「Patterning」を含む例文一覧(3921)

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  • This patterning mask is formed so that a part of a mesh part is provided with a non-transmissible part formed by laminating a thin plate in a mesh held by a frame and the thin plate is provided on the mesh part in the side of a material to be coated.
    模様付けマスクは、枠により保持されたメッシュにおいて、そのメッシュ部の一部が薄板を積層され非透過部を設けられたものであり、さらに、前記薄板がメッシュ部の被塗布物側に設けられたことを特徴とするものである。 - 特許庁
  • To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the number of fabrication steps is decreased as compared with prior art by performing a patterning step and a recess step of a substrate region connected with a storage node contact plug, which had been performed in two chambers, in one chamber.
    2つのチャンバ内で行っていた、パターニング工程とストレージノードコンタクトプラグが接続される基板領域のリセス工程とを1つのチャンバ内で行い、従来よりも工程数が減少した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To manufacture a liquid crystal array device without producing any defective damage in such as using a thin film-formed glass substrate, any defective transportation in an arraying step or any patterning non-uniformity and without necessitating change of the process as in such a case as using a plastic substrate.
    薄膜化したガラス基板を用いる時のような破損不良や、アレイ工程時の搬送不良、パターニング不均一が発生することなく、またプラスチック基板を用いる時のようなプロセス変更を要することなく、液晶アレイ装置を製造する。 - 特許庁
  • The patterning employing the photolithography technique is capable of controlling the fine processing of less than 1 μm (in the degree of several 10 nm even at minimum) with a high accuracy whereby the remarkably fine dam can be formed stably compared with same dam formed through solder plating method.
    フォトリソグラフィ技術を用いたパターン加工は、1μm以下(最小でも数十nm程度)の微細加工を高精度に制御可能であるため、はんだめっき法に比べて著しく微細なダムを安定して形成することが可能となる。 - 特許庁
  • A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.
    半導体基板1上の全面に多結晶シリコン膜5を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜5をパターニングすることにより、スクライブ領域R3にゲッタリングサイト5aを形成する。 - 特許庁
  • To provide a fine particle fixing device which can fix fine particles to a substrate in a liquid environment with a low load to the substrate, and can be applied to processing of patterning and film formation on the surface of various kinds of substrates, and the like.
    基材に対して負担の少ない液体環境下において微粒子を固定することができ、幅広い種類の基材の表面に対してパターニングや膜の形成を行う加工などにも適用することができる微粒子固定装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a multi-pattern wiring board capable of reducing the possibility of crack generation, even if shocks are applied during the transfer of the multiple patterning wiring board, and capable of improving image recognition, when mounting electronic components on respective wiring board areas.
    搬送等の際に衝撃が加わったとしても割れが生じる可能性を低減させるとともに、電子部品を各配線基板領域に搭載する際の画像認識性を向上させることができる多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁
  • The multiple patterning circuit board 100 is a board provided with a product region wherein a plurality of parts to be the product of a circuit board 10 are arrayed in a matrix along a plane direction and not provided with a waste selvage region around the product region.
    多数個取り配線基板100は、配線基板10の製品となるべき部分が平面方向に沿って縦横に複数配列された製品領域を有する一方、その製品領域の周囲に捨て耳領域を有しない基板である。 - 特許庁
  • To materialize a flexible copper-clad laminated plate which is good in naneuverability and stress relaxation performance of copper foil during the production of the laminated plate, excellent in flexibility and folding resistance, and capable of precise patterning.
    フレキシブル銅張積層板の製造時における銅箔の操作性および応力緩和性能が良好であると共に、フレキシブル銅張積層板の柔軟性および耐折性が良好で、且つ精密なパターニングが可能なフレキシブル銅張積層板を実現する。 - 特許庁
  • Thin films 12a of respective layers consisting of a diffractive Fresnel lens are collectively formed in batch by forming a releasing layer 11 on a substrate 10, depositing an Al thin film 12A on the releasing layer 11 and patterning the Al thin film 12 by photo-lithography method.
