「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 78 79 次へ＞- Then, the conductive paste 12 is applied to a modified region 20 of the substrate surface 10a where the surface treatment is applied along the pattern forming elements 14 of the patterning member 16.
次に、基板表面１０ａの表面処理を施した改質領域２０に、パターニング部材１６のパターン形成要素１４に沿って、導電性ペースト１２を付与する。 - 特許庁 - The method of producing the container with the grip is carried out by patterning an outer peripheral surface of the main body 1, and integrally connecting the grip 2 to the main body 1 by double molding.
また、この把手付き容器の製造方法は、外周面に模様を付した本体１に、二重成形により、把手２を一体に取り付けることとしている。 - 特許庁 - To provide a patterning method of high production efficiency in high precision of an organic semiconductor layer or a thin film such as a conductive film, and to provide an organic TFT of high performance of high mobility and a method of manufacturing the organic TFT of high production efficiency in high precision.
本発明の目的は、有機半導体層、または導電膜等薄膜の高精度で生産効率の高いパターニング方法を提供することにある。 - 特許庁 - Since the magnetic force of the mask 10 does not work on the patterning-opening region 31 of the mask 30, a light-emitting unevenness can be prevented from occurring on the light-emitting layer by the magnetic force.
マスク３０のパターニング開口領域３１にはマスク１０の磁力が作用しないため、磁力によって発光層に発光ムラが発生するのを防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a color filter which hardly has peripheral gap unevenness at a low cost without patterning a transparent conductive film and a protection layer by making the contact strength of a seal part large.
シール部の密着強度を強くすることにより、透明導電膜や保護層をパターニングすることなく、周辺ギャップムラが発生しにくいカラーフィルターを安価に提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a thin film by a CVD method which makes a large-scale evacuation device or a neutralization device unnecessary and which does not required a patterning process after forming a thin film.
大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要であり、薄膜形成後のパターニング工程が不要な、ＣＶＤ法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a screen mask for vapor deposition, capable of meeting the recent demand for high definition patterning and contributing to cost reduction, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic EL(electroluminescent) device.
高精細なパターニングに対応可能で、コスト低減に寄与することができる蒸着用スクリーンマスク、蒸着方法及び有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To speed up the quality test of the magnetic body patterning and stabilize the servo operation when a magnetic recording medium is loaded in a magnetic recorder.
磁性体のパターニングの品質検査を高速化するとともに、磁気記録媒体を磁気記録装置に搭載した際のサーボ動作を安定化させることを課題とする。 - 特許庁 - To reduce damage to a color filter due to heating during vapor deposition of or sputtering of transparent conductive film and damage at patterning time, by improving the heat resistance and the chemical resistance of a color filter or the like.
カラーフィルタ等の耐熱性や耐薬品性を向上させ、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージを低減すること。 - 特許庁 - To provide a transfer print patterning method capable of simply and accurately forming a print pattern such as a thin-film electrical circuit and the like on a large area substrate.
大面積の基板上に高精度で薄膜電気回路等の印刷パターンを簡便に形成することができる転写式印刷パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Then, a protection film 31 is formed to cover at least the side face of the mask pattern 38, and the patterning of the functional films 28 and 29 is carried out by wet etching by using the mask pattern 38.
そして、マスクパターン３８の少なくとも側面を覆う保護膜３１を形成し、マスクパターン３８を用いて、機能膜２８，２９をウエットエッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method capable of patterning a color conversion film at low cost without the need to change a structure of a production device when a new fluorescence material is used.
新規の蛍光材料の使用に際して、生産装置の構成変更を行う必要がなく、低コストで色変換膜のパターニングが行える方法を提案することにある。 - 特許庁 - To provide: a polymer for a resist suitable for dry exposure, immersion exposure, and double patterning; a resist material including the same; and a pattern formation method using the resist material.
ドライ露光、液浸露光、ダブルパターンニングに適するレジスト用重合体、それを含むレジスト材料、ならびにそのレジスト材料を用いるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes a stage S100 where, on and after the patterning of copper foil, the front face 40 and side face 50 of each copper foil mesh 80 are subjected to coating treatment with an electrically conductive substance 60.
銅箔のパターン化以後、銅箔メッシュ８０の前面４０及び側面５０を導電性物質６０によってコーテイング処理する段階Ｓ１００を含む。 - 特許庁 - A first portion of the line assembly is extended between a base and the additional support, and a second portion is extended between the additional support and the patterning support or the substrate support.
線アセンブリの第一部分はベースと追加のサポートとの間に延在し、第二部分は追加のサポートとパターニングサポートまたは基板サポートとの間に延在する。 - 特許庁 - The interval between color filter materials is set so as to eliminate any gap after fusion when patterning by considering the amount of fusion at thermal process and the characteristics of color filter material.
