「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 78 79 次へ＞- A resist is formed by patterning on the part other than the parts of the layer 3 wherein a Zn diffusion is performed and an etching is performed on the parts, to form steps wherein the Zn diffusion is performed.
そして、Ｚｎ拡散を行う部分以外の部分にレジストをパターン形成し、エッチングを行って段差を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a display device in which a side etching of a laminated structure is prevented and a good shaped patterning can be made possible.
積層構造のサイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a surface which can keep the etching selection ratio of a substrate to a mask high irrelevantly to a mask opening rate.
マスク開口率によらずにマスクに対する基板のエッチング選択比を高く保つことができる表面パターニング方法を提供する。 - 特許庁 - To decrease a manufacturing cost by conveniently performing a fine patterning of doped regions in a manufacturing process of a backside solar cell.
裏面型太陽電池の製造過程において、ドーピング領域の微細なパターニングを簡易的に行うことで製造費の低コスト化を図る。 - 特許庁 - To provide a method for detecting a defect in a mask by patterning a reference substrate by using the mask immediately after the mask is manufactured.
マスクの製造の直後に、マスクによって参照基板をパターン形成するマスクの欠陥を検出する方法を提供すること。 - 特許庁 - Ruthenium or osmium is employed as the principal constituent of a mask film 8 upon patterning a capacitor electrode 6 whose principal constituent is platinum or iridium.
白金やイリジウムを主成分とするキャパシタ電極６のパターニング時のマスク膜８の主成分として、ルテニウム又はオスミウムを採用する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a carbon nanotube certainly at a predetermined position while keeping perpendicularity of the carbon nanotube.
カーボンナノチューブの垂直性を維持しつつ所定の位置に確実にカーボンナノチューブのパターンニングを行うことができる方法を提供する。 - 特許庁 - The lithography apparatus is provided with a lighting system that adjusts radiation beams, support that gives patterns to the cross-section of radiation beams and supports patterning devices to form patterning radiation beams, substrate table that holds a substrate, projection system that projects patterning radiation beams on the targeted part of the substrate, and robot that is configured to transmit replaceable objects, to and from a support region.
本発明のリソグラフィ装置は、放射線ビームを調整する照明システムと、放射線ビームの断面にパターンを付与してパターン化放射線ビームを形成するパターン化デバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターン化放射線ビームを基板のターゲット部分に投射する投影システムと、交換可能オブジェクトを支持領域へ、および支持領域から移送するように構成されたロボットとを有している。 - 特許庁 - Thus, a deformation of the 1st thin-film pattern 111 at an end part 111T is suppressed, and an exact patterning is attained.
これにより、端部１１１Ｔにおける第１薄膜パターン１１１の型くずれを抑制し、より正確にパターニングすることができる。 - 特許庁 - To reduce the area of a memory cell and to simplify manufacturing process by fine patterning in a semiconductor memory device, having an erasing gate electrode.
消去ゲート電極を備えた半導体記憶装置において、微細化によるメモリセル面積の縮小と工程の簡略化とを図る。 - 特許庁 - The depth of focus of the camera 30 is small and the focal plane FP is not twice as far away from a surface of the patterning device as the depth of focus.
カメラ３０の焦点深度は小さく、焦点面ＦＰは、パターニングデバイスの表面から焦点深度の２倍よりも遠くにない。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device for improving patterning accuracy in the vicinity of a chip outer edge, and also to provide a template for imprint.
チップ外縁付近のパターニング精度を向上させる半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレートを提供する。 - 特許庁 - The metal thin film resistance material 23 is formed by patterning the metal thin film for leaving the metal thin film also to the connecting hole 21.
接続孔２１にも金属薄膜を残存させるように金属薄膜をパターニングして金属薄膜抵抗体２３を形成する。 - 特許庁 - To form a prescribed resist pattern on a substrate while reducing to be small the amount of a resist liquid to be fed in the second time in double patterning.
ダブルパターニングにおける２回目のレジスト液の供給量を少量に抑えつつ、基板上に所定のレジストパターンを形成する - 特許庁 - To perform the patterning of a laminated substrate such as a solar battery substrate with high speed and high precision without increasing the cost.
コストアップを招くことなく、高速かつ高い精度で太陽電気基板等の積層基板に対してパターニング加工できるようにする。 - 特許庁 - To reduce the number of processes of ion implantation and patterning of resist associated with it in manufacturing a low-voltage-operation CMOS semiconductor device.
