To avoid the blocking of high precision patterning due to the occurrence of projections on a photosensitive material layer in photolithography. フォトリソグラフィにおける、感光性材料層に突起が生じることによる、高精度パターン化の阻害を回避する。 - 特許庁
The adjusting step is provided so as to compensate an effect to a pattern overlay accuracy of a distortion of a patterning device. 調整するステップは、パターニングデバイスの歪みのパターンオーバーレイ精度への影響を補償するよう設定される。 - 特許庁
To obtain a magnetic recording medium in which patterning of a magnetic recording layer is easily performed, without deteriorating electromagnetic transducing characteristics thereof. その電磁変換特性を損なうことなく容易に磁気記録層をパターニングした磁気記録媒体を得る。 - 特許庁
The method further includes a step of coating a resist 105 on a lower surface in Fig. of a silicon layer 101, and patterning this resist 105(B). 次に、シリコン層101の図中下面にレジスト105を塗布し、このレジスト105にパターニングを行う(B)。 - 特許庁
Then, patterning of a predetermined shape is carried out on the upper electrode 23 and the piezo-electric diaphragm 22 using a masks or a resist. 次いで、上電極23および圧電膜22をマスクまたはレジストを用いて所定の形状にパターニングする。 - 特許庁
There are provided an illumination system, a supporter constituted so as to support a patterning device, and a lithography device having a projection system. 照明システム、パターニング装置を支持するように構成された支持部、及び投影システムを備えるリソグラフィ装置。 - 特許庁
This concrete form device transfers a recess-projection pattern 3 to a placed concrete surface by the patterning sheet 2. 打設したコンクリート表面に凹凸模様3を模様付けシート2より転写するコンクリート型枠装置である。 - 特許庁
The method aims to produce a mask blank having a thin film for patterning on a light-transmitting substrate, and the method includes: a step of forming a thin film for patterning comprising a material containing a transition metal and silicon on the light-transmitting substrate; and a step of subjecting the thin film for patterning to a flame treatment. 透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁
A lithographic projection apparatus is provided with a radiation system for supplying a radiation projection beam, a support structure for supporting a patterning means that submits the projection beam to patterning according to a designed pattern, a substrate table for retaining a substrate and a projection system for projecting the beam that has been submitted to patterning to a target part of the substrate. 放射の投影ビームを供給するための放射システムと、設計されたパターンに従って、投影ビームをパターニングする働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、上記基板の目標部分にパターニングされたビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置。 - 特許庁
When information that component mounting to one of the boards on the multiple patterning board is to be skipped during the operation is acquired, the boards on the multiple patterning board are redistributed to the respective mounting machine groups so as to equalize the number of boards on which the each mounting machine group carries out mounting under the condition of excluding the board for which the component mounting is to be skipped from the multiple patterning board. その稼働中に多数個取り基板のいずれかのボードへの部品実装をスキップする情報を取得したときに、当該多数個取り基板から部品実装をスキップするボードを除いた状態で各実装機グループが実装を行うボード数が均等化されるように各実装機グループに当該多数個取り基板のボードを再分配する。 - 特許庁
To provide a method for patterning on the surface of a rock wool board which can be continuously produced with a novel surface appearance, capable of forming stripe-like grooves on a surface of the rock wool board and thereafter continuously forming a rugged pattern by a patterning roll having pins implanted to a stripe-like rugged part or a patterning roll having protruding parts. ロックウール基板の表面にストライプ状の凹溝を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部にピンを植設した模様付けロールや突起部を有する模様付けロールで連続的に凹凸模様を形成することができる新規表面外観を有する連続的に生産可能なロックウールボードの表面模様付け方法を提供することにある。 - 特許庁