パターンニング時に、カラーフィルタ材料間の間隔は、カラーフィルタ材料の特性や熱処理時の溶融量を考慮して、溶融後に隙間がなくなるような間隔に設定する。 - 特許庁 - To provide an optoelectronic device with which the number of patterning processes can be suppressed and the reduction of electric power consumption is made possible, a driving method for the optoelectronic device, and electronic equipment.
パターニングの工程数を抑制するとともに、低消費電力化を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - To reduce damage during patterning of a magneto-resistance effect sensor film, and failures caused by current leakage between upper and lower shields in a magneto-resistance effect type head of a CPP structure.
CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果センサ膜のパターニングの際のダメージや、上下のシールド間の電流のリークなどによる不良を低減する。 - 特許庁 - Polarization is used for patterning the second structural part on the second layer, and the polarization has the same polarization direction as the first orientation direction.
上記第２層上に上記第２構造部をパターニングするために偏光が使用され、上記偏光は、上記第１配向方向と同じ偏光方向を有している。 - 特許庁 - To provide a method for patterning thin film by which the degree of freedom of etchant selection can be improved and a thin film can be etched evenly over a large area.
本発明では、エッチングにおける液の選定の自由度が高く、大面積にわたり均一にエッチングできる薄膜のパターン形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - Since the TiN local wiring is formed by patterning after the local wiring is flattened by CMP via the contact holes 9 and 10, the occurrence of steps due to the base can be eliminated.
ＴｉＮの局所配線がコンタクトを介してＣＭＰにより平坦化した後にパターニングして形成されるため、下地の影響による段切れを無くすことができる。 - 特許庁 - To provide an ink composition for reverse printing which allows for printing with uniform thickness and high definition patterning, and to provide a printing method and a manufacturing method of a display device.
均一な膜厚かつ高精細なパターニングで印刷を行うことができる反転印刷用インキ組成物，印刷方法および表示装置の製造方法を提供する - 特許庁 - After a gate electrode forming film and a gate electrode cover film are formed on a semiconductor substrate, the gate electrode is formed by etching the gate electrode forming film by anisotropic etching and by using a gate electrode cover formed by patterning the gate electrode cover film as a mask.
さらに、ゲート電極の細小化にともなってＬＤＤ構造のサイドウォール厚みを可変とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulating layer 60 is formed and a 2nd patterning process is performed to define a source/drain contact hole 66, a data line contact hole 68, and a terminal contact hole 65.
層間絶縁層６０が形成され、第２パターン化プロセスが実行されてソース／ドレインコンタクトホール６６、データ線コンタクトホール６８、及びターミナルコンタクトホール６５が画定される。 - 特許庁 - To prevent a previously formed resist pattern from being dissolved in a solvent of a resist material applied thereon without complicating a processing step in double patterning.
ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。 - 特許庁 - To provide a sandblasting device to make patterning of a barrier of a plasma display panel whereby its base board is prevented from being ill influenced in the quality by the static electricity generated during the sandblasting process.
プラズマディスプレイパネルの障壁をサンドブラスト法によりパターニングするに際し、サンドブラスト加工時に生じる静電気により基板品質に悪影響を与えないようにする。 - 特許庁 - To provide an SMC-molded product having high strength as well as the inexpensive SMC-molded product by including a patterning material only on the surface layer.
強度の高いＳＭＣ成形品を提供することを目的とともに、模様材を表層のみ含有させることで安価なＳＭＣ成形品を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To achieve both the suppression of scum generation in an opening of a positive photosensitive resin composition and improvement of sensitivity in exposure, in a process of patterning the positive photosensitive resin composition.
ポジ型感光性樹脂組成物パターニング工程において、ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカム発生の抑制と感度を両立することにある。 - 特許庁 - Patterning is carried out (Fig. 2(a)) so that a processed end 102a of the second gate insulating film 102 partly overlaps with a processed end 101a of the first gate insulating film 101.
第２のゲート絶縁膜１０２の被加工端部１０２ａが第１のゲート絶縁膜１０１の被加工端部１０１ａと一部重畳するようにパターニングする（図２（ａ））。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is used as a second resist composition in the formation of a resist pattern through double patterning, and to provide a method of forming a resist pattern.
ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、第二のレジスト組成物として用いることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR DRIVING MOVABLE BODY, PATTERNING METHOD AND DEVICE, EXPOSURE METHOD AND DEVICE, POSITION CONTROL METHOD AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE
移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、位置制御方法及び位置制御システム、並びにデバイス製造方法 - 特許庁 - To simplify a fabricating process by performing a patterning process without using a photolithography process, and to form a thin film pattern at a home position by improving the accuracy of alignment.
