「Patterning」を含む例文一覧(3921)

<前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 78 79 次へ>
  • With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).
    感光膜47をマスクとして第2金属層45を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅(W1)よりも1μm乃至4μm程度小さな幅(W2)にパターニングする(図5(b))。 - 特許庁
  • As shown in diagram (g), after the patterning film 6 is removed through wet etching, a chemical-mechanical polishing (CMP) treatment is applied, and the metal wiring film 7 on the recessed part 3 as well as the seed film 5 outside the recessed part 3 is polished.
    次いで、図1(g) に示すように、たとえばウエットエッチングによってパターニング膜6を除去した後、CMP処理を行うことにより、凹部3上の金属配線膜7および凹部3外のシード膜5を研磨していく。 - 特許庁
  • To prevent short circuit by ejecting functional liquid such that functional liquids temporarily overflowing from a plurality of line patterning areas do not touch each other, and to bring the line patterns closer to each other.
    複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。 - 特許庁
  • An extra capacitor or a capacitor is fabricated utilizing the capacitance between interconnections (between M11 and M12) or the capacitance between through holes (between B11 and B12) which is increased as a finer patterning is employed in the process technology.
    プロセス技術の微細化に伴って大きな容量を持つようになった配線間(M11およびM12間)容量およびスルーホール間(B11およびB12間)容量を利用して、付加容量またはキャパシタを形成する。 - 特許庁
  • A patterning roller body 13 is formed in a cylindrical shape, the projected stripes 12 formed on the surface of the roller have a plurality of parallel rows, and the width of each of the projected stripes is within a range of 0.3 mm to 10.0 mm.
    また、模様付けローラ本体13は、円筒状であり、そのローラ表面に形成される凸条12が平行に複数あり、その凸条の幅が0.3mm〜10.0mmの範囲であるものである。 - 特許庁
  • To provide a conductive pattern generation method that eliminates the need for using a printer for patterning and its complicated process, and enables easy generation and miniaturization of conductive patterns.
    パターニングのための印刷装置を用いず、またそれによる複雑な処理工程を必要とすることなく、導電パターンの生成を簡易に行え、導電パターンの微細化を実現できる導電パターンの生成方法を提供する。 - 特許庁
  • In the method for manufacturing the solid-state image pickup device, a pad insulation film 2 and an oxidation resistant film 3 are formed on a silicon substrate 1 for patterning, thus forming an opening 4 for opening the region for separating elements.
    本発明の固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板1の上に、パッド絶縁膜2と耐酸化性膜3とを形成し、パターニングを行うことにより、素子分離用領域を開口する開口4を形成する。 - 特許庁
  • Thus, in the case of patterning a conductive layer by the photolithography, a step of adjusting the tilt angle of the board 1 with respect to the exposure light source is not required so as to prevent cost increase attended with increase in man-hours.
    したがって、フォトリソグラフィにより導電層をパターン化する際に、露光用の光源に対して基板1の傾斜角を調整する工程が不要となり、工数の増加にともなうコストアップが防止できる。 - 特許庁
  • In a method of forming a dielectric, the first and second layers are formed on a glass substrate, the second layer is developed after receiving light for patterning, and the first and second layers are baked collectively.
    さらに、第1の層と第2の層とをガラス基板上に設け、第2の層を光照射後現像してパターニングした後、第1の層と第2の層を一括して焼成する誘電体の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an active matrix array which has a structure eliminating in self-matching way an effect caused by parasitic capacitance between adjacent signal lines caused by a deviation of patterning in manufacturing, and eliminates difference in brightness.
    製造上のパターニングのズレに起因する隣接した信号線間の寄生容量によって生じる効果を自己整合的に解消する構造を有して輝度差を解消するアクティブマトリクスアレイを提供する。 - 特許庁
  • In a reticle contraction correction model for describing contraction amounts of two reticles used in a double patterning method, parameters relating to contraction (reticle contraction correction parameters (a time constant and a saturation value)) are optimized.
