「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 78 79 次へ＞- The method also includes developing design and/or guidelines for splitting a pattern to be processed using the multiple patterning lithographic process based on the evaluation.
方法は、前記評価に基づいて多重パターニングリソグラフプロセスを用いて処理すべきパターンを分割するための設計及び／又は分割指針を導出することを含む。 - 特許庁 - LITHOGRAPHY APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DEVICE MANUFACTURED BY THE APPARATUS, AND CONTROLLABLE PATTERNING APPARATUS USING SPATIAL LIGHT MODULATOR BY DISTRIBUTED DIGITAL-TO-ANALOG CONVERSION
リソグラフィ装置、デバイス製造装置、これによって製造されるデバイスおよび分散型デジタル・アナログ変換による空間光変調器を用いる制御可能なパターニング装置 - 特許庁 - To provide an active ray-curing polyimide resin composition having heat resistance, capable of patterning with an aqueous dilution alkaline solution and soluble in organic solvents.
耐熱性を有し、希アルカリ水溶液でのパターニングが可能で、しかも、有機溶剤に可溶な活性エネルギー線硬化型ポリイミド樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing precise patterning with improved reproducibility even if a transparent substrate is used, and to provide the semiconductor device.
透明基板を用いた場合においても、高精度且つ再現性高いパターニングを行なうことが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A bus electrode is formed by joining and patterning a metallic foil on the substrate, and a transparent electrode is formed on the substrate so as to cover the bus electrode.
本発明方法は基板上に金属箔を接合してパタニングしてバス電極を形成し、そのバス電極を覆うように基板上に透明電極を形成する。 - 特許庁 - The resist pattern can be formed by any one of a method of patterning while providing a photosensitive resist layer and a method of screen printing the non-photosensitive paste for resist.
レジストパターンは、感光性レジスト層を設けてパターニングを行う方法と非感光性のレジスト用ペーストをスクリーン印刷する方法のいずれも用いることができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer circuit board that enhances the adhesion strength between wiring and an insulating resin film while avoiding a defect in patterning accompanying microfabrication.
微細化に伴うパターニング不良を回避しながら、配線と絶縁樹脂膜との間の密着強度を高めることができる多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing photomask blanks providing a favorable mask pattern accuracy and pattern transfer accuracy by having a favorable flatness in patterning a light-shielding film.
遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - SILSESQUIOXANE-BASED COMPOUND MIXTURE, HYDROLYZABLE SILANE COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND RESIST COMPOSITION USING THE SAME AND PATTERNING METHOD, AND PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE
シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 - 特許庁 - To conduct patterning using reticles for satisfying forming accuracy of resist mask in the semiconductor device manufacturing process without dependence on the absolute accuracy evaluation of reticles.
レチクルの絶対精度評価に依存することなく、半導体装置の製造工程におけるレジストマスクの形成精度を満足するレチクルを用いてパターニングを行う。 - 特許庁 - The projection system is included in a first vacuum environment and a patterning device support is included in a second vacuum environment, the separator divides the first vacuum environment from the second vacuum environment.
第一真空環境には該投影システムを、第二真空環境には該パターニングデバイス支持を含み、セパレータが第一真空環境と第二真空環境とを分ける。 - 特許庁 - The metal electrodes 220 are formed by patterning this paste composition for an electrode prepared by adding a predetermined ratio of boric oxide to a paste composition containing metal powder.
金属電極２２０は、金属粉末を含むペースト組成物に対して所定割合の酸化ホウ素が添加された電極用ペースト組成物をパターニングして形成される。 - 特許庁 - To provide a method for forming a conductive layer in which the conductive layer can be formed selectively in a predetermined region without using an etching as a patterning method.
パターニング方法としてエッチングを用いることなく、導電層を所定の領域に選択的に形成することができる導電層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To form hard mask patterns arrayed closely below resolution of exposure equipment by performing only linear patterning processes vertically and horizontally on a plane.
平面上で垂直方向と水平方向にライン状のパターニング工程のみを行って露光装備の解像度以下に稠密に配列されたハードマスクパターンを形成すること。 - 特許庁 - A channel protective film is selectively formed in a region corresponding a channel region on the crystalline silicon film 13P by the patterning of the buffer layer 14 and an insulating film 16.
バッファ層１４および絶縁膜１６のパターニングによって、結晶質シリコン膜１３Ｐ上のチャネル領域に対応する領域にチャネル保護膜を選択的に形成する。 - 特許庁 - In addition, the manufacturing process of a digital circuit can be remarkably simplified when embossing lithography is used as the patterning method used on the flexible substrate.
