「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 78 79 次へ＞- DEVICE FOR TRANSMISSION IMAGE DETECTION FOR USE IN LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING THIRD ORDER DISTORTION OF PATTERNING DEVICE AND/OR PROJECTION SYSTEM OF SUCH A LITHOGRAPHIC APPARATUS
リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス及びこのようなリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び／又は投影システムの３次歪みを割り出す方法 - 特許庁 - To provide a method of fabricating an alignment film of a liquid crystal display device, which is capable of simply patterning the alignment film at an accurate location and an alignment film etching apparatus used therein.
簡単で正確な位置で配向膜をパターニングできる液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Then, a protection film 31 is formed to cover at least the side face of the mask pattern 38, and the patterning of the functional films 28 and 29 is carried out by wet etching by using the mask pattern 38.
そして、マスクパターン３８の少なくとも側面を覆う保護膜３１を形成し、マスクパターン３８を用いて、機能膜２８，２９をウエットエッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method capable of patterning a color conversion film at low cost without the need to change a structure of a production device when a new fluorescence material is used.
新規の蛍光材料の使用に際して、生産装置の構成変更を行う必要がなく、低コストで色変換膜のパターニングが行える方法を提案することにある。 - 特許庁 - The interval between color filter materials is set so as to eliminate any gap after fusion when patterning by considering the amount of fusion at thermal process and the characteristics of color filter material.
パターンニング時に、カラーフィルタ材料間の間隔は、カラーフィルタ材料の特性や熱処理時の溶融量を考慮して、溶融後に隙間がなくなるような間隔に設定する。 - 特許庁 - The first development tank 12 is provided with a drug solution atomization nozzle 36, the patterning tank 13 is provided with a drug solution atomization nozzle 37 and the residual dross removal tank 14 is provided with a drug solution atomization nozzle 38.
第１現像槽１２は薬液噴射ノズル３６を、パターニング槽１３は薬液噴射ノズル３７を、残渣除去槽１４は薬液噴射ノズル３８を備える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a color filter for obtaining a colored pattern of higher resolution in comparison with a conventional method while keeping or lowering resolution required for a patterning method.
パターニング法に求められる解像度を維持もしくは抑えつつ、従来より高い解像度の着色パターンが得られるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first charge transfer electrode 35 is formed by patterning the first and second conductive layers 32 and 34 laminated in such a manner that the oxygen diffusing functional film 33 is sandwiched between the layers.
酸素拡散性機能膜３３を挟んで積層された第１および第２導電体層３２，３４をパターニングして第１電荷転送電極３５を形成する。 - 特許庁 - As shown in figure (f), a patterning mask 7 consisting of SiO2 is formed on a region, facing a recessed part 3 on the surface of a metal wiring film 6 by a photolithographic technique.
図１(f) に示すように、金属配線膜６の表面の凹部３と対向する領域に、フォトリソグラフィ技術によって、ＳｉＯ_2からなるパターニング用マスク７を形成する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device capable of enhancing the opening ratio of pixels due to the improving of patterning property without deteriorating electric characteristics of active switching elements and to provide a manufacturing method therefor.
スイッチング能動素子の電気特性を低下させず、パタニング性向上による開口率のアップができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a display device provided by efficiently executing precise pixel patterning; and to provide a manufacturing method of the display device and a manufacturing device of the display device.
高精細な画素パターニングを効率よく行うことによって得られる表示装置及び表示装置の製造方法並びに表示装置の製造装置を提供すること。 - 特許庁 - A bottom side of the metal lead frame is subjected to patterning only after a front side including chips (140) and wires (160) is hermetically sealed, and chip pads and wire bond contacts (113) are insulated.
チップ（１４０）とワイヤ（１６０）とを含む表側が気密封止されて初めて、金属リードフレームの底側はパターニングされて、チップパッドおよびワイヤボンド接点（１１３）を絶縁する。 - 特許庁 - After the patterning of the DCL layer 602, the negative type feature of the DLC layer is filled with a deposited metal and remained DCL layer is removed, then a second mask 1002 is produced.
