ea and Eb, and thereby outputs a pair of Doppler signals E1 and E2 having amplitudes according to the phase differences from the reference signals Ea and Eb and having phases different from each other.
    位相検波回路6は、送受波器2から出力される受波信号Einを基準信号Ea,Ebと混合することで、基準信号Ea,Ebとの位相差に応じた振幅を有し且つ互いに位相の異なる一対のドップラー信号E1,E2を出力する。 - 特許庁
  • An adhesive layer 2 is laminated on one surface or both surfaces of a heat dissipation layer 1 formed by compression molding a thermally conductive resin composition containing an electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive filler, and then the heat dissipation layer 1 is cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation sheet.
    電子線(EB)架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が圧縮成形されてなる放熱層1の片面または両面に、粘着層2が積層されてなり、放熱層1がEB照射により架橋されてなる放熱シートである。 - 特許庁
  • To solve the problem in which when a chain store operation company etc., receives POS data and EB data through a communication line and matches sales amounts of respective stores with amounts of sales deposit in respective store accounts, the matching is manually performed because of differences in relation between POS closing days and depositing days of the respective stores.
    チェーンストア運営会社等では、通信回線を介してPOSデータとEBデータを受信し、各店舗の売上金額と各店舗口座への売上金の入金金額を突合させているが、POS締め日と入金日の関係が各店舗で異なる等の事由から手作業で行っている。 - 特許庁
  • Therefore, the electron beams EB emitted by the electron beam emission section can be easily caused to converge on the convergence coil 6_2 so as to make the image of the electron beams EB projected on the electron beam transmission member 21 coincide with the shape of the electron beam transmission section in the Z axis.
    そのため、集束コイル6_2に対し、電子線透過部材21に照射される電子線EBの像が、Z軸方向において電子線透過部の形状と略同一となるように、電子放出部から放出された電子線EBを集束させることが容易となる。 - 特許庁
  • Metal films 2A, 2B are laminated on one surface or both surfaces of a heat dissipation layer 1 formed by compression molding a thermally conductive resin composition containing electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive filler, and then the heat dissipation layer 1 is cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation sheet.
    電子線(EB)架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が圧縮成形されてなる放熱層1の片面または両面に、金属フィルム2A,2Bが積層されてなり、放熱層1がEB照射により架橋されてなる放熱シートである。 - 特許庁
  • The secondary battery is formed by welding the positive electrode metal foils to each other and the positive electrode foil-adhered and laminated portion and the laminated portion-adhered portions to each other while irradiating their irradiation sites L1 being moved with the energy beams EB entering from the laminated portion-adhered portions to the foil adhered and laminated portion in the laminating direction.
    二次電池は、正極金属箔同士および正極箔密着積層部と積層部密着部とを、積層方向、積層部密着部側から箔密着積層部側に進むエネルギビームEBを、その照射部位L1を移動させつつ照射して、溶接してなる。 - 特許庁
  • When a desired retrieval word (Ek) is input, entry words whose beginning matches the retrieval word are retrieved from the dictionary and displayed in an entry word list area Ea, and keyword entry words matching the retrieval word are retrieved from the keyword index and displayed in a keyword entry word list area Eb.
    所望の検索語(Ek)が入力されると、該検索語に前方一致する見出し語が辞書検索され見出し語一覧エリアEaに表示されると共に、前記キーワードインデックスから同検索語に一致するキーワードの見出し語が検索されキーワード見出し語一覧エリアEbに表示される。 - 特許庁
  • Furthermore, if there is no space in the storage regions EB, EC, the oldest image data are sequentially moved while being thinned similarly to the case of the storage region EA, and storage target frames of the storage regions EB, EA are sequentially moved to the regions which are made empty by the motion.
    また、記憶領域EB ,EC にも空き領域がなくなった場合には、上記記憶領域EA の場合と同様にそれぞれ最古の画像データを間引きながら順次移動させ、この移動により空きとなった領域に記憶領域EB ,EA の保存対象フレームを順次移動させる。 - 特許庁
  • This paperboard is characterized in that the porosity is 0.50-0.80 and Eb/Es value obtained by dividing flexural modulus (Eb) calculated from taper stiffness Ms according to JIS P-8125 measured in traveling direction of rolling by elastic modulus in tension (Es) measured in traveling direction of rolling is 1.2 to 2.8.