    ダブルパターニング法において使用される2つのレチクルのそれぞれの伸縮量を記述するレチクル伸縮補正モデルについて、伸縮に係るパラメータ(レチクル伸縮補正パラメータ(時定数と飽和値))を最適化する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing the lower electrode of a thin film solar cell, which is capable of easily making a metal thin film into the lower electrode by patterning and hardly deteriorating the insulating properties of the lower electrode even if the insulating layer is formed on a board.
    金属薄膜のパターニングを容易に行うことができ、基板上に絶縁層が形成されていても絶縁性が損なわれることがない薄膜太陽電池用下部電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A stage for discharging a resist from a slit and applying the resist to the flat panel display in such a manner that the dry film thickness of the resist attains 2.5 to 5 μm in order to form the color filter or patterning is included in a stage for manufacturing the flat panel display.
    フラットパネルディスプレイを製造する工程に、カラーフィルタやパターニングを形成するためのレジストの乾燥膜厚が2.5μm〜5μmとなるように、前記レジストをスリットから吐出させて塗布する工程を含ませる。 - 特許庁
  • The fist material film 107 and the second material film 109 are subjected to patterning linearly so that each one end is fixed to a substrate 3, and the other end is disposed on the recessed part 3a through the sacrificial layer 105, thereby forming a driving electrode 7.
    一端が基板3に固定され他端が犠牲層105を介して凹部3a上に配置される帯状に第1材料膜107と第2材料膜109とをパターニングして駆動電極7を形成する。 - 特許庁
  • To provide a novel steering wheel and its manufacture, which has approximately the same wooden feel with excellent touch and excellent external appearance as natural wood by patterning a curly grain pattern such as a straight grain pattern and a cross grain pattern.
    触感上はもとより、外観上においても柾目模様や板目模様などの木目模様が施され、天然木とほぼ同等の木質感を具えた新規なステアリングホイール並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus for fabricating a flat panel display element which reduce the process time and minimize pattern defects by executing a patterning process by a method of not executing a photolithographic process.
    本発明の目的は、フォト工程を行わない方法で、パターニング工程を実行し、工程時間を減らしてパターン不良を最小化するようにした平板表示素子の製造方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁
  • After removal of the second resist pattern, a second light transflective film 17 is formed throughout the surface of the substrate, and third patterning is performed by etching at least the second light transflective film 17 with a third resist pattern formed on the film 17 as a mask.
    第2レジストパターンを除去後、基板全面に第2半透光膜17を形成し、その上に形成した第3レジストパターンをマスクとして少なくとも第2半透光膜をエッチングして第3のパターニングを行う。 - 特許庁
  • During the process of patterning a thin film resistor 28 in an SOG film 26 formed on a silicon substrate 20 as a base interlayer insulating film and a second TEOS film 27, moisture is left in the SOG film 26.
    シリコン基板20上に下地層である層間絶縁膜として成膜したSOG膜26および2ndTEOS膜27に薄膜抵抗体28をパターニングする過程で、水分がSOG膜26中に残留する。 - 特許庁
  • Fine rugged patterns are formed on the preliminary rolls and an offset is provided to the vertical joint positions of the emboss roll patterns, enabling patterning of vertical walls formally impossible heretofore to mold a metallic exterior material having a high-grade feel.
    また予備ロールに細かい凹凸模様を設け,エンボスロールの模様の縦目地部にオフセットを設けることで従来不可能であった縦壁の模様付けが可能となり高級感のある金属製外装材が成型できる。 - 特許庁
  • To easily and reliably obtain a focalizing position, that is, the best focus position by a single exposure with high accuracy, to enable high-accuracy focus measurement in a very short time, and to rapidly perform high-reliability patterning.
    容易且つ確実に1回の露光で合焦位置、即ちベストフォーカス位置を精度良く求めることができ、極めて短時間で高精度の焦点計測を可能として、信頼性の高いパターニングを迅速に行う。 - 特許庁
  • After providing a conductive layer over the whole surface of a transparent base material 11 comprising a polyester film, etc., by forming a photosensitive layer on the conductive layer, such a series of patterning treatments as pattern exposure and development are so performed as to form a resist pattern.
