「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 78 79 次へ＞- To make it possible to stably manufacture by suppressing patterning failures due to the breakage of an etching protect film.
エッチング保護膜破壊によるパターニング不良の発生を抑制し、安定生産可能なインクジェット記録ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an inexpensive and easy-to-fabricate semiconductor device having a low contact resistance and a method of fabrication which can deal with fine patterning of semiconductor device.
半導体装置の微細化に対処しうる、製造が容易で安価な低コンタクト抵抗の半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁 - The conductive layer is subjected to a patterning process to form a second gate electrode 25 having a second work function value different from the first work function value.
導電層（１８）にパターニングを行い、第１仕事関数値とは異なる第２仕事関数値を有する第２ゲート電極（２５）を形成する。 - 特許庁 - Controllability of cell gaps is made superior because the spacers 6 are formed of a ZnS film whose patterning is easily conducted by hydrochloric acid.
絶縁性スペーサ６は、塩酸にて容易にパターニングが可能なＺｎＳ膜から形成することができるので、セルギャップの制御性に優れる。 - 特許庁 - Therefore, an etching mask is formed, and etching can be carried out, without the use of a patterning process by a lithography technique.
そのため、リソグラフィ技術によるパターニング処理を必要とせずにエッチングマスクの形成、エッチングを行うことが出来ることを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a method of forming a drawing pattern, capable of using ink for forming the pattern only for image line parts, and capable of high-definition patterning.
パターンを形成するためのインクを画線部分のみに使用し、かつ高精細なパターニングが可能な描画パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of adjusting a resistance value capable of adjusting a resistance value when stamping individual resistors from a multiple-patterning board.
複数個取りの基板から、個々の抵抗器を打ち抜く際に抵抗値調整を行うことができる抵抗値調整方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display having a simple structure which permits highly accurate patterning and prevents electric leakage and electrolytic corrosion from occurring at an electrode portion.
簡単な構成で、パターンニングの精度が高く、しかも電極部分でのリークや電蝕の発生を防止した液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The glass mask for patterning is provided with: a plurality of laminated glass sheets; and a pattern forming layer held by at least one sheet of glass sheet.
重ね合わせた複数枚のガラス板と、少なくとも一枚のガラス板によって保持されるパターン形成層とを備えるパターニング用ガラスマスク。 - 特許庁 - As a mask used for a photolithograph, a mask having at least one pad part 7a, 7b on each terminal 6a, 6b after patterning is used.
フォトリソに使用するマスクにはパターニング後にパッド部７ａ、７ｂが端子６ａ、６ｂ上に少なくとも１箇所ずつあるようなものを使用する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which reduces time and effort required for design of a mask used for patterning an etching target layer.
エッチング対象層をパターニングするためのマスクの設計にかかる手間を軽減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser patterning apparatus for processing a workpiece with high precision, and to provide a black matrix forming method using the same.
被加工物に対して高精度に加工を行うことができるレーザパターニング装置及びこれを用いたブラックマトリクス形成方法を提供する。 - 特許庁 - Upon patterning by use of a charged particle beam, occurrence of drawing abnormality in a resist on the resin layer can be suppressed.
このため、荷電粒子線を用いてパターニングを行うとき、樹脂層上のレジストに描画異常が発生することを抑制することが出来る。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition having high sensitivity and achieving patterning free from scum, and a semiconductor device, etc., obtained by using the same.
高感度で、スカムが無くパターニングできるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置等を提供するものである。 - 特許庁 - The system inspecting patterning structures formed on semiconductor wafers using an optical measurement model includes a first manufacturing system measurement processor.
光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。 - 特許庁 - The sheet is brought to a close contact with the surface of a semiconductor wafer 13 that has been covered by photoresist 12, and patterning takes place by irradiation it with a light 14.
これをフォトレジスト１２で覆われた半導体ウェハ１３の表面で密着させ、光１４を照射することによりパターニングを行なう。 - 特許庁 - A 3rd patterning process is performed to form a thin-film transistor 1, a scanning line 2, a data line 4, a terminal contact 4, and a pixel electrode 5.
第３パターン化プロセスが実行されて薄膜トランジスタ１、走査線２、データ線３、ターミナルコンタクト４及び画素電極５が形成される。 - 特許庁 - Next, by patterning the metallic film 23 covered with the nitride film 30, an upper electrode 15 to be laminated on the structural body 14 is formed.
