「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 .... 78 79 次へ＞- Then, surface treatment for modifying the lyophobic property against the conductive paste 12 into lyophilic property is applied to a predetermined region 18 of the substrate surface 10a along the pattern forming elements 14 of the patterning member 16.
次に、基板表面１０ａの所定領域１８に、パターニング部材１６のパターン形成要素１４に沿って、導電性ペースト１２に対する疎液性を親液性に改質する表面処理を施す。 - 特許庁 - A method of using photoresist-type material, not only as a usual patterning material but also as an insulator interposed between magnetic layers or conductive layers and/or a planar material and including the formation of a multilayered element, is provided.
フォトレジスト型材料が、従来のパターニング材料としてだけではなく、磁気層間または導電層間の絶縁および／またはプレーナ化材料としても使用される、多層素子の形成を含む方法が提供される。 - 特許庁 - Also, a bit line 15 provided on the top electrode 17 has the etching surface 15c formed by patterning, and an etching surface 15c of the bit line 15 contacts the film formation initiating surface 17a of the top electrode 17.
また、上部電極１７に接続されたビット線１５は、パターニングにより形成されたエッチング面１５ｃを有しており、ビット線１５のエッチング面１５ｃと、上部電極１７の成膜開始面１７ａとが接している。 - 特許庁 - After having formed a first insulating film 101 consisting of an inorganic low dielectric constant film on a silicon substrate 100, by patterning the first insulating film 101, the first insulating film 101 remains in the first region.
シリコン基板１００の上に無機の低誘電率膜からなる第１の絶縁膜１０１を形成した後、第１の絶縁膜１０１をパターニングして、第１の絶縁膜１０１を第１の領域に残存させる。 - 特許庁 - To form a nano-structure layer through a mask comprising a block copolymer finely patterned in a temperature atmosphere lower than the glass transition temperature of a workpiece, and to contribute to the fine patterning technique field.
加工対象物のガラス転移温度よりも低い温度雰囲気下にて微細パターン化されたブロック共重合体から成るマスクを介してナノ構造層を形成することができ、微細パターン化技術分野に貢献する。 - 特許庁 - The optical system is configured to direct EUV light from an inspection area of an EUV patterning device onto the array of sensors, whereby the analog data are used to determine defects or to compensate for anomalies found on the EUV mask.
光学システムは、ＥＵＶパターニングデバイスの検査エリアからのＥＵＶ光をセンサのアレイに誘導し、アナログデータはＥＵＶマスク上で発見される欠陥を判定し、または異常を補償するために使用される。 - 特許庁 - Then, patterning is applied to the first conductive silicon film 30 with dry etching based on a resist mask R1 to form a horizontal CCD-CCD transfer electrode 12 having an inclined side face 12a (Fig.2(b)).
次いで、第１の導電性シリコン膜３０をレジストマスクＲ１に基づいたドライエッチングによりパターニングすることにより、傾斜した側面１２ａを有する水平ＣＣＤ間転送電極１２を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁 - A patterning roller body 13 is formed in a cylindrical shape, the projected stripes 12 formed on the surface of the roller have a plurality of parallel rows, and the width of each of the projected stripes is within a range of 0.3 mm to 10.0 mm.
また、模様付けローラ本体１３は、円筒状であり、そのローラ表面に形成される凸条１２が平行に複数あり、その凸条の幅が０．３ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲であるものである。 - 特許庁 - To provide a conductive pattern generation method that eliminates the need for using a printer for patterning and its complicated process, and enables easy generation and miniaturization of conductive patterns.
パターニングのための印刷装置を用いず、またそれによる複雑な処理工程を必要とすることなく、導電パターンの生成を簡易に行え、導電パターンの微細化を実現できる導電パターンの生成方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the solid-state image pickup device, a pad insulation film 2 and an oxidation resistant film 3 are formed on a silicon substrate 1 for patterning, thus forming an opening 4 for opening the region for separating elements.
本発明の固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板１の上に、パッド絶縁膜２と耐酸化性膜３とを形成し、パターニングを行うことにより、素子分離用領域を開口する開口４を形成する。 - 特許庁 - An extra capacitor or a capacitor is fabricated utilizing the capacitance between interconnections (between M11 and M12) or the capacitance between through holes (between B11 and B12) which is increased as a finer patterning is employed in the process technology.
プロセス技術の微細化に伴って大きな容量を持つようになった配線間（Ｍ１１およびＭ１２間）容量およびスルーホール間（Ｂ１１およびＢ１２間）容量を利用して、付加容量またはキャパシタを形成する。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).