ＤＬＣ層６０２のパターニング後、ＤＬＣ層のネガ型特徴を堆積金属で充填し、残ったＤＬＣ層を除去した後、第二マスク１００２が生成される。 - 特許庁 - In the manufacture of such a semiconductor device, a window is formed in the column of the protective material by patterning the window with a photoetching method, using a mask material and removing the protective material by etching.
すなわち、保護材料の柱部分の窓をあける時に、マスク材料を用いて、窓を写真食刻法でパターニングし、保護材料をエッチング除去して行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of liquid crystal display panel with which the productivity can be improved by excluding reattachment of an optical film in a manufacturing step according to a multiple patterning.
多面取りによる製造工程において光学フィルムの貼り直しを排除して、生産性が向上する液晶表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The rotational speed control circuit 53 is composed by electric wiring itself, where polycrystalline silicon is used in the cooling substrate 31 for patterning, thus cooling a chip by the blast of at least 1,000 microfans, and hence markedly enhancing the cooling performance of the MCCs and LSIs.
回転速度制御回路５３は冷却基板３１に多結晶シリコンが使用されてパターニングされた電気配線自体によって構成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having an anti-reflection layer which can obtain high adhesion to a conductive member and excellent anti- reflection ability when patterning the conductor.
導電部材との高い密着性及び導電部材パターニング時の優れた反射防止能力が得られる反射防止層を有する半導体装置を提供提供する。 - 特許庁 - The surface of the exposed section of a crystal 1 is removed by an etching in a trace quantity by an etchant after a patterning using a photolithographic technique after the formation of a resist film.
レジスト膜形成後のフォトリソグラフィ技術等を利用したパターンニングを行った後に、エッチャントによって結晶１の露出部分の表面を微量にエッチング除去する。 - 特許庁 - In the patterning method for plating, the surface of a substrate is etched, irradiated with plasma using a pattern mask together, and then subjected to catalyst treatment and electroless plating.
基材表面をエッチングした後、パターンマスクを併用して該基材表面にプラズマ照射し、次いで、キャタリスト処理を行った後、無電解めっきを行うめっきのパターニング方法。 - 特許庁 - An STI element isolation layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a gate oxide film 3 and a conductive film 4 are formed (a), the resulting laminate is subjected to a patterning process to form a gate electrode 5.
半導体基板１上にＳＴＩ素子分離２を形成し、ゲート酸化膜３と導電膜４とを形成し（ａ）、これらをパターニングしてゲート電極５を形成する。 - 特許庁 - To form a minute pattern without replacement of exposure equipment without the need of a flattening step between the cell region and the peripheral circuit region for a patterning step.
パターニング工程のためにセル領域及び周辺回路領域間の平坦化工程を省略することができ、露光装備の交替なしに微細パターンを形成する。 - 特許庁 - The mask holding system includes a support device and a holding device, wherein the holding device releasably couples a mask, e.g. a patterning device such as a reticle having a pattern, to the support device.
マスク保持システムは、サポートデバイスおよび保持デバイスを含み、保持デバイスはマスク、例えば、パターンを有するレチクルなどのパターニングデバイスをサポートデバイスに取外し可能に結合する。 - 特許庁 - Thus, the rectilinear propagation property of the electron beam is not impaired, and the plotting accuracy for patterning the magneto-resistance effect film 42 by the electron beam lithography is improved.
これにより、電子ビームの直進性が損なわれなくなり、電子ビームリソグラフィによって磁気抵抗効果膜４２をパターニングするための描画精度を向上させることができる。 - 特許庁 - The patterning device MA provides a pattern in a cross section of a radiation beam to form a patterned radiation beam and comprises polarization sensitive features 44.
パターニングデバイスＭＡは、放射ビームの断面内にパターンを与えることができてパターニングされた放射ビームを形成し、また、偏光感応フィーチャ４４を備えている。 - 特許庁 - Next, after an organic semiconductor layer is formed over the gate insulating layer 3, an organic semiconductor pattern 4 is formed by patterning the organic semiconductor layer by laser ablation method.