次いで、窒化膜３０で覆われた金属膜２３をパターニングすることで、構造体１４上に積層される上部電極１５を形成する。 - 特許庁 - In another way of patterning, the stage 5 is periodically moved to shift the irradiation position and the fine pattern is formed on the surface of the substrate by laser beam machining.
また、ステージ５の周期的移動により照射位置を変え、レーザ加工により基板表面に微細形状を形成することもできる。 - 特許庁 - To manufacture a flexible liquid crystal display panel provided with flexible substrates composed of such an organic material as plastic with excellent patterning precision and at a low cost.
プラスチック等の有機材料からなるフレキシブル基板を有するフレキシブル液晶表示パネルを、パターン精度良く、且つ低コストで製造する。 - 特許庁 - In the method for patterning a semiconductor element, a fine pattern is formed according to a BLR (bi-layer resist) process using the negative resist composition.
本発明の半導体素子のパターン形成方法では、ネガティブ型レジスト組成物を使用してＢＬＲ工程によって微細パターンを形成する。 - 特許庁 - The thick film resistor 12 is manufactured by patterning the resistor paste in a desired shape and vaporizing the powder by sintering the paste.
この抵抗体ペーストを所望の形状にパターニングし、焼結して上述の粉体を気化させて厚膜抵抗体１２が製造される。 - 特許庁 - To provide a material for an organic EL element and its manufacturing method, and the organic EL element using them, in which fine patterning is possible.
微細なパターニングが可能な有機ＥＬ素子用材料およびその製造方法、ならびにそれらを用いた有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - Finally, wiring is respectively formed on both surfaces of the film substrate 21 by patterning the copper foil 31 and 34 and plated layers for forming wiring.
次に、両銅箔３１、３４および両配線形成用めっき層をパターニングして、フィルム基板２１の両面にそれぞれ配線を形成する。 - 特許庁 - To provide a substrate placing stage wherein pins overlap on a cut scheduled line when supporting a large sized substrate where a plurality of substrates are subjected to multiple patterning.
複数の基板を多面取りする大型基板を支持する際に、裁断予定線にピンが重なるようにした基板載置ステージを提供する。 - 特許庁 - To provide a new method of manufacturing an optical waveguide structure, which eliminates the need of removing a remaining film of a resist layer used for core patterning.
コアパターニングのために使用したレジスト層残膜を除去する必要がない新しい光導波路構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A conductive pad is manufactured in a roll-to-roll environment based on a plastic web in accordance with an improved waffle structure or patterning.
改善されたワッフル構造あるいはパターニングに従って、プラスチックウェブをベースとするロール・ツー・ロール環境において導電性パッドが製造される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing multilayer circuit board which has a high adhesion of an electric insulation layer and a conductor layer and is superior in patterning formability.
電気絶縁層と導電体層との密着性が高く、且つパターニング性に優れた多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The back drum 1 for the rubber pattern buttresses the rubber part 3 by sealing the former to the latter with a patterning surface X fashioned after the tread pattern of the tire.
タイヤのトレッドパターンを型取りした型取り面Ｘを有するゴム部３に固着されて、ゴム部３を補強するゴム型用裏胴１である。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device capable of inexpensively forming pixel gaps each of which has a size less than the limit of patterning based on photolithography.
低コストでフォトリソグラフィによるパターニングの限界以下の寸法の画素間隙を形成することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - Subsequently, openings 142 and 144 for exposing the printing face side of the screen mesh 134 are formed in the film 146 by patterning the film 146.
続いて、膜１４６をパターニングしてスクリーンメッシュ１３４の印刷面側を露出させる開口１４２，１４４を膜１４６に形成する。 - 特許庁 - To carry out patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern with a fine pitch is formed on an object to be processed.
被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。 - 特許庁 - Thus, when the body 20 is to be formed, complex processes for patterning or bonding the conductive layers 21, 23, 25, 27 are unnecessary.
そのため、本体２０を形成する場合、例えば導電層２１、２３、２５、２７のパターニングあるいは接着などの複雑な工程を必要としない。 - 特許庁 - The time until start of the second patterning from the end of the flat film forming process is controlled to be constant among the wafers.
