「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 55 56 57 58 59 60 61 62 63 .... 78 79 次へ＞- Further, the image forming support apparatus refers to the Description of the TIFF format (200), separates a high image quality image from other images (characters and line drawings or the like) (202 to 208) and applies patterning to only the high image quality image and provides an output of the result to a CTP apparatus (210).
また、ＴＩＦＦフォーマットのＤｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎを参照して（２００）、高画質画像イメージとその他の（文字や線画等）イメージを分離して（２０２〜２０８）、高画質画像イメージのみを面付けしてＣＴＰ装置へ出力する（２１０）。 - 特許庁 - Adhesion between the color filters 201R, 201G, 201B and the transparent base film 220 is preferable and, even when the amount of pigment in the color filter increases, so that the color filter can be prevented from coming off in a patterning process of the color filter.
カラーフィルタ２０１Ｒ、２０１Ｇ、２０１Ｂと透明下地膜２２０との接着は良好であり、カラーフィルタ中の顔料を多くしても、カラーフィルタのパターニング工程において、カラーフィルタが剥離する現象を防止することが出来る。 - 特許庁 - A pattern of an organic light emitting layer 4a is formed on a transcription substrate 12 by making a belt-shaped shadow mask 13 running synchronously with the transcription substrate 12 tightly contacting with the belt-shaped transcription substrate 12 running through a patterning part 22.
パターニング部２２にて走行する帯状の転写基板１２に、この転写基板１２と同期して走行する帯状のシャドウマスク１３を密着させ、転写基板１２上に有機発光層４ａのパターンを形成する。 - 特許庁 - A material film constituting a TFT is laminated and formed on an insulating film substrate, and then a resist mask, having a plurality of regions whose thickness of the film is different to one another, is formed at the uppermost layer of the material film by conducting patterning.
ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁 - By doing so, since the tapered inclination spreading from the bottom part 18 toward the upper part 19 is make to decrease at the etching part 16 of the metal layer 12, fine pitch patterning can be easily realized.
このようにしてパターンを形成すれば、金属層１２のエッチング部分１６における、底部１８から上部１９に向かって広がるテーパ状の傾斜を小さくして、ファインピッチでのパターン化を容易に実現することができる。 - 特許庁 - To provide a mask for conductive film patterning, by which the process can be shortened, appearance defects such as flaw, blot and spark mark can be prevented, productivity can be greatly improved, and accordingly, usability in the subsequent process and durability during use can be improved remarkably.
工程を短かくでき、キズ、滲み、スパーク跡などの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良した導電膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁 - More particularly, the element is a lanthanide element such as the ytterbium (Yb), and the patterning has a structure (for example, a gate) including silicon and/or germanium doped with the lanthanide element, for example such as the ytterbium (for example, a Yb doped gate).
より詳細には、上記元素はイットリビウム（Ｙｂ）等のランタニド元素であり、上記パターニングは、例えばイットリビウム等のランタニド元素がドープされたシリコン及び／又はゲルマニウム含有構造（例えばゲート）である（例えばＹｂドープゲート）。 - 特許庁 - To provide an inkjet recording head preventing the deterioration of patterning precision by the deformation of a discharge port pattern shape, while suppressing the deformation by reflecting light from a base plate surface in the pattern exposition of the discharge port.
吐出口のパターン露光における基板面からの反射光による吐出口パターン形状の変形を抑制しつつ、その変形抑制によるパターニング精度の低下を防止可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A material membrane constituting a TFT is laminated and formed on an insulating membrane substrate, and then a resist mask, having a plurality of regions whose thickness of the membrane is different to one another, is formed at the uppermost layer of the material membrane by conducting patterning.
ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁 - After closely and uniformly applying conductive ink to a display area where many pixel areas are arranged like a matrix on a main surface of an insulating substrate 1 by using an ink jet (IJ) method and curing the ink, patterning is performed by photolithography using resist.
絶縁基板１の主面に多数の画素領域がマトリクス状に配置された表示領域にインクジェット（ＩＪ）法を用いて隙間なく均一に透明導電膜インクを塗布・硬化した後、レジストを用いたホトリソグラフィでパターニングする。 - 特許庁 - The shadow mask 100 on which a fluorescent pattern 103 is formed by patterning a fluorescent coating material prepared by incorporating fluorescent agent or luminous agent is produced on the side of a large hole opening mask 16a of the shadow mask.
シャドウマスクの大孔開口マスク１６ａ側の大孔開口マスク１６ａ側に蛍光剤或いは蓄光剤を調合した蛍光体塗料をパターニング処理して蛍光体パターン１０３が形成されたシャドウマスク１００を作製する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a device, having a ferromagnetic tunnel junction element with improved characteristics by properly patterning constituent layers of a multilayered film having a first and a second ferromagnetic layer and a tunnel insulation layer interposed between these ferromagnetic layers.
