「EB」を含む例文一覧(505)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ＞- In this case, impurities are injected to the silicon layer 13a by injection energy where the concentration of the impurities is maximized at the position of ends Ea and Eb of the silicon layer 13a.
この注入工程では、シリコン層１３ａの端部Ｅａ，Ｅｂの位置において不純物濃度が最大値になるような注入エネルギーによってシリコン層１３ａに不純物を注入している。 - 特許庁 - An auxiliary electronic irradiation device 15, that radiates an electron beam directed toward the sample is provided at an inclination of θ degrees with respect to an optical axis O1 of an electron optics system, to which a primary electron beam EB is radiated.
試料に向けて電子ビームを照射する補助電子照射器１５が一次電子ビームＥＢが照射される電子光学系の光軸Ｏ１に対して角度θ傾けられて設けられている。 - 特許庁 - To realize a focusing method for adjusting the focus of charged particles on a sample based on a video signal obtained by sweeping the charged particles on the sample in an SEM or an EB(electron beam) tester.
ＳＥＭ又はＥＢテスタにおいて、荷電粒子を試料上で掃引した結果得られるビデオ信号に基づき、荷電粒子の試料に対する焦点を調整する合焦制御方法を提供する。 - 特許庁 - This allows debris or the like, generated in the irradiation of an object with an electron beam EB, to be blocked by the outside window 34 and prevents the dirt from adhering to the electron beam emission window 24.
そのため、電子線ＥＢが照射対象物に照射される際に発生する飛散物等は外窓３４によってブロックされ、電子線出射窓２４への汚れの付着が防止される。 - 特許庁 - To provide a partial collective electron ray drawing method and device for improving the shot connection between partial collective EB electron ray shots for drawing adjacent patterns and for improving dimension accuracy.
隣接パターンを描画するための部分一括ＥＢショット間のショット接続を向上させ、及び、寸法精度を向上させる部分一括電子線描画方法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - The other terminal of the ground capacitors C1-C3 is connected in common, and a switch 3 serving as an electric wire switching means is provided between a common connection and the ground pole Eb (for example, class D ground).
また、接地用コンデンサＣ１〜Ｃ３の他方の端子は共通接続し、共通接続点と接地極Ｅｄ（例えばＤ種接地）との間に、電路開閉手段であるスイッチ３を設ける。 - 特許庁 - A proximity sensor 1a comprises: an oscillator 2; a transmission antenna 3 for radiating an alternating current signal Ea on the basis of a signal of the oscillator 2; and a reception antenna 4 for receiving an alternating current signal Eb.
近接センサ１ａは、発振器２と、発振器２の信号に基づいて交流信号Ｅａを放射する送信アンテナ３と、交流信号Ｅｂを受信する受信アンテナ４とを備える。 - 特許庁 - Then the deviation value Eb is converted into the correction amount Do of the clamp value to a clamp circuit (S3) and a directive value obtained by adding the correction amount Do to the present clamp value is outputted to the clamping circuit (S4).
そして、輝度ずれ値Ｅｂを、クランプ回路に対するクランプ値の修正量Ｄｏに変換し（Ｓ３）、現在のクランプ値に修正量Ｄｏを加算した指示値をクランプ回路に出力する（Ｓ４）。 - 特許庁 - The diameter of the beam-limiting opening 5 is designed such that an angle θ that views the opening edge 5a from the knife edge 1 is slightly larger than the convergent angle of the rectangular-shaped beam EB at a projection lens of a lower stage.
ビーム制限開口５の開口径は、ナイフエッジ１から開口端縁５ａを見込む角θが、下段の投影レンズにおける矩形ビームＥＢの収束角よりも僅かに大きくなる寸法とする。 - 特許庁 - The apparatus 1 for measuring the parameters of a thread mechanism is provided with an oscilloscope 8 for detecting the counter electromotive force Eb of a thread motor 5, a laser Doppler meter 7 for detecting the moving speed v0 of a pickup 4, and a computer 9.
