「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 78 79 次へ＞- To provide a wiring board manufacturing method which can remove catalyst particles on an insulator layer exposed through patterning given to a plating layer, without interfering with a subsequent plating process.
めっき層をパターン加工して露出した絶縁物層上の触媒粒子を，後のめっき工程に支障を来すことなく除去する配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a laser beam machining apparatus that can emit a line beam with a length in excess of 1 m longitudinally and with uniform irradiation intensity and that can perform efficient patterning.
長尺方向の長さが１ｍを越える、照射強度が均一な線上ビームを照射することができ、効率的なパターニング加工を行なうことができる、レーザ加工装置を提供する。 - 特許庁 - Next, the upper electrode 6 and the capacitance insulating film 5 are formed by patterning the poly-silicon film on the element isolation film 2 and the capacitance insulating film forming film using a photo resist film as a mask.
次に、フォトレジスト膜をマスクに前記素子分離膜２上のポリシリコン膜及び容量絶縁膜形成膜をパターニングし上部電極６及び容量絶縁膜５を形成する。 - 特許庁 - An epitaxial mask 4 comprising a metallic oxide in major proportions is formed on the substrate 1 by patterning the photosensitive mask layer with a photolithography method and further by conducting an oxidation treatment or a reductional treatment.
この感光性マスク層をフォトリソグラフィによりパターニングし、更に酸化処理又は還元処理して、基板１上に金属酸化物を主成分とするエピタキシャルマスク４を形成する。 - 特許庁 - A patterning device includes a material layer 31, a patterned opaque material layer 32 on the surface of the material layer, and a pellicle 40 of a perfluoropolyether (PFPE) liquid, the pellicle covering the surface.
パターニング・デバイスは、素材層３１と、素材層の表面上にあるパターン状不透明材料の層３２と、表面を覆う過フルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）液のペリクル４０とを含む。 - 特許庁 - To provide a method of forming fine patterning of a semiconductor device in which patterns differing in pattern density or pattern width and having various sizes and various pitches are formed on one substrate at the same time.
同じ基板上にパターン密度またはパターン幅の相異なる多様な大きさ及び多様なピッチのパターンを同時に形成できる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To efficiently remove machining scatterings produced from a workpiece when performing a patterning by irradiating the workpiece with a laser beam to reduce debris stuck to the workpiece.
レーザ光を加工対象物に照射してパターン加工する際に加工対象物から発生する加工飛散物を効率よく除去し、加工対象物に付着するデブリを削減する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified photoresist composition suitable for resist patterning on a substrate whose surface has steps, to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the composition and to provide a semiconductor substrate.
表面に段差を有する基板のレジストパターニングに適した化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板を提供すること。 - 特許庁 - Finally, an aluminum interconnect layer 8 of multilayer structure consisting of a Ti film 3a/a TiN film 4a/a titanium oxide film 5a/an aluminum interconnect film 6a/a TiN film 7a is formed by patterning.
その後、パターニングによりＴｉ膜３ａ／ＴｉＮ膜４ａ／チタン酸化膜５ａ／アルミニウム配線膜６ａ／ＴｉＮ膜７ａからなる積層構造のアルミニウム配線層８を形成する。 - 特許庁 - By performing the patterning of a conductor film being formed on a resin substrate 11, a conformal mask 12 with an opening 14 for drilling a hole in the resin substrate 11 and circuit wiring 13 are formed.
樹脂基板１１に形成された導体膜をパターニングして、樹脂基板１１に孔を開けるための開口１４を有するコンフォーマルマスク１２と同時に回路配線１３を形成する。 - 特許庁 - The patterning apparatus draws a pattern on the substrate 4 with the ink jet head 1 by making ink droplets 2, 11, 12, and 14 discharged from the ink jet head 1 impinge on the substrate 4.
インクジェットヘッド１を用いたパターニング装置は、インクジェットヘッド１により吐出したインク液滴２、１１、１２、１４を着弾、付着することにより基板４にパターニングを行う。 - 特許庁 - The lithographic apparatus is arranged to transfer a pattern from a patterning device onto a substrate and includes an electromagnetic actuator to actuate a part of the lithographic apparatus in a linear direction or in a rotational direction.
リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するように配置構成され、リソグラフィ装置の一部を直線方向または回転方向に起動する電磁アクチュエータを含む。 - 特許庁 - To manufacture an optical element with excellent optical characteristics by accurately and efficiently patterning a plurality of liquid crystal films with an identical pattern or with various patterns on the same substrate.
同一の基材上にて同一のパターンまたは異なるパターンで複数の液晶膜を精度良くかつ効率的にパターニングすることにより、光学特性に優れた光学素子を製造する。 - 特許庁 - In a metal gate electrode forming method, a selective oxidation process to silicon which is executed after gate electrode patterning is executed in a gas atmosphere containing gas which contains nitrogen atoms.
金属ゲート電極形成方法において、ゲート電極パターニング後実施されるシリコンに対する選択的酸化工程を、窒素原子を含有するガスを含むガス雰囲気で実施する。 - 特許庁 - A semiconductor layer consisting of the single crystal silicon substrate 200 is formed by etching and patterning the single crystal silicon substrate 200 using mixture liquid of hydrofluoric acid and ozone water.
単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of improving the patterning accuracy of charge transferring electrodes, in a solid-state imaging element having the charge transferring electrodes of monolayer electrode structure.
単層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、電荷転送電極のパターニング精度を向上させることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photoelectric conversion device with high efficiency having an improved etching workability while maintaining optical and electro-optical characteristics, and especially, easy to apply an integrated patterning.
透明電極の光学的および電気的特性を維持しつつ、エッチング加工性を向上させ、特に集積化パターニングが容易な高効率光電変換装置を提供すること。 - 特許庁 - When a semiconductor film (A) is deposited on the interlayer insulating film and patterning is conducted to form the signal lines 12, the conductive film (A) is less likely to remain in the step part of the interlayer insulating film.
層間絶縁膜上に半導体膜Ａを成膜してからパターニングして信号線12を作成する際に、層間絶縁膜の段差部に導電性膜Ａが残り難くなる。 - 特許庁 - Since parts of a data line 6a located on a side wall and an upper face are covered by a reflection film 44, a middle layer 62 is not eroded by an etchant in the case of patterning the reflection film 44.
データ線６ａの側壁および上面の一部は反射膜４４で覆われているから、反射膜４４をパターニングする際に中央層６２がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁 - The sample W to be inspected is irradiated with a specific light source pattern by the patterning light source 1 to image the light source pattern applied to the sample W to be inspected by a camera 2 (S1).
被検査試料Ｗに対して、所定の光源パターンをパターン化光源１より照射し、被検査試料Ｗに照射された光源パターンをカメラ２により撮像する（Ｓ１）。 - 特許庁 - A minute conductive connecting part, of which the shape is controlled by a substrate processed finely and a patterning technology, is formed to connect the semiconductor chip and the circuit board.
微細加工を施した加工基板とパターニング技術により、形状を制御した微小な導電性接続部を形成し、これを用いて半導体チップと回路基板とを接続をする。 - 特許庁 - A system, method, and product for manufacturing a semiconductor device by a lithography which are accompanied by a lithography double patterning process for adding a coloring matter to a first or second lithography pattern are provided.
第１または第２リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。 - 特許庁 - To provide a direct patterning negative-working planographic imaging element which ensures high sensitivity, a high imaging speed, a long storage life and a long service life on a printing machine and does not require processing.
高い感度、高い画像形成速度、長い貯蔵寿命および長い印刷機寿命を与える処理不要の直描式ネガ型平版画像形成要素を提供すること。 - 特許庁 - To provide a process for producing a reflective mask blank and a process for producing a reflective mask in which displacement of the mask caused by flatness of the patterning surface of a mask is prevented when a pattern is transferred.
マスクのパターン形成面のフラットネスに起因するパターン転写時の位置ずれを防止することができる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - By the patterning of the insulating film, an opening 115 exposing a part of a conductive pattern is formed and preliminary diffusion prevention films 120 are formed on the inner wall of the opening and on the upper surface of the insulating film.
絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of patterning a non-volatile memory gate capable of forming a gate-stack of NVM on a semiconductor substrate having the NVM region and a non-NVM region arranged so as not to overlap with the NVM region.
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）領域及び前記ＮＶＭ領域と重ならないよう非ＮＶＭ領域を有する半導体基板の上にＮＶＭのゲートスタックを形成する。 - 特許庁 - To provide a thermosetting or photo-curable resin capable of forming a cured material having a high refractive index, excellent heat resistance and electric characteristics, and also being excellent in patterning property.
屈折率が高く、優れた耐熱性および電気特性を有し、かつパターニング性に優れた硬化物を形成し得る熱硬化性あるいは光硬化性の樹脂を提供することにある。 - 特許庁 - For patterning a metal gate comprising TiN and TaN on top of a rare earth based high-k layer 2, chlorine-containing gas can be used since titanium and tantalum chlorides are volatile, and reasonable selectivity to other materials present on a wafer can be obtained.
希土類元素ベースの高ｋ材料層２の上面において、ＴｉＮ及びＴａＮを含有する金属ゲートをパターニングするため、塩素含有ガスを使用することができる。 - 特許庁 - To provide an apparatus for patterning of a tufted machine, which is capable of freely drawing the pattern over the whole width of the tufted machine and expressing a high designability, at a low cost.
本発明の課題は、タフテッドマシーンの幅全体にわたって柄を自由に描くことができ、高い意匠性を表現できるタフテッドマシーンの柄出し装置を安価に提供することにある。 - 特許庁 - To make high-grade microfabrication possible by a double-patterning process or the like by providing a pattern-freezable resist material and a pattern-forming method including a step of curing a resist film.
パターン硬化可能なレジスト材料、レジスト膜を硬化させる工程を含むパターン形成方法を提供することにより、ダブルパターニングプロセス等により高度な微細加工を可能にする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the piezoelectric substrate comprises the steps of forming a protective film having a lattice-like exposure part of a predetermined width by vapor-depositing or adhering by sputtering gold thin films on both side surfaces of the AT cut crystal substrate, and patterning the gold thin films.
ＡＴカット水晶基板の両面に金薄膜を、蒸着、あるいはスパッタで付着、パターン化し、所定幅の格子状露出部を有する保護膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mask pattern having a fine pattern equal to or below the optical limit of an exposer or the like and to provide a method for making thin film patterning fine with the mask pattern.
露光器などの光学的限界以下の狭小なパターンを有するマスクパターンを作製する方法を提供し、もって薄膜パターニングを狭小化する方法を提供する。 - 特許庁 - To increase the degree of integration of a semiconductor storage device by suppressing the occurrence of corner rounding at resist patterning time and contracting the size of a cell, by setting specific relations between the lengths and channel lengths of driving transistors and those of word transistors.
レジストのパターニング時におけるコーナーラウンディングの発生を抑制することができ、セルサイズを縮小して高集積化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist pattern thickening material capable of forming a resist-void pattern which is fine exceeding exposure limits of a light source of an exposure device used for patterning by thickening a resist pattern.
レジストパターンを厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an original pattern for optical elements equipped with a liquid crystal layer which makes it possible to perform patterning with a high efficiency and a high quality, and also provide an original pattern for optical elements.
効率的にかつ高い品質でパターニングを行うことが可能な液晶層を備えた光学素子用原版の製造方法および光学素子用原版を提供する。 - 特許庁 - To provide a new pattern forming method in which the number of steps in a double patterning method can be reduced and to provide a material for forming a coating film suitably used for the pattern forming method.
ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。 - 特許庁 - After forming a first electrode 11 to which the patterning has been carried out and an insulating membrane on opposing faces of a first substrate 10, a part of light-emitting function layer 12 of an organic layer is formed on the top of them.
第１の基板１０の対向面上に第１電極１１、絶縁膜５０をパターニングして形成した後、有機層の一部の発光機能層１２をその上に成膜する。 - 特許庁 - To provide a composition for a hole injection transport layer by which optimization of a material and element design can be made and a patterning film forming of high precision can be carried out in a short time and at low cost.
