「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 78 79 次へ＞- Polarization is used for patterning the second structural part on the second layer, and the polarization has the same polarization direction as the first orientation direction.
上記第２層上に上記第２構造部をパターニングするために偏光が使用され、上記偏光は、上記第１配向方向と同じ偏光方向を有している。 - 特許庁 - To provide a method for patterning thin film by which the degree of freedom of etchant selection can be improved and a thin film can be etched evenly over a large area.
本発明では、エッチングにおける液の選定の自由度が高く、大面積にわたり均一にエッチングできる薄膜のパターン形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The manufacturing method of the patterning roll forms a transfer surface by using a flat, design pattern mold having the same design as an external wall and fabricating reverse molds in a plurality of times.
外壁と同一意匠の平面状の意匠原型を用いて、反転型を複数回取ることで、転写面を形成する模様付けロールの製造方法である。 - 特許庁 - ORGANIC THIN FILM PATTERNING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC ELECTRIC FIELD LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL ILLUMINATION
有機薄膜パターニング用基板およびその製造方法、有機電界発光素子およびその製造方法、並びに有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明 - 特許庁 - Energy may be applied to the patterning device (for example, by thermal input or mechanical actuators) to modify a distribution of the local positional deviations and improve correction.
パターニングデバイスにエネルギーを印加して（例えば、熱の投入又は機械的なアクチュエータによって）局所的位置偏差の分布を修正して補正を改善することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nano-carbon material composite substrate capable of favorably patterning and growing a nano-carbon material on a substrate.
本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method with which it becomes possible to precisely and simply inspect the quality of a process for patterning a photosensitive resin film using a semiconductor lithography technique.
半導体リソグラフィ技術を用いて感光性樹脂膜をパターニングする工程の良否を正確且つ簡易に検査することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which patterning of a silicon oxide film by photolithographic technique is possible without requiring hydrophobic treatment.
本発明は、疎水化処理を要することなく、フォトリソグラフィー技術による酸化シリコン膜のパターニングが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a negative resist composition which ensures small line edge roughness, high sensitivity, high throughput and small substrate dependence of a pattern, and to provide a patterning process using the negative resist composition.
ラインエッジラフネスが小さく、また、高感度でスループットの高い、更に、パターンの基板依存性の小さなネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A contractible material is used as a base of a photoresist master disk, a photoresist layer is formed thereon and patterning is executed to a shape corresponding to a signal, pit by using the LBR.
フォトレジスト原盤のベースとして収縮可能な材料を用い、この上にフォトレジスト層を形成しＬＢＲを用いて信号ピットに対応する形状にパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method for forming a sealing film capable of enhancing the patterning precision and film thickness uniformity of the sealing film by a CVD method.
ＣＶＤ法による封止膜のパターニング精度及び膜厚均一性の向上を図ることができる封止膜の形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To form a device pattern of uniform thickness on a substrate while reducing the production process and production cost in a device patterning method employing a liquid ejection head.
液体吐出ヘッドを用いたデバイスパターン形成方法において、製造工程および製造コストを抑えつつ、基板上に均一な膜厚のデバイスパターンを形成可能にする。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition showing excellent developability in patterning a calcined product thereof and showing excellent adhesiveness to a substrate and excellent interlayer adhesiveness after calcined.
焼成物パターン形成において、現像性に優れ、焼成後の基板への密着性及び層間の密着性に優れた感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The lithography projection apparatus comprises a lighting system 40 designed to adjust radiation beams and a supporting member designed to support a patterning device MA.
リソグラフィ投影装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システム４０およびパターニングデバイスＭＡを支持するように構成された支持体を有する。 - 特許庁 - To provide: a polymer for a resist suitable for dry exposure, immersion exposure, and double patterning; a resist material including the same; and a pattern formation method using the resist material.
ドライ露光、液浸露光、ダブルパターンニングに適するレジスト用重合体、それを含むレジスト材料、ならびにそのレジスト材料を用いるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes a stage S100 where, on and after the patterning of copper foil, the front face 40 and side face 50 of each copper foil mesh 80 are subjected to coating treatment with an electrically conductive substance 60.
銅箔のパターン化以後、銅箔メッシュ８０の前面４０及び側面５０を導電性物質６０によってコーテイング処理する段階Ｓ１００を含む。 - 特許庁 - NEGATIVE RESIST COMPOSITION CONTAINING HYDROXY GROUP-SUBSTITUTED BASE POLYMER AND SILICON-CONTAINING CROSSLINKING AGENT HAVING EPOXY RING AND METHOD OF PATTERNING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
ヒドロキシ基で置換されたベースポリマーとエポキシリングを含むシリコン含有架橋剤を含むネガティブ型レジスト組成物及びこれを利用した半導体素子のパターン形成方法 - 特許庁 - To provide a transparent electrode film in which laser patterning is performed on a transparent conductive film without deteriorating the visibility of the transparent electrode film, and transparent touch panel.
