「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 78 79 次へ＞- To provide a protective film forming composition suitable for liquid immersion exposure, the composition preventing decrease in the transmittance of an immersion liquid and degradation in a resist profile, and to provide a patterning method using the composition.
液浸液の透過率が低下せず、レジストプロファイルが劣化しない、液浸露光に好適な保護膜形成組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - Because the temperature for depositing an ITO film can be controlled to ≥200°C in the above constitution, the obtained ITO film has favorable resistivity and transmittance and improved patterning characteristics.
この構成により、ＩＴＯ成膜時の温度を２００℃以上とすることができるため、比抵抗及び透過率の良好なＩＴＯ膜が得られ、ＩＴＯ膜のパターニング特性も向上する。 - 特許庁 - To reduce patterning defects in device fabrication caused by sticking of oxidation foreign matter by removing the oxidation foreign matter sticking on the reverse surface of a substrate through a high-temperature oxidation heat treatment.
高温酸化熱処理で基板裏面に付着した酸化異物を除去し、この付着酸化異物を起因として生じていたデバイス作製時のパターニング不良を低減できる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a multiple patterning circuit board which can uniformly vacuum-suck a mask for solder ball alignment and can improve the yield of ball loading.
はんだボール整列用マスクを均一に真空吸着することができ、ボール搭載の歩留まりを向上することができる多数個取り配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for quickly and inexpensively manufacturing a large-area organic thin film patterned finely and regularly in comparison with that manufactured by a conventional method in patterning of the organic thin film.
有機物薄膜のパターン化において、従来の方法に比較し、微細かつ規則的にパターン化された有機薄膜を大面積、迅速、且つ安価に製造可能する手法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing the same of a nanoparticle thin film pattern which makes fine patterning possible, a circuit pattern forming method, a nanoparticle thin film suited to it, and to provide a method of manufacturing the same.
微細なパターンニングを可能とするナノ粒子薄膜パターンの製造方法、回路パターン形成方法およびこれに適したナノ粒子薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This order enables manufacture of the packages, without additional patterning process or additional substrate for adhering solder balls in the direction of the upper surface of the semiconductor chip.
このような順序変更を通じて、半導体チップの上面方向にソルダーボールを付着するための別途のパターニング工程や別途の基板を利用せずにパッケージが製造できる。 - 特許庁 - An apparatus and method is disclosed which allows for stress relaxation in the substrate prior to further patterning to reduce, minimize or prevent such misalignment from residual strain.
残留ひずみによるこのようなミスアライメントを低減させ、最小化し、または防止するために次のパターニングの前に基板内の応力緩和を可能にする装置および方法を開示する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a wiring board suitable for a mounted circuit device for easily forming a plated layer for enabling highly reliable bonding, and for executing fine wiring patterning.
信頼性の高いボンディングを可能とするメッキ層を容易に形成でき、かつ微細な配線パターン化もできる実装回路装置用に適する配線板の製造方法の提供。 - 特許庁 - A thin-film conductor layer 21 and a photosensitive layer 31 are formed on an insulating base 11 and a series of patterning treatment, such as pattern exposure and development, is performed, thus forming a resist pattern 31a.
絶縁基材１１上に薄膜導体層２１及び感光層３１を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３１ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified resist material having high sensitivity (≤5 mJ/cm^2) required for ArF lithography and capable of ensuring stable suitability to patterning.
ＡｒＦリソグラフィに要求される高感度（５ｍＪ／cm^2 以下）を有しかつ安定したパターニング特性を得ることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method further comprises steps of then forming a thick insulating film 9 in the opening, patterning the polysilicon film 3 with the thick insulating film 9 as a mask, and forming a floating gate.
次に、前記開口内に厚い絶縁膜９を形成し、当該厚い絶縁膜９をマスクにして前記ポリシリコン膜３をパターニングしてフローティングゲートを形成することを特徴とする。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the field emission element, an emitter 50a is formed by a lift-off method and a separation layer 70 for preventing reaction is formed between a sacrifice layer 60 for emitter patterning and an emitter substance.