第１および第２の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。 - 特許庁 - A first α-Si film is formed on the surface of a quartz substrate 11 for patterning, and then a second α-Si film is formed over it, which is crystalized in a thermal process with Ni as a catalyst for form a CGS film 16.
石英基板１１表面に第１のα−Ｓｉ膜を形成してパターニングした後、その上に第２のα−Ｓｉ膜を形成し、Ｎｉを触媒として熱処理によって結晶化して、ＣＧＳ膜１６を形成する。 - 特許庁 - Thus, the incident light reaches a first photoelectric conversion layer without resorting to the second photoelectric conversion layer while a surface area is increased by patterning the second photoelectric conversion layer, resulting in higher conversion efficiency.
これによって、第１光電変換層においては第２光電変換層を介さずに入射光が到達でき、さらに、第２光電変換層のパターニングにより表面積を増加させることが出来るので、高い変換効率を実現出来る。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an image display device using energy of laser beams or the like as a heat source of transcription, capable of easily inspecting precision of patterning after transcribing a phosphor ink film on the inner surface of a panel, before baking.
レーザビームなどのエネルギビームを転写熱源として用い、蛍光体インク膜をパネルの内面に転写した後であって、焼成する前に、容易にパターニングの精度などの検査が可能な画像表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser processing device and a processing method of thin-film solar battery, capable of processing a patterning line for defining unit cells on a thin-film solar battery of large area at a high speed and high accuracy, and having an advantage of miniaturizing the device.
大面積の薄膜太陽電池に単位セルを画成するパターニングラインを高速かつ高精度で加工できるとともに、装置を小型化するうえでも有利な薄膜太陽電池のレーザ加工装置および加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide pattern forming method wherein a thin film on a lift-off pattern formed of a resist film is removed by ion milling to improve the permeability of the lift-off liquid and apply the lift-off patterning.
本発明は、リフトオフによるパターン形成方法に関し、より詳細にはレジスト膜で形成したリフトオフパターン上の薄膜をイオンミーリングで除去し、リフトオフ液の浸透性を良くしてリフトオフパターニングを行なうパターン形成方法に関する。 - 特許庁 - The TiN anti-reflective film 21 having the flat surface is formed in order to prevent the occurrence of halation during the patterning of a layered wiring including the AlCu film 20, and also, to prevent penetration of an etchant during the wet etching.
平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 - 特許庁 - Another configuration includes the patterning of both gate electrode layers with the advantage of utilizing the drain extension and source/drain implants as the gate doping implants and the option of offsetting the two patterns to create an asymmetric device.
別の構成では、両ゲート電極層のパターン形成を含み、ドレイン延長部及びソース／ドレインの注入をゲートのドーピングの注入として使用する利点と、２つのパターンをずらし、非対称デバイスを生成するという選択肢がある。 - 特許庁 - Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.
または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁 - A manufacture of the silicone coat 3 includes a step for preparing a silicone wafer 4 as a base material of the silicone coat 3, and a step for forming the fine pattern 5 on the surface of the silicone wafer 4 by patterning by lithography and anisotropic dry etching.
シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - A patterning interconnect line employing nano copper metal particles is formed on a substrate by a direct writing system and then metal surface oxide film of that interconnect line is reduced by atomic hydrogen and/or organic substances are removed therefrom.
本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。 - 特許庁 - To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.
ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁 - The method utilizes a substrate in which a semiconductor layer is initially formed on a flexible substrate, etc., and includes patterning a gate electrode and an insulating film to make undercut produced, and then forming a source and drain electrodes through vaporization and lifting off.
また、半導体層が最初からフレキシブル基板等の上に形成された基板を利用し、ゲート電極と絶縁膜をパターニングし、アンダーカットを生じさせ、その後、ソース、ドレイン電極を蒸着形成し、リフトオフすることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a laminated common mode choke coil which can secure a large area for patterning and forming a conductor pattern, greatly improve inductance value, and reduce floating capacity, and to provide a method of manufacturing the same.
導体パターンをパターンニング形成するための領域を大きく確保でき、インダクタンスを大値に向上できると共に、浮遊容量を低減することができる積層コモンモードチョークコイルおよびその製造方法を提供すること - 特許庁 - The scanning ring field reduced projector performs a lithographic patterning for producing devices in a design unit of maximum 0.4 μm, using X-ray radiations in a wavelength range of 300-40 Å.
３００Åから４０Åまでの波長範囲内のＸ線放射線を用いて最大０．４μｍまでの設計単位につくられるデバイスを生産するためのリソグラフィパターニングを行う走査リングフィールド縮小投影装置である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method and photolithography method by which a resist film can be removed without leaving residues in the edge sections of a substrate, at the time of patterning the resist film on the substrate through silylation.
