「Patterning」を含む例文一覧(3921)

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  • The method for patterning comprises the step of ejecting a chemical species or its precursor through at least one nozzle onto a base to provide a plurality of films formed of the above chemical species.
    本発明は少なくとも1つのノズルから化学種又はその前駆体を吐出して前記化学種からなる複数の膜を配置するパターニング方法を提供する。 - 特許庁
  • The forgery preventing medium includes a patterning optically anisotropic layer formed by discharging an ink composition containing a liquid crystal compound to an alignment layer by an inkjet method.
    液晶化合物を含有するインク組成物をインクジェット法により配向層上に吐出して形成したパターニング光学異方性層を有する偽造防止媒体。 - 特許庁
  • The porous conductive materials are connected on the metal support body and are adopted selective patterning in the pore to form the cell element part and the solid oxide fuel cell is obtained.
    金属支持体上に多孔質導電材を接合し、細孔内に選択的にパターニングして電池要素部を形成し、固体酸化物形燃料電池を得る。 - 特許庁
  • To provide a method and device for appropriately evaluating the deviation and overlapped region between first and second patterns formed by double patterning.
    本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第1パターンと第2パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法,装置の提供にある。 - 特許庁
  • To provide a chemically amplified resist material capable of suppressing pattern defects of a chemically amplified resist film caused by base species from outside, and to provide a patterning method using the same.
    外部からの塩基種に起因する化学増幅レジスト膜のパターン欠陥を抑制できる化学増幅レジスト材料と、それを用いたパターニング方法を提供すること。 - 特許庁
  • The mask for conductive film patterning is a mask for forming pattern on a substrate, and the corners of the mask are rounded to 0.01-0.1 mm R.
    基板にパターンを形成するためのマスクであって、該マスクの角の部分にR=0.01〜0.1mmの円味をもたせたことを特徴とする導電膜パターン化用マスク。 - 特許庁
  • To provide a precursor composition for resists having excellent liquid film-formation ability and pattern formation ability suitable for photo-nanoinprint and a method for micro-patterning using the composition.
    光ナノインプリントに適した液膜形成能、およびパターン形成能のすぐれたレジスト前駆体組成物ならびにこれを用いた微細なパターンの形成法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and an apparatus for manufacturing an organic EL element which can easily carry out patterning of an organic function layer as well as obtaining uniformity in the film thickness.
    有機機能層を簡易にパターン形成できると共に、その膜厚の均一性を実現できる有機EL素子の製造方法および装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • Thereafter, a second gate 23 is formed to ride on the first gate 12 by patterning the polysilicon film deposited to cover the first gate 12.
    次いで、第1ゲート12を覆うように堆積したポリシリコン膜をパターニングすることによって第1ゲート12上に一部が乗り上げるように第2ゲート23を形成する。 - 特許庁
  • Then, after patterning the conductive layer 8, a TiO_2 film 8a is formed on a surface of the conductive layer 8, and the conductive layer 8 is formed into a passive state to XeF_2 gas.
    続いて、導電層8をパターンニングした後、導電層8の表面にTiO_2膜8aを形成し、導電層8をXeF_2ガスに対して不動態化させる。 - 特許庁
  • Therefore, at least one redundant via of the redundant vias 5 can be formed with reduced influence of alignment deviation even when the alignment deviation occurs in the wiring 4 and the vias 5 in photoresist patterning.
    従って、フォトレジストパターニング時に配線4とビア5に目ズレが発生した場合でも、少なくとも冗長ビア5の一つは目ズレの影響が少なく形成できる。 - 特許庁
  • An STI element isolation layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a gate oxide film 3 and a conductive film 4 are formed (a), the resulting laminate is subjected to a patterning process to form a gate electrode 5.
    半導体基板1上にSTI素子分離2を形成し、ゲート酸化膜3と導電膜4とを形成し(a)、これらをパターニングしてゲート電極5を形成する。 - 特許庁
  • To form a minute pattern without replacement of exposure equipment without the need of a flattening step between the cell region and the peripheral circuit region for a patterning step.