続いて、ゲート絶縁層３の上に有機半導体層を形成したのち、レーザアブレーション法により有機半導体層をパターニングして有機半導体パターン４を形成する。 - 特許庁 - To provide a resist paste having high plasma resistance, even when dry etching is performed using fluorine plasma and no risk of causing a patterning failure by remaining after etching.
フッ素プラズマにてドライエッチングを行う場合でも耐プラズマ性が高く、エッチング後も残存してパターニング不良が発生する恐れがないレジスト用ペーストを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses reflected light from a foundation layer when patterning a photoresist film by exposure and reduce manufacturing cost.
露光によるフォトレジスト膜のパターニングに際し、下地層からの反射光を抑制することができ、かつ、製造コストが抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a system and method which measure a different interlayer overlay in a semiconductor manufacturing technology such as double patterning process and the like by the use of an imaged device pattern.
撮像されたデバイス・パターンを使用して、ダブル・パターニング・プロセス等の、半導体製造技術における異なる層間のオーバレイを測定するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁 - The TEOS oxide film 5 is processed to an intermediate pattern 5a of the first width D1 by patterning based on resist and a core material pattern 5b of the second width D2 is formed by slimming processing thereto.
レジストによるパターニングでＴＥＯＳ酸化膜５を第１幅Ｄ１の中間パターン５ａに加工し、スリミング処理をして第２幅Ｄ２の芯材パターン５ｂを形成する。 - 特許庁 - In either case, self-aligned double patterning processing may then be performed to produce product-like alignment marks with high contrast and wafer quality (WQ).
いずれの場合も、その後、自己整合ダブルパターニングプロセスを実行して、高いコントラスト及びウェーハ品質（ＷＱ）を有する製品様アライメントマークを生成することができる。 - 特許庁 - The simulate pattern is compared with a pre-OPC design layout obtained in a process 218 (process 220) to determine whether the manufactured mask demonstrates the desired patterning performance (process 222).
シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。 - 特許庁 - To provide a donor substrate for transfer allowing for a high precision fine patterning and a method of manufacturing a device such as an organic EL element using the donor substrate.
高精度な微細パターニングが可能である転写用ドナー基板、および、かかるドナー基板を用いて有機ＥＬ素子などのデバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wet etching system and a patterning method which can form a fine circuit pattern without causing a failure in the shape (while maintaining particularly the width of an upper part of circuit wiring).
形状不良なしに（特に、回路配線上部幅を維持しつつ）微細な回路パターンを形成し得るウエットエッチングシステム及びパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - At this time, the basic curing catalyst penetrates into the photocured film and the film is doped, whereby excellent heat curability is ensured in addition to excellent development patterning property.
この際、上記塩基性硬化触媒が光硬化した塗膜に浸透し、ドーピングされることにより、現像パターニング性に加えて熱硬化性にも優れたものとなる。 - 特許庁 - Thereafter, a second gate 23 is formed to ride on the first gate 12 by patterning the polysilicon film deposited to cover the first gate 12.
次いで、第１ゲート１２を覆うように堆積したポリシリコン膜をパターニングすることによって第１ゲート１２上に一部が乗り上げるように第２ゲート２３を形成する。 - 特許庁 - The method for patterning comprises the step of ejecting a chemical species or its precursor through at least one nozzle onto a base to provide a plurality of films formed of the above chemical species.
本発明は少なくとも１つのノズルから化学種又はその前駆体を吐出して前記化学種からなる複数の膜を配置するパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - A patterning of the upper layer resist 5 is carried out, and the interlayer 4 is etched in a treatment chamber 11 by using the upper layer resist 5 as a mask and by using a gas containing fluorine.
上層レジスト５がパターニングされ、その上層レジスト５をマスクとして、フッ素を含むガスを用いて処理チャンバー１１内で中間層４がエッチングされる。 - 特許庁 - After defining a distance between the contact holes adjacent to each other on the polysilicon resistance layer 4 as the lengths L1 and L2 of resistance elements, the patterning dimension of the polysilicon resistance layer 4 is set.