    基板10の上に離型層11を形成し、離型層11の上にAl薄膜12Aを着膜し、Al薄膜12Aをフォトリソグラフィー法によってパターニングして回折型フレネルレンズを構成する各層の薄膜12aを一括して形成する。 - 特許庁
  • To provide a patterning precision measuring method which can grasp the positioning precision between laminated patterns and the dimensional precision of each pattern, a method for forming a pattern, a method for forming a TFT, a method for manufacturing a semiconductor device, an electrooptical device and an electronic apparatus.
    積層パターン間での位置合わせ精度、各パターンの寸法精度を把握できるパターニング精度測定方法、パターンの形成方法、TFTの形成方、半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁
  • To realize the density more emphasized in a high-density part with the state of a granular feeling not being spoiled in a highlight-area while making a density data of multiple value of each pixel have a meaning, for an ink-jet recording system performing a dot-arrangement patterning processing operation.
    ドット配置パターン化処理を行うインクジェット記録システムにおいて、各画素が有する多値の濃度データに意味を持たせつつ、ハイライト領域で粒状感が損なわれない状態で、高濃度部ではより強調された濃度を実現する。 - 特許庁
  • After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.
    半導体基板10の表面にゲート絶縁膜12aを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層14a及び層間絶縁膜16aを形成する。 - 特許庁
  • The wiring electronic component includes a support plate, a thin film tape stuck onto the support plate through a releasable adhesive; a horizontal wiring part formed by patterning a metal film on the thin film tape; and a vertical wiring part connected to the horizontal wiring part.
    支持板と、該支持板の上に剥離可能の接着剤により貼り付けた薄膜テープと、該薄膜テープ上の金属膜をパターニングすることにより形成した水平配線部と、該水平配線部に接続された垂直配線部とを備える。 - 特許庁
  • To provide a method for easy patterning for a mat carpet, requiring no hand work, capable of always uniformly forming the same pattern for everybody and capable of neatly forming race and pattern with long and short pile like a relieved engraving for everybody.
    手作業ではなく、同じ図柄を誰にでも常に均一に構成することができ、溝も図柄もパイルの長短で浮き上がる版画のように、スッキリした形態にて誰にでも形成することができるマットじゅうたんの簡易な柄だし方法を提供する。 - 特許庁
  • A thermal oxide film 4 which serves as a pad oxide film is made 5-30 nm thick on a silicon substrate 2, and a silicon nitride film which serves as a CMP stopper is accumulated to 100-300 nm, and patterning is performed by resist so that becomes a desired element isolation region.
    シリコン基板2に対し、パッド酸化膜となる熱酸化膜4を5〜30nm形成し、CMPストッパーとなるシリコン窒化膜6を100〜300nm堆積させ、それを所望の素子分離領域になるようレジスト8にてパターニングを行う。 - 特許庁
  • The legalized block mask patterns and the legalized phase mask patterns that have been colored define features of a block mask and an alternating phase shift mask, respectively, for use in a dual exposure method for patterning features in a resist layer of the substrate.
    ルール適合化ブロック・マスク・パターンおよびカラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが、それぞれ、基板のレジスト層に構造体をパターン化する二重露光方法で使用するためのブロック・マスクおよび交番位相シフト・マスクの構造体を定義する。 - 特許庁
  • To form a plurality of MOSFETs having different threshold voltages on the same semiconductor substrate, without reducing the thickness of the oxide film at element isolating regions or forming a difference in height on the surface of a gate material in patterning the gate material.
    素子分離領域の酸化膜厚を減少させず、またゲート材料のパターンニングの際にゲート材料の表面に高低差が生じることなく異なるしきい値電圧を有する複数のMOSFETを同一の半導体基板上に形成する。 - 特許庁
  • To solve a matter that the wiring resistance increases due to formation of surface copper oxide when direct writing patterning interconnect line is formed using nano copper metal particles, and to mount a semiconductor device on a semiconductor by lowering the resistance after writing.
    ナノ銅金属粒子を用いた直描方式パターニング配線を形成するに際して、表面酸化銅形成により配線抵抗が大きくなるという問題点を解決して、描画後の低抵抗化を図り、半導体に実装可能にする。 - 特許庁
  • Thereafter, a multilayer film of semiconductor films 11a and 1a insulated from each other by the insulating layer 11b is formed on the insulating substrate 10A by patterning followed by formation of a gate insulating film 2 and a gate electrode on the semiconductor film 11a.