感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁 - To prevent short circuit by ejecting functional liquid such that functional liquids temporarily overflowing from a plurality of line patterning areas do not touch each other, and to bring the line patterns closer to each other.
複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。 - 特許庁 - As shown in diagram (g), after the patterning film 6 is removed through wet etching, a chemical-mechanical polishing (CMP) treatment is applied, and the metal wiring film 7 on the recessed part 3 as well as the seed film 5 outside the recessed part 3 is polished.
次いで、図１(g) に示すように、たとえばウエットエッチングによってパターニング膜６を除去した後、ＣＭＰ処理を行うことにより、凹部３上の金属配線膜７および凹部３外のシード膜５を研磨していく。 - 特許庁 - To enable a conventional vessel, which does not have vacuum adaptation to be used for a conveying vessel conveyed by accommodating a patterning means (mask or the like), which should be replaced in lithographic projection equipment, used in vacuum environment so that it is not contaminated with particles.
リソグラフィ投影装置で交換すべき、真空環境で使うパターニング手段（マスク等）を入れて粒子汚染されないように運ぶ搬送容器に従来の真空適合性のない容器を使えるようにすること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin film transistor where it is not necessary to execute a plurality of photo-lithograph processes, and it realizes increase in the margin of patterning in a process for forming the gate electrode of a linewidth area whose microfabrication is progressed.
微細化が進んだ線幅領域のゲート電極の形成工程において、複数回のフォトリソグラフ工程が不要であり、パターニングのマージンを拡大できる薄膜トランジスタの作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a display device, which attains a high yield with a simple process, a liquid crystal display device and a method for patterning a metal film, with which corrosive reduction of a base transparent conductive film is prevented.
簡易な工程により、高歩留りを実現する表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに下地の透明導電膜の腐食還元を防止することができる金属膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - In a substrate forming method, a layer of a radiation sensitive material is arranged on a substrate surface, and is exposed by a patterning device (a lithography device) having a calibration pattern including a first set of pattern features and a second set of pattern features.
基板形成方法は放射感応性材料の層を基板表面に設け、第一セットのパターンフィーチャ及び第二セットのパターンフィーチャを含むキャリブレーションパターンをもつパターンニングデバイス（リソグラフィ装置）により露光する。 - 特許庁 - An opening part 3 is provided along the diagonal direction of the mask 1 on the outside of the patterning part 2 of the mask 1, and tensile force is applied in the diagonal direction, in addition to the longitudinal direction and the lateral direction, to fix the mask to the fixed frame 4.
マスク１のパターニング部２の外側に、マスク１の対角方向に沿って開口部３を設け、縦方向、横方向に加えて対角方向にも張力をかけて固定枠４にマスク１を固定する。 - 特許庁 - Then, the substrates 14A, 14B are removed with an etching liquid, and patterning of the laminate 60 is executed, in a state where the laminate 60 is held by a Si single-crystal substrate 14C prepared differently.
そして、Ｓｉ単結晶基板１４Ａ，１４Ｂをエッチング液によって除去し、別途用意したＳｉ単結晶基板１４Ｃによって積層体６０が保持された状態で、積層体６０のパターニングをおこなう。 - 特許庁 - To provide a method for forming a microparticle-adsorbed pattern whereby functional microparticles can be tightly adsorbed on an arbitrarily selected region irrespectively of its area, and a functional patterning material having a wide scope of application can be obtained.
面積に係わらず、選択的な任意の領域に機能性微粒子を強固に吸着させることができ、応用範囲の広い機能性パターン材料を得られる微粒子吸着パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.
より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - To provide a spatial light modulator including an array of elements which are independently controlled, which is used as a patterning means for a lithographic projection device and has a high data transmission speed necessary for address designation of pixels and a compact configuration.
リソグラフィ投影装置にパターニング手段として使える、個々に制御可能な素子のアレイを含む光空間変調器を画素のアドレス指定に要するデータ転送速度が速く、コンパクトな構成で提供すること。 - 特許庁 - To provide a TFT array substrate in which a process is simplified by directly exposing and patterning a protective film without using a photoresist, and the unit price of the process is reduced, and also to provide its manufacturing method.
フォトレジストを用いることなく保護膜を直接露光及びパターニングすることによって工程を簡素化し工程単価を節減することができるＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.
