「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 78 79 次へ＞- The insulating layer 330 is etched by patterning in a region where a fixing part and a contact part are formed, and a metal layer 340 is formed on it.
絶縁層３３０をパターニングにより固定部と接触部が形成される領域をエッチングし、その上に金属層３４０を形成する。 - 特許庁 - To avoid erosion by a chemical liquid in a patterning process in a semitransmission type liquid crystal display and to prevent disconnection due to corrosion of a terminal.
半透過型の液晶表示装置において、パターニング工程での薬液の浸食を受けにくくし、端子の腐食による断線を防止する。 - 特許庁 - Therefore, an etching mask is formed, and etching can be carried out, without the use of a patterning process by a lithography technique.
そのため、リソグラフィ技術によるパターニング処理を必要とせずにエッチングマスクの形成、エッチングを行うことが出来ることを特徴としている。 - 特許庁 - To obtain an inexpensive and easy-to-fabricate semiconductor device having a low contact resistance and a method of fabrication which can deal with fine patterning of semiconductor device.
半導体装置の微細化に対処しうる、製造が容易で安価な低コンタクト抵抗の半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁 - The conductive layer is subjected to a patterning process to form a second gate electrode 25 having a second work function value different from the first work function value.
導電層（１８）にパターニングを行い、第１仕事関数値とは異なる第２仕事関数値を有する第２ゲート電極（２５）を形成する。 - 特許庁 - Controllability of cell gaps is made superior because the spacers 6 are formed of a ZnS film whose patterning is easily conducted by hydrochloric acid.
絶縁性スペーサ６は、塩酸にて容易にパターニングが可能なＺｎＳ膜から形成することができるので、セルギャップの制御性に優れる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a fine pattern of a semiconductor element, which embodies double patterning by utilizing a difference of solubility between a plurality of substance layers.
複数の物質層間の溶解度差を利用してダブルパターニングを具現する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To manufacture a flexible liquid crystal display panel provided with flexible substrates composed of such an organic material as plastic with excellent patterning precision and at a low cost.
プラスチック等の有機材料からなるフレキシブル基板を有するフレキシブル液晶表示パネルを、パターン精度良く、且つ低コストで製造する。 - 特許庁 - Upon patterning by use of a charged particle beam, occurrence of drawing abnormality in a resist on the resin layer can be suppressed.
このため、荷電粒子線を用いてパターニングを行うとき、樹脂層上のレジストに描画異常が発生することを抑制することが出来る。 - 特許庁 - The system inspecting patterning structures formed on semiconductor wafers using an optical measurement model includes a first manufacturing system measurement processor.
光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。 - 特許庁 - The sheet is brought to a close contact with the surface of a semiconductor wafer 13 that has been covered by photoresist 12, and patterning takes place by irradiation it with a light 14.
これをフォトレジスト１２で覆われた半導体ウェハ１３の表面で密着させ、光１４を照射することによりパターニングを行なう。 - 特許庁 - In the method for patterning a semiconductor element, a fine pattern is formed according to a BLR (bi-layer resist) process using the negative resist composition.
本発明の半導体素子のパターン形成方法では、ネガティブ型レジスト組成物を使用してＢＬＲ工程によって微細パターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition having high sensitivity and achieving patterning free from scum, and a semiconductor device, etc., obtained by using the same.
高感度で、スカムが無くパターニングできるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置等を提供するものである。 - 特許庁 - Finally, wiring is respectively formed on both surfaces of the film substrate 21 by patterning the copper foil 31 and 34 and plated layers for forming wiring.
次に、両銅箔３１、３４および両配線形成用めっき層をパターニングして、フィルム基板２１の両面にそれぞれ配線を形成する。 - 特許庁 - To provide a substrate placing stage wherein pins overlap on a cut scheduled line when supporting a large sized substrate where a plurality of substrates are subjected to multiple patterning.
複数の基板を多面取りする大型基板を支持する際に、裁断予定線にピンが重なるようにした基板載置ステージを提供する。 - 特許庁 - To provide a new method of manufacturing an optical waveguide structure, which eliminates the need of removing a remaining film of a resist layer used for core patterning.
コアパターニングのために使用したレジスト層残膜を除去する必要がない新しい光導波路構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The thick film resistor 12 is manufactured by patterning the resistor paste in a desired shape and vaporizing the powder by sintering the paste.