シリル化プロセスにより基板上にレジスト膜をパターン加工するときに、基板のエッジ部において残渣を残すことなく前記レジスト膜を除去することができる半導体装置の製造方法およびフォトリソグラフィー方法を提供する。 - 特許庁 - The electrode film 13 is formed on the gate insulation film 11 subjected to the two anneal processes, and gate electrodes, LDDs, side wall insulation films, and sources / drains are formed through patterning of the electrode film 13.
これらの２回のアニール処理が施されたゲート絶縁膜１１上に電極膜１３を形成し、電極膜１３のパターニングによるゲート電極の形成、ＬＤＤの形成、サイドウォール絶縁膜の形成、ソース・ドレインの形成を行う。 - 特許庁 - In the circuit integration type molding by directly patterning a conductor film on the molding to integrate a circuit and the manufacturing method thereof, the molding is configured with a resin material having an electromagnetic wave absorbing characteristics.
成形品に直接的に導体膜をパターンニングして回路を一体化してなる回路一体型成形品でおよびその製造法あって、前記成形品を電磁波吸収特性を有する樹脂材料から構成してなるものである。 - 特許庁 - To provide a microarray substrate and its manufacturing method capable of immobilizing DNA firmly in high density with chemical combination with layers carrying DNA immobilized firmly to base material surface, and easily patterning finely.
ＤＮＡを化学的結合で強固にかつ高密度で固定化でき、しかも、ＤＮＡを担持した層が基材と強固に固定されており、また、容易に微細なパターニングが可能であるマイクロアレイ用基板とその作製方法を提案する。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a semiconductor device which enables removal of an organic antireflection film without damaging the substrate film of the organic antireflection film after forming and patterning the organic antireflection film as a resist lower layer.
レジスト下層に有機系反射防止膜を形成してパターニングを行った後、有機系反射防止膜の下地膜に損傷を与えずに、有機系反射防止膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A system for forming a pixel matrix is provided and includes a patterning tool including a laser ablation system operable to form pixel wells in the pixel matrix material coated with the ink-phobic material.
ピクセルマトリクスを形成するためのシステムが提供され、そのシステムはパターン化装置を含み、装置は疎インク性材料でコーティングされたピクセルマトリクス材料内にピクセル井戸を形成するために操作可能なレーザー溶発システムを含む。 - 特許庁 - The composite patterning layer is formed from (A) an acid- containing alkali developable photosensitive resin composition and (B) a photosensitive resin composition containing a photo-curable resin which is made alkali-soluble by acid decomposition.
（Ａ）酸を含むアルカリ現像型感光性樹脂組成物と、（Ｂ）酸により分解してアルカリ可溶性となる光硬化性樹脂を含有する感光性樹脂組成物とから形成されてなることを特徴とする複合パターン層を提供する。 - 特許庁 - A second mask is fabricated as a second sequentially used mask, for patterning a plurality of interconnections between individual regular elements and a plurality of interconnections between the regular elements and redundancy elements (step 50).
その後に、２番目に使用されるマスクとして個々の正規要素間の複数の相互接続および正規要素と冗長要素の間の複数の相互接続をパターン形成するために使用する第二のマスクが製造される５０。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device in which sufficient contact can be ensured between first and second gate electrodes even when a contact hole of micro diameter is made in a semiconductor device subjected to fine patterning.
微細化された半導体装置において微小径のコンタクトホールを形成する場合においても，第１のゲート電極と第２のゲート電極との間で充分なコンタクトを取ることができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.
エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - A surface plate 20 for laser beam machining is for patterning a film with laser beam irradiation and is provided with, in the laser beam irradiation part thereof, an aperture 21 having an exhaust function.
レーザー照射部に開口部２１が設けてある、レーザー照射によりフィルムをパターン化のためのレーザー加工定盤２０において、前記開口部２１に排気機能を具備する事を特徴とするレーザー加工定盤２０を提供する。 - 特許庁 - To provide an exposure method and an exposure device, capable of locally optimizing such factors as incident angle, polarizing direction, and exposure amount, according to places in a sample when patterning the solid sample having a rough on its surface.
表面に凹凸のある立体サンプルにパターニングを行うに際して、サンプル内の場所に応じて部分的に、入射角度、偏光方向、露光量などの条件の最適化が可能な露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁 - A control system for a mask table (patterning means) and substrate tables predicts the instantaneous position error in the substrate table, and feeds the position error to a control loop of the mask table for adding to the mask table set point as force to be operated on the mask table.