透明電極フィルムの視認性を損なうことなく、透明導電膜がレーザーパターニングされている透明電極フィルムおよびタッチパネルを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To accurately transfer a (electrode) patterning printed on a photomask to a piezoelectric substrate wafer when an electrode pattern of a surface acoustic wave element is formed.
弾性表面波素子の電極パターン形成において、フォトマスクに印刷されている（電極）パターンニングを正確に圧電基板ウエハー上に転写することを目的とする。 - 特許庁 - To increase the production yield by enhancing the patterning accuracy of electrodes, and to reduce an electrode loss by increasing the thickness of electrodes in an optical modulator.
光変調器において、電極のパターニング精度を向上させて歩留りを向上させるのと共に、電極を厚くして電極損失を減少させることである。 - 特許庁 - The patterning device includes first and second patterns having respective first and second optical proximity corrections corresponding to the first and second polarization directions.
パターニング用デバイスは、第１および第２の偏光方向に対応する第１および第２の光近接効果補正をそれぞれ有する第１および第２のパターンを含む。 - 特許庁 - Alternatively, the backsides of the patterning arrays are polished to optical flatness and are bonded to an optically flat surface of a rigid mounting body through crystal bonding.
代替的に、パターン形成アレーの背面が光学的に平坦に研磨され、剛性装架体の光学的に平坦な表面に結晶接合によって接合される。 - 特許庁 - An imaging device generates an image corresponding to the detected second filtered component, and the image indicates an approximate location of a particle on the surface of the patterning device.
結像デバイスは、検出された第２のフィルタリングされた成分に対応する像を生成し、この像はパターニングデバイスの表面上のパーティクルのおおよその位置を示す。 - 特許庁 - To provide a structure capable of forming a junction FET having a low on-voltage without using an alignment of an ultra-high accuracy or without requiring a fine electrode patterning.
超高精度のアライメントを用いることなく、あるいは微細な電極パターニングを要することなく、オン電圧の低い接合FETを形成できる構造を提案する。 - 特許庁 - To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.
密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed by a simple process in which the transparent conductive film 3 is irradiated with the ultraviolet rays in a prescribed pattern.
従って、透明導電膜３上に紫外線を所定パターンで照射する簡易な工程により、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。 - 特許庁 - A projection formed in a patterning process of an insulating film and an electrode metal layer formed on the projection are provided to obtain electric conduction between an electrode metal and driving IC bumps.
絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起上に成膜された電極メタル層を備えることにより、電極メタルと駆動ＩＣバンプの電気導通を取る。 - 特許庁 - Subsequently, in a connection region including the boundary between the first and second areas, patterning is performed on the silicon film so as to have a width wider than areas on the both sides.
続いて、第１および第２の部分の境界を含む接続領域において、その両側の領域に比較して大きな幅を有するようにシリコン膜をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a photomask capable of performing patterning at a low cost when manufacturing a color filter used for a liquid crystal display device or the like.
本発明は、液晶表示装置等に用いられるカラーフィルタを製造する際、安価にパターニングを行うことを可能とするフォトマスクを提供することを主目的としている。 - 特許庁 - The patterning device is used for performing proximity matching using the alignment system, or performing further quality measurement such as a dose set suit for size.
パターニングデバイスは、アラインメントシステムを使用して近接整合を実行するか、サイズに合わせた線量のようにさらなる品質測定を実行するために使用することができる。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus for exposing the patterns of first and second pattering devices carried by one patterning device support on a substrate by single continuous scan operations.
１回の連続的スキャン動作で、１つのパターニングデバイス支持体によって担持されている第一および第二パターニングデバイスのパターンを基板に露光するリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for easily forming microscopic patterns exceeding the limit of exposure in the patterning technique utilizing the photolithography method in the vacuum deep ultraviolet ray region.
真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、露光限界を越えての微細なパターン描画を簡単に行う方法の確立が課題である。 - 特許庁 - In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.
さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁 - By the processing using the ultrasonic wave in a liquid, the plastic deformation does not occur on the plate and the patterning of the adhesive is efficiently carried out by a batch process.