より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - An inserted electrode layer on a piezoelectric material plate 12 is formed and patterning the result is conducted repetitively, and the inserted electrode layer is inserted to a boundary face of the piezoelectric material plates so as to form a laminator consisting of layers of a prescribed number.
圧電材料板１２の上に介挿電極層を形成し、パターニングする操作を繰り返し行ない、圧電材料板の界面に介挿電極層が介挿され、所定の段数に積層された積層体を形成する。 - 特許庁 - To improve accuracy in printing position of an alignment film (patterning) and to improve uniformity in the thickness thereof in a liquid crystal display device in which the alignment film is printed by an alignment film printing system which is noncontact with respect to a substrate.
基板に対して非接触な配向膜印刷方式によって配向膜を印刷する液晶表示装置における、配向膜の印刷位置（パターニング）精度を良くし、さらにその膜厚の均一性を向上させる。 - 特許庁 - Since a material, having a low adhesive property to particles, is used for forming the protective film 6 the adhesion of the particles to, particularly, the opening 5 of the mask pattern can be suppressed and the accuracy of the patterning can be improved.
保護膜６の材料としてパーティクルとの密着性の低い材料を用いることにより、特にマスクパターンの開孔５へのパーティクルの付着を抑えることができ、パターニング精度を向上させることができる。 - 特許庁 - A bank film M is formed by laminating a first material M1 and a second material M2 on a substrate P, and the patterning of the bank film M is effected to form a bank B consisting of a laminated first bank B1 and second bank B2.
基板Ｐ上に、第１の材料Ｍ１と第２の材料Ｍ２とを積層しバンク膜Ｍを形成し、バンク膜Ｍをパターニングして、第１のバンクＢ１と第２のバンクＢ２とが積層されてなるバンクＢを形成する。 - 特許庁 - Fabric-patterning portions 309, 309' contribute to the deformation of the fabric structure 306 in the direction Z in a deforming region 311, while the fluid pervious property in the deformation region is substantially not changed.
支持体上の織物パターン化部分３０９，３０９′が変形帯域３１１内のＺ方向の織物構造３０６の変形に寄与し、変形帯域内の流体透過性は本質的に変化しないままである。 - 特許庁 - After removal of the first resist pattern, a first light transflective film 16 is formed throughout a surface of the substrate, and second patterning is performed by etching at least the first light transflective film with a second resist pattern formed on the film 16 as a mask.
第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜１６を形成し、その上に形成した第２レジストパターンをマスクとして少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide an organic field light-emitting element capable of having low drive voltage and attaining uniform light-emission, wherein it uses a substrate for patterning an organic thin film having a bank formed on a charge transport layer.
電荷輸送層上に形成したバンクを有する有機薄膜パターニング用基板を用いた有機電界発光素子において、駆動電圧が低く、かつ均一な発光が得られる有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁 - A reducing agent 54 is discharged for patterning by the ink jet method in a groove between partitions 50a and 50b of a glass substrate 50 formed by sandblasting method, that is, a desired region where an electrode is formed (Fig.d).
サンドブラスト法等により形成されたガラス基板５０の隔壁５０ａ，５０ａ間の溝内、すなわち電極を形成すべき所望の領域に、インクジェット法で還元剤５４を吐出してパターニングする（図１（ｄ））。 - 特許庁 - To provide a new pattern forming method that can reduce the number of steps in a double patterning method, and to provide a material for forming a metal oxide film suitably used for the pattern forming method, and a use method of the material.
ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、該パターン形成方法に好適に用いられる金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a color filter using a negative type photosensitive composition containing colorants for the color filter, the method for manufacturing the color filter realizing satisfactory patterning and having high hardenability resulting in reduced change in film thickness and dispersion.
カラーフィルター用の着色剤を含有するネガ型感光組成物を用いた、パターニングが良好で、かつ高い硬化性により膜厚変化や分光変化を低減したカラーフィルターの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable wiring board whose opening shape is proper in patterning of solder resist of the wiring board having a plurality of conductor circuits in a resin insulating layer, and to provide a manufacturing method of the wiring board for improving productivity by a reel-to-reel method.
樹脂絶縁層に複数の導体回路を有する配線基板のソルダーレジストのパターニングにおいて、開口形状が良好であり、かつ信頼性の高い配線基板を提供するところにある。 - 特許庁 - The hologram exposure device 100 forms the plurality of holograms 13 on the hologram photosensitive layer 31 by irradiating the substrate 1 for the oblong multiple patterning hologram optical element 1 with object light 46 and reference light 47 from the lateral side.