さらに、フレキシブル基板上で用いられるパターニング方法として、エンボス加工リソグラフィを用いることにより、デジタル回路の製造工程を著しく簡単にすることができる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a conductive circuit with high conductivity by patterning a metal particulate dispersed liquid on a substrate in a circuit shape and then heating and sintering the liquid.
金属微粒子分散液を基板上に回路状にパターニングして、加熱焼成により導電性の高い導電回路を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a simple method for producing fluorine-containing adamantyl esters having great usefulness as a resist material for patterning of an electronic circuit board which is obtained by polymerizing the esters.
重合体とすることによって電子回路基板のパターニング用レジスト材料などとして有用性の高いフッ素含有アダマンチルエステル類の簡略な製造法を提供する。 - 特許庁 - A copper base substrate adhered to a polyimide 2 as an insulator is formed on a comb-shaped lead pattern 3 and a ground pattern 4 insulating the lead pattern by resist patterning.
絶縁体であるポリイミド２に被着されている銅ベース基板を櫛歯状のリードパターン３と、リードパターンと絶縁するグランドパターン４にレジストパターニングにより形成する。 - 特許庁 - After a Pt film is formed on a substrate 1, a resist film is applied on its upper surface for patterning, then the Pt film is provided with etching processing for forming element electrodes 2, 3.
基板１上にＰｔ膜を形成した後、その上面にレジスト膜を塗布してパターンニングし、Ｐｔ膜をエッチング加工して素子電極２，３を形成する。 - 特許庁 - A clear photoresist pattern is formed by using the photoresist composition to improve the reliability of patterning of a lower film, whereby the reliability of a manufacturing process can be improved.
これによって、鮮明なフォトレジストパターンを形成して、下部膜のパターニングの信頼性を向上させることにより、製造工程の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁 - The redistribution line substrate includes pattern bumps 116, formed by patterning an insulating layer on a transparent insulating substrate 110 and a redistribution line 118 formed thereon.
再配線基板は、透明絶縁基板１１０に絶縁層をパターニングして形成されたパターン突起１１６と、その上に形成された再配線１１８とを含む。 - 特許庁 - To improve uniformity within a wafer surface in the size of circuit pattern obtained in the trimming process of a photoresist mask formed with a double patterning technology using a freezing method.
フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 - 特許庁 - The process of patterning the lower electrode layer 42 includes a process of etching the lower electrode layer 42 by using a mixed etching gas which contains a chlorine-based gas and an oxygen-based gas.
下部電極層４２をパターニングする工程は、下部電極層４２を、塩素系ガスと酸素系ガスとを含む混合エッチングガスを用いてエッチングする工程を有する。 - 特許庁 - Apertures are formed in a resist film by patterning a resist film and simultaneously the ruggedness is formed on the surface of the resist film, by utilizing diffraction of the light passing the photomask.
レジスト膜をパターニングしてレジスト膜に開口部を形成すると同時に、フォトマスクを通過する光の回折を利用してレジスト膜の表面に凹凸を形成する。 - 特許庁 - To provide an SMC-molded product having high strength as well as the inexpensive SMC-molded product by including a patterning material only on the surface layer.
強度の高いＳＭＣ成形品を提供することを目的とともに、模様材を表層のみ含有させることで安価なＳＭＣ成形品を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a sandblasting device to make patterning of a barrier of a plasma display panel whereby its base board is prevented from being ill influenced in the quality by the static electricity generated during the sandblasting process.
プラズマディスプレイパネルの障壁をサンドブラスト法によりパターニングするに際し、サンドブラスト加工時に生じる静電気により基板品質に悪影響を与えないようにする。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is used as a second resist composition in the formation of a resist pattern through double patterning, and to provide a method of forming a resist pattern.
ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、第二のレジスト組成物として用いることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To achieve both the suppression of scum generation in an opening of a positive photosensitive resin composition and improvement of sensitivity in exposure, in a process of patterning the positive photosensitive resin composition.
ポジ型感光性樹脂組成物パターニング工程において、ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカム発生の抑制と感度を両立することにある。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR DRIVING MOVABLE BODY, PATTERNING METHOD AND DEVICE, EXPOSURE METHOD AND DEVICE, POSITION CONTROL METHOD AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE
移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、位置制御方法及び位置制御システム、並びにデバイス製造方法 - 特許庁 - To simplify a fabricating process by performing a patterning process without using a photolithography process, and to form a thin film pattern at a home position by improving the accuracy of alignment.
ホト工程を使用しないでパターニング工程を遂行し製造工程を単純化すると共にアラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させる。 - 特許庁 - The mask 15 for patterning has annular contact legs 16a, 16b which project at one side of side face in bending shape along peripheral edge part of pattern holes 15a, 15b.
