「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 78 79 次へ＞- In patterning the electrolyte layer, at least one recessed part for forming a manifold is formed, and an electrode is installed in the first manifold formed in the first recessed part.
電解質層のパターニングにおいて、マニホールドを形成するための少なくとも一つの凹部を設け、電極が第一の凹部に形成された第一のマニホールドの中に設置される。 - 特許庁 - Because of both such a high quality via hole and fine high-accuracy working by using the ultraviolet layer, fine patterning and density improving of the flexible wiring board can be realized.
このような高品質なビアホールと紫外レーザーを使うことによる微細、高精度の加工性とが相まって、フレキシブル配線板のファインパターン化、高密度化が実現できる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the fine pattern of the semiconductor device using a double exposure patterning process capable of forming a secondary photoresist pattern by simple exposure without using an exposure mask is disclosed.
露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。 - 特許庁 - A substrate virtual aligning line is set up on a semiconductor substrate, and a left-side mask virtual aligning line is set up on a left-side mask for patterning the left-side Φ electrodes.
半導体基板上に基板仮想合わせラインを設定し、複数の左側Φ電極のパターニングのための左側マスク上に左側マスク仮想合わせラインを設定する。 - 特許庁 - The method includes a step for pattering a substance film to form a substance film pattern after forming the substance film on a wafer having a plurality of independent patterning regions.
独立した複数のパターニング領域を有するウェーハ上に物質膜を形成した後、物質膜をパターニングして物質膜パターンを形成する段階を含む。 - 特許庁 - The antenna patter 5 on the IC module 2 is formed by patterning metal having a Vickers hardness of less than 24 Hv, for example, an aluminum alloy, on both-side surfaces of a polymer film 4.
ＩＣモジュール２のアンテナパターン２は、ビッカース硬度が２４Ｈｖ以下の金属、例えばアルミニウム合金を高分子フィルム５の表裏にパターニングすることにより形成されている。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming dual damascene wiring at high yield by inhibiting patterning failure because of abrasive particles.
研磨粒子によるパターン形成不良を抑制して、高い歩留まりでデュアルダマシン配線を形成可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - The gate electrode 18 of the n-channel MISFET 24 and the upper electrode 19 of the capacitor 20 are formed by patterning a polysilicon film in the same layer.
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ２４のゲート電極１８とキャパシタ２０の上部電極１９とは、同層の多結晶シリコン膜をパターニングすることで形成されている。 - 特許庁 - Openings 4 are formed at channel stop region forming spots between light-receiving regions 14 by forming a first photoresist layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 22 and patterning the layer 2.
半導体基板２２の表面に第１のフォトレジスト層２を形成しパターン化して、受光部１４間のチャンネルストップ領域形成箇所に開口部４を形成する。 - 特許庁 - The metal electrodes 220 are formed by patterning this paste composition for an electrode prepared by adding a predetermined ratio of boric oxide to a paste composition containing metal powder.
金属電極２２０は、金属粉末を含むペースト組成物に対して所定割合の酸化ホウ素が添加された電極用ペースト組成物をパターニングして形成される。 - 特許庁 - To conduct patterning using reticles for satisfying forming accuracy of resist mask in the semiconductor device manufacturing process without dependence on the absolute accuracy evaluation of reticles.
レチクルの絶対精度評価に依存することなく、半導体装置の製造工程におけるレジストマスクの形成精度を満足するレチクルを用いてパターニングを行う。 - 特許庁 - The process of patterning the lower electrode layer 42 includes a process of etching the lower electrode layer 42 by using a mixed etching gas which contains a chlorine-based gas and an oxygen-based gas.