ポリシリコン抵抗層４上で隣り合うコンタクトホール間を抵抗素子の長さＬ１，Ｌ２と定義した上でポリシリコン抵抗層４のパターニング寸法を設定する。 - 特許庁 - To obtain an adhesive having high adhesion to a substrate and capable of exhibiting good patterning performances without causing problems such as deposition and a photosensitive resin composition using the adhesive.
基板との高い接着性を有し、析出等の問題が無く、良好なパターニング性能を発揮する接着剤、それを用いた感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a drawing apparatus for reducing dimensional errors even in the case of performing pattern formation for patterning a part leaving a resist, and to provide a drawing method using the apparatus.
レジストを残す部分をパターンとするパターン形成を行なう場合でも寸法誤差を低減させる描画装置と、その装置を用いた描画方法を提供。 - 特許庁 - Such protective walls 52, 54 are formed by increasing the thickness of the Al wiring in a necessary part and the bonding pad by lift off after normal Al wiring patterning.
このような保護壁５２，５４は、通常のＡｌ配線パターニングの後、リフトオフにより必要な部分のＡｌ配線およびボンディングパッドのＡｌ厚を増やすことにより形成される。 - 特許庁 - When the spacer member 8 is formed of poly-Si, it is not tapered reversely and etching residue is not generated at the time of patterning the control gate 7.
このように、スペーサ部材８をｐｏｌｙ−Ｓｉで形成すれば逆テーパ形状が発生せず、コントロールゲート７をパターニングする際にエッチング残りが発生しない。 - 特許庁 - In first patterning to form the scanning lines 11 and gate electrodes 13, the scanning lines 11 are previously provided with slits 12 in the intersection parts 7 with the signal lines 6.
走査線１１及びゲート電極１３を作成する第１のパターニングにおいて、走査線１１には信号線６との交差部７にスリット１２を設けておく。 - 特許庁 - In the panel, a substrate layer is applied with an acrylic sol composition to be subjected to patterning and hot molding, and then applied with a synthetic resin coating material to form a coating film.
基材層にアクリルゾル組成物を塗布、パターン付けして加熱成型し、次いでアクリル系樹脂エマルジョンを含有する合成樹脂塗材を塗布して塗膜を形成したパネル。 - 特許庁 - To provide a technique for sharpening the edge of a boundary section when patterning two adjacent regions on a substrate by switching strength.
基板上の隣接する２つの領域について、強度を切り換えてパターンニングする際に、境界部分のエッジを鋭利にするための技術を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Therefore, at least one redundant via of the redundant vias 5 can be formed with reduced influence of alignment deviation even when the alignment deviation occurs in the wiring 4 and the vias 5 in photoresist patterning.
従って、フォトレジストパターニング時に配線４とビア５に目ズレが発生した場合でも、少なくとも冗長ビア５の一つは目ズレの影響が少なく形成できる。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for manufacturing an organic EL element which can easily carry out patterning of an organic function layer as well as obtaining uniformity in the film thickness.
有機機能層を簡易にパターン形成できると共に、その膜厚の均一性を実現できる有機ＥＬ素子の製造方法および装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Further, by patterning the guide groove 5 and the optical waveguide 6 with the same process, the core adjusting between the optical fiber F and the optical waveguide 6 becomes easy, and is performed precisely.
また、ガイド溝と光導波路とを同じ工程でパターニングすることで光ファイバと光導波路との調芯を容易に、かつ精度良く行うことができる。 - 特許庁 - A lower layer 12, an intermediate layer 13, and an upper-layer resist 14 are formed in sequence on an underlayer material 11; and an upper resist pattern 14a is formed by patterning the upper-layer resist 14.
下地材１１の上に下層１２、中間層１３、および上層レジスト１４を順次に設け、上層レジストをパターニングして、上層レジストパターン１４ａを形成する。 - 特許庁 - After a patterning is made by coating a silver paste to become display electrodes 13, 14 on a substrate 11, a glass paste to become a dielectric layer 15 is coated and a firing is made at the same time.
基板１１上に表示電極１３，１４となる銀ペーストをパターニングして塗布した後、誘電体層１５となるガラスペーストを塗布し、同時に焼成する。 - 特許庁
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