パターニング用マスク１５はパターン孔１５ａ、１５ｂの周縁エッジ部に沿って一側面側に折曲形状に突出する環状の当接脚部１６ａ、１６ｂを備える。 - 特許庁 - Patterning is carried out (Fig. 2(a)) so that a processed end 102a of the second gate insulating film 102 partly overlaps with a processed end 101a of the first gate insulating film 101.
第２のゲート絶縁膜１０２の被加工端部１０２ａが第１のゲート絶縁膜１０１の被加工端部１０１ａと一部重畳するようにパターニングする（図２（ａ））。 - 特許庁 - To provide a template with which a protrusion pattern of large area can be formed efficiently by NIL with high precision, and to provide a manufacturing method, a patterning method and a processing method.
ＮＩＬにより効率良く且つ精度の良く大面積の凸部パターンの形成を可能とするテンプレートおよび製造方法、パターン形成方法、加工方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the dishing regions are so not etched in the case of the etching performed in order to form the second electrodes 3b as to be able to perform the highly accurate patterning of the solid-state imaging element.
これにより、第２の電極３ｂを形成するためのエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。 - 特許庁 - Thus, a special stage for exposing the target pattern 12 is eliminated and the target pattern 12 is used as the standard for the patterning of the external layer material 20.
このようにして，ターゲットパターン１２を露出させるための特段の工程なくして，ターゲットパターン１２が外層材２０のパターン加工のための基準として用いられる。 - 特許庁 - The diffractive element is formed by; providing a substrate transmitting light having wavelengths of about 100nm to about 300nm; forming an amorphous isotropic layer which transmits the light of wavelengths in the range without substantial attenuation of the light; patterning the layer; and removing a part of the layer from the area of the substrate based on the patterning.
約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの波長を有する光を透過する基板を提供し； 光の実質的な減衰なしに範囲における波長における光を透過する非晶質の等方性の層を基板上に形成し； 層をパターニングし、 パターニングに基づき基板の領域から層の一部を除去し、これにより回折素子が形成される。 - 特許庁 - The masking device comprises a first masking means for covering the part of the patterning means in a first direction and a second masking means for covering the part of the patterning means in a second different direction, and the first and second masking means are not mutually mechanically connected and arranged near the focal surface.
マスキング・デバイスは、第１の方向において上記パターン化手段の上記一部を覆い隠すための第１のマスキング手段及び第２の異なる方向において上記一部を覆い隠すための第２のマスキング手段を含み、上記第１及び第２のマスキング手段は互いに関して機械的に結合されない構成で上記焦点面の近傍に配置される。 - 特許庁 - The method includes a preparing process 14 of preparing a silicon wafer, a patterning process 16 of patterning the wafer with a blocking agent in selected regions where deposition of ZnO is to be inhibited, a depositing process 20 of depositing a layer of ZnO on the wafer by ALD, and a removing process 24 of removing the blocking agent from the wafer.
上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程１４と、ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程１６と、ＡＬＤにより該ウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程２０と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程２４とを含む。 - 特許庁 - A molding material is obtained by adding a reinforcing fiber to a resin composition containing a thermoplastic resin, a low shrinkage agent, a patterning material having an average diameter of 0.01 to 10 mm, an inorganic filler and the like, wherein the patterning material is uniformly mixed in the molding material and not less than 5% of the reinforcing fiber remains as a strand.
熱硬化性樹脂、低収縮化剤、平均径が０．０１〜１０ｍｍの範囲にある柄材、及び無機充填材等を含む樹脂組成物に繊維強化材を加えて得られる成形材料であって、柄材が成形材料内部にまで均一に分散し、添加した繊維強化材の５％以上がストランドで残存している成形材料。 - 特許庁 - To provide a method for optimizing the parts patterning position in a laminated die in which the area of an iron plate required in patterning the parts is reduced by reducing the distance between the parts as much as possible without breaking the relative positional relationship between the parts, and the yield is improved while maintaining the plainness of the assembling position of each parts in the assembling work.
各パーツの相対的な位置関係を崩すことなしに各パーツの距離を可能な限り近づけることにより、パーツの型取りに必要な鉄板の面積を縮小し、組み付け作業時の各パーツの組み付け位置の分かり安さを維持しながら歩留り率を向上せしめた、積層金型におけるパーツの型取り位置最適化法を提供する。 - 特許庁 - The lithography apparatus has a lighting system that provides a radiation beam, a support structure for supporting a product patterning device that adds a product pattern indicating a feature of a product device to a profile of the radiation beam from the lighting system, and a measuring-target patterning device that adds a measuring target pattern indicating a measuring target to the profile of the radiation beam.