    ポリエステルフィルム等からなる透明基材11の全面に導電層を設け、導電層上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する。 - 特許庁
  • The method for cleaning a transparent permanent film includes a step of supplying an acidic aqueous solution to a photosensitive resist film after being exposed and developed in a patterning step of the photosensitive resist.
    感光性レジストのパターニング工程において、露光及び現像処理した感光性レジスト膜に対して、酸性水溶液を供給して洗浄処理を行う工程を有する、透明永久膜の洗浄処理方法。 - 特許庁
  • The patterning method comprises a step for forming a barrier 30 on a substrate P, a step for forming a conductive layer 80 in a patterning region 30a surrounded by the barrier 30, a step for arranging plating nuclei 26 on the conductive layer 80, and a step for forming an anti-diffusion layer 82 on the conductive layer 80 by electroless plating method using the plating nuclei 26 as a catalyst.
    本発明のパターン形成方法は、基板P上に隔壁30を形成する隔壁形成工程と、隔壁30に囲まれたパターン形成領域30aに導電層80を形成する導電層形成工程と、導電層80上にめっき核26を配置するめっき核配置工程と、導電層80上に、無電解めっき法によりめっき核26を触媒として拡散防止層82を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing semiconductor devices related to the present invention has processes of: forming a conductive membrane on a semiconductor substrate; forming a sacrificial membrane on the conductive membrane; patterning the sacrificial membrane; forming a side wall on the side of the patterned sacrificial membrane; removing the patterned sacrificial membrane; and patterning the conductive membrane by using the side wall as a mask and form wiring.
    半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of microdevice capable of realizing an MEMS(Micro Electro Mechanic System) or rugate filter with a high operating characteristic by patterning a thick functional material film in a high aspect ratio by an easy and practical manufacturing method.
    簡易で実用的な製造方法によって厚膜の機能性材料膜を高アスペクト比にパターニングして、動作特性の高いMEMSやルゲートフィルタなどを実現することが可能な微細装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A tool hole 115 is provided at a conductive metal plate base 110, a solution releasing metal layer 120 is formed on it by plating, and further a metal layer 130 is laminated, patterning is made with resist 140, and a wiring part 130A is formed.
    導電性金属板基材110に治具穴115を設け、その上に溶解剥離性金属層120をメッキ形成し、更に金属層130を積層してレジスト140でパターニングして配線部130Aを形成する。 - 特許庁
  • In the patterning process of the thin film transistor 44, holographic exposure and a tracking focus system is employed, design rule of 1.0 μm or less is employed, and only a polysilicon layer 41 and a first metal layer 42 are employed as the interconnect lines of the element chip 45.
    薄膜トランジスタ44のパターニング工程で、ホログラフィック露光や追尾フォーカスシステムを用い、1.0μm以下の設計ルールを用い、素子チップ45の配線として、多結晶シリコン層41と第1の金属層42のみを用いる。 - 特許庁
  • In this semiconductor device, in a step of patterning lamination films 205 to 207 containing a polycrystalline silicon film 206 as a base lead-out electrode, a base emitter layer forming region and a collector layer forming region are eliminated by the use of the same mask.
    ベース引き出し電極となる多結晶シリコン膜206を含む積層膜205〜207をパターニングする工程において、同一のマスクを用いてベース・エミッタ層形成領域とコレクタ層形成領域とを除去する。 - 特許庁
  • To provide a lithographic apparatus in which a radiation beam which illuminates a patterning means polarizes to the substantially radial direction, and a diaphragm intercepts the diffraction polarized to the radial direction of patterned radiation.