    そして、パターニングにより、絶縁基板10A上に、絶縁層11bにより互いに絶縁された半導体膜11a,1aの積層膜を形成し、続いて、半導体膜1aの上にゲート絶縁膜2とゲート電極とを形成する。 - 特許庁
  • The manufacturing method for a hybrid integrated circuit device 10 is constituted such that a first electric conduction film 28A is made to laminate via a first insulating layer 17A, and a first wiring layer 18A is formed by patterning a first electric conduction film 28A.
    本発明の混成集積回路装置10およびその製造方法は、第1の絶縁層17Aを介して第1の導電膜28Aを積層させて、第1の導電膜28Aをパターニングすることにより、第1の配線層18Aを形成する。 - 特許庁
  • To provide a multiple patterning ceramic substrate on which many substrate parts are segmented by break grooves formed along top and back sides vertically and horizontally, wherein each of the substrate parts is obtained on which conductor layers formed on the top and back sides can be surely conductive with each other.
    縦横に複数の基板部分を表面および裏面に沿って形成されたブレーク溝により分割してなる多数個取りセラミック基板において、表面および裏面に形成した導体層同士を確実に導通できる各基板部分を得る。 - 特許庁
  • METHOD OF MEASURING INTERACTION BETWEEN BIOMATERIAL AND SUGAR CHAIN, METHOD OF EVALUATING BIOMATERIAL IN SUGAR CHAIN SELECTIVITY, METHOD OF SCREENING BIOMATERIAL, METHOD OF PATTERNING BIOMATERIALS, AND KITS FOR PERFORMING THESE METHODS
    生体関連物質と糖鎖との相互作用の測定方法、生体関連物質の糖鎖選択性の評価方法、生体関連物質のスクリーニング方法、および生体関連物質のパターニング方法、並びにこれらの方法を実施するためのキット - 特許庁
  • Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.
    次に、他の銅層1にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層9を形成し、フォトソルダレジスト10を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア11を形成する。 - 特許庁
  • This is achieved by locally unclamping a portion of the substrate (including optionally the entire substrate) from a corresponding portion of substrate holder so that mechanical stress leading to local strain may relax prior to further patterning.
    これは、局部的なひずみを招く機械的応力が次のパターニングの前に緩和されうるように、基板の一部分(任意選択で基板全体を含む)を基板ホルダの対応する部分から局部的にクランプ解除することによって実現される。 - 特許庁
  • To provide an optical device having functions of reflection prevention, wavelength selection, wavelength dispersion and the like by forming a nano pattern by a highly accurate and simple method in a joining portion where patterning is difficult by a conventional lithographic technology and to provide a method for manufacturing the same.
    従来のリソグラフィ技術ではパターニングが困難な接合部位に高精度でかつ簡便な手法によりナノパターンを形成し、反射防止、波長選択、波長分散などの機能を持たせる光デバイスとその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • When the phase shifter pattern is formed by patterning a transparent film 4a, the formation and alignment of the phase shifter pattern with respect to a metallic layer 3 for forming the light shielding film of a mask substrate 2 are executed by using alignment mark patterns disposed at the metallic layer 3.
    透明膜4aをパターニングして位相シフタパターンを形成する際に、マスク基板2の遮光膜形成用の金属層3に設けられた位置合わせマークパターンを用いて、金属層3に対する位相シフタパターンの形成位置合わせを行う。 - 特許庁
  • In order to inhibit copying, background information obtained by patterning and arranging copy inhibition information to the effect that copying is inhibited and copy inhibition cancel information for canceling the copy inhibition during a specific condition is synthesized with foreground information to be formed.
    複写を禁止するために、複写を禁止する旨の複写禁止情報と、その複写禁止を特定の条件の時に解除する複写禁止解除情報をパターン化して配置した背景情報を前景情報と合成して形成する。 - 特許庁
  • Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.
    ALD−SiN膜3の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱CVD法によって窒化シリコン膜(第2HCD−SiN膜9)を成膜し、これをパターニングすることによって孔11aを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁
  • This method can reduce the warp of the semiconductor wafer by the high fusing point metal, so this can reduce the faults in the subsequent patterning process for forming wiring, especially, in the exposure pattern by a stepper.