The method for producing an ink-jet printhead comprises the steps of forming a first patterning layer 20 on the surface of a first substrate 10, forming a second patterning layer 28 on the surface of a second substrate 100, bringing the surface of the first layer into intimate contact with the surface of the second substrate to join them, and removing the second substrate 100 from the second patterning layer 28. インクジェットプリントヘッドを作製する方法は、第1基板10の表面上に第1パターニング層20を形成すること、第2基板100の表面上に第2パターニング層28を形成すること、第1および第2層を面と面を密着して接合させること、および、第2パターニング層28から第2基板100を除去することを含む。 - 特許庁
The method for forming the silicon carbide film 13 includes: a step for forming a silicon film 14 containing at least either amorphous silicon or polysilicon on a substrate 11, a patterning step for patterning the silicon film 14, and a step for applying carbonizing treatment to the silicon film 14 to form the silicon carbide film 13 after the patterning step. 本発明の炭化シリコン膜13の製造方法は、基板11上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜14を形成する工程と、シリコン膜14をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜14を炭化処理し炭化シリコン膜13を形成する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a less expensive organic EL display device by enabling a large-area patterning which is hardly attained with a conventional patterning method for conventional organic EL display device and improving productivity in the manufacturing method. 従来の有機EL表示素子のパターニング方法において困難であった大面積のパターニングを可能にし、かつ、生産性の高い製造方法とすることで、より安価な有機EL表示素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an organic light emission device of inexpensive and highly functional full color organic EL display body or the like and its manufacturing method, by homogeneously patterning low molecular (monomer) organic luminous layer for each pigment with a high accuracy by means of a wet patterning method. 低分子(モノマー)有機発光層をウェットパターニング方法により、色素毎に高精細に均一にパターニングすることにより、安価な高機能フルカラー有機EL表示体等の有機発光デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The parts of the patterning materials 1 are exposed by scraping out the parts of a hardened body 2 of the matrix compound on the surface of the molded article 3, after shaping and hardening the matrix compound with the patterning material 1 harder than the hardened body 2 blended. マトリックスコンパウンドの硬化物2よりも硬度の高い柄材1を混入させて成形硬化させた後、成形品3の表面のマトリックスコンパウンドの硬化物2部分を掻き取って柄材1の一部を立体的に露出させる。 - 特許庁
The difference between the surface reflectance of the light-shielding film for the drawing light in the first patterning and the surface reflectance of the light-semitransmitting film for the drawing light in the second patterning is adjusted to be ≤35%. ここで、前記第1のパターニングの際の描画光に対する前記遮光膜の表面反射率と、前記第2のパターニングの際の描画光に対する前記半透光膜の表面反射率との差が、35%以下に調整されている。 - 特許庁
To provide a patterning method capable of enlarging a device and highly precisely forming a fine pattern without deteriorating characteristics of a thin film including an organic EL material, and to provide a device manufacturing method using the patterning method. 有機EL材料をはじめとした薄膜の特性を劣化させることなく、大型化かつ高精度の微細パターニングを可能とするパターニング方法、および、かかるパターニング方法を使用するデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF ESTIMATING PROFILE OF RESIDUAL FILM THICKNESS, METHOD OF DESIGNING MASK FOR PATTERNING USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE MASK FOR PATTERNING DESIGNED BY USING THE METHOD OF ESTIMATING PROFILE OF RESIDUAL FILM THICKNESS 残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を利用したパターニング用マスクの設計方法、及び、残膜厚分布の推定方法を利用して設計されたパターニング用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁
This optimization method records control variables such as a control dose and a focal point, in each of processes in a double patterning lithographic process, and measures characteristics of intermediate features such as a critical dimension and a sidewall angle in a double patterning process. ダブルパターニングリソグラフィプロセスにおける工程のそれぞれにおける制御線量、焦点等の制御変数が、記録され、ダブルパターニングプロセスにおける、クリティカルディメンション、側壁部角度等の中間フィーチャの特性が、測定される。 - 特許庁
