「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 78 79 次へ＞- At this moment, the planarization process is performed until the top electrode of the capacitor is exposed, then a conduction film for plate electrode is formed and a plate line directly contacting to the upper electrode is formed by patterning.
この際、平坦化工程はキャパシタ上部電極が露出される時まで実施され、その後、プレート電極用導電膜を形成し、パターニングして上部電極に直接接触するプレートラインを形成する。 - 特許庁 - Consequently, the wasteful time of irradiating the portions to be removed by patterning with the laser beams can be eliminated and the crystallinity of the patterned semiconductor film can be improved further.
上記構成により、半導体膜のうち、パターニングにより除去される部分に無駄にレーザー光を照射する時間を省くことができ、パターニング後に得られる半導体膜の結晶性をより高めることができる。 - 特許庁 - In the method for patterning a chemically amplifying type resist by using an antireflection film containing a photoacid producing agent as a base layer, the antireflection film in the region where a sparse pattern is to be formed is preliminarily subjected to alkali treatment.
光酸発生剤を含有する反射防止膜を下地層として用いた化学増幅型レジストのパターニング方法において、疎なパターンを形成する領域の反射防止膜に対しあらかじめアルカリ処理を行う。 - 特許庁 - An increase in the number of processes required for manufacturing a second gate electrode is reduced by forming a gate electrode to be provided at the upper part of an oxide semiconductor layer simultaneously when patterning the oxide semiconductor takes place.
酸化物半導体層の上方に設けるゲート電極を形成するとき、酸化物半導体層のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 - 特許庁 - To ensure the high accuracy of patterning a solar battery substrate and largely improve conversion efficiency of a solar battery element even in machining a wavy solar battery substrate or a curved substrate.
「うねり」のある太陽電池基板、または曲面状の太陽電池基板を加工する場合であっても、高い精度でパターン加工することができ、太陽電池素子の変換効率を大きく向上させることができる。 - 特許庁 - The spot grid is attained by using a patterning device 204 which turns the patterned beam on a micro lens array 240 in which a spot is formed by Fourier transform of the beam patterned in the substrate.
これは、基板でパターン形成されたビームのフーリエ変換されたスポットを形成するマイクロレンズ・アレイ２４０上に、パターン形成されたビームを向けるパターン形成デバイス２０４を使用することによって達成される。 - 特許庁 - To suppress sufficiently the bleedout of an impurity of a cyclic dimethylsiloxane oligomer from the thin protection layer which is obtained by film-forming a photosensitive siloxane polyimide resin composition on a printed wiring board and by patterning and curing.
感光性シロキサンポリイミド樹脂組成物をプリント配線板上に成膜し、パターニングし、硬化させて得た薄い保護層から、不純物である環状ジメチルシロキサンオリゴマーがブリードアウトすることを十分に抑制できるようにする。 - 特許庁 - Thus, in the case of patterning a conductive layer by the photolithography, a step of adjusting the tilt angle of the board 1 with respect to the exposure light source is not required so as to prevent cost increase attended with increase in man-hours.
したがって、フォトリソグラフィにより導電層をパターン化する際に、露光用の光源に対して基板１の傾斜角を調整する工程が不要となり、工数の増加にともなうコストアップが防止できる。 - 特許庁 - In a method of forming a dielectric, the first and second layers are formed on a glass substrate, the second layer is developed after receiving light for patterning, and the first and second layers are baked collectively.
さらに、第１の層と第２の層とをガラス基板上に設け、第２の層を光照射後現像してパターニングした後、第１の層と第２の層を一括して焼成する誘電体の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an active matrix array which has a structure eliminating in self-matching way an effect caused by parasitic capacitance between adjacent signal lines caused by a deviation of patterning in manufacturing, and eliminates difference in brightness.
製造上のパターニングのズレに起因する隣接した信号線間の寄生容量によって生じる効果を自己整合的に解消する構造を有して輝度差を解消するアクティブマトリクスアレイを提供する。 - 特許庁 - In a reticle contraction correction model for describing contraction amounts of two reticles used in a double patterning method, parameters relating to contraction (reticle contraction correction parameters (a time constant and a saturation value)) are optimized.
ダブルパターニング法において使用される２つのレチクルのそれぞれの伸縮量を記述するレチクル伸縮補正モデルについて、伸縮に係るパラメータ（レチクル伸縮補正パラメータ（時定数と飽和値））を最適化する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing the lower electrode of a thin film solar cell, which is capable of easily making a metal thin film into the lower electrode by patterning and hardly deteriorating the insulating properties of the lower electrode even if the insulating layer is formed on a board.