    パターニング手段を照明する放射線ビームがほぼ半径方向に偏光し、ダイアフラムが、パターン形成された放射線の半径方向に偏光した回折部分を遮断するよう構築、配置構成されるリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁
  • After forming the overcoat layer 14 on a transparent substrate 13 so as to cover a color conversion filter layer, a photosensitive material 21 is formed so as to cover the overcoat layer, and patterning is applied to the photosensitive material by photolithography.
    色変換フィルター層を覆うように透明な基板13上にオーバーコート層14を形成した後、このオーバーコート層を覆うように感光性材料21を形成し、この感光性材料21をフォトリソグラフィによりパターニングする。 - 特許庁
  • Alternatively, a patterning foamable resin sheet formed into a patternwise shape using the foamed foamable resin sheet having a hue different from that of the foamable resin material sheet 1 is superposed on a plurality of the foamable resin material sheets 1 laminated within the mold 3 and hermetically sealed to be foamed under heating.
    金型3内に積層した複数枚の発泡樹脂素材板1の上に、その色彩と異なる発泡済みの発泡樹脂板で模様形状とした模様用発泡樹脂板を重ねて、密封し、加熱発泡させてもよい。 - 特許庁
  • To provide a polymerizable monomer for use in a resist, suitable for microfabrication performed by dry exposure, immersion exposure or a double patterning process, and to provide a polymer of the same, a resist material using the same, and a pattern formation method.
    ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which the variation of patterning is reduced by forming resist of a constant film thickness on an element region, regardless of the existence ratio between the element region and an isolation region.
    素子領域と素子分離領域との存在比によらず、素子領域上に一定の膜厚のレジストを形成することにより、パターニングのばらつきが低減された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a multiple patterning ceramic substrate and a ceramic wiring substrate, which ensure providing brazing materials in given positions regardless of the sizes etc. of pads for brazing, allowing skip of conventional setting procedures, and to provide a method of manufacturing the substrate.
    ロウ付け用パッドの大きさなどに拘わらずロウ材を所定の位置に確実に配設でき、且つ従来のセッティング工程が省略できる多数個取りセラミック基板およびセラミック配線基板ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a processing method for a photosensitive ceramic sheet capable of adequately adhering with a support in a patterning process and easily peeling in a peeling process by reducing adhesiveness with the support.
    パターン加工工程においては支持体と充分密着した感光性セラミックスシートを、剥離工程においては基板との密着性を低くして容易に剥離することができる感光性セラミックスシートの加工方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor IC device capable of increasing a total memory capacity and in addition a higher speed operation without accompanying a fine patterning technology which requires a large amount of cost for a capital investment and has a definite limitation naturally.
    設備投資などに膨大な費用がかかり、おのずと一定の限界がある微細化技術を伴うことなしに、トータルの記憶容量を増大させ、さらに、より高速動作が可能な半導体集積装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in depth of focus and dependency on density distribution, as well as an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a patterning method using this composition.
    フォーカス余裕度及び疎密依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • With this method, first, the patterning device MA, a detector 43, and a projection system 42 are arranged so that images of the features are projected by the projection system on the detector 43 when the polarization sensitive features 44 are lighted.
    この方法では、先ず、偏光感応フィーチャ44の照明に際して、このフィーチャの像がディテクタ43上の投影システムによって投影されるように、パターニングデバイスMA、ディテクタ43および投影システム42が設けられる。 - 特許庁
  • The method also includes measuring the accuracy of at least one property of the at least one location of the pattern on the substrate that has been determined as being prone to patterning errors, and adjusting the lithographic process according to the measuring.
    方法は、パターニングの誤差が発生しやすいとして決定された基板上のパターンの少なくとも1つの位置の少なくとも1つの特性の精度を測定し、測定に従ってリソグラフィプロセスを調整することも含む。 - 特許庁
  • The reticle for metal patterning includes an IC pattern ensemble region and a TEG pattern region patterned next to each other, interposing a light non-transmitting solid region (region A), and has a scribe line in the region A.