下部電極層４２をパターニングする工程は、下部電極層４２を、塩素系ガスと酸素系ガスとを含む混合エッチングガスを用いてエッチングする工程を有する。 - 特許庁 - NEGATIVE RESIST COMPOSITION CONTAINING HYDROXY GROUP-SUBSTITUTED BASE POLYMER AND SILICON-CONTAINING CROSSLINKING AGENT HAVING EPOXY RING AND METHOD OF PATTERNING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
ヒドロキシ基で置換されたベースポリマーとエポキシリングを含むシリコン含有架橋剤を含むネガティブ型レジスト組成物及びこれを利用した半導体素子のパターン形成方法 - 特許庁 - The resist pattern can be formed by any one of a method of patterning while providing a photosensitive resist layer and a method of screen printing the non-photosensitive paste for resist.
レジストパターンは、感光性レジスト層を設けてパターニングを行う方法と非感光性のレジスト用ペーストをスクリーン印刷する方法のいずれも用いることができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing photomask blanks providing a favorable mask pattern accuracy and pattern transfer accuracy by having a favorable flatness in patterning a light-shielding film.
遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - SILSESQUIOXANE-BASED COMPOUND MIXTURE, HYDROLYZABLE SILANE COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND RESIST COMPOSITION USING THE SAME AND PATTERNING METHOD, AND PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE
シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 - 特許庁 - To provide a transparent electrode film in which laser patterning is performed on a transparent conductive film without deteriorating the visibility of the transparent electrode film, and transparent touch panel.
透明電極フィルムの視認性を損なうことなく、透明導電膜がレーザーパターニングされている透明電極フィルムおよびタッチパネルを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To accurately transfer a (electrode) patterning printed on a photomask to a piezoelectric substrate wafer when an electrode pattern of a surface acoustic wave element is formed.
弾性表面波素子の電極パターン形成において、フォトマスクに印刷されている（電極）パターンニングを正確に圧電基板ウエハー上に転写することを目的とする。 - 特許庁 - To increase the production yield by enhancing the patterning accuracy of electrodes, and to reduce an electrode loss by increasing the thickness of electrodes in an optical modulator.
光変調器において、電極のパターニング精度を向上させて歩留りを向上させるのと共に、電極を厚くして電極損失を減少させることである。 - 特許庁 - The patterning device includes first and second patterns having respective first and second optical proximity corrections corresponding to the first and second polarization directions.
パターニング用デバイスは、第１および第２の偏光方向に対応する第１および第２の光近接効果補正をそれぞれ有する第１および第２のパターンを含む。 - 特許庁 - Apertures are formed in a resist film by patterning a resist film and simultaneously the ruggedness is formed on the surface of the resist film, by utilizing diffraction of the light passing the photomask.
レジスト膜をパターニングしてレジスト膜に開口部を形成すると同時に、フォトマスクを通過する光の回折を利用してレジスト膜の表面に凹凸を形成する。 - 特許庁 - A bus electrode is formed by joining and patterning a metallic foil on the substrate, and a transparent electrode is formed on the substrate so as to cover the bus electrode.
本発明方法は基板上に金属箔を接合してパタニングしてバス電極を形成し、そのバス電極を覆うように基板上に透明電極を形成する。 - 特許庁 - By patterning a large quantity of ligand in an array on the surface of the base, the bonding pattern of a sample to an array is analyzed, thus identifying the microbe taxonomically.
基材表面に多くのリガンドをアレイ状にパターン化により、アレイに対する試料の結合パターンを分析すれば、微生物を分類学的に同定ができる。 - 特許庁 - The method also includes developing design and/or guidelines for splitting a pattern to be processed using the multiple patterning lithographic process based on the evaluation.
方法は、前記評価に基づいて多重パターニングリソグラフプロセスを用いて処理すべきパターンを分割するための設計及び／又は分割指針を導出することを含む。 - 特許庁 - LITHOGRAPHY APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DEVICE MANUFACTURED BY THE APPARATUS, AND CONTROLLABLE PATTERNING APPARATUS USING SPATIAL LIGHT MODULATOR BY DISTRIBUTED DIGITAL-TO-ANALOG CONVERSION
リソグラフィ装置、デバイス製造装置、これによって製造されるデバイスおよび分散型デジタル・アナログ変換による空間光変調器を用いる制御可能なパターニング装置 - 特許庁 - To provide an active ray-curing polyimide resin composition having heat resistance, capable of patterning with an aqueous dilution alkaline solution and soluble in organic solvents.
