「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 78 79 次へ＞- Grooves 500 are formed on a color filter of a liq. crystal display device by patterning and, with common electrodes formed on the same, a groove is formed on the common electrode in a patterned part of the color filter.
液晶表示装置のカラーフィルタをパタニングして溝５００を形成し、その上に共通電極を形成しカラーフィルタがパタニングされた部分において共通電極に溝を形成させる。 - 特許庁 - To provide a film deposition device which can deposit a molybdenum layer suitably removable when performing patterning using a LASER scribe method, and a film deposition substrate manufacturing method and a film deposition substrate.
ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The patterning device includes a proximity mark 10 having several proximity structures 20 adjacent to one another, and each of the proximity structures 20 includes a space structure 11, a reference structure 12, and an inspection structure 13.
パターニングデバイスは、幾つかの隣接する近接構造体２０を有する近接マーク１０を含み、各近接構造体２０はスペース構造体１１、基準構造体１２、および検査構造体１３を含む。 - 特許庁 - Silicon oxide films 14a and 14b are formed by patterning a silicon oxide film after forming a silicon oxide film 4, a polysilicon film 5, and the silicon oxide film 6 in this order on a silicon substrate 1.
シリコン酸化膜４、ポリシリコン膜５、及びシリコン酸化膜６をこの順にシリコン基板１上に形成した後、シリコン酸化膜６をパターニングすることにより、シリコン酸化膜１４ａ，１４ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide reticle inspection technology with which the positional relation between patterns can be evaluated for patterns that may be turned into defects on exposure to a sample such as wafer in double patterning technology in the same layer.
同一レイヤーへのダブルパターニング技術において、ウエハ等の試料への露光時に欠陥となりうるパターンについてパターン間の位置関係の評価を可能にするレチクル検査技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a gas barrier film having high gas barrier properties and high surface smoothness and enabling the electrode patterning of a conductive layer, a laminated material using the gas barrier film and an image display medium.
高いガスバリア性を有するとともに、表面平滑性が高く、さらに導電性層の電極パターニングが可能なガスバリアフィルムと、このガスバリアフィルムを用いた積層材、画像表示媒体を提供する。 - 特許庁 - The lithographic device is arranged to transfer a pattern from a patterning device onto a substrate, and includes an air shower and a temperature sensor positioned near the air shower for measuring the temperature of an air stream in the air shower.
リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するよう構成され、エアシャワーと、エアシャワーの近くに位置決めされ、エアシャワー内の気流の温度を測定する温度センサとを含む。 - 特許庁 - To form a coplanar thin film transistor having an active layer of polycrystalline silicon, a polysilicon film 3 is formed on an undercoat film 2 having a recessed part 12 formed in a desirable shape by patterning.
多結晶シリコンを活性層とするコプラナー型の薄膜トランジスタを形成する際、パターニングして所望の形状に形成された凹所１２を有するアンダーコート膜２の上に、ポリシリコン膜３を形成する。 - 特許庁 - To provide a light emitting organic thin film display of a high productivity in which without damaging an element by laser machining, and in which patterning of an upper part electrode can be easily made in an arbitrary shape.
レーザー加工により、素子に損傷を与えることなく容易に上部電極を任意の形状にパターニングすることができ、かつ、生産性の高い有機薄膜発光ディスプレイを提供する。 - 特許庁 - The other substrate 3 is manufactured by patterning and forming transparent electrodes 16 for display by the photolithography method using the mask on the one surface 15a of the plastic substrate 15 having the translucency.
他方基板３は、透光性を有するプラスチック基板１５の一方表面１５ａにマスクを使用してフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１６をパターン形成して作製される。 - 特許庁 - To provide a resist protective film material for forming a protective film on a photoresist film to protect the photoresist film in liquid immersion photolithography, and a patterning method using the material.
本発明は、液浸フォトリソグラフィーにおいて、フォトレジスト膜を保護すべくフォトレジスト膜の上に保護膜を形成するためのレジスト保護膜材料及びこれらの材料を用いたパターン形成方法に関する。 - 特許庁 - The method of manufacturing an extreme-ultraviolet photomask includes a step of forming an upper pattern 45, having an inclined sidewall by patterning an upper film, after forming the upper film on a photomask substrate 10.
極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。 - 特許庁 - These trapezoidal protruded parts 7a and 7b are formed by patterning the surface of a p-AlGaInP clad layer 5 with the same photoresist etching process as for the pattering of the current mesa stripe 6.
この台形凸部７ａ、７ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の表面を電流メサストライプ部６のパターニングと同一のフォトレジスト・エッチング工程によりパターニングすることによって形成されている。 - 特許庁 - The 2nd electrodes are arranged above the 1st electrodes and supported by the patterning supporting layer so that air gaps having the same thickness are formed between the whole pair of the 1st electrodes and the 2nd electrodes.
