「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 78 79 次へ＞- The lithography apparatus comprises: an illumination system IL for providing a projection beam of radiation PB; and a support structure MT for supporting a patterning means MA.
放射の投影ビームＰＢを提供するための照明装置ＩＬと、パターン形成手段ＭＡを支持するための支持構造体ＭＴとを有する。 - 特許庁 - To provide a conveyance method of a film with a pattern, enabling high-definition patterning and highly-accurate lamination at a delivery destination after conveying to the delivery destination, etc.
納入先等に搬送後、納入先にて高精細なパターニング加工や高精度な貼合が可能なパターン付フィルムの搬送方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for nano-patterning by incorporating one or more block copolymers and one or more nano-imprinting steps in a fabrication process.
１つ以上のブロック共重合体および１つ以上のナノインプリントステップを製造プロセスに組込むことによってナノパターン化するための方法を提供する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus has an illumination system that supplies a projection beam of radiation, which is patterned using a patterning system.
リソグラフィ装置は、放射線の投影ビームを供給する照明システムを有し、この投影ビームには、パターン形成システムを使用してパターンが形成される。 - 特許庁 - To provide a method or the like for manufacturing a semiconductor device which enables high precision patterning by using a resist pattern, whose wall surfaces are smoothened to reduce its roughness.
壁面を平滑化しラフネスを低減したレジストパターンを用いて高精細なパターニングを可能とした半導体装置の製造方法等の提供。 - 特許庁 - To provide a metal mask in which patterning superior in handling property and of high precision is enabled in a vacuum vapor deposition process when manufacturing an organic EL element.
有機ＥＬ素子製造における真空蒸着工程において、取り扱い性の良い且つ高精細パターニングを可能とする金属マスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method of an organic film capable of preventing stitching unevenness occurring between widths of laser beams due to limit of beam sizes of a laser.
レーザのビームサイズ（幅）の限界によるレーザビームの幅間に発生するステッチングむらを防止することができる有機膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The resulting coating materials can be designed for patterning with a selected radiation, such as ultraviolet light, x-ray radiation or electron beam radiation.
得られるコーティング材は、紫外線、Ｘ線放射線又は電子ビーム放射線のような選択された放射線によるパターニング用に設計され得る。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a halftone mask for utilizing single photoresist in patterning of a light shielding layer and a semi-light transmitting layer without requiring ashing treatment.
アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること - 特許庁 - The first electrode 25r of the unit element Ur includes a first layer 261 formed by patterning of a conductive film L1 and overlapping with the light reflecting layer 21.
単位素子Ｕrの第１電極２５rは、導電膜Ｌ1のパターニングによって形成されて光反射層２１と重なり合う第１層２６１を含む。 - 特許庁 - In the mask, two or more patterning carbon nanotube layers that have two or more voids on the epitaxial growth surface of the substrate are formed.
本発明のマスクにおいては、前記基板のエピタキシャル成長面上に複数の空隙を有する複数のパターン化カーボンナノチューブ層が形成される。 - 特許庁 - ONIUM SALT COMPOUND, POLYMER COMPOUND COMPRISING THE SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION COMPRISING THE POLYMER COMPOUND, AND METHOD FOR PATTERNING USING THE COMPOSITION
オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁 - The optical interference type color display has a color filter substrate, a patterning supporting layer, a plurality of 1st electrodes, a plurality of optical films and a plurality of 2nd electrodes.
光干渉型カラーディスプレイは、カラー濾過基板、パターン化支持層、複数の第一電極、複数の光学的フィルムおよび複数の第二電極を有する。 - 特許庁 - Subsequently, a development process is performed for the acid compensating layer and the photo resist layer, and patterning of the acid compensating layer and the photo resist layer is performed.
続いて、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層に対して現像工程を行い、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層をパターニングする。 - 特許庁 - With this configuration, resist is easily placed on the edge parts of the electrode film when patterning the electrode films 41, 51 on the surface of the quarts chip.
このような構成にすることで、水晶片の表面に電極膜４１，５１をパターニングするときに縁部においても電極膜上にレジストが載りやすい。 - 特許庁 - And an Au film 3 of superior corrosion resistance and low resistance is formed on the Ni film 12 of a patterning-formed wiring by an electroless plating.
そして、そのパターニング形成された配線形状のＮｉ膜１２上に、無電解メッキ法により優れた耐食性で低抵抗なＡｕ膜３を形成する。 - 特許庁 - To obtain a process for producing electric wiring in which patterning is carried out efficiently by minimizing adverse effect of etching on a substrate.
エッチング処理時に基板への悪影響を極力小さくして、効率的にパターン形成を行うことができる電気配線の製造方法を得ることにある。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck system and method that minimize effects of manufacturing and operational deformations in a chuck, a patterning device, and/or a substrate.
チャック、パターニングデバイスおよび／または基板における製造の影響および操作上の変形を最小限にする静電チャックシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive siloxane resin composition which can be subjected to patterning and enables a cured film excellent in wet heat resistance to be formed.
