「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 78 79 次へ＞- To enhance a residual color rate after developing processing, and to restrain a shape from being changed caused by thermal sagging in accompaniment to heat treatment after patterning.
現像処理後の残色率を高め、パターニング後の熱処理に伴なう熱ダレによる形状変化を抑制する。 - 特許庁 - On a semiconductor layer 130, gate electrodes 142a-142c are formed by patterning an electrode material formed as a film on the semiconductor layer 130.
半導体層１３０上に成膜した電極材をパターニングしてゲート電極１４２ａ〜１４２ｃを形成する。 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING CATALYST LAYER FOR SYNTHESIS OF CARBON NANOTUBE AND METHOD OF FABRICATING FIELD EMISSION DEVICE USING THE METHOD
炭素ナノチューブの合成のための触媒層のパターニング方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 - 特許庁 - In patterning the semiconductor layer, the power of the laser is reduced to prevent the front electrode layer from being damaged.
半導体層のパターン加工の際に、レーザの出力が、前側電極層を傷めることがないように小さくされる。 - 特許庁 - Nickel layers 4 are formed by electroforming using a chromium film layer 2 being exposed by the patterning of resists 3 as an electrode (c).
レジスト３のパターニングにより露出したクロム膜層２を電極として、電鋳によりニッケル層４を形成する（ｃ）。 - 特許庁 - The upper-layer rewiring 16 formed by patterning a metal plate is formed on predetermined places of the upper surface of the insulating film 15.
絶縁膜１５の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線１６を形成する。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning substrate wherein the distance from a splitting groove to a wiring conductor is formed in a prescribed distance.
分割溝から配線導体までの距離が所定距離に形成された多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁 - This micro-patterning culture substrate comprises a cell culture substrate 2 and a water-soluble photocurable polymer 3, patterned on the cell culture substrate 2.
細胞培養基材２と、細胞培養基材２上にパターニングされた水溶性光硬化性ポリマー３とを備えた。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a laminated structure in which good patterning can be made in a superior form by preventing side etching.
サイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる積層構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an illumination system that provides a beam of radiation and a support structure that supports a patterning structure.
該リソグラフィ装置は放射線のビームを供給する照明システムと、パターニング構造を支持する支持構造を配備する。 - 特許庁 - To obtain a positive type radiation sensitive composition having high sensitivity and such resolution as to attain sub-quarter-micron patterning.
サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - The patterning device PD is equipped with the array of the mechanical element which can be individually controlled for imparting patterns to a radiation beam.
パターニング用デバイスPDは、放射ビームにパターンを付与するための個別に制御可能な機械要素のアレイを備える。 - 特許庁 - SUBSTRATE APPLIED WITH PATTERNING AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
パターニングが施された基板およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR IMPROVED LITHOGRAPHIC PATTERNING UTILIZING MULTIPLE COHERENCY OPTIMIZED EXPOSURES AND HIGH TRANSMISSIVITY ATTENUATED PSM
多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰ＰＳＭを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 - 特許庁 - To improve reliability of an operation of positioning a wiring substrate being manufactured when patterning is performed on the wiring substrate.
配線基板のパターニングを行なう際に、製造途中の配線基板の位置決めの動作の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To obtain a photosensitive heat resistant resin precursor composition having good suitability to patterning and excellent in shelf stability.
良好なパターン加工性を有し、保存安定性に優れた感光性耐熱樹脂前駆体組成物を得ることができる。 - 特許庁 - The conductor 3 is formed by patterning a copper foil on the surface of the ceramic board 2 by etching.
導電体３は、セラミック基板２の表面に設けられた銅箔がエッチングによってパターンニングされて形成されている。 - 特許庁 - For the process for patterning the crystal element, a wet etching method is used for solving problems.
また、上述する水晶素子にパターンニングする工程にはウェットエッチング工法を用いることにより課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a method of preparing patterning seal sheets which has rendered assembly operation simple to realize cost reduction.