第二電極は第一電極の上方に配置され、かつ等しい厚みを持つエアー・ギャップが第二および第一電極の総ての対の間に作られるように、パターン化支持層によって支持される。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device which can have a source wire, source electrodes, and a drain electrode formed in a single patterning stage without increasing the contact resistance between the drain electrode and a pixel electrode.
ドレイン電極と画素電極とのコンタクト抵抗を増大させずに、ソース配線、ソース電極およびドレイン電極を一回のパターニング工程で形成できる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor film for channel formation, an n-type semiconductor film formed as source and drain regions, and a conductive film formed as source wiring and drain electrode are stacked and then subjected to patterning operation using the same photomask.
チャネルが形成される非晶質半導体膜、ソース、ドレイン領域となるｎ型の半導体膜及びソース配線及びドレイン電極となる導電膜を積層し、同一のフォトマスクにてパターニングする。 - 特許庁 - A process for manufacturing the metal structure using the trenches carries out the etching of a semiconductor substrate in a desired depth and width through patterning from the top of the semiconductor substrate in the lower direction to form trenches.
トレンチを用いた金属構造物の製造工程は、トレンチを形成するために半導体基板の上部から下方向にパターニング過程を経て希望する深さおよび幅に食刻を行う。 - 特許庁 - First, patterning process is performed to form plural two-dimensionally disposed micro lens surfaces on the surface of a first optical resin layer 2 having a first refractive index and disposed on a transparent substrate 1.
先ずパタニング工程を行ない、透明な基板１の上に配された第一の屈折率を有する第一光学樹脂層２の表面に、二次元的に配された複数のマイクロレンズ面を形成する。 - 特許庁 - To provide partial metallic holograms of a high design characteristic by easily and inexpensively forming light reflection layers and further patterning and forming the light reflection layers and hologram regions to arbitrary shapes.
光反射層を簡便かつ安価に形成し、さらには光反射層とホログラム領域を任意の形状にパターン形成した意匠性の高い部分メタリックホログラム、およびその製造方法を提供する - 特許庁 - A double refraction layer is formed on a substrate and reactive ion etching is performed after a desired patterning is performed onto the double refraction layer to form a plurality of pits having different depth in the surface of the double refraction layer.
基板上に複屈折層を形成し、当該複屈折層に所望のパターニングをした後に反応性イオンエッチングを施すことによって複屈折層に深さの異なる複数のピットを形成する。 - 特許庁 - At the time of the patterning, a mask pattern is set in such a manner that the edge part of the 1st metallic film 120 retreats by prescribed dimensions from the part held by a cramp 210 on the peripheral part of the substrate 100.
このパターニングに際して、基板１００の周縁部のクランプ２１０で保持される部分から第１金属膜１２０のエッジ部が所定寸法後退するようにマスクパターンを設定する。 - 特許庁 - To provide a filter of a color conversion system capable of simplifying manufacturing processes and simultaneously patterning of high fineness and improving the efficiency of color conversion concerning respective primary colors and a display.
製造工程を簡略化すると同時に、高精細のパターニングを可能とし、各原色に関する色変換の効率を向上させることが可能な色変換方式のフィルタ、およびディスプレイの提供。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the first metallic layer 43 to have the width W1 through the use of an anisotropic etching method, and then, the gate electrode with the lamination structure is formed ((c) in Fig.5).
次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal cell for color display having a retardation layer with a patterning structure that gives an ideal retardation value even in a single layer, and to provide a liquid crystal display device using the liquid crystal cell.
一層でも理想的なレターデーション値を付与するパターニング構造の位相差層を備えるカラー表示用の液晶セルを提供し、該液晶セルを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - Protein including a metal is patterned on a semiconductor substrate as a result of including steps for patterning a charged material, and adsorbing protein including a metal to the charged material.
電荷を帯びた材料をパターニングし、電荷を帯びた材料に、金属内包タンパク質を吸着させる工程を含むことにより、結果的に金属内包タンパク質を半導体基板にパターニングするものである。 - 特許庁 - To provide an arrangement of an alignment mark that has improved compatibility with extreme dipolar illumination settings and also with less extreme settings to be used in the other patterning step during lithography processing.
極端ダイポール照明設定と、またリソグラフィ処理中の他のパターニングステップ中に使用することができるあまり極端でない設定と、改善された互換性を有するアライメントマークの構造。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an image sensor capable of performing fine patterning while enhancing a fill factor even if roughness or uniformity is not improved by a CMP or WET process.