低電圧動作ＣＭＯＳ半導体装置の製造におけるイオン注入およびそれに伴うレジストのパターニング工程数を削減する。 - 特許庁 - In the first resist patterning step, a first resist pattern 11 having an opening pattern 111 is formed in a contact hole formation region.
第１のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域に、開口パターン１１１を有する第１のレジストパターン１１を形成する。 - 特許庁 - An optical substrate 1 includes a substrate 2 which is composed of an insulation resin layer having patterning of electric wiring of a conductive layer 3 on the front and the reverse side.
光基板１は、表裏面に導電層３の電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層からなる基板２を有する。 - 特許庁 - To provide an ultramicro transistor which can deal with the ultrafine patterning of an electronic circuit using DNA as a compositional material.
ＤＮＡを構成材料として用いることにより、電子回路の極微小化に対応し得る極めて微小なトランジスタを提供する。 - 特許庁 - Etching machining is carried out while the distance between a mask 9 and a substrate 8 is gradually changed, thus controlling a patterning shape.
マスク９と基板８の距離を徐々に変化させながらエッチング加工することにより、パターンニング形状を制御することができた。 - 特許庁 - The SiO_2 film 3 is subjected to patterning, and while the SiO_2 film 3 is used as a mask, the polyimide film 1 is dry-etched by a plasma 4 using O_2.
ＳｉＯ_２膜３をパターニングし、ＳｉＯ_２膜３をマスクとして、Ｏ_２を用いたプラズマ４によりポリイミド膜１のドライエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a conductor clad laminated sheet reduced in its dimensional change at the time of patterning of a conductor film, and its manufacturing method.
導体フィルムのパターニング時の寸法変化が低減された導体張積層板およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To solve the problem of difficulties in determining a layout for optimizing the tradeoff of a patterning margin and forming a layout for obtaining a high yield.
パターニングマージンのトレードオフを最適にするレイアウトの判断がむずかしく、高歩留を得るレイアウトの形成が困難となっている。 - 特許庁 - Then, the binary coded pattern index of inputted information is found in an input pattern index part 100 by the similar patterning method.
そして、入力する情報の２進符号化パターン・インデックスを、同様のパターン化手法で、入力パターン・インデックス部１００において求める。 - 特許庁 - After forming the metallic layer 240 by a forming metallic layer 230, a photosensitive insulation material 250 is formed on the semiconductor wafer, and patterning is made.
金属層（２４０）を形成金属層（２４０）を形成後、半導体ウェハ上に感光性絶縁材料（２５０）を形成し、パターニングする。 - 特許庁 - To enable processes, where a light transmitting film is patterned to be lessened in number in a semiconductor device manufacturing method that comprises film patterning processes.
膜のパターニング工程を含む半導体装置の製造方法に関し、光透過性の膜をパターニングの際の工程を減らすこと。 - 特許庁 - To provide an organic thin film transistor improved in on/off-ratio or the like while easily obtaining the patterning effect of an organic semiconductor layer.
容易に有機半導体層のパターニング効果を得つつ、オン／オフ比などの特性が向上した有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a lithography apparatus capable of arranging and removing objects, such as a quickly and effectively patterning device and substrate.
パターン化デバイスや基板などのオブジェクトを迅速且つ効果的に支持領域に配置および除去可能なリソグラフィ装置を提供すること。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING MULTIPLE-LAYER ELECTRODE STRUCTURE ON SOLAR CELL, METALLIZATION CONTACT STRUCTURE, PATTERNING METHOD OF LAYER, AND METHOD FOR FORMING FUNCTIONAL STRUCTURE
太陽電池上に多層電極構造を形成する方法、金属配線コンタクト構造、層のパターニング方法、機能構造の形成方法 - 特許庁 - To provide a circuit board wherein a patterning process is unnecessary, productivity is high and circuit formation is enabled with fine pattern.
パターンニング工程を必要とすることなく生産性高く、しかもファインパターンで回路形成をすることができる回路基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the agglomeration of a silicon layer without patterning the silicon layer.
シリコン層のパターニングを行うことなく、シリコン層の塊状化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The nitride film 28 is formed by patterning the silicon nitride film deposited by a plasma CVD method so that the channel of the transistor T may be covered.