The start position and angle of laser patterning are corrected by alignment procedures before laser machining using the power collection hole 67, or the like in the thin-film solar cell 1, thus forming the patterning line of a first electrode layer 62 or a connection electrode 65. 薄膜太陽電池1の集電孔67等を用いたレーザ加工前アライメント手順によりレーザパターニングの開始位置補正及び角度補正を行ない、第1電極層62又は接続電極層65のパターニングラインを形成する。 - 特許庁
Then the film 5 for the reflection electrode is formed, on which a resist layer 6 for patterning the film 5 for the reflection electrode is applied, and the film 5 for the reflection electrode in the upper part of the base film 3a is removed by patterning. 次に、反射電極用膜5を成膜し、さらにその上に反射電極用電極5パターニング用のレジスト層6を塗布して、下地膜3a上方部分の反射電極用電極5がパターニングにより除去される。 - 特許庁
Contact holes 12 and 13 are formed and patterning formation of a pixel electrode 16a is performed and patterning of a current source line 18 and an electroluminescence line 19 is performed by an electrolytic plating method, to the surface layer of a prepared transistor array substrate 1. この製造したトランジスタアレイ基板1の表層に対して、コンタクトホール12,13を形成し、更に画素電極16aをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン18及びELライン19をパターニングする。 - 特許庁
To provide a method for efficiently manufacturing a poly(methyl methacrylate)-a heavy metal cluster complex, a patterning material comprising the poly(methyl methacrylate)-the heavy metal cluster complex produced thereby and a patterning method by using the material. ポリメチルメタクリレート−重金属クラスター複合体を効率よく製造する方法及びこの方法で得られるポリメチルメタクリレート−重金属クラスター複合体からなるパターニング材料ならびにそのパターニング方法を提供する - 特許庁
ABRASIVE COMPOSITION FOR SANDBLAST, SANDBLASTING METHOD USING THE ABRASIVE COMPOSITION FOR SANDBLAST, PATTERNING OF LOW-MELTING GLASS USING THE SANDBLASTING METHOD, AND RECYCLING OF LOW-MELTING GLASS IN THE PATTERNING OF LOW- MELTING GLASS サンドブラスト用研磨材組成物及び前記サンドブラスト用研磨材組成物を用いたサンドブラスト方法、前記サンドブラスト法による低融点ガラスのパタ—ニング方法並びに前記低融点ガラスのパタ—ニング方法における低融点ガラスのリサイクル方法。 - 特許庁
For the surface layer of this manufactured transistor array substrate 1, contact holes 12 and 13 are formed, the patterning forming is carried out for a pixel electrode 16a, and the patterning is carried out for a current source line 18 and an EL line 19 by means of the electrolytic plating method. この製造したトランジスタアレイ基板1の表層に対して、コンタクトホール12,13を形成し、更に画素電極16aをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン18及びELライン19をパターニングする。 - 特許庁
The bottom gate TFT structure of a channel and etch type is adopted, and the patterning of a source area 119 and a drain area 120 and the patterning of source wiring 121 and a pixel electrode 122 are performed by the same photomask. 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートTFT構造を採用し、ソース領域119及びドレイン領域120のパターニングとソース配線121及び画素電極122のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a selective reflection film, by which a uniform hue with high color purity (in particular a green or a red hue) is obtained and color separation (patterning) is carried out with high accuracy without being affected by irradiation unevenness or the like in patterning. パターニング時の照射ムラ等の影響を受けることなく、均一で色純度の高い色相(特に緑色若しくは赤色)が得られ、色分画(パターニング)を高精度に行い得る選択反射膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a positive radiation sensitive composition having such resolution as to enable sub-quarter micron patterning and also having high sensitivity and to provide a method for producing a resist pattern using the composition. サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を得る。 - 特許庁
The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9. 低抵抗金属膜5、低誘電率膜7を成膜した後、レジスト9を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁
To carry out patterning to a base plate superior in the transferability of ink from a blanket to the base plate with high precision. ブランケットから基板へのインキの転移性が良好で、かつ高精度で基板へのパターニングを行うことを可能とする。 - 特許庁