    ICパターン集合領域とTEGパターン領域が光非透過ベタ領域(領域A)をはさんで並んでパターニングされている金属膜パターニング用レチクルにおいて、前記領域Aにスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁
  • To provide a laser processing device and a processing method of thin-film solar battery, capable of processing a patterning line for defining unit cells on a thin-film solar battery of large area at a high speed and high accuracy, and having an advantage of miniaturizing the device.
    大面積の薄膜太陽電池に単位セルを画成するパターニングラインを高速かつ高精度で加工できるとともに、装置を小型化するうえでも有利な薄膜太陽電池のレーザ加工装置および加工方法を提供する。 - 特許庁
  • To solve problems that gas is generated due to electric erosion reaction by developer and peeling of film is generated at a contact part in an organic insulation film patterning process for forming relief structure of a reflection film in an array process of a liquid crystal display.
    液晶表示装置のアレー工程において、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタクト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 - 特許庁
  • At least one of the first and second support structures is comprised of a planar base, a movable stage for supporting the patterning means or the substrate that can be moved over said planar base, and an actuator for providing said movement of the stage.
    第1及び第2支持構造の少なくとも一方が、平面ベースと、パターン化手段又は基板を支持し、平面ベースの上を移動することができる移動可能なステージと、ステージの動きを与えるアクチュエータとを備える。 - 特許庁
  • To provide an etching-durable photosensitive resin composition which can be exposed for patterning with a small quantity of exposure light, which prevents misalignment of the pattern, which has excellent stripping property without leaving an unnecessary resin, and which can prevents a metal plate from rust.
    少ない露光量でパターン露光ができ、パターンの位置ズレを防止でき、剥離性に優れていて、不安な樹脂残りがなく、金属板のサビを防止することができる耐エッチング性感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
  • The first to third color layers 10 to 12 are formed by patterning using a photoreceptor, have high photosensitivity and sufficiently give rise to a crosslinking reaction and therefore have the high adhesion property to the insulating films 9 consisting of silicon nitride.
    第1乃至第3の色層10乃至12は、フォトレジストを使用したパターニングにより形成されるものであり、感光性が高く架橋反応が十分に起こるので、シリコン窒化物からなる絶縁膜9との密着性が高い。 - 特許庁
  • To provide a resist pattern forming method capable of forming a satisfactory resist pattern, by a double patterning process using a positive type resist composition as a first resist composition, on a support formed with a reflection preventive film on its surface.
    表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a direct-write patterning method which can very easily and simply cope with the direct writing method from data from a computer in a bright room, even with printed boards having through-holes, and at more improved production efficiency.
    スルーホールを有するプリント基板でも、極めて簡便に、かつ明室下で可能なコンピュータからのデータの直接描画方法に対応することができ且つ生産効率のさらに向上した直描作製方法を提供すること。 - 特許庁
  • The mask for measuring flare is used for patterning, and the displacement amount is calculated from the respective distances L1, L2 between both ends of the measurement pattern and the box pattern, and flare rate is calculated by using the correlation function between the exposure dose and flare rates.
    このフレア測定用マスクを用いてパターニングし、計測用パターンの両端とボックスパターンとのそれぞれの距離L1,L2から位置ズレ量を算出し、露光量とフレア率との相関関数を使ってフレア率を算出する。 - 特許庁
  • To provide a display, in which even when pitch between wiring are made small by high definition, the prescribed area of a terminal connected to an IC driver can be secured, patterning of wiring can be performed, and improvement in short margin is aimed at.
    高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ICドライバと接続する端子の所定の面積が確保でき、配線のパターニングを可能とし、ショートマージンの向上を図った表示装置の提供。 - 特許庁
  • The patch body 2 is a circular cloth made of the blended yarn of cotton and polyester, knitted by circular knitting like a knitted fabric of the socks as a mending object, and fits patterning on a bowl-like solid shape of the tiptoe part of the socks.
    パッチ体2は、補修対象である靴下の編地と同じ丸編みにより編成された綿とポリエステルの混紡糸からなる円形の布であり、靴下のつま先部分の椀状の立体形状に倣ってフィットする。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 78 79 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.