放射線ビームを提供する照明システムと、照明システムからの放射線ビームの断面に製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンを付与する製品パターン化デバイスを支持する支持構造と、放射線ビームの断面に、計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンを付与する計測ターゲット・パターン化デバイスとを有するリソグラフィ装置が提供される。 - 特許庁 - This method is characterize in comprising a step of including a magnetic sensitive layer with a magnetization in plane, forming a current perpendicular to plane type magneto resistive effect film 4 which perpendicularly runs the sense current to a film plane and carrying out patterning into a component configuration, and a step of forming a magnetic yoke 12 which covers the magneto resistive effect film 4 carried out patterning into the component configuration.
膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の磁気抵抗効果膜４を形成し、素子形状にパターニングする工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜４を覆う磁気ヨーク１２を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - A material having resistance against alkali is adopted for the active layer, a material having properties dissolved to alkali is adopted for the source/drain electrodes, and etching is made by alkali etchant when patterning the source/drain electrodes, thus patterning the source/drain electrodes on an upper layer by etching without damaging the lower-layer active layer.
活性層にアルカリ耐性を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極にアルカリに溶解する性質を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極のパターニングの際に、アルカリ性のエッチャントを用いてエッチングをすることで、下層の活性層にダメージを与えること無く上層のソース／ドレイン電極をエッチングによりパターニングすることが可能になる。 - 特許庁 - The patterning substrate comprises a base and a cell culturing and patterning layer that is formed on the base and essentially comprises a photocatalyst and a cell-adhesive material adhesive to cells and subject to decomposition or modification by the action of the photocatalyst accompanying energy irradiation.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、少なくとも光触媒および、細胞と接着性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着材料を含有する細胞培養パターニング用層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the optical waveguide comprising a core and upper and lower clads between which the core is held comprises: a patterning process of performing the patterning of the core shapes by irradiating the surface of core material stacked on the lower part clad material with laser beams; and a development process of developing the core material on which the core shapes are patterned.
コアと、コアを挟持する上下クラッドとを含む光導波路の製造方法であって、下部クラッド材料上に積層されたコア材料表面に対し、直接レーザー光を照射することによりコア形状のパターニングを行うパターニング工程と、コア形状がパターニングされたコア材料を現像する現像工程と、を含むものとすることができる。 - 特許庁 - The offset printer includes: a printing roller; a coating unit for applying a print substance to the printing roller; a patterning unit for patterning the print substance applied to the printing roller; a printing unit for transferring the patterned print substance to a printing medium; and a cleaning unit for cleaning the print substance remaining on the printing roller by dry cleaning.
オフセット印刷装置は、印刷ロールと、前記印刷ロールに印刷物質を塗布するコーティング部と、前記印刷ロールに塗布されている印刷物質をパターニングするパターン部と、前記印刷物質を被印刷物に印刷する印刷部と、前記印刷ロールに残っている前記印刷物質を乾式洗浄する洗浄部とを備える。 - 特許庁 - Patterning data of the electrode pattern, the wiring pattern and the dummy wiring pattern is generated by a CAD system, patterning data of the electrode pattern and the dummy wiring pattern is coupled as a component cell data corresponding to the electronic component, and previously registered in the component library of the CAD system.
ここで、電極パターン、配線パターン及びダミー配線パターンのパターン形成用データはＣＡＤシステムによって生成されるものであり、電極パターン及びダミー配線パターンのパターン形成用データは電子部品に対応する部品セルデータとして結合されており、ＣＡＤシステムの部品ライブラリに予め登録されたデータであることを特徴とする。 - 特許庁 - In the substrate processing method including an organic film patterning processing for processing the organic film pattern formed on a substrate, a dissolution deforming treating (step 3) of dissolving and deforming the organic film pattern and a third removal processing (step J3) of removing a portion of the dissolved and deformed organic film pattern are performed in this order in the organic film patterning processing.
基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、溶解変形した変形有機膜パターンを第三の除去処理（ステップＪ３）とをこの順に行う。 - 特許庁 - The second resist material absorbs exposure radiation during a first patterning exposure and, after development, during a second patterning exposure to prevent exposure of at least a portion of the first resist material, underneath exposed portions of the second resist material layer, to an exposure dose above a fraction of an energy-to-clear exposure dose associated with the first resist layer.
第二のレジスト材料は、第一のパターン形成露光の間、および現像後の第二のパターン形成露光の間、露光放射を吸収し、第二のレジスト材料層の露光される部分の下の第一のレジスト材料の少なくとも一部を、第一のレジスト層の限界エネルギー露光ドーズの或る割合より多い露光ドーズに露光させない。 - 特許庁
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