ホト工程を使用しないでパターニング工程を遂行し製造工程を単純化すると共にアラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させる。 - 特許庁 - The mask 15 for patterning has annular contact legs 16a, 16b which project at one side of side face in bending shape along peripheral edge part of pattern holes 15a, 15b.
パターニング用マスク１５はパターン孔１５ａ、１５ｂの周縁エッジ部に沿って一側面側に折曲形状に突出する環状の当接脚部１６ａ、１６ｂを備える。 - 特許庁 - To provide a template with which a protrusion pattern of large area can be formed efficiently by NIL with high precision, and to provide a manufacturing method, a patterning method and a processing method.
ＮＩＬにより効率良く且つ精度の良く大面積の凸部パターンの形成を可能とするテンプレートおよび製造方法、パターン形成方法、加工方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the dishing regions are so not etched in the case of the etching performed in order to form the second electrodes 3b as to be able to perform the highly accurate patterning of the solid-state imaging element.
これにより、第２の電極３ｂを形成するためのエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。 - 特許庁 - Thus, a special stage for exposing the target pattern 12 is eliminated and the target pattern 12 is used as the standard for the patterning of the external layer material 20.
このようにして，ターゲットパターン１２を露出させるための特段の工程なくして，ターゲットパターン１２が外層材２０のパターン加工のための基準として用いられる。 - 特許庁 - The patterning substrate comprises a base and a cell culturing and patterning layer that is formed on the base and essentially comprises a photocatalyst and a cell-adhesive material adhesive to cells and subject to decomposition or modification by the action of the photocatalyst accompanying energy irradiation.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、少なくとも光触媒および、細胞と接着性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着材料を含有する細胞培養パターニング用層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - A material having resistance against alkali is adopted for the active layer, a material having properties dissolved to alkali is adopted for the source/drain electrodes, and etching is made by alkali etchant when patterning the source/drain electrodes, thus patterning the source/drain electrodes on an upper layer by etching without damaging the lower-layer active layer.
活性層にアルカリ耐性を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極にアルカリに溶解する性質を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極のパターニングの際に、アルカリ性のエッチャントを用いてエッチングをすることで、下層の活性層にダメージを与えること無く上層のソース／ドレイン電極をエッチングによりパターニングすることが可能になる。 - 特許庁 - The lithographic unit includes an illuminating system that controls a radiation beam, a patterning support that retains a patterning device for patternizing the radiation beam, a substrate support that retains a substrate, a projection system that projects the radiation beam with a pattern, an additional support, and a flexible line assembly that transmits at least any one of current, signal, and fluid.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームをパターン化するパターニングデバイスを保持するパターニングサポートと、基板を保持する基板サポートと、パターン付き放射ビームを基板に投影する投影システムと、追加のサポートと、電流、信号および流体のうちの少なくとも１つを伝達する可撓性の線アセンブリとを含む。 - 特許庁 - The magnetoresistance effect element 10 is manufactured by the method including a ferromagnetic layer formation process for forming a layer made of a ferromagnetic material on a substrate 14, and a patterning process for patterning the formed layer to set the maximum length of the nano-junction 12 for connecting the ferromagnetic layers 11, 13 to the Fermi length or smaller of the ferromagnetic material.
こうした磁気抵抗効果素子１０は、基板１４上に強磁性材料からなる層を形成する強磁性層形成工程と、形成された層をパターニングして、前記２つの強磁性層１１，１３を連結するナノ接合部１２の最大長さを前記強磁性材料のフェルミ長以下にするパターニング工程とを有する方法により製造される。 - 特許庁 - To provide a pressure-sensitive adhesive sheet to be pasted on the surface of a semiconductor wafer having a patterning thereon to protect the patterning in a process for processing the semiconductor wafer that causes neither "warpage" nor "cracks" of the wafer when exposed to a high temperature even when the wafer having the pressure-sensitive adhesive sheet pasted thereon is ground very thin.
パターニングを施した半導体ウェハを加工する工程において、半導体ウェハ表面に貼り合わせることによりパターニングを保護することができる粘着シートであって、粘着シートを貼着したウェハを極薄研削しても、高温下に曝した場合にウェハに「反り」や「割れ」が発生することがない粘着シートを提供する。 - 特許庁 - This method is characterize in comprising a step of including a magnetic sensitive layer with a magnetization in plane, forming a current perpendicular to plane type magneto resistive effect film 4 which perpendicularly runs the sense current to a film plane and carrying out patterning into a component configuration, and a step of forming a magnetic yoke 12 which covers the magneto resistive effect film 4 carried out patterning into the component configuration.
膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の磁気抵抗効果膜４を形成し、素子形状にパターニングする工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜４を覆う磁気ヨーク１２を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes a preparing process 14 of preparing a silicon wafer, a patterning process 16 of patterning the wafer with a blocking agent in selected regions where deposition of ZnO is to be inhibited, a depositing process 20 of depositing a layer of ZnO on the wafer by ALD, and a removing process 24 of removing the blocking agent from the wafer.