スレッド機構のパラメータ測定装置１は、スレッドモータ５の逆起電力（Ｅ_b）を検出するオシロスコープ８と、ピックアップ４の移動速度（ｖ_0）を検出するレーザドップラー計７と、コンピュータ９とを備える。 - 特許庁 - An ATO driving pattern being the objective velocity on ATO side is set, based on the ATC emergency brake pattern EB of the upper limit velocity of on ATC side set by ATC controller.
ＡＴＣ制御器によって設定されたＡＴＣ側の上限速度であるＡＴＣ非常制動パターンＥＢに基づいて、ＡＴＯ側の目標速度であるＡＴＯ運転パターンＳＢを設定する。 - 特許庁 - In the expressions, Eb represents 100% modulus of the belt edge rubber layer, Ec does 100% modulus of the belt cushion rubber layer, Db does the belt end carcass side width of the belt edge rubber layer, and Dc does the belt end thickness of the belt cushion rubber layer.
ただし、Ｅｂはベルトエッジゴム層の１００％モジュラス、Ｅｃはベルトクッションゴム層の１００％モジュラス、Ｄｂはベルトエッジゴム層のベルト端カーカス側厚さ、Ｄｃはベルトクッションゴム層のベルト端厚さ。 - 特許庁 - A matching rate specific to each transport channel is determined from at least one first parameter (RM_i) representing an expected Eb/I ratio, and a second parameter (N_data) representing the capacity of a physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - This manufacturing method of the transparent conductive film is used for forming the transparent conductive film by a method selected from a pulse laser deposition method, a spattering method, an ion plating method and an EB deposition method, by using the sintered body as a target.
前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁 - A value to be calculated by multiplying the true value of prescribed Eb/N_0 within a waterfall region in the characteristics of a turbo decoder 1 by a coefficient '4' is decided as a constant, and the constant is outputted from a constant outputting part 14.
ターボデコーダ１の特性におけるウォーターフォール領域内の所定のＥｂ／Ｎ_0の真値に係数「４」を乗じて求まる値を定数に定め、この定数を定数出力部１４より出力する。 - 特許庁 - Thus, in comparison with a case in which the high frequency power is supplied as the bias power Eb, the influence caused by the skin effect is suppressed, and degeneration of the works 36, etc. is prevented, accordingly.
従って、例えば当該バイアス電力Ｅｂとして高周波電力が供給される場合に比べて、表皮効果による影響が抑制され、ひいては被処理物３６，３６，…の変質が防止される。 - 特許庁 - Under these conditions, the primary electron beam EB is scanned to always irradiate a prescribed position on the sample surface and is scanned continuously with an incident angle of the electron beam on the sample 18.
以上の条件で、一次電子ビームＥＢを走査することで、試料面上の所定位置に常に電子ビームが照射され、試料１８に対する電子ビームの入射角度が連続的に走査される。 - 特許庁 - A current control means which can vary a charging current from a step-down circuit 1 to a secondary battery EB comprises resistors R1 and R2, the switching device Q1 and the charge control circuit 3.
抵抗Ｒ１，Ｒ２、スイッチング素子Ｑ１、および充電制御回路３により降圧回路１から二次電池Ｅ_Bへの充電電流を可変とする電流制御手段を構成している。 - 特許庁 - The coincident speed specific to each transport channel is decided by at least one 1st parameter (RMi) denoting an estimated Eb/I ration and a 2nd parameter (Ndata) denoting the capability of a physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - As to the electron beam irradiation equipment 1, current readout electrodes 5 are placed in a window unit 4 so that they cannot overlap an electron beam emission window 24, as seen from the emission axis direction of an electron beam EB.
電子線照射装置１では、窓ユニット４において、電子線ＥＢの出射軸方向から見て、電子線出射窓２４と重ならないように電流読出電極５が設けられている。 - 特許庁 - While forming apertures 19 in a cap layer 16 only in a diffraction grating part 2 by an electron beam (EB) exposure method, a plurality of groove-like recesses 17 are formed in the surface of a diffraction grating layer 15.
電子ビーム（ＥＢ）露光法により、回折格子部２内においてのみ、キャップ層１６に開口部１９を形成しながら回折格子層１５の表面に複数の溝状の凹部１７を形成する。 - 特許庁 - When the magnification of observation is changed, scanning signals from a scanning signal generator 6 are controlled by a magnification controller 7, to change the scanning range of a primary electron beam EB on the sample 4.
