「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 78 79 次へ＞- For example, the system is within the lithography system, and the lithography system includes a lighting system 212, a patterning device 214, and a photographing system 216.
一例では、システムはリソグラフィシステム内にあり、これはさらに照明システム２１２、パターニングデバイス２１４、および投影システム２１６を有する。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device in which fine patterning can be used while eliminating short-circuiting of a gate electrode and a contact member.
ゲート電極とコンタクト部材との短絡のない、かつ、微細化にも対応しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which a floating gate electrode itself is patterned easily, in addition, patterning performance is improved and yield in wiring is not degraded, even in patterning of an upper layer such as a subsequently formed control gate electrode; and a method for fabricating the device.
フローティングゲート電極そのもののパターニングを容易にすると共に、その後に形成されるコントロールゲート電極など上層のパターニングにおいても、パターニング性能の向上及び配線歩留まりの低下を防ぐことができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in wide a viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be manufactured in a short time.
パターニングが不可能とされる発光領域の構成層が均一かつ高膜質にパターン化して形成されている上に、そのパターン化が幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に製造可能な電界発光素子を提供すること。 - 特許庁 - When a plurality of first-layer charge transfer electrodes are arranged and formed by patterning on the surface of a silicon substrate 1 through a first insulating film 2, patterning is once performed while a polycrystal silicon layer 4a is left on the first insulating film 2 and its surrounding area is covered with a third insulating film 3a.
シリコン基板１表面に、第１の絶縁膜２を介して配列形成される複数の第１層電荷転送電極をパターニングするに際し、第１の絶縁膜２上の多結晶シリコン層４ａを残した状態で一旦パターニングし、周りを第３の絶縁膜３ａで被覆する。 - 特許庁 - This method of manufacturing the electrooptical device includes a resist coating process of applying resist (202) onto the substrate (10), a patterning process of patterning the applied resist into a predetermined shape, and a cleaning process of cleaning the substrate having the patterned resist (202a) using cleaning liquid.
電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上にレジスト（２０２）を塗布するレジスト塗布工程と、塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、パターニングされたレジスト（２０２ａ）を有する基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a curable composition for imprints that exhibits good patternability in transferring high-aspect patterns or repeatedly transferring patterns and, particularly, repeatedly transferring high-aspect patterns, to provide a patterning method using the same, and to provide a pattern obtained by the patterning method.
高アスペクトパターンを転写する際、または繰り返しパターン転写を行う際、更には高アスペクトパターンを繰り返し転写する際に良好なパターン形成を有するインプリント用硬化性組成物、これを用いたパターン形成方法および該パターン形成方法によって得られるパターンの提供。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes the radiation source for generating the radiation, an illuminating system for adjusting the radiation, a patterning device for patterning the adjusted radiation, and a projection system for projecting the patterned radiation onto a target section of a substrate.
本発明のリソグラフィ装置は、放射線を発生するための放射線源と、放射線を調整するための照明システムと、調整された放射線にパターンを付与するためのパターン付与デバイスと、パターンが付与された放射線を基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a high product yield in which patterning process accuracy variations by a photolithography is reduced in a method of manufacturing a semiconductor device, in which, after HMDS processing is performed in a semiconductor substrate in the middle of manufacturing, a photoresist is formed on the semiconductor substrate and patterning processing is performed.
製造途中にある半導体基板をＨＭＤＳ処理した後、半導体基板上にフォトレジストを形成してパターニング加工を施す半導体装置の製造方法であって、フォトリソグラフィによるパターニング加工精度ばらつきを低減した、製品歩留まりの高い製造方法を提供する。 - 特許庁 - A lithographic apparatus comprises: an illumination system IL formed to adjust a radiation beam (B); and a mask supporting structure (MT) formed to support a patterning device (MA) and connected with a first positioning device (PM) that is formed to accurately position the patterning device according to a specific parameter.
放射ビームＢを調節するように構成された照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造体ＭＴとを含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of a multilayer wiring substrate comprises a bump forming process of forming bumps for interlayer connection on a substrate, an insulating layer formation process of forming an insulating layer on the substrate, wherein the bumps are formed, a thermocompression bonding process for bonding copper foil by thermocompression on an insulating layer, and a patterning process of patterning copper foil.
基材上に層間接続のためのバンプを形成するバンプ形成工程と、バンプが形成された基材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上に銅箔を熱圧着する熱圧着工程と、銅箔をパターニングするパターニング工程とを有する。 - 特許庁 - Thereafter, a gate electrode of a drive transistor in contact with the FD portion 16 is formed by patterning the first conductive film 52, and further forming a second conductive film consisting of non-doped conductive silicon to cover the whole surface of the first conductive film 52, and then patterning the second conductive film.