パターン加工が可能であり、耐湿熱性に優れた硬化膜を形成することができるネガ型感光性シロキサン樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To control a patterning geometry by neutralizing excess acid on the boundary face between a resist and a base film by applying a basic substrate treating agent on the resist base film.
レジスト下地膜に塩基性の基板処理剤を塗布することにより、レジストと下地膜の界面の余剰酸を中和してパターニング形状を制御する。 - 特許庁 - To provide a beam shaping method which offers high energy efficiency in the electrode patterning process of a tin oxide film by a laser beam shaped into a rectangular cross section.
断面矩形に整形したレーザービームによる酸化錫膜の電極パターン加工において、エネルギ利用効率の高いビーム整形方法を提供する。 - 特許庁 - After that, the soluble pattern resin layer is dissolved to perform the patterning so as to correlate the piezoelectric body 4 with the pressurizing chamber 1, and then the liquid jet head is produced.
その後に、溶解可能なパターン樹脂層を溶出し、圧電体４を圧力室１に対応するようにパターニングして、液体噴射ヘッドを作製する。 - 特許庁 - To provide a system and method for patterning a master disk with the required feature size that does not rely on conventional photolithography or electron-beam lithography.
従来のフォトリソグラフィあるいは電子線リソグラフィに依存しない、所要のフィーチャー・サイズのマスタ・ディスクをパターン化するためシステム及び方法が必要とされている。 - 特許庁 - A gray tone masking and photoresist peeling-off steps are utilized to perform patterning and, thereby, the TFT LCD pixel unit can be formed with three photolithography masks.
グレートーンマスキングとフォトレジストの剥離工程によりパターニングすることで、三枚のフォトリソグラフィマスクでこのＴＦＴ−ＬＣＤ画素ユニットを形成することができる。 - 特許庁 - The guide holes 4 are formed of a thick film material 3 which has photosensitivity or electronic beam hardenability and can be hardened selectively by patterning by photolithography.
ガイド穴4は、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が可能な厚膜材料3で形成してある。 - 特許庁 - Next, a diffraction structure having an eight step stair structure is manufactured by repeating patterning and etching processes in the region A2 in the same way.
続いて、領域Ａ２について同様にパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより、８段の階段構造を有する回折構造を作製する。 - 特許庁 - To provide a coating structure for vehicle having an antenna pattern exhibiting enhance gain, and to provide a vehicle mounted antenna and an antenna patterning method for vehicle.
利得が向上されたアンテナパターンを有する車両用塗膜構造、車載アンテナ及び車両用アンテナパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A light shielding pattern 130 is formed by forming a light shielding film of chromium (Cr) etc., on a blank 101 and patterning the light shielding film 130 to a prescribed shape.
ブランクス１０１上にクロム（Ｃｒ）等の遮光膜を形成し、この遮光膜を所定形状にパターニングして遮光パターン１３０を形成する。 - 特許庁 - Then a gate G is formed by patterning the laminated film of the gate oxide film, polysilicon film, and first wiring layer, and an insulating coating film is formed by thermal oxidation.
次に、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜、第１配線層の積層膜をパターンニングしてゲートＧを形成し、熱酸化により絶縁被膜を形成する。 - 特許庁 - By patterning the emitter material layer 30, emitter constituting patterns 32 each having an electron emission end 31 at a tip are formed on parts riding on the slope 21 of the sacrifice layer hill 20.
エミッタ材層30のパターニングにより、犠牲層丘20の斜面21に乗っている部分に、先端に電子放出端31を有するエミッタ構成用パタン32を形成する。 - 特許庁 - Incoherent light exiting from the focusing apparatus 5-1 can be used as it is as the illumination light of an illuminator for performing minute patterning.
集束器５−１から出射する非可干渉性光は、微細なパターニングを行う照明器の照明光としてそのままに用いることができる。 - 特許庁 - A mask (not shown) is provided on an amorphous silicon film 101, and an applying window 102 for applying catalyst element is formed by patterning the mask.
非晶質珪素膜１０１上に図示しないマスクを設け、マスクをパターニングして触媒元素を添加するための添加ウィンドウ１０２を形成する。 - 特許庁 - After forming an interlayer insulating film by covering a gate insulating film and gate electrodes, at least one of the gate electrodes is exposed by patterning the interlayer insulating film.
ゲイト絶縁膜およびゲイト電極を覆って層間絶縁膜を成膜後、層間絶縁膜をパターニングし、少なくとも１つのゲイト電極を露呈する。 - 特許庁 - Patterning is performed in a photo resist layer 59 formed on a color filter array 58 to remove a photo resist on boundaries from first to third colored layers 41, 54 and 57.
カラーフィルタアレイ５８上に形成したフォトレジスト層５９にパターニングして第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界上のフォトレジストを取り除く。 - 特許庁 - So that, since the position of the step can be optically detected at patterning the three-layer film, the position of the first wiring 11 can be detected.