金属薄膜のパターニングを容易に行うことができ、基板上に絶縁層が形成されていても絶縁性が損なわれることがない薄膜太陽電池用下部電極の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for fabricating a flat panel display element which reduce the process time and minimize pattern defects by executing a patterning process by a method of not executing a photolithographic process.
本発明の目的は、フォト工程を行わない方法で、パターニング工程を実行し、工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした平板表示素子の製造方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁 - The fist material film 107 and the second material film 109 are subjected to patterning linearly so that each one end is fixed to a substrate 3, and the other end is disposed on the recessed part 3a through the sacrificial layer 105, thereby forming a driving electrode 7.
一端が基板３に固定され他端が犠牲層１０５を介して凹部３ａ上に配置される帯状に第１材料膜１０７と第２材料膜１０９とをパターニングして駆動電極７を形成する。 - 特許庁 - To provide a novel steering wheel and its manufacture, which has approximately the same wooden feel with excellent touch and excellent external appearance as natural wood by patterning a curly grain pattern such as a straight grain pattern and a cross grain pattern.
触感上はもとより、外観上においても柾目模様や板目模様などの木目模様が施され、天然木とほぼ同等の木質感を具えた新規なステアリングホイール並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A stage for discharging a resist from a slit and applying the resist to the flat panel display in such a manner that the dry film thickness of the resist attains 2.5 to 5 μm in order to form the color filter or patterning is included in a stage for manufacturing the flat panel display.
フラットパネルディスプレイを製造する工程に、カラーフィルタやパターニングを形成するためのレジストの乾燥膜厚が２．５μｍ〜５μｍとなるように、前記レジストをスリットから吐出させて塗布する工程を含ませる。 - 特許庁 - To easily and reliably obtain a focalizing position, that is, the best focus position by a single exposure with high accuracy, to enable high-accuracy focus measurement in a very short time, and to rapidly perform high-reliability patterning.
容易且つ確実に１回の露光で合焦位置、即ちベストフォーカス位置を精度良く求めることができ、極めて短時間で高精度の焦点計測を可能として、信頼性の高いパターニングを迅速に行う。 - 特許庁 - After removal of the second resist pattern, a second light transflective film 17 is formed throughout the surface of the substrate, and third patterning is performed by etching at least the second light transflective film 17 with a third resist pattern formed on the film 17 as a mask.
第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜１７を形成し、その上に形成した第３レジストパターンをマスクとして少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う。 - 特許庁 - During the process of patterning a thin film resistor 28 in an SOG film 26 formed on a silicon substrate 20 as a base interlayer insulating film and a second TEOS film 27, moisture is left in the SOG film 26.
シリコン基板２０上に下地層である層間絶縁膜として成膜したＳＯＧ膜２６および２ｎｄＴＥＯＳ膜２７に薄膜抵抗体２８をパターニングする過程で、水分がＳＯＧ膜２６中に残留する。 - 特許庁 - Fine rugged patterns are formed on the preliminary rolls and an offset is provided to the vertical joint positions of the emboss roll patterns, enabling patterning of vertical walls formally impossible heretofore to mold a metallic exterior material having a high-grade feel.
また予備ロールに細かい凹凸模様を設け，エンボスロールの模様の縦目地部にオフセットを設けることで従来不可能であった縦壁の模様付けが可能となり高級感のある金属製外装材が成型できる。 - 特許庁 - After providing a conductive layer over the whole surface of a transparent base material 11 comprising a polyester film, etc., by forming a photosensitive layer on the conductive layer, such a series of patterning treatments as pattern exposure and development are so performed as to form a resist pattern.
ポリエステルフィルム等からなる透明基材１１の全面に導電層を設け、導電層上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する。 - 特許庁 - The method for cleaning a transparent permanent film includes a step of supplying an acidic aqueous solution to a photosensitive resist film after being exposed and developed in a patterning step of the photosensitive resist.
感光性レジストのパターニング工程において、露光及び現像処理した感光性レジスト膜に対して、酸性水溶液を供給して洗浄処理を行う工程を有する、透明永久膜の洗浄処理方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing semiconductor devices related to the present invention has processes of: forming a conductive membrane on a semiconductor substrate; forming a sacrificial membrane on the conductive membrane; patterning the sacrificial membrane; forming a side wall on the side of the patterned sacrificial membrane; removing the patterned sacrificial membrane; and patterning the conductive membrane by using the side wall as a mask and form wiring.
半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁 - The patterning method comprises a step for forming a barrier 30 on a substrate P, a step for forming a conductive layer 80 in a patterning region 30a surrounded by the barrier 30, a step for arranging plating nuclei 26 on the conductive layer 80, and a step for forming an anti-diffusion layer 82 on the conductive layer 80 by electroless plating method using the plating nuclei 26 as a catalyst.