この抵抗体ペーストを所望の形状にパターニングし、焼結して上述の粉体を気化させて厚膜抵抗体１２が製造される。 - 特許庁 - To provide a material for an organic EL element and its manufacturing method, and the organic EL element using them, in which fine patterning is possible.
微細なパターニングが可能な有機ＥＬ素子用材料およびその製造方法、ならびにそれらを用いた有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - A resist film 16 is formed on a polysilicon film 15 and subjected to exposure/development thus patterning the resist film 16.
ポリシリコン膜１５上にレジスト膜１６を形成した後、このレジスト膜１６に対して露光・現像することにより、レジスト膜１６をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a new compound containing an unsaturated group, exhibiting excellent patterning characteristics even at a low light exposure and giving a color filter having high hardness.
少ない露光量でもパターニング特性が優れ、硬度の高いカラーフィルタを得ることのできる、新規な不飽和基含有化合物を提供する。 - 特許庁 - A conductive pad is manufactured in a roll-to-roll environment based on a plastic web in accordance with an improved waffle structure or patterning.
改善されたワッフル構造あるいはパターニングに従って、プラスチックウェブをベースとするロール・ツー・ロール環境において導電性パッドが製造される。 - 特許庁 - In a processing chamber, patterning of a processed film is performed, by etching the uncovered region of the processed film with an etching mask.
処理室内において、被処理膜のうち、エッチングマスクによって覆われていない領域をエッチングすることにより、被処理膜のパターニングを行なう。 - 特許庁 - To improve such a phenomenon of generating difference in the line width between the center and the edge of a wafer in patterning by using a chemically amplifying photoresist.
化学増幅型フォトレジストを用いたパターニングにおいてウェーハ中央と縁部との間の線幅の差が生ずる現象を改善させる。 - 特許庁 - To provide a patterning method using a contractile photoresist film in which a distance between pad electrodes can be set equal to a minimum necessary interval.
収縮性フォトレジスト膜を使用した、パッド電極間の距離を最小必須間隔とすることの出来るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Exposure is performed successively by using the masks Ha1, Hb2 to perform patterning and heater patterns 11x, 12x having no line width difference in the boundary part are formed.
マスクＨ_a １とＨ_b ２を用いて順次露光してパターニングし、境界部に線幅差のないヒーターパターン１１ｘ、１２ｘを形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing multilayer circuit board which has a high adhesion of an electric insulation layer and a conductor layer and is superior in patterning formability.
電気絶縁層と導電体層との密着性が高く、且つパターニング性に優れた多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The back drum 1 for the rubber pattern buttresses the rubber part 3 by sealing the former to the latter with a patterning surface X fashioned after the tread pattern of the tire.
タイヤのトレッドパターンを型取りした型取り面Ｘを有するゴム部３に固着されて、ゴム部３を補強するゴム型用裏胴１である。 - 特許庁 - The SAP is included in a mask layout for efficient self-alignment of various sub-layouts of a target pattern in a multi-patterning lithography process.
ＳＡＰは、マルチパターニングリソグラフィ工程中のターゲットパターンの様々なサブレイアウトの効率的なセルフアライメントのためにマスクレイアウト内に含まれる。 - 特許庁 - The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.
この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁 - Then, a third film is formed to cover the patterned second film and the releasable film, and the third film is subjected to patterning by a lift-off method.
次に、パターニング後の第２の膜および剥離膜を覆うように第３の膜が形成され、リフトオフ法によって第３の膜がパターニングされる。 - 特許庁 - The patterning method comprised of such steps has a benefit that the pattern line width can be adjusted by adjusting the surface energy of the substrate.
このように構成された本発明は、基板の表面エネルギーを調整してパターンの線幅を調整することができるという利点がある。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory which can prevent a short circuit between a contact plug and a ferroelectric capacitor on a cell transistor, even in fine patterning.
微細化しても、セルトランジスタ上のコンタクトブラグと強誘電体キャパシタとの間の短絡を防止できる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The patterning of a first pattern is carried out on a layer composed of a photosensitive member prepared on a processed substrate 1 sandwiching a processed layer 2 and a mask layer.