ここで、観察倍率を変える場合には、倍率制御器７によって走査信号発生器６からの走査信号を制御し、試料４上の一次電子ビームＥＢの走査範囲を変える。 - 特許庁 - The photoresist composition can especially be used as a chemical amplification type photoresist composition suitable for ArF or KrF excimer laser lithography, ArF immersion exposure lithography, EB exposure lithography, and EUV exposure lithography.
特に、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、ＥＢ露光リソグラフィ、ＥＵＶ露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。 - 特許庁 - This device for measuring the concentration of trace amounts of matter is provided with a wavelength converter 2 for converting laser oscillated light Lb into exciting light Eb with a predetermined wavelength, and a sample cell 3 for housing a sample.
微量物質の濃度測定装置には、レーザー発振光Ｌｂを所定の波長を持つ励起光Ｅｂに変換する波長変換器２と、試料を収容する試料セル３とが設けられている。 - 特許庁 - The matched velocity intrinsic for each transport channel is determined from at least one first parameter (RM_i) representing a forecasted Eb/I and a second parameter (N_data) representing a capability of a physical channel.
各トランスポートチャネルに特有の一致速度は、予想されるＥｂ／Ｉ比を表わす少なくとも１つの第１のパラメータ（ＲＭ_i）と物理チャネルの能力を表わす第２のパラメータ（Ｎ_data）とから定められる。 - 特許庁 - An output part 1 varies the potential of the external output signal EB according to a variation of the potential of an internal input signal A from the ground side to the VDD side or from the VDD side to the ground side.
内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。 - 特許庁 - A comparison section 21 discriminates whether or not a signal received from a base station is valid on the basis of the correlation energy Ea and the correlation energy Eb obtained by the correlation energy calculation section 19 and the correlation energy calculation section 20.
比較部２１は、相関エネルギー算出部１９及び相関エネルギー算出部２０で求めた相関エネルギーＥａ及び相関エネルギーＥｂを基に基地局から受信した信号が有効であるか否かを判断する。 - 特許庁 - The gates of the NMOSs 12, 13 are connected to a terminal E provided with a clock signal CLK, and the gates of the PMOSs 11, 14 are connected to a terminal EB provided with a clock signal CLKB obtained by reversing the clock signal CLK.
ＮＭＯＳ１２，１３のゲートは、クロック信号ＣＬＫが与えられる端子Ｅに接続し、ＰＭＯＳ１１，１４のゲートは、クロック信号ＣＬＫを反転したクロック信号ＣＬＫＢが与えられる端子ＥＢに接続する。 - 特許庁 - In a shaft hole 32 of the pilot type selector valve, a spool 34 is stored which changes over first and second output ports A, B between a supply port P and each of first and second exhaust ports EA, EB and communicates them therewith.
パイロット式切換弁の軸孔３２内には、第１及び第２出力ポートＡ，Ｂを供給ポートＰと第１及び第２排出ポートＥＡ，ＥＢとに切換えて連通させるスプール３４が収容されている。 - 特許庁 - When the game is started, the allied planes Fa, Fb and Fc fly toward the enemy facilities Eb, Ec and Ed, respectively set targets of attacks, and attack the targets at set time for the simultaneous attack.
即ち、ゲームがスタートすると、僚機Ｆａ，Ｆｂ，Ｆｃは、それぞれ設定されている攻撃目標である敵施設Ｅｂ，Ｅｃ，Ｅｄに向かって飛行し、設定されている同時攻撃時刻になると攻撃目標を攻撃する。 - 特許庁 - The generated current is sent from the current measuring component 11b to a controlling component 12, for example, which adjusts the dose of the electron beam emitted from the EB tube 1 to a constant value under control by controlling a filament power source 3.
発生した電流は、電流測定部１１ｂから制御部１２に送られ、制御部１２は、例えばフィラメント電源３を制御して、ＥＢ管１から出力される電子線量が一定になるように制御する。 - 特許庁 - The input output buffer is provided with a power supply generating circuit 16 that converts the voltage signal EB externally received into a proper level corresponding to a high level power supply VDE to generate a reference power supply VDO.