本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核２６を配置するめっき核配置工程と、導電層８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 - 特許庁 - With this method, first, the patterning device MA, a detector 43, and a projection system 42 are arranged so that images of the features are projected by the projection system on the detector 43 when the polarization sensitive features 44 are lighted.
この方法では、先ず、偏光感応フィーチャ４４の照明に際して、このフィーチャの像がディテクタ４３上の投影システムによって投影されるように、パターニングデバイスＭＡ、ディテクタ４３および投影システム４２が設けられる。 - 特許庁 - To solve problems that gas is generated due to electric erosion reaction by developer and peeling of film is generated at a contact part in an organic insulation film patterning process for forming relief structure of a reflection film in an array process of a liquid crystal display.
液晶表示装置のアレー工程において、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタクト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in depth of focus and dependency on density distribution, as well as an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a patterning method using this composition.
フォーカス余裕度及び疎密依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor IC device capable of increasing a total memory capacity and in addition a higher speed operation without accompanying a fine patterning technology which requires a large amount of cost for a capital investment and has a definite limitation naturally.
設備投資などに膨大な費用がかかり、おのずと一定の限界がある微細化技術を伴うことなしに、トータルの記憶容量を増大させ、さらに、より高速動作が可能な半導体集積装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching-durable photosensitive resin composition which can be exposed for patterning with a small quantity of exposure light, which prevents misalignment of the pattern, which has excellent stripping property without leaving an unnecessary resin, and which can prevents a metal plate from rust.
少ない露光量でパターン露光ができ、パターンの位置ズレを防止でき、剥離性に優れていて、不安な樹脂残りがなく、金属板のサビを防止することができる耐エッチング性感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - The reticle for metal patterning includes an IC pattern ensemble region and a TEG pattern region patterned next to each other, interposing a light non-transmitting solid region (region A), and has a scribe line in the region A.
ＩＣパターン集合領域とTEGパターン領域が光非透過ベタ領域（領域Ａ）をはさんで並んでパターニングされている金属膜パターニング用レチクルにおいて、前記領域Ａにスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁 - The method also includes measuring the accuracy of at least one property of the at least one location of the pattern on the substrate that has been determined as being prone to patterning errors, and adjusting the lithographic process according to the measuring.
方法は、パターニングの誤差が発生しやすいとして決定された基板上のパターンの少なくとも１つの位置の少なくとも１つの特性の精度を測定し、測定に従ってリソグラフィプロセスを調整することも含む。 - 特許庁 - The first to third color layers 10 to 12 are formed by patterning using a photoreceptor, have high photosensitivity and sufficiently give rise to a crosslinking reaction and therefore have the high adhesion property to the insulating films 9 consisting of silicon nitride.
第１乃至第３の色層１０乃至１２は、フォトレジストを使用したパターニングにより形成されるものであり、感光性が高く架橋反応が十分に起こるので、シリコン窒化物からなる絶縁膜９との密着性が高い。 - 特許庁 - To provide a resist pattern forming method capable of forming a satisfactory resist pattern, by a double patterning process using a positive type resist composition as a first resist composition, on a support formed with a reflection preventive film on its surface.
表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a direct-write patterning method which can very easily and simply cope with the direct writing method from data from a computer in a bright room, even with printed boards having through-holes, and at more improved production efficiency.
スルーホールを有するプリント基板でも、極めて簡便に、かつ明室下で可能なコンピュータからのデータの直接描画方法に対応することができ且つ生産効率のさらに向上した直描作製方法を提供すること。 - 特許庁 - The mask for measuring flare is used for patterning, and the displacement amount is calculated from the respective distances L1, L2 between both ends of the measurement pattern and the box pattern, and flare rate is calculated by using the correlation function between the exposure dose and flare rates.
このフレア測定用マスクを用いてパターニングし、計測用パターンの両端とボックスパターンとのそれぞれの距離Ｌ１，Ｌ２から位置ズレ量を算出し、露光量とフレア率との相関関数を使ってフレア率を算出する。 - 特許庁 - At least one of the first and second support structures is comprised of a planar base, a movable stage for supporting the patterning means or the substrate that can be moved over said planar base, and an actuator for providing said movement of the stage.
第１及び第２支持構造の少なくとも一方が、平面ベースと、パターン化手段又は基板を支持し、平面ベースの上を移動することができる移動可能なステージと、ステージの動きを与えるアクチュエータとを備える。 - 特許庁 - Further, in this patterning method for the insulating layer, by simplifying a conventional usual lithographic process, an etching process and a stripping process, the processes are simplified, process cost is reduced and process time is shortened.