NAPHTHALENE DERIVATIVE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, RESIST BOTTOM LAYER MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST BOTTOM LAYER, AND PATTERNING PROCESS ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 - 特許庁
The individual sensor units are manufactured through forming of thin films magnetized to angles different by 90° and patterning, and forming of insulating films. それぞれのセンサユニットは、90°異なる角度に着磁した薄膜形成とパターニング、絶縁膜形成を経て作製する。 - 特許庁
The content of nitrogen and oxygen is controlled to be 65% or lower so as to suppress degradation in the cross-sectional profile, at patterning. また、パターニング時の断面形状悪化を抑制するために、窒素と酸素の含有率を65%以下としている。 - 特許庁
Preferably, the alignment mark is formed at least at the time of patterning for forming an opening of an pixel. 好ましくは、前記アライメントマークを、少なくとも画素の開口部を形成するためのパターニングを行うときに形成する。 - 特許庁
The computer control system controls the electron beam patterning machine using the distortion maps in order to adjust the expected distortions. コンピュータ制御システムは、予想された歪みを調整するために、歪みマップを用いて電子ビームパターニング装置を制御する。 - 特許庁
By moving the flat plate 20 in the line direction, uniform line patterning is made in the width of the linear beam converging spot 10. 平板20をライン方向に移動させると、ライン状集光スポット10の幅に均質なラインパターンニングがなされる。 - 特許庁
According to the mask pattern of the mask composed of the coagulated coating material 40, the copper foil 60 is etched for patterning. そして、凝固した塗布剤40で構成されるマスクのマスクパターンに基づいて銅箔60をエッチングしてパターニングする。 - 特許庁
To provide a method for efficiently and precisely patterning the cholesteric film. コレステリック膜に対して効率的にかつ精度良くパターニングを行うことができる、コレステリック膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a lithographic apparatus with reduced overlay errors resulting from higher-order distortions of a patterning device. パターニングデバイスの高次歪みの結果として生じるオーバーレイエラーが低減されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。 - 特許庁
In this way, comparatively thin substrates are handled in the subsequent patterning, electroplating, and other processes. このようにして、後続のパターン化プロセスおよび電気めっきプロセス等において、比較的薄い基材を操作することができる。 - 特許庁
To provide a method for efficiently manufacturing a pattern-formed body high-precision patterning. 本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁
To provide a resist-modifying composition suitably used in a pattern forming process for enabling a double patterning process. ダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法に好適に用いられるレジスト変性用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for patterning a molding plate, capable of clearly forming a deeply engraving style uneven pattern. 深彫り調の凹凸模様を鮮明に形成することができる成形板の模様付け方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To manufacture a display device decreasing a deterioration factor of luminescent characteristics by efficiently patterning high definition pixels. 発光特性の劣化要因を軽減し、高精細な画素の効率的なパターニングにより表示装置を製造することである。 - 特許庁
After patterning, the pad parts 7a, 7b are covered with silicone rubber or the like not corroded by the nitric acid aqueous solution, and then etching is performed. パターニング後に、パッド部7a、7bを硝酸水溶液に侵されないシリコンゴム等で覆った後、エッチングを行う。 - 特許庁
The first magnetic layer 16 is etched by using a resist layer for an etching mask to apply patterning to the magnetic layer to have a prescribed shape. レジスト層をエッチングマスクとして、第1磁性層16をエッチングし、磁性層を所定の形状にパターニングする。 - 特許庁
A computer control system, coupled to the electron beam patterning machine, has a plurality of pre-computed distortion maps. 電子ビームパターニング装置と結合したコンピュータ制御システムが、複数の事前に算出された歪みマップを備えている。 - 特許庁
By patterning this, a gate electrode 23 comprising Al of low gate parasitic resistance and high mobility is formed. これをパターニングすることにより、ゲート寄生抵抗の低く移動度の高いAlからなるゲート電極23が形成される。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate wherein display quality is hardly affected by patterning accuracy of a semiconductor layer. 半導体層のパターニング精度によって表示品位の影響を受けることが少ないアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