    本願の代表的な発明によれば、高融点金属膜による半導体ウエハの反りを低減できるので、以降の配線を形成するためのパターニング工程、特にステッパーによる露光工程においてフォーカスの不良を低減することができる。 - 特許庁
  • To provide a method for economically and easily manufacturing artificial marble having various patterns by efficiently injecting a liquid resin becoming a base material and a patterning liquid resin in a hermetically closed mold and easily adjusting a form of patterns.
    基材となる液状樹脂と模様付け用の液状樹脂を密閉した成形型に効率的に注入し、また容易に模様の形態を調整して多様な模様付き人工大理石を経済的にかつ容易に製造する方法を提案する。 - 特許庁
  • To provide a resin composition for an optical waveguide, which has superior adhesion to a clad layer, can reduce a loss in an optical waveguide, and has high patterning property in forming a core, and to provide an optical waveguide using the same.
    クラッド層に対する優れた密着性を有するとともに、光導波路の低損失化の向上が図られ、かつコア形成時の良好なパターニング性を備えた光導波路用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路を提供する。 - 特許庁
  • After applying a resist 113 on the insulation film 112 and patterning the resist 113 so as to expose a part of the wire densely forming area and the wire sparsely forming area, the insulation film 112 is etched by treating the resist 113 as a mask.
    絶縁膜112上にレジスト113を塗布し、密の配線の形成領域上の一部と疎の配線の形成領域とが露出するようにレジスト113のパターニングを行った後、レジスト113をマスクとして絶縁膜112をエッチングする。 - 特許庁
  • The excellent color filter without any alignment defect at the open portion is provided by using a resin with a melting property or a resin with a small taper angle generated in patterning at the open portion so as to heighten a levelling effect in color resists constituting the color filter.
    開口部にメルト性を有する樹脂もしくはパターニングした際のテーパー角の低い樹脂を用いることにより、カラーフィルターを構成する色レジストでのレベリングの効果を高め、開口部での配向不良のない良好なカラーフィルターを提供する。 - 特許庁
  • By patterning the second conductive film so that the insulating film is exposed, a plurality of parallel second conductive film patterns are formed that cross the active region and the element isolation film so as to be overlapped with the first conductive film patterns.
    前記絶縁膜が露出するように前記第2導電膜をパターニングして前記第1導電膜パターンと重畳されるように前記活性領域及び素子分離膜を横切る複数の平行な第2導電膜パターンを形成する。 - 特許庁
  • The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).
    さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第2スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁
  • To provide a method which enables the easy and sure growth of CNT (Carbon Nano Tube) in a predetermined area with an arbitrary form and size on the substrate without patterning catalyst materials, namely without damaging other parts on the substrate and polluting the corresponding catalyst materials.
    触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にCNTを成長させる。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film.
    反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁
  • The pattern 15 can be constituted of a transmissive thin film formed on the surface of a semiconductor layer formed on the light emitting layer 12 and having the light emitting surface or can be formed by patterning the surface of the semiconductor layer having the light emitting surface.
    同心円状パターンは、半導体発光層上に形成され、前記発光面を有する半導体層表面に形成された透光性薄膜から構成されるか、もしくは前記発光面を有する半導体層表面をパターニングしても良い。 - 特許庁
  • To provide a substrate treatment method capable of treatment a substrate with high accuracy by improving the resist coating property of the edge of the substrate having a recess, thereby improving the patterning accuracy of a resist film, and to provide a method for manufacturing a liquid ejection head.
    凹部を有する基板のエッジ部のレジスト被膜性を向上させることにより、レジスト膜のパターニング精度を向上させ、高精度な基板加工が可能となる基板加工方法、および液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。 - 特許庁
  • To prevent increase in substrate thickness, as much as possible, while making it possible to form each of first and second wirings of different thickness in one-time patterning on a wiring substrate having wirings of different thickness on one surface of a wiring formation layer.