また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 - 特許庁 - To provide a black-colored composition for color filter, which has high sensitivity, and at the same time, can maintain physical properties, such as superior dispersion stability, patterning property or chemical durability, and to provide a color filter formed by using the same.
高い感度と、優れた分散安定性、パターニング性、耐薬品性等の物性の維持とを両立するカラーフィルタ用黒色着色組成物、および該カラーフィルタ用着色組成物を用いて形成されるカラーフィルタの提供。 - 特許庁 - The conductive pattern material manufacturing method comprises a step of providing the ITO film on the substrate, a step of directly coupling graft polymer on the surface of the ITO film, and a step of depositing the conductive material on the graft polymer, and further comprises a step of patterning the ITO film before or after the step of directly coupling the graft polymer.
基板上にパターン状に設けられたＩＴＯ膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。 - 特許庁 - The master disk 73 for optical disks is manufactured by a process (S21) of forming a chromium film 71 on a glass substrate 70 and processes (S22 to S26) of patterning the chromium film 71 to a prescribed shape corresponding to the track of the optical disk.
ガラス基板７０上にクロム膜７１を形成する工程（Ｓ２１）と、光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記クロム膜７１をパターニングする工程（Ｓ２２〜Ｓ２６）により、光ディスク用の原盤７３を製造である。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device and a method for manufac turing the same which enable reduction in a cost and simplification of the process by forming a plurality of patterns on the same substrate and minimizing the number of masks required in the patterning.
本発明は、複数のパターンを同一基板上に形成し、前記パターン時要求されるマスクの数を最小化してコスト減少及び工程を簡素化するための液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A red colored layer 14R is roughly divided into a color filter portion 14R forming a red color filter and a spacer portion 14RS, and both the portions 14RC and 14RS are formed by patterning the single color layer.
赤色着色層１４Ｒは赤色のカラーフィルタを成すカラーフィルタ部分１４ＲＣとスペーサ部分１４ＲＳとに大別され、両部分１４ＲＣ，１４ＲＳは単一の着色層をパターニングすることによって形成される。 - 特許庁 - A lithographic apparatus includes: an illumination system configured to adjust a radiation beam; and a support medium constructed to support a patterning device capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体とを含む。 - 特許庁 - This is a forming method of a transparent electrode comprising a process to form a transparent conductive film having ZnO added with Mg on a substrate and a process to form patterning of the transparent conductive film using an etching liquid containing HCl.
基板上にＺｎＯにＭｇが添加された透明導電膜を形成する工程と、ＨＣｌを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成方法により解決される。 - 特許庁 - After a metallic substrate 101 is coated with a resist resin 102, a projected shape mold is formed by patterning this resist resin 102, the periphery of the resist resin 102 is etched, and recess parts 101A are formed on the substrate 101.
金属製の基板１０１上にレジスト樹脂１０２をコーティングした後、このレジスト樹脂１０２をパターニングすることにより凸部形状の型を形成し、レジスト樹脂１０２の周辺をエッチングし、基板１０１に凹部１０１Ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as insulation gate type field effect transistor (IGFET) of high integration, in which damage are prevented even in micro-patterning.
高集積度の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）を含む半導体装置の製造方法に関し、微細パターンの加工においても、半導体装置の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a package, capable of preventing problems such as damage, deformed crack or crack in dividing a frame sheet into individual packages even when the package downsized in accordance with demands of integration is manufactured using the multiple patterning.
集積化の要望に応じて小型化されたパッケージを多数個取りの製造を行う場合においても、個別に分割する際に破損や、異形割れ、クラックが発生する問題のないパッケージの製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a lithography system in which throughput can be increased through patterning of all feature sizes during exposure and features can be patterned over an entire surface of a substrate substantially at a same time as required.
各露光中にあらゆるフィーチャサイズのパターニングにわたりスループットを高めることができるようにし、必要に応じて実質的に一度に１つの基板の表面全体にフィーチャをパターニングできるようにしたリソグラフィシステムを提供する。 - 特許庁 - From the orientation of the quarter wave plate 13 and the analyzer 14 when light is no longer detected, it is possible to calculate a change in relative phase on the surface of the patterning device MA and also to calculate the width (or thickness) of contamination.
光が検出されなくなったときの４分の１波長板１３およびアナライザ１４の配向から、パターニングデバイスＭＡの表面での相対位相変化を計算でき、汚染広さ（または厚さ）を計算することができる。 - 特許庁 - The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.
下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
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