マスク・テーブル（パターン形成手段）および基板テーブルの制御システムは瞬時の基板テーブルの位置誤差を予測し、それをマスク・テーブルの制御ループに送り、マスク・テーブル設定値にマスク・テーブルに作用する力として加える。 - 特許庁 - An SiO_2 film and a photoresist film are then formed sequentially on the seed layer (S3, S4), an opening is formed by patterning the photoresist film and the SiO_2 film (S5, S6), and a Cu film and a mask Al film are laminated in the opening (S7, S8).
シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。 - 特許庁 - A hole-making step, a titanium layer-copper layer forming step, a chemical copper plating step, a dry film forming step, a patterning step, a copper circuit forming step, a peeling step, a nickel plating step, a gold plating step and a titanium layer-copper layer removing step are successively performed.
穿孔ステップと、チタン層・銅層形成ステップと、化学銅メッキステップと、ドライフィルム形成ステップと、パターニングステップと、銅回路形成ステップと、剥離ステップと、ニッケルメッキステップと、金メッキステップと、チタン層・銅層除去ステップと、順次行う。 - 特許庁 - In a preferred embodiment, the method includes patterning a substrate to identify a plurality of cavity areas to be etched on the substrate and filling at least one of the cavity areas with a distinctive filler material.
好適な態様において、本方法は、基板をパターニングして基板にエッチングされる複数のくぼみ領域を識別し、少なくとも１つのくぼみ領域を弁別的充填材料２０３，２０５，２０６，２０７で充填する工程を含む。 - 特許庁 - In a process for performing the active patterning with respect to the Si layer 13, leg parts 13a are left in the groove h1 by allowing the Si layer 13 to be supported on the Si substrate 1 as it is even after the formation of the cavity part 25.
Ｓｉ層１３に対してアクティブのパターニングを行う工程では、空洞部２５を形成した後もＳｉ層１３がＳｉ基板１上でそのまま支えられるようにその脚部１３ａを溝ｈ１内に残しておく。 - 特許庁 - Furthermore, in fabricating the semitransmissive liquid crystal display, the fabricating method includes a step for forming a projecting and recessing structure without especially increasing the number of patterning steps only for the purpose of forming the projecting and recessing structure in the manufacturing process.
さらに半透過型の液晶表示装置を作製するにあたり、その製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - A lens forming base plate 148 where the microlenses 506 and 507 are formed is formed, and a resist layer 43 for patterning a light shielding film composed of photosensitive material is formed on one side 103 in the thickness direction of the base plate 148.
マイクロレンズ５０６，５０７が形成されるレンズ形成基板１４８を形成し、そのレンズ形成基板１４８の厚み方向他方側１０３に感光性材料からなる遮光膜パターニング用レジスト層４３を形成する。 - 特許庁 - To provide a metal patterning method performing exposure, development and etching of a circuit pattern after a photocrosslinking resin layer is formed on a substrate and subjected to thinning with an organic alkaline aqueous solution which allows for uniform thinning even of a photocrosslinking resin layer where the photocrosslinking resin has a composition less susceptible to swelling with high productivity, and in-plane uniform and fine metal patterning.
本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。 - 特許庁 - The magnetic pole part layer 11a is formed by forming a magnetic film on the surface having difference in level generated by the insulating layer 9, flattening the upper surface of the magnetic film and patterning the magnetic film flattened by photolithography.
磁極部分層１１ａは、絶縁層９によって段差が生じている面の上に磁性膜を形成し、この磁性膜の上面を平坦化し、この平坦化された磁性膜をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成される。 - 特許庁 - To provide an injection molding in-mold decorating apparatus capable of preventing the generation of wrinkles in the outer peripheral corner part of a projected isolated part in a patterning sheet stretching process to obtain a decorative laminated product of high quality having no wrinkles in its window part.
絵付シートの延伸工程において、凸状孤立部の外周角部にしわが発生しないようにでき、もって、窓部等にしわが生じていない高品質の加飾積層製品を得ることのできる射出成形同時絵付装置を提供する。 - 特許庁 - A dummy layer is formed on an element separating area in a logical operation circuit by patterning a stopper layer and a first conductive layer in a memory area as well as the stopper layer and the first conductive layer in a logical operation circuit area.
メモリ領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングするとともに、ロジック回路領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングすることにより、ロジック回路内の前記素子分離領域上にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁 - A pattern member 1 in which a plurality of cross-sectional shape members 11-1 to 11-3 corresponding to a cross-sectional pattern of the structure are integrally connected to a frame shaped member 12 by a connecting member 13 is formed by patterning a planar metal member.
構造体の断面パターンに対応する複数の断面形状部材１１−１〜１１−３が、枠状部材１２に連結部材１３で一体に連結されたパターン部材１を、板状の金属部材をパターンニング加工して形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