耐熱性を有し、希アルカリ水溶液でのパターニングが可能で、しかも、有機溶剤に可溶な活性エネルギー線硬化型ポリイミド樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing precise patterning with improved reproducibility even if a transparent substrate is used, and to provide the semiconductor device.
透明基板を用いた場合においても、高精度且つ再現性高いパターニングを行なうことが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The projection system is included in a first vacuum environment and a patterning device support is included in a second vacuum environment, the separator divides the first vacuum environment from the second vacuum environment.
第一真空環境には該投影システムを、第二真空環境には該パターニングデバイス支持を含み、セパレータが第一真空環境と第二真空環境とを分ける。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a color filter for obtaining a colored pattern of higher resolution in comparison with a conventional method while keeping or lowering resolution required for a patterning method.
パターニング法に求められる解像度を維持もしくは抑えつつ、従来より高い解像度の着色パターンが得られるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating an alignment film of a liquid crystal display device, which is capable of simply patterning the alignment film at an accurate location and an alignment film etching apparatus used therein.
簡単で正確な位置で配向膜をパターニングできる液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of liquid crystal display panel with which the productivity can be improved by excluding reattachment of an optical film in a manufacturing step according to a multiple patterning.
多面取りによる製造工程において光学フィルムの貼り直しを排除して、生産性が向上する液晶表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The rotational speed control circuit 53 is composed by electric wiring itself, where polycrystalline silicon is used in the cooling substrate 31 for patterning, thus cooling a chip by the blast of at least 1,000 microfans, and hence markedly enhancing the cooling performance of the MCCs and LSIs.
回転速度制御回路５３は冷却基板３１に多結晶シリコンが使用されてパターニングされた電気配線自体によって構成されている。 - 特許庁 - To provide a resist treatment method that, in a multi-patterning method, can very finely and highly accurately form a pattern obtained by a resist composition for first resist pattern formation.
マルチパターニング法において、１回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting semiconductor device by which light- emitting efficiency can be improved and the occurrence of discrepancies can be reduced when a patterning layer is formed.
発光効率の向上及びパターニング層の形成における不具合発生率の低減を達成できる発光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a deposition apparatus for carrying out patterning while suppressing unevenness in the resist film thickness in an edge region of a substrate, and to provide a deposition method.
基板周縁部領域におけるレジスト膜厚の不均一を抑制して、良好なパターニングを行うことができる成膜装置、及び、その成膜方法を提供する。 - 特許庁 - A metallic layer 1 is formed on one surface of a hard insulating layer 2, an adhesive layer 4 and a protection film 5 are stacked on the other surface thereof, and conductor wiring 3 is formed by patterning of the metallic film 1.
硬質絶縁層２の一面に金属膜１を、他面に接着剤層４、保護フィルム５を積層し、金属膜１のパターニングにて導体配線３を形成する。 - 特許庁 - To provide a high sensitivity; low smear sensor capable of forming, in a self alignment manner, a reflection prevention film forming an island-shaped reflection prevention film on a photodiode; and forming a reflection prevention film on the photodiode without securing overlapping accuracy due to patterning of the reflection prevention film beyond necessity.
反射防止膜のパターニングによる重ね合わせ精度を必要以上に確保することなく、フォトダイオード上に島状の反射防止膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive film, a base material with the transparent conductive film, an organic electroluminescent element using the same and a manufacturing method thereof, in which a patterning process is simply performed.
透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、並びにその製造方法において、パターニング処理を簡易に行う。 - 特許庁 - To perform patterning of a conductive layer, formed of a light-reflective conductive material, with high quality in a method of manufacturing an electrooptical device such as a liquid crystal display device.