    パターニング工程のためにセル領域及び周辺回路領域間の平坦化工程を省略することができ、露光装備の交替なしに微細パターンを形成する。 - 特許庁
  • To provide a liquid crystal display device with improved display quality in which patterning failure in the pixel electrode formed in the outermost peripheral pixel part of the display region can be eliminated.
    表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide a high-speed patterning method using electron beam lithography that reduces time for forming a total pattern including a ultra-fine circuit pattern with a high dimensional accuracy.
    高寸法精度で超微細な回路パターンを含んだトータルパターンの形成時間を短縮させる電子線描画を利用したパターンの高速加工方法を提供する。 - 特許庁
  • In the patterning method for plating, the surface of a substrate is etched, irradiated with plasma using a pattern mask together, and then subjected to catalyst treatment and electroless plating.
    基材表面をエッチングした後、パターンマスクを併用して該基材表面にプラズマ照射し、次いで、キャタリスト処理を行った後、無電解めっきを行うめっきのパターニング方法。 - 特許庁
  • Thereby, etching speed of the ZnO-based transparent electrode can be made slow and improvement in controllability at the time of patterning can be achieved.
    本発明によれば、ZnO系透明電極のエッチング速度を遅くすることが可能になり、それによりパターニングの際の制御性の向上が図れるという効果がある。 - 特許庁
  • Having multiple magnifications in the object plane allows for patterning of both large and small features on an image plane, which can include the substrate therein.
    物体平面において複数の倍率をもつことから、基板に含まれる大きいフィーチャも小さいフィーチャもともに1つの像平面上にパターニングすることができる。 - 特許庁
  • The mask holding system includes a support device and a holding device, wherein the holding device releasably couples a mask, e.g. a patterning device such as a reticle having a pattern, to the support device.
    マスク保持システムは、サポートデバイスおよび保持デバイスを含み、保持デバイスはマスク、例えば、パターンを有するレチクルなどのパターニングデバイスをサポートデバイスに取外し可能に結合する。 - 特許庁
  • Thus, the rectilinear propagation property of the electron beam is not impaired, and the plotting accuracy for patterning the magneto-resistance effect film 42 by the electron beam lithography is improved.
    これにより、電子ビームの直進性が損なわれなくなり、電子ビームリソグラフィによって磁気抵抗効果膜42をパターニングするための描画精度を向上させることができる。 - 特許庁
  • The patterning device MA provides a pattern in a cross section of a radiation beam to form a patterned radiation beam and comprises polarization sensitive features 44.
    パターニングデバイスMAは、放射ビームの断面内にパターンを与えることができてパターニングされた放射ビームを形成し、また、偏光感応フィーチャ44を備えている。 - 特許庁
  • The surface of the exposed section of a crystal 1 is removed by an etching in a trace quantity by an etchant after a patterning using a photolithographic technique after the formation of a resist film.
    レジスト膜形成後のフォトリソグラフィ技術等を利用したパターンニングを行った後に、エッチャントによって結晶1の露出部分の表面を微量にエッチング除去する。 - 特許庁
  • As a result, there is no need to conduct masking which avoids the exposed region of the high heavily-doped layer 30a, when patterning in a device forming process is performed.
    この結果、デバイス作製工程のパターン付けをする際は、この従来の高濃度不純物層30aの露出した領域を避けてマスキングする必要がない。 - 特許庁
  • In a semiconductor substrate wherein a stopper layer and a sacrifice layer are laminated, the surface of the sacrifice layer is oxidized to overlap a resist to the oxidized surface of the sacrifice layer, and patterning is performed.
    ストッパ層と犠牲層を積層した半導体基板において、犠牲層表面を酸化させてレジストを酸化した犠牲層表面までオーバーラップさせてパターニングを行う。 - 特許庁
  • The lithographic apparatus further includes a vibration measuring device configured to measure a relative vibration between the patterning device and the substrate during exposure onto the target portion.