リフトオフ法によってエミッタ５０ａを形成し、エミッタパターニングのための犠牲層６０と、エミッタ物質との間にこれらの間の反応を防止する隔離層７０とを形成する。 - 特許庁 - The horizontal wiring portion of two-layer construction which includes a lower metal layer and an upper metal layer functioning as a mask for patterning the lower metal layer is formed on the thin film tape.
下層金属層と該下層金属層をパターニングするためのマスクとして機能する上層金属層からなる２層構成の水平配線部を薄膜テープ上に形成する。 - 特許庁 - To provide a method for film formation, which can simply form a film through the utilization of a chemical species such as a reactively active species, and to provide a method for patterning.
本発明は、反応活性種等の化学種を利用することにより、簡便に膜を形成することができる製膜方法、あるいはパターニング方法を提供することを目的の一つとする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystal which manufactures the three-dimensional photonic crystal while adjusting the positions of two-dimensional patterning plates stacked on each other by nano manipulation.
積み重ねた２次元パターニングプレートの位置をナノマニピュレーションにより調整しながら３次元フォトニック結晶を製造する３次元フォトニック結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor includes at least a step for forming a coat, a step of patterning, a step for forming interconnection and a step of reduction using the metal reducing method.
本発明の半導体の製造方法は、被膜形成工程と、パターニング工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。 - 特許庁 - When the shielding film 12 is formed on the interlayer film 11a through patterning, another interlayer film 11b is formed across the whole surface on the interlayer film 11a with the shielding film 12 thereon.
層間膜１１ａ上に遮蔽膜１２がパターニング形成されると、遮蔽膜１２が形成された層間膜１１ａ上に、全面にわたって、層間膜１１ｂを形成する。 - 特許庁 - Subsequently, a resin layer 4 is formed by patterning a resist layer applied on the refractive index control film 3 and a resin layer 5 having a curved outer surface is formed by heat treatment of the resin layer 4.
次いで、屈折率制御膜３上に塗布したレジスト層をパターニングして樹脂層４を形成し、樹脂層４を熱処理して外表面が曲面状の樹脂層５を形成する。 - 特許庁 - With this, the transparent electrode 2 with excellent etching workability can be formed while maintaining low resistance characteristics and high heat resistance, and patterning at the time of integration can be easily carried out.
これにより、低抵抗特性や高耐熱性を維持しつつ、エッチング加工性に優れた透明電極２を形成することができ、これにより、集積化時のパターニングが容易に行なえる。 - 特許庁 - After an n-type buried diffused layer 101 is formed in the upper part of a substrate 100, a base opening 110 is formed by patterning an insulating film 108 and an undoped polysilicon layer 109.
基板１００の上部にＮ型埋め込み拡散層１０１を形成し、絶縁膜１０８およびアンドープポリシリコン層１０９のパターニングを行ないベース開口部１１０を形成する。 - 特許庁 - When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference.
このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。 - 特許庁 - Consequently, the semiconductor device is provided which has extremely less breaking of the gate electrode, has improved resist patterning precision in a gate electrode forming process, and has small characteristic variance in a wafer surface.
ゲート電極の断線が極めて少なく、ゲート電極形成工程におけるレジストパターニング精度が改善された、ウェハ面内の特性ばらつきの少ない半導体装置を実現している。 - 特許庁 - The flexible zone includes at least a portion of the flexible membrane 20 and a conductor 22 formed by patterning the conductor membrane at a suitable stage in the manufacturing method.
可撓性領域は、可撓性薄膜２０の少なくとも一部分と、製造方法の適切な段階で導体薄膜をパターン化することにより形成した導体２２とを有する。 - 特許庁 - To finally form a desired dimension of pattern on a wafer in performing patterning a plurality of times with respect to a film to be treated, and to secure uniformity in the pattern dimension in a wafer surface.
被加工膜に対し複数回のパターニングを行うにあたり、ウェハ上に最終的に所望の寸法のパターンを形成し、またウェハ面内のパターン寸法の均一性を確保する。 - 特許庁 - The master disk for the optical disks including a glass substrate 70 and a chromium film 71 which is formed on this glass substrate 70 and is subjected to patterning to the prescribed shapes corresponding to the tracks of the optical disk is provided.