    配線形成層の一面上に異なる厚さの配線を有する配線基板において、厚さの異なる第1の配線および第2の配線のそれぞれを1回のパターニングで形成可能なものとしつつ、基板厚さの増加を極力防止する。 - 特許庁
  • To provide a method for reducing impurities in an organic polymer by an easy method, after patterning and curing an organic polymer resin on a substrate and vaporizing a part of the organic polymer resin constituting the obtained pattern by chemical reaction.
    有機ポリマー樹脂を基板上にパターン加工、硬化を行った後、得られたパターンを構成する有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、簡便な方法で有機ポリマー中に含まれる不純物を低減する方法を提供する。 - 特許庁
  • In a patterning step, a pattern on a second substrate is formed on the second substrate by imprinting a pattern of the second template where the displacement from an underlayer side pattern already formed on the second substrate is less than a predetermined reference value.
    パターン形成ステップは、第2の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第2のテンプレートのパターンを転写して前記第2の基板上に第2の基板上パターンを形成する。 - 特許庁
  • This second motherboard 20 is manufactured by forming transparent resistance films whose thickness is different in two stages on the whole motherboard 20 by using a hard mask 40, and patterning the second touch electrode 5 and the first and second alignment marks 21 and 22 in a batch.
    この第2のマザー基板20は、ハードマスク40を用いてマザー基板20全体に2段階に厚さの異なる透明抵抗膜を形成した後、第2のタッチ電極5及び第1、第2の各アライメントマーク21、22を一括してパターニングする。 - 特許庁
  • The insulation layer 1 in the laminate can be wet-etched, and it is of a single-layer structure or of a laminated structure by two or more insulating unit layers, the insulation layer is wet-etched to conduct patterning by using dry film resists 4, 5, and the electronic component is manufactured.
    該積層体における絶縁層1はウェットエッチング可能で、単層構造又は2層以上の絶縁ユニット層の積層構造であり、該ウェットエッチングにより絶縁層のパターニングをドライフィルムレジスト4,5を用いて行い、電子部品を製造する。 - 特許庁
  • Owing to such a physical property, a hole injection transport layer composition in which optimization of the material and element design can be made and a patterning film forming of high precision can be carried out in a short time and at low cost can be provided.
    このような物性的特性により、材料や素子設計の最適化を行うことができ、かつ簡便、短時間、低コストで精度の高いパターニング成膜を行うことができる正孔注入輸送層用組成物を提供することができる。 - 特許庁
  • An insulating film 22 is deposited on the substrate 10 so as to cover the lower electrode 12 and the sacrificial layer 21, then, by patterning the insulating film 22 like a belt from below to above the sacrificial layer 21, a bridge type structural body 14 is formed.
    下部電極12および犠牲層21を覆う状態で、基板10上に絶縁膜22を成膜し、この絶縁膜22を犠牲層21の下部から上部にわたる帯状にパターニングすることで、ブリッジ形状の構造体14を形成する。 - 特許庁
  • A double treatment technology to manufacture a device that includes the execution of a first patterning step for forming an opening in a resist layer, then the opening is filled before a first resist layer is exfoliated and is replaced with a second resist layer used for a second exposure is disclosed.
    レジスト層に開口を形成する第一パターニングステップを実行することを含み、第一レジスト層が剥離され、第二露光に使用される第二レジスト層で置換される前に、開口が充填される、デバイス製造の二重処理技術が開示される。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an EL element that is capable of forming an organic EL layer in high precision by a photolithography method or the like and also capable of patterning in high precision the second electrode layer that is formed on the organic EL layer by a vapor deposition method.
    有機EL層をフォトリソグラフィー法等により高精細に形成し、かつ有機EL層上に蒸着法で形成する第2電極層も高精細にパターニングすることが可能なEL素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a layered product for forming a substrate having interconnections, and to provide a low resistance wiring structure which exhibits high patterning performance, productivity or moisture resistance and heat resistance and does not have a tendency to generate hillock in an organic EL panel using that layered product.
    配線付き基体形成用の積層体及びこの積層体を用いた有機ELパネルにおいて、低抵抗でヒロックが発生しにくく、また、パターニング性能,生産性あるいは耐湿性及び耐熱性の高い配線構造を提供する。 - 特許庁
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