    リソグラフィ装置はさらに、目標部分の露光の間にパターニングデバイスと基板との間の相対的振動を測定するよう構成された振動測定装置を備える。 - 特許庁
  • A patterning of the upper layer resist 5 is carried out, and the interlayer 4 is etched in a treatment chamber 11 by using the upper layer resist 5 as a mask and by using a gas containing fluorine.
    上層レジスト5がパターニングされ、その上層レジスト5をマスクとして、フッ素を含むガスを用いて処理チャンバー11内で中間層4がエッチングされる。 - 特許庁
  • After defining a distance between the contact holes adjacent to each other on the polysilicon resistance layer 4 as the lengths L1 and L2 of resistance elements, the patterning dimension of the polysilicon resistance layer 4 is set.
    ポリシリコン抵抗層4上で隣り合うコンタクトホール間を抵抗素子の長さL1,L2と定義した上でポリシリコン抵抗層4のパターニング寸法を設定する。 - 特許庁
  • Further, by patterning the guide groove 5 and the optical waveguide 6 with the same process, the core adjusting between the optical fiber F and the optical waveguide 6 becomes easy, and is performed precisely.
    また、ガイド溝と光導波路とを同じ工程でパターニングすることで光ファイバと光導波路との調芯を容易に、かつ精度良く行うことができる。 - 特許庁
  • By patterning the beam of projection radiation so that one region receives more radiation than the other region, the radiation sensor DS is given polarization selectivity.
    一方の領域がもう一方の領域より多く放射を受けるように、投射放射ビームをパターン化することによって、放射センサDSは偏光選択性が与えられる。 - 特許庁
  • The method further includes forming of a resist pattern 8 on a hard mask 6, patterning of the hard mask 6 and the low permittivity film 4 with the resist pattern 8 as a mask, and forming of an opening 10.
    ハードマスク6上にレジストパターン8を形成し、このレジストパターン8をマスクとしてハードマスク6と低誘電率膜4をパターニングし、開口10を形成する。 - 特許庁
  • When the spacer member 8 is formed of poly-Si, it is not tapered reversely and etching residue is not generated at the time of patterning the control gate 7.
    このように、スペーサ部材8をpoly−Siで形成すれば逆テーパ形状が発生せず、コントロールゲート7をパターニングする際にエッチング残りが発生しない。 - 特許庁
  • In first patterning to form the scanning lines 11 and gate electrodes 13, the scanning lines 11 are previously provided with slits 12 in the intersection parts 7 with the signal lines 6.
    走査線11及びゲート電極13を作成する第1のパターニングにおいて、走査線11には信号線6との交差部7にスリット12を設けておく。 - 特許庁
  • In the panel, a substrate layer is applied with an acrylic sol composition to be subjected to patterning and hot molding, and then applied with a synthetic resin coating material to form a coating film.
    基材層にアクリルゾル組成物を塗布、パターン付けして加熱成型し、次いでアクリル系樹脂エマルジョンを含有する合成樹脂塗材を塗布して塗膜を形成したパネル。 - 特許庁
  • To provide a technique for sharpening the edge of a boundary section when patterning two adjacent regions on a substrate by switching strength.
    基板上の隣接する2つの領域について、強度を切り換えてパターンニングする際に、境界部分のエッジを鋭利にするための技術を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A lower layer 12, an intermediate layer 13, and an upper-layer resist 14 are formed in sequence on an underlayer material 11; and an upper resist pattern 14a is formed by patterning the upper-layer resist 14.
    下地材11の上に下層12、中間層13、および上層レジスト14を順次に設け、上層レジストをパターニングして、上層レジストパターン14aを形成する。 - 特許庁
  • After a patterning is made by coating a silver paste to become display electrodes 13, 14 on a substrate 11, a glass paste to become a dielectric layer 15 is coated and a firing is made at the same time.