上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程１４と、ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程１６と、ＡＬＤにより該ウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程２０と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程２４とを含む。 - 特許庁 - The masking device comprises a first masking means for covering the part of the patterning means in a first direction and a second masking means for covering the part of the patterning means in a second different direction, and the first and second masking means are not mutually mechanically connected and arranged near the focal surface.
マスキング・デバイスは、第１の方向において上記パターン化手段の上記一部を覆い隠すための第１のマスキング手段及び第２の異なる方向において上記一部を覆い隠すための第２のマスキング手段を含み、上記第１及び第２のマスキング手段は互いに関して機械的に結合されない構成で上記焦点面の近傍に配置される。 - 特許庁 - A molding material is obtained by adding a reinforcing fiber to a resin composition containing a thermoplastic resin, a low shrinkage agent, a patterning material having an average diameter of 0.01 to 10 mm, an inorganic filler and the like, wherein the patterning material is uniformly mixed in the molding material and not less than 5% of the reinforcing fiber remains as a strand.
熱硬化性樹脂、低収縮化剤、平均径が０．０１〜１０ｍｍの範囲にある柄材、及び無機充填材等を含む樹脂組成物に繊維強化材を加えて得られる成形材料であって、柄材が成形材料内部にまで均一に分散し、添加した繊維強化材の５％以上がストランドで残存している成形材料。 - 特許庁 - This manufacturing method of the semiconductor device comprises (a) a step of forming the rare metal layer on a semiconductor substrate provided with the semiconductor device, (b) a step of forming a TaO film on the rare metal layer, (c) a step of patterning the TaO film using a resist pattern, and (d) a step of patterning rare metal layer using the patterned TaO film.
半導体装置の製造方法は、（ア）半導体素子を形成した半導体基板上にレアメタル層を形成する工程と、（イ）前記レアメタル層上にＴａＯ膜を形成する工程と、（ウ）前記ＴａＯ膜をレジストパターンを用いてパターニングする工程と、（エ）前記パターニングされたＴａＯ膜を用いて前記レアメタル層をパターニングする工程とを含む。 - 特許庁 - The first electrode 25g of the unit element Ug with a different resonant wavelength from the unit element Ur includes a first conductive part 271 formed by patterning of the conductive film L1 and blocking the contact hole H, and a second layer 262 formed by patterning of the conductive film L2 filmed after forming of the conductive film L1 and overlapping with the light reflecting layer 21.
共振波長が単位素子Ｕrとは相違する単位素子Ｕgの第１電極２５gは、導電膜Ｌ1のパターニングによって形成されてコンタクトホールＨを塞ぐ第１導通部２７１と、導電膜Ｌ1の形成後に成膜された導電膜Ｌ2のパターニングによって形成されて光反射層２１と重なり合う第２層２６２とを含む。 - 特許庁 - To provide a method for optimizing the parts patterning position in a laminated die in which the area of an iron plate required in patterning the parts is reduced by reducing the distance between the parts as much as possible without breaking the relative positional relationship between the parts, and the yield is improved while maintaining the plainness of the assembling position of each parts in the assembling work.
各パーツの相対的な位置関係を崩すことなしに各パーツの距離を可能な限り近づけることにより、パーツの型取りに必要な鉄板の面積を縮小し、組み付け作業時の各パーツの組み付け位置の分かり安さを維持しながら歩留り率を向上せしめた、積層金型におけるパーツの型取り位置最適化法を提供する。 - 特許庁 - The lithography apparatus has a lighting system that provides a radiation beam, a support structure for supporting a product patterning device that adds a product pattern indicating a feature of a product device to a profile of the radiation beam from the lighting system, and a measuring-target patterning device that adds a measuring target pattern indicating a measuring target to the profile of the radiation beam.
放射線ビームを提供する照明システムと、照明システムからの放射線ビームの断面に製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンを付与する製品パターン化デバイスを支持する支持構造と、放射線ビームの断面に、計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンを付与する計測ターゲット・パターン化デバイスとを有するリソグラフィ装置が提供される。 - 特許庁 - The manufacturing method of the optical waveguide comprising a core and upper and lower clads between which the core is held comprises: a patterning process of performing the patterning of the core shapes by irradiating the surface of core material stacked on the lower part clad material with laser beams; and a development process of developing the core material on which the core shapes are patterned.
コアと、コアを挟持する上下クラッドとを含む光導波路の製造方法であって、下部クラッド材料上に積層されたコア材料表面に対し、直接レーザー光を照射することによりコア形状のパターニングを行うパターニング工程と、コア形状がパターニングされたコア材料を現像する現像工程と、を含むものとすることができる。 - 特許庁
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