「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 78 79 次へ＞- A patterning is made on a transparent conductive film laminate, which is made by laminating a transparent film layer of high refraction factor (a) 20 and a transparent metal film layer (b) 30 on a transparent substrate (A) 10, by a dry etching method by sputtering with an inert gas.
透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。 - 特許庁 - This color filter manufacturing method has the step of patterning on the resin film 200 formed on a transparent substrate 100 by using a laser ablation unit 4, and the step of cleaning the patterned resin film 200 by using a cleaning unit 6.
カラーフィルタの製造方法は、透明基板１００上に形成された樹脂膜２００をレーザアブレーション装置４によってパターニングするパターニング工程と、パターニングされた樹脂膜２００を洗浄装置６によって洗浄する洗浄工程とを備える。 - 特許庁 - A blank 10 with a light shielding film 21 and a regist layer 31 formed on a transparent substrate 11 is prepared, and a mask 20 having a light shielding pattern 21a and transmission regions 22 formed on the transparent substrate 11 is produced by carrying out a series of patterning procedures.
透明基板１１上に遮光膜２１及びレジスト層３１が形成されたブランク１０を準備し、一連のパターニング処理を行って、透明基板１１上に遮光パターン２１ａ及び透過領域２２が形成されたマスク２０を作製する。 - 特許庁 - The process for fabricating the thin film transistor comprises steps of: coating the predetermined region on a substrate for forming the thin film transistor with liquid silicon material; and patterning the liquid silicon material thus applied into a desired pattern.
本発明は、基板上の、薄膜トランジスタを形成する所定の領域に液体シリコン材料を塗布する工程と、塗布された前記液体シリコン材料を、所望の形状にパターニングする工程と、を含む、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.
透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁 - The first substrate 31 comprises the plurality of TFTs or the semiconductor circuit elements thereon, and a plurality of the TFTs or a portion of the circuit element groups are transferred to the second substrate having a thin film patterning thereon, which is the active matrix substrate.
第一の基板31上に形成された複数のTFT又は回路素子群と、前記複数のTFT又は回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板とする。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor film 105 for channel formation, an n-type semiconductor film 106 for the formation of source and drain regions and a conductive film 107 for the formation of source wiring and drain electrode are stacked (Fig. (A)), and then subjected to patterning operation with an identical photomask (Fig. (B)).
チャネルが形成される非晶質半導体膜１０５、ソース、ドレイン領域となるｎ型の半導体膜１０６及びソース配線及びドレイン電極となる導電膜１０７を積層し（図（Ａ））、同一のフォトマスクにてパターニングする（図（Ｂ））。 - 特許庁 - By using this method, asymmetry in the edge shape of the resist patterning-formed second layer pattern 12 is moderated, which enables a highly accurate measurement of the overlap accuracy calculated by sensing the edge positions of the first layer pattern 11 and the second layer pattern 12.
これにより、レジストパターンで形成される第２層パターン１２のエッジ形状の非対称性が緩和され、第１層パターン１１と第２層パターン１２のエッジ位置を検出して算出する重ね合わせ精度を高精度に測定できる。 - 特許庁 - To provide an injection molding in-mold decorating apparatus capable of preventing the generation of wrinkles in the outer peripheral corner part of a projected isolated part in a patterning sheet stretching process to obtain a decorative laminated product of high quality having no wrinkles in its window part.
絵付シートの延伸工程において、凸状孤立部の外周角部にしわが発生しないようにでき、もって、窓部等にしわが生じていない高品質の加飾積層製品を得ることのできる射出成形同時絵付装置を提供する。 - 特許庁 - A pattern member 1 in which a plurality of cross-sectional shape members 11-1 to 11-3 corresponding to a cross-sectional pattern of the structure are integrally connected to a frame shaped member 12 by a connecting member 13 is formed by patterning a planar metal member.
構造体の断面パターンに対応する複数の断面形状部材１１−１〜１１−３が、枠状部材１２に連結部材１３で一体に連結されたパターン部材１を、板状の金属部材をパターンニング加工して形成する。 - 特許庁 - This patterning mask is formed so that a part of a mesh part is provided with a non-transmissible part formed by laminating a thin plate in a mesh held by a frame and the thin plate is provided on the mesh part in the side of a material to be coated.
模様付けマスクは、枠により保持されたメッシュにおいて、そのメッシュ部の一部が薄板を積層され非透過部を設けられたものであり、さらに、前記薄板がメッシュ部の被塗布物側に設けられたことを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the number of fabrication steps is decreased as compared with prior art by performing a patterning step and a recess step of a substrate region connected with a storage node contact plug, which had been performed in two chambers, in one chamber.