被処理基板１上に被加工層２およびマスク層を挟んで設けられた感光性部材からなる層に第１のパターンをパターニングする。 - 特許庁 - A metal layer 2 and a first resist layer 3 are laminated in this order on one surface of a transparent substrate 1, and patterning of the first resist layer 3 is performed.
透明基板１の一方側表面に金属層２と第１レジスト層３とをその順に積層し、第１レジスト層３をパターニングする。 - 特許庁 - In the first or second resist patterning step conducted at first, insolubilization treatment of resist exhibiting tolerance in the following lithography processing is performed.
そして、先に行う第１または第２のレジストパターン形成工程では、後のリソグラフィ処理で耐性を有するレジストの不溶化処理が行われる。 - 特許庁 - The laser beam can selectively heat only the patterning material for removal, thus preventing the metallic thin-film layer and resin layer from being adversely affected.
レーザ光はパターニング材料のみを選択的に加熱して除去することができ、金属薄膜層や樹脂層に悪影響を与えない。 - 特許庁 - According to a viewpoint of the invention, a lithographic apparatus has a coupling system for positioning a patterning means with respect to a reticle stage.
本発明の１つの観点によれば、リソグラフィ装置は、パターン化手段をレチクル・ステージに対して位置決めするための結合システムを備えている。 - 特許庁 - Next, an amorphous semiconductor layer is formed on the gate insulating film and an amorphous channel region is formed on the gate electrode by patterning.
次に、ゲート絶縁膜の上に非晶質半導体層を形成し、パターニングによってゲート電極の上に非晶質チャンネル領域を形成する。 - 特許庁 - To protect the channel region of a semiconductor film against radiation damage when the deposited semiconductor film etc. is subjected to plasma etching for patterning.
成膜された半導体膜等をプラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。 - 特許庁 - To overcome residual frictional force between the substrate and substrate holder, the substrate and substrate holder may be physically separated prior to further patterning.
基板と基板ホルダの間の残留摩擦力を克服するために、基板と基板ホルダは、次のパターニングの前に物理的に分離することができる。 - 特許庁 - The lithography apparatus includes: a lighting system configured so as to control radiation beams and a support member configured so as to support a patterning device.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターンニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含む。 - 特許庁 - Waffle patterning is made to utilize a lot of kinds of lithographic techniques, the use of which has been restricted before at the time of manufacturing large-area circuits.
ワッフルパターニングは、大きな面積の回路の製造時に以前なら制限されていた種々のリソグラフィ技法の多くを利用できるようにする。 - 特許庁 - To make ON resistance low and withstanding voltage high regardless of micro-patterning in a semiconductor device having a semiconductor substrate of parallel p-n structure.
並列ｐｎ構造の半導体基板を有する半導体装置において、微細化をしても、オン抵抗を低く、かつ耐圧を高くすること。 - 特許庁 - A silicon nitride film 5 and a silicon oxide film 2 are formed to cover the trench isolation region, and a memory cell region is exposed by patterning them.
トレンチ分離領域を覆うようにシリコン窒化膜５およびシリコン酸化膜２を形成し、これらをパターニングしてメモリセル領域を露出させる。 - 特許庁 - PLATING METHOD AND PATTERNING METHOD ON METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER, WET TREATMENT APPARATUS AND METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER FOR POWER MODULE
金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 - 特許庁 - To provide a self-align patterning method for forming patterns capable of forming fine pitch patterns by overcoming the resolution limit of a photolithography process.
フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The patterning method on the semiconductor element may include a two-stage spacer formation step in order to provide ultra-fine line width and interval.
半導体素子上のパターン形成方法は、微細ライン幅及び間隔を提供するために２段階のスペーサ形成工程を含むことができる。 - 特許庁 - A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.
本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁 - A power bus 174 is also formed in the aluminum layer, in the patterning/etching steps identical with that used for forming the aluminum pad.
アルミニウム・パッドを形成するために用いられるのと同じパターニング、エッチング工程において、アルミニウム層内に電力バス１７４も形成する。 - 特許庁 - To improve accuracy and reproducibility for finer patterning by suppressing interference of light scattered by a metal thin film.
金属薄膜により散乱された光の干渉を抑えることにより、より微細なパターニングを行う上での精度や再現性を向上させる。 - 特許庁
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