組立作業を簡潔にしてコスト低減を実現したパターンニングシールシートの製法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To enhance the patterning accuracy in photolithography process at the time of fabricating a semiconductor device using a nitride semiconductor substrate.
窒化物半導体基板を用いた半導体装置の製造においてフォトリソグラフィ工程でのパターン精度を向上させる。 - 特許庁 - The halftone type phase shift mask is manufactured by patterning the amorphous dielectric film 102 and the metallic film 103.
アモルファス誘電体膜１０２及び金属膜１０３をパターン化することにより、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する。 - 特許庁 - They are formed by integral patterning of a conductor on one surface (obverse surface) of a substrate 12.
それらは、基板１２の一方の面上（表面）に導体を一体としてパターンニングすることによって形成されている。 - 特許庁 - To provide a technology, by which a single layer carbon nanotube excellent in adhesion with a substrate and patterning property can be obtained with a high yield.
基板との密着性、パターニング特性に優れた単層カーボンナノチューブを高い収率で得る技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an organic semiconductor device capable of efficiently patterning an organic semiconductor with high accuracy.
高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 7 has a mask 10 for patterning a wiring layer 9 which is formed on the wiring layer 9.
配線層９の上に、配線層９をパターニングするためのマスク１０が形成された半導体基板７を準備する。 - 特許庁 - The patterning device forms a pattern on a transparent substrate where a large number of identical gate electrode patterns are formed regularly.
パターン形成装置は、同一のゲート電極パターンが多数規則的に形成された透明な基板にパターンを形成する。 - 特許庁 - Thereafter, a gate electrode layer is obtained by patterning the layer 14 by dry etching by using the resist layers 18a and 18b as masks.
この後、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするドライエッチングにより層１４をパターニングしてゲート電極層を得る。 - 特許庁 - SILSESQUIOXANE-BASED COMPOUND MIXTURE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME MIXTURE AND RESIST COMPOSITION AND PATTERNING METHOD EACH USING THE SAME MIXTURE
シルセスキオキサン系化合物混合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法 - 特許庁 - The height of the gate electrode formed by patterning the conductive layer is lowered by removing the upper part.
その後、導電層をパターニングすることにより形成されるゲート電極の高さは、上部が除去された分低くなる。 - 特許庁 - EXPOSURE DEVICE, ELECTROSTATIC CHUCK FOR REFLECTIVE EXPOSURE MASK, PATTERNING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
露光装置、反射型露光マスク用静電チャック、パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁 - To provide a transflective in-plane switching (TIPS) liquid crystal display (LCD) having a patterning retardation film.
本発明は、パターニング位相差フィルムを有する半透過型イン・プレーンスイッチング（ＴＩＰＳ）液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を提供する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR PATTERNING INDIUM TIN OXIDE, AND MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME ETCHING SOLUTION
インジウム錫酸化物のパターニングのためのエッチング溶液及び該エッチング溶液を利用した液晶表示装置の製造方法 - 特許庁 - This indicator does not require complicated electrode patterning, has simple structure, and can be manufactured at extremely low cost.
このインジケータは、複雑な電極パターニングは必要なく、また、単純構成であり極めて低コストで製造することができる。 - 特許庁 - To provide a method of cleaning a patterning device that has at least an organic coating material (OLED material) deposited thereon.
少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。 - 特許庁 - To quickly and simply carry out patterning to cells and chemicals without using equipment that is complicated to operate, and is expensive.
操作が煩雑でありかつ高価な機器を用いることなく、細胞や薬物のパターニングを、迅速かつ簡便に行う。 - 特許庁 - To provide a process of patterning a metal film easy to peel off on a base pattern at a low cost.
剥離が容易で、かつ、低コストに下地用パターンの上に金属膜をパターニングすることができるプロセスを提供する。 - 特許庁 - After patterning of a resist is carried out, wet etching of a laminated metal film aside from a part to become a negative electrode auxiliary wiring pattern 3 is carried out.