２つのチャンバ内で行っていた、パターニング工程とストレージノードコンタクトプラグが接続される基板領域のリセス工程とを１つのチャンバ内で行い、従来よりも工程数が減少した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To manufacture a liquid crystal array device without producing any defective damage in such as using a thin film-formed glass substrate, any defective transportation in an arraying step or any patterning non-uniformity and without necessitating change of the process as in such a case as using a plastic substrate.
薄膜化したガラス基板を用いる時のような破損不良や、アレイ工程時の搬送不良、パターニング不均一が発生することなく、またプラスチック基板を用いる時のようなプロセス変更を要することなく、液晶アレイ装置を製造する。 - 特許庁 - A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.
半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。 - 特許庁 - A dummy layer is formed on an element separating area in a logical operation circuit by patterning a stopper layer and a first conductive layer in a memory area as well as the stopper layer and the first conductive layer in a logical operation circuit area.
メモリ領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングするとともに、ロジック回路領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングすることにより、ロジック回路内の前記素子分離領域上にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁 - To provide a patterning precision measuring method which can grasp the positioning precision between laminated patterns and the dimensional precision of each pattern, a method for forming a pattern, a method for forming a TFT, a method for manufacturing a semiconductor device, an electrooptical device and an electronic apparatus.
積層パターン間での位置合わせ精度、各パターンの寸法精度を把握できるパターニング精度測定方法、パターンの形成方法、ＴＦＴの形成方、半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁 - To provide a multi-pattern wiring board capable of reducing the possibility of crack generation, even if shocks are applied during the transfer of the multiple patterning wiring board, and capable of improving image recognition, when mounting electronic components on respective wiring board areas.
搬送等の際に衝撃が加わったとしても割れが生じる可能性を低減させるとともに、電子部品を各配線基板領域に搭載する際の画像認識性を向上させることができる多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁 - The magnetic pole part layer 11a is formed by forming a magnetic film on the surface having difference in level generated by the insulating layer 9, flattening the upper surface of the magnetic film and patterning the magnetic film flattened by photolithography.
磁極部分層１１ａは、絶縁層９によって段差が生じている面の上に磁性膜を形成し、この磁性膜の上面を平坦化し、この平坦化された磁性膜をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成される。 - 特許庁 - The wiring electronic component includes a support plate, a thin film tape stuck onto the support plate through a releasable adhesive; a horizontal wiring part formed by patterning a metal film on the thin film tape; and a vertical wiring part connected to the horizontal wiring part.
支持板と、該支持板の上に剥離可能の接着剤により貼り付けた薄膜テープと、該薄膜テープ上の金属膜をパターニングすることにより形成した水平配線部と、該水平配線部に接続された垂直配線部とを備える。 - 特許庁 - To provide a fine particle fixing device which can fix fine particles to a substrate in a liquid environment with a low load to the substrate, and can be applied to processing of patterning and film formation on the surface of various kinds of substrates, and the like.
基材に対して負担の少ない液体環境下において微粒子を固定することができ、幅広い種類の基材の表面に対してパターニングや膜の形成を行う加工などにも適用することができる微粒子固定装置を提供する。 - 特許庁 - Thin films 12a of respective layers consisting of a diffractive Fresnel lens are collectively formed in batch by forming a releasing layer 11 on a substrate 10, depositing an Al thin film 12A on the releasing layer 11 and patterning the Al thin film 12 by photo-lithography method.
基板１０の上に離型層１１を形成し、離型層１１の上にＡｌ薄膜１２Ａを着膜し、Ａｌ薄膜１２Ａをフォトリソグラフィー法によってパターニングして回折型フレネルレンズを構成する各層の薄膜１２ａを一括して形成する。 - 特許庁 - To realize the density more emphasized in a high-density part with the state of a granular feeling not being spoiled in a highlight-area while making a density data of multiple value of each pixel have a meaning, for an ink-jet recording system performing a dot-arrangement patterning processing operation.
ドット配置パターン化処理を行うインクジェット記録システムにおいて、各画素が有する多値の濃度データに意味を持たせつつ、ハイライト領域で粒状感が損なわれない状態で、高濃度部ではより強調された濃度を実現する。 - 特許庁 - After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.
半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁 - The patterning employing the photolithography technique is capable of controlling the fine processing of less than 1 μm (in the degree of several 10 nm even at minimum) with a high accuracy whereby the remarkably fine dam can be formed stably compared with same dam formed through solder plating method.
フォトリソグラフィ技術を用いたパターン加工は、１μｍ以下（最小でも数十ｎｍ程度）の微細加工を高精度に制御可能であるため、はんだめっき法に比べて著しく微細なダムを安定して形成することが可能となる。 - 特許庁 - The multiple patterning circuit board 100 is a board provided with a product region wherein a plurality of parts to be the product of a circuit board 10 are arrayed in a matrix along a plane direction and not provided with a waste selvage region around the product region.