入出力バッファは、外部から入力される電圧信号ＥＢを高電位電源ＶＤＥに対応する適切な電位に変換して基準電源ＶＤ０を生成する電源作成回路１６を備える。 - 特許庁 - The electron beam EB is projected through an electron optical system 12 comprising a converging electron lens, various deflectors and a shaping aperture (not shown), and through a mask 13 to a substrate 17 supported on an exposure stage 16.
電子ビームＥＢは、収束用の電子レンズや各種の偏向器や成形アパーチャ等（図示せず）を介する電子光学系１２、さらにマスク１３を介して露光ステージ１６に支持された基材１７に照射される。 - 特許庁 - The EB coating 38 immediately cures when applied to serve as a protective layer to prevent the ink from oozing or being worn during handling and in addition it serves as a release layer for a coating of a cold seal material.
ＥＢコーティング３８は塗布されると直ぐに硬化して、インクが取扱中に滲んだり摩滅せぬようにする保護層となり、また、以下に議論する冷間シール材のコーティングのための釈放層としても作用する。 - 特許庁 - A frame energy calculation section 301 calculates a spectral power Ef of a voice segment and a band energy calculation section 302 calculates a spectral power Eb[k] of each division band resulting from dividing a frequency spectral band into a plurality of frequency bands.
フレームエネルギー計算部３０１で音声セグメントのスペクトルパワーＥfを算出し、バンドエネルギー計算部３０２で周波数スペクトル帯域を複数の周波数バンドに分割した各バンドのスペクトルパワーＥb[k]を算出する。 - 特許庁 - A first and a second mixer signal generating circuits 4 and 5 output reference signals Ea and Eb having the same frequency as a wave transmission signal E02 output from a wave transmission signal generating circuit 3 and having phases different from each other.
第１及び第２のミキサ信号発生回路４，５は、送波信号発生回路３から出力される送波信号Ｅ０２と同周波数で、互いに位相が異なる基準信号Ｅａ，Ｅｂを出力する。 - 特許庁 - Further, when the vehicle is in an extremely low speed running state or stopped state, or a parking brake is in an operating state, the operation of the electric brake device EB is stopped or restrained thereby restraining power consumption.
また、車両が極低速走行状態又は停止状態にあるとき、又はパーキングブレーキが作動状態にあるとき、電動式ブレーキ装置ＥＢの作動を停止又は抑制して、電力消費を抑える。 - 特許庁 - When the voltage Ec is increased, the top part of the pulse Vm1 comes into a shape sliced at the level of DC power voltage Eb and a correction pulse Vm also reduces its pulse peak value with the increase of the voltage Ec.
、制御電圧Ｅｃの値を増加させると、パルスＶm1の頂部が直流電源電圧Ｅｂのレベルでスライスされた形になり、補正パルスＶｍも制御電圧Ｅｃの増加と共にその波高値が減少して行く。 - 特許庁 - To obtain a logic synthesis apparatus, an automatic arranging and wiring apparatus, and a semiconductor integrated circuit which can automatically insert a special cell for observing a desired signal through an EB tester by leading it out to a top layer.
所望の信号を最上位層に引き出し、ＥＢテスタで観測するための特殊セルを自動で挿入することができる論理合成装置、自動配置配線装置および半導体集積回路を得ること。 - 特許庁 - A focusing position (focus point position) of a primary electron beam EB irradiated onto a specimen 2 can be changed by controlling lens power of a focus control lens 15 by a variable focus position controller 16.
試料２に照射される一次電子ビームＥＢの集束位置（焦点位置）は、焦点制御レンズ１５のレンズ強度を可変焦点位置制御器１６によって制御することにより変えることができる。 - 特許庁 - A detected electron from a sample 12, in which a beam spot is irradiated by an electronic beam EB, is detected by a detector 13, and detected data from the detector 13 are fed to an operation processing portion 23 as contrast data.
電子ビームＥＢによるビームスポットが照射された試料１２からの被検出電子を検出器１３により検出し、検出器１３からの検出データをコントラストデータとして演算処理部２３に送る。 - 特許庁 - Edge position detectors 11 and 12 for detecting edge positions Ea and Eb at both ends in the direction of width of a steel sheet 1 are respectively installed at different positions in sheet threading direction so that they may be horizontally unsymmetrical to the roll center.