    空隙率が0.50〜0.80で、且つ巻取りの走行方向で測定したJIS P8125によるテーバーこわさMsから計算される曲げ弾性率Ebを、巻取りの走行方向で測定した引張り弾性率Esで除したEb/Esの値が、1.2〜2.8であることを特徴とする板紙。 - 特許庁
  • The mobile station 2 decides its own initial transmission power on the basis of a prescribed initial reference Eb/IO in the case of starting communication.
    移動局2は通信を始める際に常に一定の初期基準Eb/IOに基づいて移動局2の初期送信電力を決定している。 - 特許庁
  • The data 16 is inputted to a data input part 20 of an EB tester 12 and then written in a hard disk as analysis data (A)34.
    状態データ16は、EBテスタ12のデータ入力部20に入力され、それから解析データ(A)34としてハードディスクに書き込まれる。 - 特許庁
  • Based on the index signal a convergence york and a deflection york are controlled for automatically controlling the scanning position of the electron beam eB.
    このインデックス信号に基づいて、コンバーゼンスヨーク32および偏向ヨーク21が制御され、電子ビームeBの走査位置の自動制御が行われる。 - 特許庁
  • It is especially preferable that the bend elastic constant Eb is 330-460 kg/mm2 and the linear elastic constant Es is 270-380 kg/mm2.
    特に曲げ弾性率Ebが330〜460kg/mm^2、前記引張り弾性率Esが270〜380kg/mm^2であると良い。 - 特許庁
  • The pulse power of the frequency f of 10 [kHz] to 300 [kHz] is supplied to the works 36, etc. as the bias power Eb.
    ここで、被処理物36,36,…には、バイアス電力Ebとして、周波数fが10[kHz]〜300[kHz]のパルス電力が供給される。 - 特許庁
  • A data storage region is divided into storage regions EA, EB, EC and received image data are firstly stored in the storage region EA at a full rate.
    データ記憶領域を記憶領域EA ,EB ,EC に分割し、受信された画像データを先ずフルレートで上記記憶領域EA に記憶する。 - 特許庁
  • As a result of it, the focus of the electron beam EB to be irradiated on the sample 2 is never slipped out even when the voltage is applied on the sample 2.
    この結果、試料2上に照射される電子ビームEBは、試料2に電圧が印加されてもフォーカスがずれることはなくなる。 - 特許庁
  • To smoothly draw a waveguide pattern having an arbitrarily curved shape, the radius of curvature of which varies in a waveguide direction, by EB drawing or the like.
    曲率半径が導波路方向に変化する任意曲線形状の導波路パターンをEB描画等により滑らかに描画する。 - 特許庁
  • To obtain a structure which is suitably mass-produced by using EB as a standard cell structure, used for a MOS-type semiconductor integrated circuit.
    MOS型半導体集積回路装置において用いられるスタンダードセル構造を、EBを用いて量産するのに適した構造とすること。 - 特許庁
  • Afterwards, the transfer is announced to an enterprise to which money is transferred by a reduction ledger chart (S314) or electronic information (S312) in an EB service.
    この後に、入金された企業に対して、還元帳表(S314)や、EBサービスにおいては電子情報(S312)で振込通知を行う。 - 特許庁
  • After this, transfer notification is performed for a corporation to be paid by restored ledger list (S314) or electronic information (S312) in electronic banking(EB).
    この後に、入金された企業に対して、還元帳表(S314) や、EBサービスにおいては電子情報(S312)で振込通知を行う。 - 特許庁
  • The frame material 11 has an electron passing hole 11c for passing the electron beam EB, and is attached detachably to the vacuum container 3.
    枠材11は、電子線EBを通過させるための電子通過孔11cを有しており、真空容器3に着脱可能に取り付けられる。 - 特許庁
  • To perform a low temperature control even in a positioning device installed in an environment such as an EB exposure device where a Peltier element cannot be used.
    EB露光装置などペルチェ素子が利用できない環境に設置される位置決め装置においても、低温の温度制御を可能にする。 - 特許庁
  • In addition, tests for infection by cytomegalovirus and EB virus should be performed as necessary.
    また、サイトメガロウイルス感染、EBウイルス感染及びウエストナイルウイルス感染については、必要に応じて、検査により感染が否定されなければならない。 - 厚生労働省
  • To make a CDMA receiver immune to fading caused by a multipath or the like and to prevent the deterioration of a receiving quality by performing tracking with high accuracy even in the environment of a low Eb/No.
    Eb/Noの環境下においても高精度でトラッキングを行い、マルチパス等によるフェージングに強く、受信品質の劣化を防ぐ。 - 特許庁
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