多数個取り配線基板１００は、配線基板１０の製品となるべき部分が平面方向に沿って縦横に複数配列された製品領域を有する一方、その製品領域の周囲に捨て耳領域を有しない基板である。 - 特許庁 - To materialize a flexible copper-clad laminated plate which is good in naneuverability and stress relaxation performance of copper foil during the production of the laminated plate, excellent in flexibility and folding resistance, and capable of precise patterning.
フレキシブル銅張積層板の製造時における銅箔の操作性および応力緩和性能が良好であると共に、フレキシブル銅張積層板の柔軟性および耐折性が良好で、且つ精密なパターニングが可能なフレキシブル銅張積層板を実現する。 - 特許庁 - To provide an organic EL element with a barrier rib, capable of accurately patterning an organic layer such as a light emitting layer using a coating system, and capable of preventing disconnection of an electric wire, and also to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、隔壁を有し、塗布方式により発光層などの有機層を精度良くパターニングすることが可能であり、電極の断線を防ぐことが可能な有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To prevent increase in substrate thickness, as much as possible, while making it possible to form each of first and second wirings of different thickness in one-time patterning on a wiring substrate having wirings of different thickness on one surface of a wiring formation layer.
配線形成層の一面上に異なる厚さの配線を有する配線基板において、厚さの異なる第１の配線および第２の配線のそれぞれを１回のパターニングで形成可能なものとしつつ、基板厚さの増加を極力防止する。 - 特許庁 - To provide a substrate treatment method capable of treatment a substrate with high accuracy by improving the resist coating property of the edge of the substrate having a recess, thereby improving the patterning accuracy of a resist film, and to provide a method for manufacturing a liquid ejection head.
凹部を有する基板のエッジ部のレジスト被膜性を向上させることにより、レジスト膜のパターニング精度を向上させ、高精度な基板加工が可能となる基板加工方法、および液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。 - 特許庁 - Adjacent buried-back films 42 and 43 after the patterning of the magnetic multilayer film 14 is deposited by a series of manufacturing processes comprising a deposition step of a first stage, a step for etching back the deposited film and a deposition step of a second stage.
磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。 - 特許庁 - To provide a display, in which even when pitch between wiring are made small by high definition, area of a terminal connected to an IC driver and the prescribed area for a contact hole in the terminal can be secured, and in which patterning of wiring can be performed.
高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保でき、配線のパターニングを可能とした表示装置の提供。 - 特許庁 - To provide a method for reducing impurities in an organic polymer by an easy method, after patterning and curing an organic polymer resin on a substrate and vaporizing a part of the organic polymer resin constituting the obtained pattern by chemical reaction.
有機ポリマー樹脂を基板上にパターン加工、硬化を行った後、得られたパターンを構成する有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、簡便な方法で有機ポリマー中に含まれる不純物を低減する方法を提供する。 - 特許庁 - In a patterning step, a pattern on a second substrate is formed on the second substrate by imprinting a pattern of the second template where the displacement from an underlayer side pattern already formed on the second substrate is less than a predetermined reference value.
パターン形成ステップは、第２の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第２のテンプレートのパターンを転写して前記第２の基板上に第２の基板上パターンを形成する。 - 特許庁 - This second motherboard 20 is manufactured by forming transparent resistance films whose thickness is different in two stages on the whole motherboard 20 by using a hard mask 40, and patterning the second touch electrode 5 and the first and second alignment marks 21 and 22 in a batch.
この第２のマザー基板２０は、ハードマスク４０を用いてマザー基板２０全体に２段階に厚さの異なる透明抵抗膜を形成した後、第２のタッチ電極５及び第１、第２の各アライメントマーク２１、２２を一括してパターニングする。 - 特許庁 - The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).
さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁 - To provide a method which enables the easy and sure growth of CNT (Carbon Nano Tube) in a predetermined area with an arbitrary form and size on the substrate without patterning catalyst materials, namely without damaging other parts on the substrate and polluting the corresponding catalyst materials.
触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にＣＮＴを成長させる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film.
反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for economically and easily manufacturing artificial marble having various patterns by efficiently injecting a liquid resin becoming a base material and a patterning liquid resin in a hermetically closed mold and easily adjusting a form of patterns.
基材となる液状樹脂と模様付け用の液状樹脂を密閉した成形型に効率的に注入し、また容易に模様の形態を調整して多様な模様付き人工大理石を経済的にかつ容易に製造する方法を提案する。 - 特許庁 - The legalized block mask patterns and the legalized phase mask patterns that have been colored define features of a block mask and an alternating phase shift mask, respectively, for use in a dual exposure method for patterning features in a resist layer of the substrate.