ガラス基板７０と、前記ガラス基板７０上に形成され、光ディスクのトラックに対応する所定形状にパターニングされたクロム膜７１とを含む光ディスク用原盤とする。 - 特許庁 - A gas sensor 2 detects a plurality of kinds of gases outside a vehicle, and a computation means 8 controls an outside air switching device 11 by patterning a plurality of output signals from the gas sensor.
ガスセンサ２は、車両外部の複数種類のガスを検出し、演算手段８は、ガスセンサからの複数の出力信号をパターン化して外気切替装置１１を制御する。 - 特許庁 - To finely form a gate opening for introducing impurities for forming unsymmetrical transistors at the time of patterning a gate electrode by preventing the generation of a residual resist in the gate opening.
ゲート電極パターニング時に非対称トランジスタを形成するための不純物導入用のゲート開口部を微細に形成する際に、ゲート開口部にレジスト残りが生じるのを回避する。 - 特許庁 - Then an interlayer insulating film 3b is formed, and a contact hole 4 to connect the aforementioned signal wiring 2 and the reflection electrode to be formed in the succeeding process is formed by patterning.
次に、層間絶縁膜３ｂが形成され、上記信号配線２と後の工程で形成される反射電極との接続のためのコンタクトホール４が、パターニングにより形成される。 - 特許庁 - Selective MOVPE growth is conducted, by using a patterning substrate, and an active layer and an optical waveguide layer are formed directly.
ＩｎＰ上に選択ＭＯＶＰＥ成長用の酸化膜によるマスクパターンを形成し、パターニング基板を用いて選択ＭＯＶＰＥ成長を行い、活性層と光導波路層を直接形成する。 - 特許庁 - To improve the accuracy of patterning while maintaining characteristics, such as low cost, high throughput and a high degree of freedom of optical materials in a display element and its method of manufacturing.
表示素子及びその製造方法において、低コスト、高スループット及び光学材料の自由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - The substrate processing method comprises a step for providing the substrate, a step for forming the thin film on the substrate, and a step for patterning the thin film in the same device by using a laser.
その基板処理方法は、基板を与える段階、基板上に薄膜を形成する段階、及び薄膜を同一装置内においてレーザを用いてパターニングする段階を有する。 - 特許庁 - To provide a laser beam machining apparatus that can emit a line beam with a length in excess of 1 m longitudinally and with uniform irradiation intensity and that can perform efficient patterning.
長尺方向の長さが１ｍを越える、照射強度が均一な線上ビームを照射することができ、効率的なパターニング加工を行なうことができる、レーザ加工装置を提供する。 - 特許庁 - Next, the upper electrode 6 and the capacitance insulating film 5 are formed by patterning the poly-silicon film on the element isolation film 2 and the capacitance insulating film forming film using a photo resist film as a mask.
次に、フォトレジスト膜をマスクに前記素子分離膜２上のポリシリコン膜及び容量絶縁膜形成膜をパターニングし上部電極６及び容量絶縁膜５を形成する。 - 特許庁 - To provide a wiring board manufacturing method which can remove catalyst particles on an insulator layer exposed through patterning given to a plating layer, without interfering with a subsequent plating process.
めっき層をパターン加工して露出した絶縁物層上の触媒粒子を，後のめっき工程に支障を来すことなく除去する配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A separate color filter pattern is formed at an upper part of a gate pad electrode to prevent it that the gate pad and the data pad are exposed to the chemicals for patterning the color filter.
そして、ゲートパッド電極の上部に別途のカラーフィルターパターニングを形成して前記カラーフィルターをパターニングする薬液によってゲートパッド及びデータパッドが露出されるのを防ぐ。 - 特許庁 - To conduct drilling and patterning at high speed and with high accuracy without stopping a machining table, by using a pulse output laser, using no dedicated scale, and using a device of simple composition.
パルス出力レーザを使用して、専用のスケールを用いることなく、簡単な構成で、加工テーブルを停止することなく、穴あけ加工やパターニングを高速且つ高精度で行なえるようにする。 - 特許庁 - To provide for forming a fine pattern of a semiconductor device utilizing a double patterning process, which achieves a contact hole pattern of a fine pitch exceeding the resolution limit in a photolithography process.
フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのコンタクトホールパターンを実現可能な、ダブルパターニング工程を利用する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - On the board 1 for forming a wiring pattern, a wiring pattern is formed, by patterning a material 30 for forming a wiring which is arranged on an upper surface with opening portions 2 formed.
開口部２が形成された上面に配置される配線形成用材料３０をパターニングすることで、配線パターンが形成される配線パターン形成用基板１である。 - 特許庁 - To provide a patterning method for a multi-layered resist film and a manufacturing method for a semiconductor device that can improve reliability of the semiconductor device and shorten an etching stage.
半導体装置の信頼性を向上させるとともに、エッチング工程を短縮化することが可能な、多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A thermal nitride film is formed on a silicon substrate 11 as a gate insulation film 13, a gate electrode material is formed on the insulation film, patterning is made, and a gate electrode 14 is formed.
シリコン基板１１上に熱窒化膜をゲート絶縁膜１３として形成し、この絶縁膜上にゲート電極材を形成した後、パターニングしてゲート電極１４を形成する。 - 特許庁 - To manufacture an optical element with excellent optical characteristics by accurately and efficiently patterning a plurality of liquid crystal films with an identical pattern or with various patterns on the same substrate.
同一の基材上にて同一のパターンまたは異なるパターンで複数の液晶膜を精度良くかつ効率的にパターニングすることにより、光学特性に優れた光学素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified photoresist composition suitable for resist patterning on a substrate whose surface has steps, to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the composition and to provide a semiconductor substrate.
表面に段差を有する基板のレジストパターニングに適した化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板を提供すること。 - 特許庁 - Finally, an aluminum interconnect layer 8 of multilayer structure consisting of a Ti film 3a/a TiN film 4a/a titanium oxide film 5a/an aluminum interconnect film 6a/a TiN film 7a is formed by patterning.
その後、パターニングによりＴｉ膜３ａ／ＴｉＮ膜４ａ／チタン酸化膜５ａ／アルミニウム配線膜６ａ／ＴｉＮ膜７ａからなる積層構造のアルミニウム配線層８を形成する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus is arranged to transfer a pattern from a patterning device onto a substrate and includes an electromagnetic actuator to actuate a part of the lithographic apparatus in a linear direction or in a rotational direction.
リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するように配置構成され、リソグラフィ装置の一部を直線方向または回転方向に起動する電磁アクチュエータを含む。 - 特許庁 - When carrying out the patterning of the organic EL layer by using the photolithography method, by installing a conductive protection layer between the organic EL layer and a photoresist layer, objectives are achieved.
本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機ＥＬ層のパターニングを行う際に、有機ＥＬ層およびフォトレジスト層の間に導電保護層を設けることにより、上記目的を達成する。 - 特許庁 - To provide a method of producing organic EL element using photocatalyst, that is superior in patterning and light emission efficiency, bright and moreover low in power consumption.
光触媒を用いた有機ＥＬ素子であって、パターニング性に優れると共に発光効率に優れ、明るく、しかも消費電力が低い有機ＥＬ素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - More concretely, an upper portion is etched by dry etching so that ITO thin film may leave about 50 nm, and etching is continued by wet etching and patterned in this patterning method.
具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 - 特許庁 - To provide a material for forming an insulating layer that enables patterning with a high aspect ratio by an alkali-developing type photolithography method and is excellent in electrical and thermal-mechanical reliability.
アルカリ現像型のフォトリソグラフィー法によるハイアスペクト比でのパターン加工が可能であり、かつ、電気的・熱機械的な信頼性に優れる絶縁層形成用材料を提供する。 - 特許庁 - To efficiently remove machining scatterings produced from a workpiece when performing a patterning by irradiating the workpiece with a laser beam to reduce debris stuck to the workpiece.
レーザ光を加工対象物に照射してパターン加工する際に加工対象物から発生する加工飛散物を効率よく除去し、加工対象物に付着するデブリを削減する。 - 特許庁
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