この後、第１導電性膜５２をパターニングし、さらに第１導電性膜５２上を覆うように全面にノンドープの導電性シリコンからなる第２導電性膜を形成し、第２導電性膜をパターニングすることにより、ＦＤ部１６に接触する駆動トランジスタのゲート電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a patterning method for a layer structure including a metal or metal silicide layer on a polycrystal silicon layer, by which method a doping material is distributed homogeneously across the entire deposit surface to improve a deposit film's surface property and adhesion to an adjacent layer, and patterning is made with high selectiveness and great homogeneity to form a straight etched side face across all etched layers.
金属或いは金属シリサイド層を多結晶シリコン層の上に含む層構造のパターニング方法において、ドーピング物質が全析出面にわたって均質に分布され、その表面性質及び隣接の層との接着性ができるだけ良くなる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a new patterning method in which freedom of selection of the material is high and a film forming method, and a manufacturing method of an organic electroluminescent element using the above patterning method, and a manufacturing method of a color filter, and further an electro-optical device and its manufacturing method and an electronic equipment.
特に材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法を提供するとともに、膜形成方法、前記パターニング方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法とカラーフィルタの製造方法、さらには電気光学装置とその製造方法、及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - To provide an EL element and its manufacturing method eliminating the need for a partition wall or the like for enabling a high-accuracy patterning as when patterning a luminous layer with the use of a discharge method such as an ink-jet method, with little soil on a substrate or the like.
本発明は、インクジェット法等の吐出法を用いて発光層をパターニングする際、高精度なパターニングを可能とするために設けられる隔壁等を不要とし、かつ基板等の汚損の少ないＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁 - By utilizing the fact that a pattern-preparing film 34a on the sidewall of an opening 32 is fragile, as compared to the pattern-preparing film 34a on an anneal-protecting film 24, a second patterning layer 38 that covers a region 30 is formed, while forming a trough 36 to contact a first patterning layer 26.
開口部３２の側壁のパターン準備膜３４ａがアニール保護膜２４上のパターン準備膜３４ａより脆弱になっていることを利用して、第１のパターン層２６に谷部３６を形成して接するとともに領域３０上を被覆する第２のパターン層３８を形成する。 - 特許庁 - To provide an organic thin film transistor that is high in mobility and can be manufactured stably, and to provide a method of manufacturing the transistor and a thin film transistor sheet on which thin film transistors are arranged two-dimensionally and which is reduced in cost by reducing the patterning step performed on the sheet and making substantial patterning possible by a simple method.
移動度が高く、安定的な製造が可能なＴＦＴ及びその製造方法と、ＴＦＴを２次元的に配列したＴＦＴシートにおけるパターンニング工程を削減し、簡便な方法で実質的なパターンニングを可能とし、低コストのＴＦＴシートを提供すること。 - 特許庁 - To provide a fine patterning method capable of forming a sparse pattern while suppressing deformation and "tilting" by improving various tolerances of etching, and the like, utilizing the curing effect of vacuum UV-rays, and to provide a fabrication process of semiconductor device employing the fine patterning method.
真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a patterning method of a conductive thin film, where resist and an etching liquid having a large environment load as in chemical etching are not used, damage is small and treatment time is short to a base and a conductive thin film having weak chemical resistance properties, in the plasma patterning method of the conductive thin film.
導電性薄膜のプラズマパターニング方法において、ケミカルエッチングのように環境負荷の大きいレジストやエッチング液を使用せず、更に耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供すること。 - 特許庁 - The lithographic projection apparatus comprises a radiation device for supplying a projection beam of radiation, a support structure for supporting a patterning means, the patterning means serving to pattern the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, and a projection device for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.
リトグラフ投影装置は、放射線の投影ビームを発生するための放射線装置、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターン化装置を支持する支持構造、基板を保持する基板テーブル、パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影装置を有する。 - 特許庁 - An anti-counterfeit medium is formed by a composition comprising a hologram layer 122 and at least one patterning optical anisotropic layer 112, wherein the patterning optical anisotropic layer contains two or more areas having different birefringencies and the areas are all composed of one and the same composition.