液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、光反射性を有する導電性材料から形成された導電層を高品位にパターニングする。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device capable of enhancing the opening ratio of pixels due to the improving of patterning property without deteriorating electric characteristics of active switching elements and to provide a manufacturing method therefor.
スイッチング能動素子の電気特性を低下させず、パタニング性向上による開口率のアップができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first development tank 12 is provided with a drug solution atomization nozzle 36, the patterning tank 13 is provided with a drug solution atomization nozzle 37 and the residual dross removal tank 14 is provided with a drug solution atomization nozzle 38.
第１現像槽１２は薬液噴射ノズル３６を、パターニング槽１３は薬液噴射ノズル３７を、残渣除去槽１４は薬液噴射ノズル３８を備える。 - 特許庁 - In the manufacture of such a semiconductor device, a window is formed in the column of the protective material by patterning the window with a photoetching method, using a mask material and removing the protective material by etching.
すなわち、保護材料の柱部分の窓をあける時に、マスク材料を用いて、窓を写真食刻法でパターニングし、保護材料をエッチング除去して行う。 - 特許庁 - The first charge transfer electrode 35 is formed by patterning the first and second conductive layers 32 and 34 laminated in such a manner that the oxygen diffusing functional film 33 is sandwiched between the layers.
酸素拡散性機能膜３３を挟んで積層された第１および第２導電体層３２，３４をパターニングして第１電荷転送電極３５を形成する。 - 特許庁 - As shown in figure (f), a patterning mask 7 consisting of SiO2 is formed on a region, facing a recessed part 3 on the surface of a metal wiring film 6 by a photolithographic technique.
図１(f) に示すように、金属配線膜６の表面の凹部３と対向する領域に、フォトリソグラフィ技術によって、ＳｉＯ_2からなるパターニング用マスク７を形成する。 - 特許庁 - To provide a display device provided by efficiently executing precise pixel patterning; and to provide a manufacturing method of the display device and a manufacturing device of the display device.
高精細な画素パターニングを効率よく行うことによって得られる表示装置及び表示装置の製造方法並びに表示装置の製造装置を提供すること。 - 特許庁 - A bottom side of the metal lead frame is subjected to patterning only after a front side including chips (140) and wires (160) is hermetically sealed, and chip pads and wire bond contacts (113) are insulated.
チップ（１４０）とワイヤ（１６０）とを含む表側が気密封止されて初めて、金属リードフレームの底側はパターニングされて、チップパッドおよびワイヤボンド接点（１１３）を絶縁する。 - 特許庁 - After the patterning of the DCL layer 602, the negative type feature of the DLC layer is filled with a deposited metal and remained DCL layer is removed, then a second mask 1002 is produced.
ＤＬＣ層６０２のパターニング後、ＤＬＣ層のネガ型特徴を堆積金属で充填し、残ったＤＬＣ層を除去した後、第二マスク１００２が生成される。 - 特許庁 - To provide a fine structure patterning method capable of preparing a uniform pattern into large area by easily solidifying various kinds and properties of substance fluids.
簡便に、様々な種類、性質の物質流体を固化させることで均質なパターンを大面積に作製することのできる新しい微細構造パターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The abnormal growth of the HSG-Si is prevented, pinch-off with an upper electrode is prevented, and the leakage current is suppressed by conducting the patterning after treatment to form the HSG-Si.
ＨＳＧ−Ｓｉ化の処理後にパターニングすることにより、ＨＳＧ−Ｓｉの異常成長を防止でき、上部電極とのピンチオフを防止し、リーク電流を抑制できる。 - 特許庁 - To provide a producing method of multi-layer circuit board for improving close contact strength between wiring and insulating resin film while preventing a patterning fault accompanied by advancement in microfabrication.
微細化に伴うパターニング不良を回避しながら、配線と絶縁樹脂膜との間の密着強度を高めることができる多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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