この液中超音波による処理では、プレートに塑性変形を生じさせず、しかもバッチ処理により効率良く接着剤のパターニングを行うことができる。 - 特許庁 - A transparent conductive film is formed on the photosensitive resin layer 24 and the conductive wiring 22 and the transparent electrodes 27... are formed by patterning the transparent conductive film.
そして、感光性樹脂層２４および導電配線２２上に透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングして透明電極２７…を形成する。 - 特許庁 - In patterning the electrolyte layer, at least one recessed part for forming a manifold is formed, and an electrode is installed in the first manifold formed in the first recessed part.
電解質層のパターニングにおいて、マニホールドを形成するための少なくとも一つの凹部を設け、電極が第一の凹部に形成された第一のマニホールドの中に設置される。 - 特許庁 - Because of both such a high quality via hole and fine high-accuracy working by using the ultraviolet layer, fine patterning and density improving of the flexible wiring board can be realized.
このような高品質なビアホールと紫外レーザーを使うことによる微細、高精度の加工性とが相まって、フレキシブル配線板のファインパターン化、高密度化が実現できる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device whose manufacturing cost is reduced by omitting a step of patterning a mask insulating film for selectively adding 15 group elements.
１５族元素を選択的に添加するためのマスク絶縁膜のパターニングの工程が不要となることで製造コストを低減した半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁 - Then, after removing the barrier film 103, it forms a resist pattern 102a of the resist film 102 by developing the resist film 103 exposed for patterning.
続いて、バリア膜１０３を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０３に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - The first interlayer insulation film 140 is utilized not only as a patterning mask but also as a barrier for forming a gate electrode 160 by ink jet method.
この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 - 特許庁 - The antenna patter 5 on the IC module 2 is formed by patterning metal having a Vickers hardness of less than 24 Hv, for example, an aluminum alloy, on both-side surfaces of a polymer film 4.
ＩＣモジュール２のアンテナパターン２は、ビッカース硬度が２４Ｈｖ以下の金属、例えばアルミニウム合金を高分子フィルム５の表裏にパターニングすることにより形成されている。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming dual damascene wiring at high yield by inhibiting patterning failure because of abrasive particles.
研磨粒子によるパターン形成不良を抑制して、高い歩留まりでデュアルダマシン配線を形成可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - The gate electrode 18 of the n-channel MISFET 24 and the upper electrode 19 of the capacitor 20 are formed by patterning a polysilicon film in the same layer.
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ２４のゲート電極１８とキャパシタ２０の上部電極１９とは、同層の多結晶シリコン膜をパターニングすることで形成されている。 - 特許庁 - Openings 4 are formed at channel stop region forming spots between light-receiving regions 14 by forming a first photoresist layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 22 and patterning the layer 2.
半導体基板２２の表面に第１のフォトレジスト層２を形成しパターン化して、受光部１４間のチャンネルストップ領域形成箇所に開口部４を形成する。 - 特許庁 - A patterning processing using plasma etching is performed on the conduction layer, and the conduction path is formed in a state where the conductive layer is electrically connected to the semiconductor substrate via the through part.
導電層が貫通部を経て半導体基板に電気的に接続された状態で、導電層にプラズマエッチングを用いたパターニング処理を施して導電路を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the fine pattern of the semiconductor device using a double exposure patterning process capable of forming a secondary photoresist pattern by simple exposure without using an exposure mask is disclosed.
露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。 - 特許庁 - A substrate virtual aligning line is set up on a semiconductor substrate, and a left-side mask virtual aligning line is set up on a left-side mask for patterning the left-side Φ electrodes.
半導体基板上に基板仮想合わせラインを設定し、複数の左側Φ電極のパターニングのための左側マスク上に左側マスク仮想合わせラインを設定する。 - 特許庁 - The method includes a step for pattering a substance film to form a substance film pattern after forming the substance film on a wafer having a plurality of independent patterning regions.
独立した複数のパターニング領域を有するウェーハ上に物質膜を形成した後、物質膜をパターニングして物質膜パターンを形成する段階を含む。 - 特許庁 - The pattern 110 for temperature control is formed by patterning copper foil having predetermined resistivity in a predetermined shape and functions as a heater generating heat by being supplied with a current.
温度制御用パターン１１０は、所定の抵抗率を有する銅箔を所定形状にパターン形成してなり、電流印加により発熱するヒータとして機能する。 - 特許庁 - By patterning a large quantity of ligand in an array on the surface of the base, the bonding pattern of a sample to an array is analyzed, thus identifying the microbe taxonomically.
基材表面に多くのリガンドをアレイ状にパターン化により、アレイに対する試料の結合パターンを分析すれば、微生物を分類学的に同定ができる。 - 特許庁
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