材料や素子設計の最適化を行うことができ、短時間、低コストで精度の高いパターニング成膜を行うことができる正孔注入輸送層用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic EL display device, capable of surely carrying out patterning on a comparatively large area with the use of a letterpress reverse printing method.
本発明の目的は、凸版反転印刷法を用いて、比較的大きな面積のパターニングを確実に行うことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic EL element excellent in emission characteristics, by which patterning of an organic EL layer is easy, and a superb change of wettability is obtained.
本発明は、有機ＥＬ層のパターニングが容易であり、良好な濡れ性の変化が得られ、発光特性に優れる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To provide a cross-linkable polymer which can be developed with an aqueous developer and has good patterning properties; its production method; a photosensitive composition and a method for forming patterns.
水性現像液で現像可能であり、良好なパターニング性を有する、架橋性高分子化合物及びその製造方法並びに感光性組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The multiple patterning circuit board 100 includes a buildup layer having a structure for which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated and also having a plurality of terminal pads to which an IC chip can be connected.
多数個取り配線基板１００は、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有しかつＩＣチップが接続可能な複数の端子パッドを有するビルドアップ層を備える。 - 特許庁 - Further, inks, ink cartridges, printing units, ink-jet printers, printing methods, printing media, liquid compositions, patterning methods, articles, and methods for sensing environmental history, each utilizing the above technology, are also provided respectively.
この技術を利用したインク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、記録媒体、液体組成物、パターン形成方法、物品および環境履歴検知方法。 - 特許庁 - By temporarily fixing a plurality of positions of the substrate 2 by the plurality of pressure members 5, respectively, after alignment, a patterning with high precision can be achieved, and displacement of the organic EL element film to an anode can be prevented.
アライメント後の基板２の複数箇所を、それぞれ複数の押圧部材５によって仮固定することで、高精度なパターニングを可能とし、アノードに対する有機ＥＬ素子膜のずれを防ぐ。 - 特許庁 - A gate electrode 105 is patterned, and then a resist 104 used for patterning is thermally treated at temperature of 150 to 250°C as being irradiated with UV rays, by which the resist 104 is cured.
ゲート電極１０５をパターニングした後、パターニングに用いたレジスト１０４にＵＶ光を照射しつつ１５０〜２５０℃の熱処理を施し、レジスト１０４を硬化させる（図２（ｄ））。 - 特許庁 - To prevent the barrier wall between ink pressure chambers from being deformed during ink jet operation even if it is made thin through fine patterning.
高密度化によりインク圧力室間の隔離壁を薄くしても、インク吐出動作における当該隔離壁の変形を防止できる静電式インクジェットヘッドの駆動方法を提案すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enhances the resistance to a developer without increasing a film thickness of a protective film in a double exposure technology, and achieves a micro patterning.
ダブル露光技術において、保護膜の膜厚を増加せずに現像液耐性を向上させ、微細パターニングを実現する半導体デバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - A first opening part and second opening part are formed in a phase-shift layer 402 by patterning for exposing part of a mask substrate 400.
位相シフト層がマスク基板上に形成され、かつ、第１および第２開口部が、前記マスク基板の一部を露光させるためにパターン化により前記位相シフト層内に形成されている。 - 特許庁 - To provide a substrate for a liquid crystal display device having a protrusion for liquid crystal alignment control having excellent electric characteristics and light-shielding properties without spoiling patterning characteristics and reliability.
パターニング特性や信頼性を損なうことなく、電気的特性、遮光性に優れた液晶配向制御用突起を有する液晶表示装置用基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a new SMC (sheet-molding compound) capable of patterning the surface of an SMC-molded article even in the case of without using a patterned material and without decreasing the productivity of the molded article.
成形品の生産性を低下させずに、模様材を使用しない場合であってもＳＭＣ成形品の表面に柄付けすることが可能な新しいＳＭＣを提供する。 - 特許庁
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