このときの平坦化膜の形成処理の終了から２回目のパターニングの開始までの時間がウェハ間で一定になるように管理される。 - 特許庁 - To provide a transparent substrate having high reliability without discontinuity in lines or peeling in the patterning step of a transparent conductive film, and to provide a manufacturing method threfor.
透明導電膜のパターン加工工程における断線・剥離のない信頼性の高い透明基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Patterning is applied on the fluid channel resin layer 11 in order to partially expose the upper face of the device substrate 1 and a fluid channel forming member 15 to be a nozzle member is formed so as to cover the fluid channel resin layer 11.
次いで、マスク部材１２をマスクとして、流路樹脂層１１を上面側からドライエッチングして部分的に薄膜化する。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus and method that enable accurate positional measurement and/or movement of a large work piece during patterning of the work piece.
パターン形成中に、大きい被加工物の正確な位置測定及び／又は移動を可能にするリソグラフィ装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - A resist 106 is developed to form the resist pattern, and by using the resist pattern as a mask, an absorbing layer 105 and a buffer film 104 are subjected to patterning.
レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。 - 特許庁 - A resist film 16 is formed on a polysilicon film 15 and subjected to exposure/development thus patterning the resist film 16.
ポリシリコン膜１５上にレジスト膜１６を形成した後、このレジスト膜１６に対して露光・現像することにより、レジスト膜１６をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a new compound containing an unsaturated group, exhibiting excellent patterning characteristics even at a low light exposure and giving a color filter having high hardness.
少ない露光量でもパターニング特性が優れ、硬度の高いカラーフィルタを得ることのできる、新規な不飽和基含有化合物を提供する。 - 特許庁 - A metal layer 2 and a first resist layer 3 are laminated in this order on one surface of a transparent substrate 1, and patterning of the first resist layer 3 is performed.
透明基板１の一方側表面に金属層２と第１レジスト層３とをその順に積層し、第１レジスト層３をパターニングする。 - 特許庁 - The SAP is included in a mask layout for efficient self-alignment of various sub-layouts of a target pattern in a multi-patterning lithography process.
ＳＡＰは、マルチパターニングリソグラフィ工程中のターゲットパターンの様々なサブレイアウトの効率的なセルフアライメントのためにマスクレイアウト内に含まれる。 - 特許庁 - In a processing chamber, patterning of a processed film is performed, by etching the uncovered region of the processed film with an etching mask.
処理室内において、被処理膜のうち、エッチングマスクによって覆われていない領域をエッチングすることにより、被処理膜のパターニングを行なう。 - 特許庁 - In the first or second resist patterning step conducted at first, insolubilization treatment of resist exhibiting tolerance in the following lithography processing is performed.
そして、先に行う第１または第２のレジストパターン形成工程では、後のリソグラフィ処理で耐性を有するレジストの不溶化処理が行われる。 - 特許庁 - Since the patterning of the ITO is already carried out, in other words, the positive electrode interconnection 1 is already formed, the corners of the positive electrode interconnection 1 is also polished.
ＩＴＯは既にパターニングされているので、すなわち陽極配線１が形成されているので、陽極配線１の角部も研磨される。 - 特許庁 - A second mask pattern is formed by patterning the photoresist film 5, and a part of the photoresist film 5 is left on the thin film part 3a.
このフォトレジスト膜５をパターニングすることにより第２マスクパターンを形成するとともに、薄膜部３ａ上にフォトレジスト膜５の一部を残す。 - 特許庁 - The method involves providing a mixture of carbon nanotubes that is substantially disaggregated and patterning carbon nanotubes through the use of electrostatic force.
本方法は実質的に分離したカーボンナノチューブの混合物を用意すること及び静電気力でカーボンナノチューブをパターニングすることを含む。 - 特許庁 - To improve such a phenomenon of generating difference in the line width between the center and the edge of a wafer in patterning by using a chemically amplifying photoresist.
化学増幅型フォトレジストを用いたパターニングにおいてウェーハ中央と縁部との間の線幅の差が生ずる現象を改善させる。 - 特許庁 - The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.
この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁 - To provide a self-align patterning method for forming patterns capable of forming fine pitch patterns by overcoming the resolution limit of a photolithography process.
フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。 - 特許庁
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