ホログラム層１２２及び少なくとも一層のパターニング光学異方性層１１２を含み、前記パターニング光学異方性層は、複屈折性が異なる領域を二つ以上含み、前記領域は全て、互いに同一の組成物から形成されている偽造防止媒体。 - 特許庁 - When forming the fuse element, after a conductive first polysilicon film is formed over all a semiconductor substrate, one terminal part of a valid region 24 is specified by first patterning to this first polysilicon film, and the other terminal part is specified by second patterning.
ヒューズ素子を形成する際、半導体基体全面に導電性の第１ポリシリコン膜を形成した後、この第１ポリシリコン膜に対する第１回目のパターニングによって実効領域２４の一方の端部を規定し、第２回目のパターニングによって他方の端部を規定する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which a first drawing pattern and a second drawing pattern are aligned with high accuracy when patterns are drawn as overlapped to form a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate.
同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するために重ね合わせ描画する場合、１回目の描画パターンと２回目の描画パターンとが高い精度で位置合わせされて形成されるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In an information processing apparatus 1 having the imaging function and music reproducing function, a patterning part 11 patterns an image picked up by an imaging means 10 and a comparison part 13 compares the image pattern obtained by the patterning part 11 with an image pattern stored in a pattern storage part 12.
撮像機能及び音楽再生機能を有する情報処理装置１において、パターン化部１１は、撮像手段１０によって撮影された画像をパターン化し、比較部１３は、パターン化部１１によってパターン化された画像パターンとパターン記憶部１２に記憶された画像パターンとを比較する。 - 特許庁 - To provide a method for simultaneously realizing a patterning technique capable of forming a large area pattern at a low cost and a fine patterning technique capable of forming a small feature pattern as a method for forming a patterned thin film layer for IC that can be utilized in manufacture of a large area electronic device.
大面積の電子装置の製造に利用できるパターニングされたIC用薄膜層の形成方法として、安価に大面積のパターンを形成できるパターニング技術と、小さな特徴パターンを形成できる微細パターニング技術と、を同時に実現する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning circuit board that is manufactured by using a ceramic board on which divided holes are disposed to improve reliability for electrical characteristics and thermal cycles, a circuit board divided from the multiple patterning circuit board, and a module using this circuit board.
分割孔が施されたセラミックス基板を用いて製造されたものにして、電気特性と熱サイクルに対する信頼性を向上させた、多数個取り回路基板と、この多数個取り回路基板から分割された回路基板と、この回路基板を用いたモジュールを提供する。 - 特許庁 - To cope with skipping of a circuit board on a multiple patterning board without lowering production efficiency, upon performing the work of mounting components using a plurality of mounting machines on the respective circuit boards ("boards" hereafter) on the multiple patterning board where the many boards are formed in a grid pattern.
多数の回路基板（以下「ボード」という）が碁盤目状に形成された多数個取り基板の各ボードに部品を実装する作業を複数台の実装機によって実行するものにおいて、生産能率を低下させずに多数個取り基板のボードスキップに対応できるようにする。 - 特許庁 - Thus, a high dielectric constant insulating film 42 as formed in a wide area is subjected to plasma in dry etching only in the step of patterning the high dielectric constant insulating film, and the film has already been patterned in the step of patterning the conductive film for forming the second electrode.
このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an organic electroluminescence display panel for which patterning of organic electroluminescence layers and negative electrodes can be implemented without short circuiting without deterioration and an organic electroluminescence device having a good device performance is obtained by solving varies problems in conventional patterning method.
従来のパターニング方法における種々の問題点を解消して、ショートや劣化を引き起こすことなく有機ＥＬ層および陰極のパターニングを行うことができ、良好な素子性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができる有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first mask part patterning step S7-1 in the ridge waveguide part forming step S7 and a second mask part patterning step S9-1 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time by a pattern transfer from a master pattern 40M.
リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第１マスク部パターニング工程Ｓ７−１と半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第２マスク部パターニング工程Ｓ９−１とは、一つのマスターパターン４０Ｍからのパターン転写によって一括して行われる。 - 特許庁 - The organic flattened film 14 is constituted of an organic insulating material capable of patterning the insulating film 13, using the organic flattened film 14 as a mask.
有機平坦化膜１４は、有機平坦化膜１４をマスクとして絶縁膜１２をパターニング可能な有機絶縁材料から構成されている。 - 特許庁 - METHOD FOR PATTERNING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR USING IT AND ITS MANUFACTURING METHOD, FLAT PANEL DISPLAY PROVIDED WITH ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
有機薄膜のパターニング方法、それを利用した有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 - 特許庁 - The method further comprises the steps of patterning the polycrystalline silicon film and the high melting point metal silicide film or the like, and forming a gate electrode of a MOS transistor.