窒化膜２８は、プラズマＣＶＤ法により堆積したシリコン窒化膜をトランジスタＴのチャンネル部を覆うようにパターニングして形成する。 - 特許庁 - To impart a pattern with a functionality unattainable with one kind of material by patterning a laminate of a plurality of materials.
複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与する。 - 特許庁 - Then, the laminated resist pattern 110 is used for patterning the film to be patterned before the plane area of the upper-layer resist pattern 112 is increased.
次に、積層レジストパターン１１０を用いて被パターニング膜をパターニングした後、上層レジストパターン１１２の平面積を増大させる。 - 特許庁 - To reduce manufacturing cost by attaining simplification of process in an organic EL display panel having an electrode to which patterning has been carried out.
パターニングされた電極を有する有機ＥＬ表示パネルにおいて、工程の簡略化を達成して製造コストの低減を図る。 - 特許庁 - To provide technique for manufacturing an organic EL display having high performance by carrying out high-accuracy patterning, readily and in a short time.
簡便にかつ短時間で精度の高いパターニングを行い、高性能の有機ＥＬ表示体装置を製造する技術を提供する。 - 特許庁 - The electric field impressing fuse 7a is formed by patterning a polycrystalline silicon film, and its terminal is led out by a first layer metal wring 24.
電界印加フューズＦａは、多結晶シリコン膜をパターン形成して作られ、その端子は第１層メタル配線２４により引き出さる。 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR PATTERNING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC FIELD LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC EL DISPLAY, AND ORGANIC EL ILLUMINATION
有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子およびその製造方法、並びに有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明 - 特許庁 - Patterning provided by a lithographic apparatus is optically corrected for focus errors that would result from a topology of a substrate being patterned.
リソグラフィ装置によって提供されるパターニングの、パターニングされる基板のトポロジに起因する焦点誤差が光学的に修正される。 - 特許庁 - To provide an organic EL element superior in pixel sharpness and durability (adhesive strength) and easy of uniform and local patterning.
画素の先鋭度及び耐久性（密着強度）に優れ、且つ、均一で局所的なパターニングが容易な有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device for achieving a fine-pitch pattern and improving stability in patterning precision.
微細ピッチのパターンを実現可能であってパターニング精度の安定性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A patterning part fills a template pattern with the resist on the substrate, and the resist is cured, and after that, a release process is performed.
また、パターニング部は、テンプレートパターンに前記基板上のレジストを充填させて前記レジストを硬化させ、その後、離型処理を行なう。 - 特許庁 - Then an etching stop layer 5 and a second insulating film 6 are formed on the film 3 and trenches (square pipe-like recessed sections) 7 are formed by patterning the second insulating film 6.
更に、エッチング停止層５及び第２の絶縁膜６を成膜し、パターニングしてトレンチ（角筒形の凹部）７を形成する。 - 特許庁 - Etching treatment is carried out while the distance between a mask 9 and a substrate 8 is gradually changed, thus controlling a patterning shape.
マスク９と基板８の距離を徐々に変化させながらエッチング加工することにより、パターンニング形状を制御することができた。 - 特許庁 - Then, the conductive materials 140 are ground in parallel with the surface of the core substrate 111, and the patterning of the conductive layers 112 and 113 is carried out.
そして、コア基板１１１の表面と平行に導電性材料１４０を研磨した後、導電層１１２，１１３をパターニングする。 - 特許庁 - In such a manner, it is possible to eliminate the processes of photo- resist deposition, pattern exposure, and development which have been necessary for patterning the protective insulating film in the conventional art.
これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削減できる。 - 特許庁 - To provide an inkjet recording method capable of easily securing suitable quality in patterning to a building material.
建築材に対する模様付けにおいて好適な品質を容易に確保できるインクジェット記録方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element in which the electrical characteristics of patterns formed by a double patterning process can be controlled, and also to provide a method of controlling the patterns.
ダブルパターニングされたパターンの電気的特性をコントロール可能な半導体素子及びそのパターンコントロール方法を提供する。 - 特許庁 - PATTERNING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE, COLOR FILTER, LIGHT EMITTER AND THIN-FILM TRANSISTOR
パターニング方法、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法、発光体の製造方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁 - To provide a method for etching a wafer with the use of an advanced-patterning-film (APF) in order to reduce a curvature and to improve a ratio between an upper part and a lower part.
湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