    基板11上に表示電極13,14となる銀ペーストをパターニングして塗布した後、誘電体層15となるガラスペーストを塗布し、同時に焼成する。 - 特許庁
  • To obtain an adhesive having high adhesion to a substrate and capable of exhibiting good patterning performances without causing problems such as deposition and a photosensitive resin composition using the adhesive.
    基板との高い接着性を有し、析出等の問題が無く、良好なパターニング性能を発揮する接着剤、それを用いた感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a drawing apparatus for reducing dimensional errors even in the case of performing pattern formation for patterning a part leaving a resist, and to provide a drawing method using the apparatus.
    レジストを残す部分をパターンとするパターン形成を行なう場合でも寸法誤差を低減させる描画装置と、その装置を用いた描画方法を提供。 - 特許庁
  • Such protective walls 52, 54 are formed by increasing the thickness of the Al wiring in a necessary part and the bonding pad by lift off after normal Al wiring patterning.
    このような保護壁52,54は、通常のAl配線パターニングの後、リフトオフにより必要な部分のAl配線およびボンディングパッドのAl厚を増やすことにより形成される。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device for preventing an etching damage to the other region while patterning precision and high speed are maintained, and to provide the semiconductor device.
    パターニング精度、高速性を維持しつつ他の領域へのエッチングダメージを防止する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供を提供する。 - 特許庁
  • To prevent high frequency characteristics from deteriorating by decreasing the gap between a device and a substrate and to increase the degree of freedom in the surface mounting density and patterning of a surface layer through a multilayer structure.
    デバイスと基板間のギャップを少なくし高周波特性の劣化を防ぐと共に、多層構造により表層の実装密度及びパターン製作の自由度を上げる。 - 特許庁
  • The bank B is formed, by forming a thin film B0 of a bank-forming material on the substrate P, subjecting the surface to liquid repellent treatment, and then patterning the thin film.
    バンクBは、基板P上にバンクの形成材料からなる薄膜B0を形成し、その表面に撥液処理を施した後、パターニングすることにより形成する。 - 特許庁
  • To provide a substrate for optical waveguides which can perform high resolution core patterning, and to provide a manufacturing method of an optical waveguide using the substrate for an optical waveguide.
    高解像度のコアパターニングを行うことができる光導波路用基材、及びその光導波路用基材を用いた光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a radiation-sensitive composition capable of forming a resist film having a refractive index of ≥1.72 at a wavelength of 193 nm and capable of patterning.
    波長193nmにおける屈折率が1.72以上であり、かつ、パターンニング可能なレジスト膜を形成することが可能な感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an EL element of which patterning of an organic El layer is easy and influence of a photo-catalyst is small.
    本発明は、有機EL層のパターニングが容易であり、かつ、光触媒の影響の少ないEL素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
  • Energy may be applied to the patterning device (for example, by thermal input or mechanical actuators) to modify a distribution of the local positional deviations and improve correction.
    パターニングデバイスにエネルギーを印加して(例えば、熱の投入又は機械的なアクチュエータによって)局所的位置偏差の分布を修正して補正を改善することができる。 - 特許庁
  • Alternatively, the backsides of the patterning arrays are polished to optical flatness and are bonded to an optically flat surface of a rigid mounting body through crystal bonding.
    代替的に、パターン形成アレーの背面が光学的に平坦に研磨され、剛性装架体の光学的に平坦な表面に結晶接合によって接合される。 - 特許庁
  • An imaging device generates an image corresponding to the detected second filtered component, and the image indicates an approximate location of a particle on the surface of the patterning device.
    結像デバイスは、検出された第2のフィルタリングされた成分に対応する像を生成し、この像はパターニングデバイスの表面上のパーティクルのおおよその位置を示す。 - 特許庁
  • To provide a structure capable of forming a junction FET having a low on-voltage without using an alignment of an ultra-high accuracy or without requiring a fine electrode patterning.
    超高精度のアライメントを用いることなく、あるいは微細な電極パターニングを要することなく、オン電圧の低い接合FETを形成できる構造を提案する。 - 特許庁
  • To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.
    密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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