本発明は、フィルファクターを高めながら、ＣＭＰやＷＥＴ工程による粗さやユニフォーミティの改善を施さなくても、微細パターニングすることができるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁 - This application provides this method for manufacturing a plasma display panel characterized by comprising steps of: forming a barrier rib material on a lower plate, on which address electrodes and a dielectric are provided; forming a black top material comprising a photosensitive material on the barrier rib material; patterning the black top material to form the black tops; and patterning the barrier rib material using the black tops to form the barrier ribs.
アドレス電極と誘電体が備えられた下板上に隔壁材料を形成する段階と、前記隔壁材料上に、感光性材料を含むブラックトップ材料を形成する段階と、前記ブラックトップ材料をパターニングしブラックトップを形成する段階と、前記ブラックトップを用いて前記隔壁材料をパターニングする段階とを備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, said semiconductor device is manufactured in the steps of: forming a conductive film and a dielectric film in order; forming a laminated film different conductive films in shape of at least 2 layers or more crystal particles; forming the upper electrode 4 by patterning the laminated film; and forming the capacity insulating film 3 and the lower electrode 2 by patterning the dielectric films and the conductive films in order.
また、基板１上に導電膜と誘電体膜を順次形成し、少なくとも２層以上の結晶粒形状の異なる導電膜４Ａ，４Ｂ，４Ｃを順次成膜して積層膜を形成し、この積層膜をパターニングして上部電極４を形成し、誘電体膜と導電膜を順次パターニングして容量絶縁膜３及び下部電極２を形成して上記半導体装置を製造する。 - 特許庁 - To provide a patterning method of an organic semiconductor layer which can be applied to general organic semiconductor layers or photoresist without using a special protective material such as parylene and can minimize deterioration in performance of the organic semiconductor layer due to patterning, and further to provide a method of manufacturing an organic semiconductor device, an organic semiconductor pattern formed based on that method and an organic semiconductor device, and a display device.
パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.
透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The substrate for patterning comprises the substrate material and the cell culture patterning layer that is formed on the substrate, at least has photocatalytic action and the cell adhesion-inhibitory action to inhibit the cell adhesion, further includes a cell adhesion inhibitor that decomposes or modifies the cells by the action of the photocatalyst activated by energy radiation.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、少なくとも光触媒および、細胞と接着することを阻害する細胞接着阻害性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着阻害材料を含有する細胞培養パターニング用層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having metal wires formed on an upper layer wire by RIE using tungsten as a contact burying material in which tungsten can be prevented from being etched by chemical due to the misalignment of a pattern at the time of patterning the upper layer interconnect, no inclusion margin is required at the time of patterning the upper layer interconnect, and the reduction of a pattern size is facilitated.
コンタクト埋め込み材としてタングステンを用い、その上層配線にRIEを用いて加工するメタル配線をもつ半導体装置の製造に際して、上層配線のパターニングの際にパターンの合わせずれに起因してタングステンが薬液でエッチングされてしまうことを防止でき、上層配線のパターニングの際に包含余裕をとる必要がなくなり、パターンサイズの縮小が容易になる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.
圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板１０の当該一方面に密着を向上する第１の金属層１９１と、配線となる第２の金属層１９２とを積層する工程と、前記第２の金属層１９２をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第１の金属層１９１をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁 - The patterning method includes a step of forming a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate, and the method includes steps of preparing a substrate on which an alignment mark to be used for alignment is formed, drawing a first pattern by aligning using the above alignment mark, and drawing a second pattern by aligning using the above alignment mark.
同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、位置合わせに用いるアライメントマークが形成された基板を準備する工程と、上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第１のパターンを描画する工程と、さらに上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第２のパターンを描画する工程とを含む。 - 特許庁 - In a method for forming a pattern of a film, a patterning region is formed by applying a triazine compound on a substrate and then irradiating a desired region in the substrate, where the triazine compound is applied, with ultraviolet rays, and a film of an inorganic nanoparticle is formed in the desired region by immersing the substrate in an inorganic nanoparticle dispersion so that the inorganic nanoparticle is bonded to the patterning region.
基板にトリアジン系化合物を付着させ、前記トリアジン系化合物を付着させた前記基板の所望領域に紫外線を照射することでパターニング領域を形成し、前記基板を無機ナノ粒子分散液に浸漬して前記パターニング領域に無機ナノ粒子を接着させることにより、所望領域に無機ナノ粒子の皮膜を形成することを特徴とする皮膜のパターン形成方法。 - 特許庁 - After patterning on a rib material layer 12 formed on a substratell, a blast mask ink that permeates into the rib material layer 12 and its blast rate of permeated portion 13 is designed to be around 0-0.8 times the rib material layer is applied.