そして、上記の多結晶シリコン膜と上記高融点金属シリサイド膜等とをパターニングしＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する。 - 特許庁 - To carry out patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern with a fine pitch is formed on an object to be processed.
被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide a touch panel to be used for various pieces of electronic equipment for achieving fine patterning or size reduction and also various operations.
各種電子機器に用いられるタッチパネルに関し、ファインパターン化や小型化が図れ、多様な操作が可能なものを提供することを目的とする。 - 特許庁 - A polarization filter 16 is formed by patterning a polarization material deposited on the protective film 13, to determine the direction of polarizing the incident light.
偏光フィルタ１６は保護膜１３の上に堆積した偏光材料をパターニングして形成され、入射光の偏光方向を定める。 - 特許庁 - To provide a method of forming a drawing pattern, capable of using ink for forming the pattern only for image line parts, and capable of high-definition patterning.
パターンを形成するためのインクを画線部分のみに使用し、かつ高精細なパターニングが可能な描画パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of adjusting a resistance value capable of adjusting a resistance value when stamping individual resistors from a multiple-patterning board.
複数個取りの基板から、個々の抵抗器を打ち抜く際に抵抗値調整を行うことができる抵抗値調整方法を提供する。 - 特許庁 - After that, the insulating film 22 for injection protection is removed, the conductive film 15 is subjected to patterning, and a gate electrode 21 of a logic element is formed.
その後、注入保護用の絶縁膜２２を除去してから、導体膜１５をパターニングして、ロジック素子のゲート電極２１を形成する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display having a simple structure which permits highly accurate patterning and prevents electric leakage and electrolytic corrosion from occurring at an electrode portion.
簡単な構成で、パターンニングの精度が高く、しかも電極部分でのリークや電蝕の発生を防止した液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - To generate phase shifting patterns to improve patterning of gates and other layers, structures or regions needing sub-nominal dimensions.
位相シフトパターンを生成して、準呼び寸法（サブノミナル寸法）を要するゲートその他の層、構造、又は領域についてのパターニングを改良する。 - 特許庁 - In this case, patterning is performed to an upper portion of the trench 1a for allowing the silicon oxide film 6 to remain as a beam section 6a orthogonal to the upper portion of the trench 1a.
このとき、トレンチ１ａの上部にこれらと直交するようにシリコン酸化膜６を梁部６ａとして残すパターニングをする。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH THE FILTER, AND DEVICE AND METHOD FOR INK JET PATTERNING
フィルター製造装置、フィルター製造方法、このフィルターを備えた表示装置の製造方法、インクジェットパターニング装置及びインクジェットパターニング方法 - 特許庁 - A 3rd patterning process is performed to form a thin-film transistor 1, a scanning line 2, a data line 4, a terminal contact 4, and a pixel electrode 5.
第３パターン化プロセスが実行されて薄膜トランジスタ１、走査線２、データ線３、ターミナルコンタクト４及び画素電極５が形成される。 - 特許庁 - Next, by patterning the metallic film 23 covered with the nitride film 30, an upper electrode 15 to be laminated on the structural body 14 is formed.
次いで、窒化膜３０で覆われた金属膜２３をパターニングすることで、構造体１４上に積層される上部電極１５を形成する。 - 特許庁 - In another way of patterning, the stage 5 is periodically moved to shift the irradiation position and the fine pattern is formed on the surface of the substrate by laser beam machining.
また、ステージ５の周期的移動により照射位置を変え、レーザ加工により基板表面に微細形状を形成することもできる。 - 特許庁 - The glass mask for patterning is provided with: a plurality of laminated glass sheets; and a pattern forming layer held by at least one sheet of glass sheet.
重ね合わせた複数枚のガラス板と、少なくとも一枚のガラス板によって保持されるパターン形成層とを備えるパターニング用ガラスマスク。 - 特許庁 - As a mask used for a photolithograph, a mask having at least one pad part 7a, 7b on each terminal 6a, 6b after patterning is used.
フォトリソに使用するマスクにはパターニング後にパッド部７ａ、７ｂが端子６ａ、６ｂ上に少なくとも１箇所ずつあるようなものを使用する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which reduces time and effort required for design of a mask used for patterning an etching target layer.
エッチング対象層をパターニングするためのマスクの設計にかかる手間を軽減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser patterning apparatus for processing a workpiece with high precision, and to provide a black matrix forming method using the same.
被加工物に対して高精度に加工を行うことができるレーザパターニング装置及びこれを用いたブラックマトリクス形成方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