ホログラム露光装置１００は、多面付けホログラム光学素子用基材１に対して側方から物体光４６および参照光４７を照射して、ホログラム感光層３１に複数のホログラム１３を形成する。 - 特許庁 - The mask patterns of the photomask used in patterning wiring patterns by the photolithography process step are subjected to correction of the mask patterns by dividing the photomask to ≥2 regions and determining correction parameters by each of the respective regions.
フォトリソグラフィ工程により配線パターンをパターニングする際に使用するフォトマスクのマスクパターンについては、フォトマスクを２以上の領域に分割し、各領域毎に補正パラメータを求めてマスクパターンの補正を行う。 - 特許庁 - Scanning part of a laser beam is determined such that at least part obtained by patterning can be crystallized and then the semiconductor film is crystallized partially by projecting the beam spot to the scanned part.
そして、少なくともパターニングすることで得られる部分を結晶化することができるようにレーザー光の走査部分を定め、該走査部分にビームスポットがあたるようにし、半導体膜を部分的に結晶化する。 - 特許庁 - After depositing a first polysilicon 11, depositing a second insulation film 12, applying and patterning a photoresist 13, and then etching the second insulation film 12, the first polysilicon 11 is etched back, after removing the photoresist 13 by ashing.
第一ポリシリコン１１の堆積、第二絶縁膜１２の堆積、フォトレジスト１３の塗布、パターニング、第二絶縁膜１２のエツチング後、フォトレジスト１３の灰化除去をしてから、第一ポリシリコン１１のエッチバックをおこなう。 - 特許庁 - To provide a depositing method of a self-aggregate single molecule layer on a metal oxide using the micro-contact printing in the patterning substantially of the derivative and the surface, and a derivative substance manufactured thereby.
本発明は、概ね誘導および表面のパターン化に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれらにより製造された誘導体物体を提供する。 - 特許庁 - A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.
基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁 - And then, a second impurity injection mask 35 is formed by patterning a formed metal film for forming a gate electrode, and a p-type impurity is injected in high concentration with the mask 35.
次に、成膜されたゲート電極形成用金属膜をパターニングして第２の不純物注入マスク３５を形成し、この第２の不純物注入マスク３５をマスクとしてｐ型不純物を高濃度に注入する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel.
本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 - 特許庁 - Touch keys corresponding to 'character patterning', 'stitching', 'stitching edition' and 'memory calling' are set to be invalid keys which are invalid against depression and displayed in light and shade in areas corresponding to valid keys.
また、「文字模様ぬい」、「刺しゅう」、「刺しゅうの編集」、「記憶呼び出し」に対応するタッチキーが、押圧操作が無効となる無効キーに設定されるとともに、これらは有効キーに対応する部分に対してうすい濃淡で表示される。 - 特許庁 - After a metal layer for a lower electrode, a dielectrics film and a metal layer for an upper electrode are deposited in the order on a first insulating film formed on a semiconductor substrate, and the upper electrode is formed by patterning.
半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に下部電極用金属層、誘電体膜および上部電極用金属層を順次堆積した後、パターニングして上部電極を形成する。 - 特許庁 - It is possible to indirectly measure electrode line width by measuring height from the base 3 by using a linear relation between the height from the base 3 of the tapered pattern 2 and the electrode line width after patterning.
パターニング後の先細りパターン２の底辺３からの高さと電極線幅との間の線形関係を用いて、底辺３からの高さを測定することで電極線幅を間接的に測定することができる。 - 特許庁 - Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.
その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁 - The resin composition for producing the artificial marble is obtained by blending a thermosetting resin, a filler, a patterning material, an inner releasing agent, a curing agent or the like, and in the composition, melamine cyanurate is added and blended.
熱硬化性樹脂と、充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合した人造大理石製造用の樹脂組成物であって、この樹脂組成物中にメラミンシアヌレートを添加配合する。 - 特許庁 - Thin film dielectric layers 6 are arranged on top of parts of ground patterns 5 of a coplanar waveguide by selectively performing patterning and plural island metal patterns 7 are arranged on the thin film dielectric layers 6 at fixed intervals.
コプラナ・ウェーブガイドのグラウンドパターン５の一部の上部に薄膜誘電体層６を選択的にパターニングして配置し、この薄膜誘電体層６の上に島状メタルパターン７を一定間隔で複数個配置する。 - 特許庁
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