鋼板１の幅方向両端部のエッジ位置Ｅａ，Ｅｂを検出するエッジ位置検出器１１及び１２を、ロールセンターに対して左右非対称となるように、それぞれ通板方向で異なる位置に設置する。 - 特許庁 - To provide a phenolic compound useful as a starting material of a base component contained in a radiation-sensitive composition forming a chemically amplified positive resist film which is effectively sensitive to EB (electron beam) or the like.
ＥＢ（電子線）等に有効に感応する化学増幅型のポジ型レジスト膜を成膜可能な感放射線性組成物に含まれる基材成分の原料として有用なフェノール性化合物を提供する。 - 特許庁 - In an occupant restraining device, a belt characteristic adjustment part 4 is controlled so as to making a sum Et(t) of airbag absorption energy Ea(t) and belt absorption energy Eb(t) correspond to target absorption energy Et(t).
乗員拘束装置は、エアバッグ吸収エネルギーＥａ（ｔ）とベルト吸収エネルギーＥｂ（ｔ）との和Ｅｔ（ｔ）が、目標吸収エネルギーＥｔ（ｔ）と対応するように、ベルト特性調整部４が制御される。 - 特許庁 - The plurality of sub-beams contains inner peripheral side sub-beams Fb and outer peripheral side sub-beams Eb, in each of which spots are formed at a position point-symmetric with respect to the spots of the inner peripheral side sub-beam with respect to the center M of the spot of the main beam.
複数のサブビームには、内周側サブビームＦｂと、内周側サブビームとはメインビームのスポットの中心Ｍについて点対称な位置にスポットが形成される外周側サブビームＥｂが含まれる。 - 特許庁 - A resist master disk RD is exposed using enlarging masks MK along a rugged pattern by an electron beam(EB) plotting method in which lump-sum exposure is performed for each predetermined area while reducing the pattern of the enlarging masks.
凹凸形状のパターンに沿った拡大マスクＭＫを用いて、当該拡大マスクのパターンを縮小しながら所定領域毎に一括露光する電子線（ＥＢ）描画法により、レジスト原盤ＲＤを露光する。 - 特許庁 - In comparison with the cases of binary phase shift keying (BPSK) and quadrature phase shift keying (QPSK), performance superior approximately by 0.75 dB in Eb/No for obtaining a required signal quality (code error rate 1×10^-6) is exhibited.
二相位相変調（ＢＰＳＫ）、四相位相変調（ＱＰＳＫ）の場合に比べて、所要の信号品質（符号誤り率１×１０^−６）を得るのにＥｂ／Ｎｏで約０．７５ｄＢ優れた性能を発揮する。 - 特許庁 - A position detection device 1a includes: an oscillator 2; a transmitting antenna 3 for emitting an AC signal Ea based on a signal from the oscillator 2; and a plurality of receiving antennas 4R, 4L, 4U, and 4D which receive an AC signal Eb.
位置検出装置１ａは、発振器２と、発振器２の信号に基づいて交流信号Ｅａを放射する送信アンテナ３と、交流信号Ｅｂを受信する複数の受信アンテナ４R、４L,４U、４Dとを備える。 - 特許庁 - When the heat dissipation three-dimensional resin molding is produced, the thermally conductive resin composition is prepared and compression molded, and then cross-linked by EB irradiation.
上記放熱性立体樹脂成形品を製造するにあたり、熱伝導性樹脂組成物を調製して、圧縮成形した後に、ＥＢ照射により架橋させる放熱性立体樹脂成形品の製造方法である。 - 特許庁 - An EB-CCD is known as an image pickup device for transferring electrons generated in a semiconductor image pickup area 1i by electronic multiplication due to the collision of electrons and outputting a pixel signal from an amplifier 1to.
ＥＢ−ＣＣＤは、電子の衝突による電子増倍によって半導体撮像領域１ｉで発生した電子を転送し、増幅器１ｔｏから画素信号を出力する撮像装置として知られている。 - 特許庁
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