ルール適合化ブロック・マスク・パターンおよびカラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが、それぞれ、基板のレジスト層に構造体をパターン化する二重露光方法で使用するためのブロック・マスクおよび交番位相シフト・マスクの構造体を定義する。 - 特許庁 - To form a plurality of MOSFETs having different threshold voltages on the same semiconductor substrate, without reducing the thickness of the oxide film at element isolating regions or forming a difference in height on the surface of a gate material in patterning the gate material.
素子分離領域の酸化膜厚を減少させず、またゲート材料のパターンニングの際にゲート材料の表面に高低差が生じることなく異なるしきい値電圧を有する複数のＭＯＳＦＥＴを同一の半導体基板上に形成する。 - 特許庁 - In order to inhibit copying, background information obtained by patterning and arranging copy inhibition information to the effect that copying is inhibited and copy inhibition cancel information for canceling the copy inhibition during a specific condition is synthesized with foreground information to be formed.
複写を禁止するために、複写を禁止する旨の複写禁止情報と、その複写禁止を特定の条件の時に解除する複写禁止解除情報をパターン化して配置した背景情報を前景情報と合成して形成する。 - 特許庁 - Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.
ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁 - This method can reduce the warp of the semiconductor wafer by the high fusing point metal, so this can reduce the faults in the subsequent patterning process for forming wiring, especially, in the exposure pattern by a stepper.
本願の代表的な発明によれば、高融点金属膜による半導体ウエハの反りを低減できるので、以降の配線を形成するためのパターニング工程、特にステッパーによる露光工程においてフォーカスの不良を低減することができる。 - 特許庁 - The phase shift mask is formed by scanning an alignment groove with an electron beam, the groove patterned in a halftone film by using an alignment mark for a photomask, and then patterning a light shielding film by exposure to an electron beam to remove the scanning track.
フォトマスク用アライメントマークを用いてハーフトーン膜にパターニングされたアライメント用溝部を電子ビームによりスキャンした後、スキャン跡を除去するように電子ビーム露光を用いて遮光膜をパターニングすることにより位相シフトマスクを形成する。 - 特許庁 - To provide a partial graining method capable of forming gloss parts and grained pattern parts partially with excellent adhesion by performing easily and intentionally controlled patterning.
容易に且つ意図的に制御した模様付けを行って部分的に光沢部分とシボ模様部分とを形成することができ、密着性にも優れたものとすることができる部分的シボ模様付け方法及び部分的シボ模様付け化材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a fluorene-containing resin which is a thermosetting or radiation curing functional epoxy resin, having a high hardness of cured material, heat resistance and electric characteristics in high levels and a low contraction rate on curing, and excellent in patterning property.
熱硬化性あるいは放射線硬化性の機能性エポキシ樹脂であって、その硬化物が高硬度であり、高いレベルでの耐熱性および電気特性を有し、硬化時の収縮率が低く、パターニング性に優れた樹脂を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flexible type of element substrate for liquid crystal display device capable of patterning and forming a columnar spacer which has sufficient adhesiveness for a part corresponding to a black matrix according to photolithography without generating any malfunction.
何ら不具合が発生することなく、フォトリソグラフィに基づいてブラックマトリクスに対応する部分に十分な接着性が得られる柱状スペーサをパターン化して形成できるフレキシブルタイプの液晶表示装置用素子基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - By patterning the second conductive film so that the insulating film is exposed, a plurality of parallel second conductive film patterns are formed that cross the active region and the element isolation film so as to be overlapped with the first conductive film patterns.
前記絶縁膜が露出するように前記第２導電膜をパターニングして前記第１導電膜パターンと重畳されるように前記活性領域及び素子分離膜を横切る複数の平行な第２導電膜パターンを形成する。 - 特許庁 - METHOD OF MEASURING INTERACTION BETWEEN BIOMATERIAL AND SUGAR CHAIN, METHOD OF EVALUATING BIOMATERIAL IN SUGAR CHAIN SELECTIVITY, METHOD OF SCREENING BIOMATERIAL, METHOD OF PATTERNING BIOMATERIALS, AND KITS FOR PERFORMING THESE METHODS
生体関連物質と糖鎖との相互作用の測定方法、生体関連物質の糖鎖選択性の評価方法、生体関連物質のスクリーニング方法、および生体関連物質のパターニング方法、並びにこれらの方法を実施するためのキット - 特許庁 - Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.
次に、他の銅層１にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層９を形成し、フォトソルダレジスト１０を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア１１を形成する。 - 特許庁
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