レジストをパターニングした後、陰極補助配線パターン３となる部分以外の積層金属膜をウェットエッチングする。 - 特許庁 - RESIST PATTERN, METHOD OF FORMING THIS RESIST PATTERN, PATTERNING METHOD USING THIS RESIST PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD
レジストパターン、該レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁 - This can improve the stability of patterning by lithography and improve shape controllability in a horizontal direction.
これにより、リソグラフィによるパターニングの安定性が向上され、水平方向の形状制御性を改善することもできる。 - 特許庁 - On the occasion of this second patterning, wire-shaped protective films 23 are formed on the scanning lines 11 exclusive of the intersection parts 7.
この第２のパターニングの際に交差部７以外の走査線１１上には線状保護膜２３が形成される。 - 特許庁 - A positioning device controls the position of the patterning support on the basis of the measuring signal input into the positioning device.
位置決め装置は、該位置決め装置に入力された測定信号に基づいてパターン支持体の位置を制御する。 - 特許庁 - The patterning device modulates the sub-beams of radiation to substantially generate a requested dose pattern on the substrate.
パターン形成装置は、放射線のサブビームを変調し、基板上に要求された線量パターンを実質的に生成する。 - 特許庁 - To solve problems that a step of arraying a first mask step and a second mask step is not easy and a defect is caused when a double patterning step for overcoming the limit of resolution of exposure equipment is performed in a fine pattern forming method of a semiconductor device.
半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。 - 特許庁 - The method also comprises steps of subjecting the film 107 and the film 108 in a region including the contact 106 to patterning, depositing a conductive film on the film 105 including upper parts thereof, patterning the conductive film, and forming wiring 110.
次に、導電性バリア膜１０７および導電性水素バリア膜１０８をコンタクト１０６を含む領域でパターニングし、これらの上を含む層間絶縁膜１０５上に導電膜を堆積し、これをパターニングして配線１１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a plasma display panel where manufacturing efficiency and workability is superior, adhesiveness in a developing treatment is superior and patterning property is superior, and to provide a new transfer film superior in the manufacturing efficiency, the patterning property and the workability.
製造効率および作業性に優れ、現像処理時の密着性の良好な、パターニング性に優れたプラズマディスプレイパネルの製造方法、並びに、製造効率、パターニング性および作業性に優れた新規な転写フィルムを提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.
フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - When patterning the transparent conductive film with transparent electrode layers 2 and 3 formed on both sides of a base material 1, high-accuracy patterning on one side only is allowed by using the fundamental wave or the second higher harmonic wave of YAG or YVO_4 laser 4.
基材１の両面に透明電極層２，３が形成された透明導電膜のパターニングにおいて、ＹＡＧまたはＹＶＯ_4レーザー４の基本波または第２高調波を用いることで、片面のみの精度の高いパターニングが可能となる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device fine patterning method of forming by one photolithography step the same fine pattern as that by a conventional double patterning method to attain uniformity of pattern line widths and production cost reduction.
１回のフォトリソグラフィ工程により、従来の二重パターニング法と同程度の微細パターンを形成することが可能で、パターンの線幅の均一性の確保及び製造コストの節減が可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A chemically amplified resist material comprising a base resin and a photo acid generator having sensitivity at the wavelength of patterning exposure; wherein, the chemically amplified resist material further comprising an activator that generates an acid or a radical by a treatment other than the patterning exposure.
基剤樹脂と、パターニング露光の波長に感度を有する光酸発生剤とを含むレジスト材料であって、当該パターニング露光とは別の処理により酸又はラジカルを発生する活性剤を更に含む化学増幅レジスト材料とする。 - 特許庁 - At this time, a separate PR patterning step is not performed to the second transparent electrode and after the transparent electrode is formed on the entire surface of the substrate, the transparent electrode is partially crystallized and a patterning step is performed through selection etching of an amorphous and crystal states.
この時、前記第２透明電極は別途のＰＲパターニング工程を行わないで、基板の全面に透明電極を形成した後、これを部分的に結晶化して、非晶質と結晶質の選択的エッチングを通じてパターニング工程を行う。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