基板１１上に形成したリブ材料層１２の上にパターニングした後、リブ材料層１２に浸透し、その浸透部分１３のブラストレートがリブ材料層の０〜０．８倍の範囲となるブラストマスクインキを使用する。 - 特許庁 - To reduce subtrenches at the time of fine patterning by applying a sine wave bias subjected to amplitude modulation by a saw-tooth wave to a sample setting electrode.
処理試料設置電極にバイアスを印加をするドライエッチング方法及び装置において、微細パターン形成時に発生するサブトレンチを低減もしくは無くする改良されたドライエッチング方法及びドライエッチング装置を実現すること。 - 特許庁 - This method has a process of forming an insulating layer on a base on which bumps for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates to thermocompression-bond a copper foil onto the insulating layer, and a process of patterning the copper foil.
層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a transparent electrically conductive tin oxide film by which a high definition transparent electrically conductive tin oxide film can easily be formed in a state free of pinholes and microcracks without requiring a great capital investment.
大きな設備投資を必要とせず、容易に高精細の透明導電性酸化スズ膜をピンホールやマイクロクラッが生じない状態で形成できる透明導電性酸化スズ膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - This liquid crystal display device is provided with many columnar spacer projections 11 which are uniform in projection sizes and distributions by coating application of a resin and patterning on a single and smooth dye accepting layer 12 formed on a transparent insulating substrate 10.
透明絶縁基板１０上に形成された単一の平滑な染料受容層１２の上に、樹脂の塗布及びパターニングによって、突出寸法及び分布の均一な多数の柱状スペーサ突起１１を設ける。 - 特許庁 - This double patterning system provides a means for forming a hard mask feature with a feature interval less than a minimum interval with which the hard mask can be printed according to a single exposure, by of a single hard mask etching process.
この二重パターニングシステムは、単一露光に基づいてハードマスクにプリント可能な最小間隔よりも小さいフィーチャ間隔で、１回のハードマスクエッチング工程においてハードマスクフィーチャを形成する手段を提供する。 - 特許庁 - The clamp is constructed so that the temperature control unit is isolated from the support by a flexible connector to assure that the vibration, contraction and expansion of the temperature control unit do not affect the patterning device and/or the substrate.
クランプは、温度制御部分の振動、収縮及び膨張がパターニングデバイス及び／又は基板に影響しないように、可撓性コネクタで支持部分から温度制御部分を機械的に隔離するように構築される。 - 特許庁 - An auxiliary capacitor CSC is composed of an active layer 42 of a TFT, a silicon thin film 43 as a common layer, an auxiliary capacitance line formed by patterning a 1st metallic layer 46 laminated across a gate insulating film 44.
ＴＦＴの能動層４２と共通層であるシリコン薄膜４３とゲート絶縁膜４４を介して積層された第１金属層４６をパターン化した補助容量ラインとにより補助容量ＣＳＣを構成する。 - 特許庁 - The illumination system comprises a field defining element arranged to define an illuminating field in the plane of the patterning device or in a plane conjugate to it, the field being off-axis with respect to the optical axis of the illuminating system.
この照明システムがこのパターニング装置の平面にまたはそれと共役な平面に、この照明システムの光軸に関して軸外れである照明フィールドを形成するように構成したフィールド形成素子を含む。 - 特許庁 - To provide a simple processing method for patterning a chopstick, having excellent designability due to a synergistic effect of a combined pattern using a plurality of tubular films to which a pattern is applied and a pattern layer being a base.
模様が施された複数のチューブ状フィルムと下地である模様層とを使った組み合わせ模様による相乗効果により、優れた意匠性を有する箸の簡単な模様付け加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching solution for electrically conductive polymers having excellent etching power to the polymers and provide a patterning method to use the etching solution for conductive polymers.
導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method and material for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material such as a light emitting material disposed therein; and to provide an element formed using the same.
重合性非晶質母材を前記母材に配置された発光材料など、電気活性材料でパターン化するための材料および方法、並びに前記材料および方法を用いて形成された素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a cylindrical aggregate obtained by patterning an oriented carbon nanotube (CNT) and to provide a method for manufacturing a field emission type cold cathode using the aggregate and capable of emitting an electron uniformly at a low voltage.
配向性カーボンナノチューブ（CNT）のパターン化された柱形状集合体の製造法及びこれを用いた低電圧で均一な電子放出可能な電界放出型冷陰極の製造法を提供する。 - 特許庁 - To perform patterning by wet etching with a high aspect ratio even on a thick metal plate in a process for producing a circuit board, a process for producing a power module substrate, the circuit board, and the power module substrate.
回路基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法並びに回路基板及びパワーモジュール用基板において、厚い金属板でも高アスペクト比でウェットエッチングによりパターン形成を行うこと。 - 特許庁
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