よって、当該３層膜のパターンニングの際、段差の位置を光学的に検出できるため、結果として第１の配線１１の位置を検出することができる。 - 特許庁 - To provide a patterning substrate having a conductive pattern comprising a conductive polymer, which can be simply manufactured with high precision and good productivity.
導電性ポリマーからなる導体パタ−ンを有するパターニング基板であって、高精度で、簡便に、生産性よく製造することができるパターニング基板を提供する。 - 特許庁 - After patterning the silicon oxide layer in accordance with a gate electrode pattern, the polysilicon layer is patterned by dry-etching using a remaining resist layer as a mask.
シリコンオキサイド層をゲート電極パターンに従ってパターニングした後、残存するレジスト層をマスクとするドライエッチングによりポリシリコン層をパターニングする。 - 特許庁 - Then, the bake process after exposure is performed on the photoresist layer after exposure, and the patterning of the photoresist layer is completed by performing a development process.
この後に、露光後ベーク工程は、露光された後に、フォトレジスト層上で行われ、現像工程を行うことによってフォトレジスト層のパターニングを完成する。 - 特許庁 - The color reflector used is prepared by forming a phase volume hologram optical element by interference exposure using a laser and patterning into pixels of RGB colors or the like.
位相型体積ホログラム光学素子を、レーザーを用いた干渉露光により形成し、ＲＧＢ等のパターンにピクセル化したものをカラー反射板として用いる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an inkjet recording apparatus which forms electric wires or electrodes surely and efficiently by patterning treatment with laser beams.
レーザーのパターニング処理により確実にかつ効率よく電気配線又は電極を形成するインクジェット記録装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A photoresist pattern 132a having an opening part 132x is formed by selectively exposing the photoresist film for patterning in a photolithography process.
フォトリソグラフィ処理によってフォトレジスト膜を選択的に露光してパターニングすることにより、開口部１３２ｘを有するフォトレジストパターン１３２ａを形成する。 - 特許庁 - A measurement subsystem of the lithographic apparatus includes one or preferably a plurality of alignment and level sensors (AS and LS) directed near a patterning position of a substrate.
リソグラフィ装置の測定サブシステムは、基板のパターニング位置の近くに向けられたひとつまたは（好ましくは）複数のアライメントおよびレベルセンサ（ＡＳ、ＬＳ）を含む。 - 特許庁 - With this constitution, a time for emitting the laser beam to the portion to be removed by patterning after the semiconductor film is crystallized can be omitted.
上記構成により、半導体膜を結晶化させた後パターニングにより除去される部分にレーザー光を照射する時間を省くことができる。 - 特許庁 - A conductive material is applied thereon to pattern a pixel electrode 13a, and a single photomask is used for forming the contact holes and patterning the pixel electrode.
その上に導電材料を塗布することで画素電極１３ａをパターニングし、コンタクトホール加工と画素電極パターニングとを１枚のフォトマスクで行う。 - 特許庁 - Then, after a cobalt disilicide film 105 is formed on the polysilicon film 102 by heat treating, patterning is performed, and gate electrode parts 112a, 112b are formed.
その後、熱処理によって、ポリシリコン膜１０２上にコバルトジシリサイド膜１０５を形成した後、パターニングしてゲート電極部１１２ａ、１１２ｂを形成する。 - 特許庁 - The projection system also has a series of lens components spaced apart along the beam path between the patterning system and the array of lenses.
投影システムは、パターン形成システムとレンズのアレイとの間にビーム経路に沿って間隔を空けて配置された一連のレンズ構成要素を有している。 - 特許庁 - Patterning is successively performed to the black matrix layer 102 and the 1st photoresist layer 104a by a mask and also the 1st photoresist layer 104a is removed.
マスクにより順にブラックマトリクス層１０２および第１フォトレジスト層１０４ａをパターニングするとともに、第１フォトレジスト層１０４ａを除去する。 - 特許庁 - A polysilicon film pattern 120b having a split-shape is formed by patterning the polysilicon film and exposing a predetermined region of the dielectric film pattern 110a.
ポリシリコン膜をパターニングして誘電膜パターン１１０ａの所定領域を露出させ、スプリットされた形状を有するポリシリコン膜パターン１２０ｂを形成する。 - 特許庁 - The spacer 16 is formed by patterning a SiO2 film deposited on the sealing board 15 and formed integrally with the sealing board 15.
このスペーサ１６は、封止用基板１５に堆積させたＳｉＯ_2膜をパターン形成したものであり、封止用基板１５に一体的に形成されている。 - 特許庁 - After the photoresist layer 2 is removed, openings 8 are formed by forming a second photoresist layer 6 on the surface of the substrate 22 and patterning the layer 6.
つづいて第１のフォトレジスト層２を除去した後、基板の表面に第２のフォトレジスト層６を形成しパターン化して開口部８を形成する。 - 特許庁
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