「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 78 79 次へ＞- To provide a method of manufacturing an electromechanical conversion element that carries out selective patterning by simplified steps, and to provide an electromechanical conversion element manufactured by the manufacturing method, a droplet discharging head, and a droplet discharging apparatus.
簡素化した工程で選択的にパターン化可能な電気機械変換素子の製造方法と、その製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a new method and an instrument used therefor, performing comparatively easily a processing for patterning a physiologically active substance or a functional organic material such as a protein on a substrate, while keeping activity thereof.
タンパク質等の生理活性物質又は機能性有機材料を、それらの活性を保持したまま基板上にパターニングできる処理操作が比較的容易である新規な方法及びそれに用いる器具を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electromechanical conversion element capable of performing selective patterning in a simplified process, the electromechanical conversion element manufactured by the method, and a droplet discharging head and a droplet discharging device.
本発明は、簡素化した工程で選択的にパターン化可能な電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁 - Since the polarization filter 16 is formed by patterning the polarization material deposited on the protective film 13, the alignment accuracy is improved because a unification can be conducted without a conventional junction process.
また、偏光フィルタ１６が保護膜１３の上に堆積された偏光材料をパターニングして形成されることから従来のような接合プロセスを行わずに一体化できることによりアライメント精度が向上する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic EL display which can simultaneously perform a formation of a hole injection layer and an addition of liquid-repellent on a barrier, thereby forming an organic EL element with high patterning accuracy.
正孔注入層の形成と隔壁上における撥液性の付与とを同時に行うことができ、高いパターニング精度で有機ＥＬ素子を形成することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁 - And then, a second impurity injection mask 35 is formed by patterning a formed metal film for forming a gate electrode, and a p-type impurity is injected in high concentration with the mask 35.
次に、成膜されたゲート電極形成用金属膜をパターニングして第２の不純物注入マスク３５を形成し、この第２の不純物注入マスク３５をマスクとしてｐ型不純物を高濃度に注入する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel.
本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 - 特許庁 - Touch keys corresponding to 'character patterning', 'stitching', 'stitching edition' and 'memory calling' are set to be invalid keys which are invalid against depression and displayed in light and shade in areas corresponding to valid keys.
また、「文字模様ぬい」、「刺しゅう」、「刺しゅうの編集」、「記憶呼び出し」に対応するタッチキーが、押圧操作が無効となる無効キーに設定されるとともに、これらは有効キーに対応する部分に対してうすい濃淡で表示される。 - 特許庁 - After a metal layer for a lower electrode, a dielectrics film and a metal layer for an upper electrode are deposited in the order on a first insulating film formed on a semiconductor substrate, and the upper electrode is formed by patterning.
半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に下部電極用金属層、誘電体膜および上部電極用金属層を順次堆積した後、パターニングして上部電極を形成する。 - 特許庁 - It is possible to indirectly measure electrode line width by measuring height from the base 3 by using a linear relation between the height from the base 3 of the tapered pattern 2 and the electrode line width after patterning.
パターニング後の先細りパターン２の底辺３からの高さと電極線幅との間の線形関係を用いて、底辺３からの高さを測定することで電極線幅を間接的に測定することができる。 - 特許庁 - To provide a wiring board incorporating semiconductor element components which can enhance degree of freedom in patterning of wiring by narrowing the area of a connection conductor connected with an terminal of the semiconductor element component, and to provide a method for manufacturing the same.
半導体素子部品の端子に接続される接続導体を面積狭小化して配線パターン形成の自由度を向上することができる部品内蔵配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the alignment marks can be easily identified in contact with a resin for patterning in an imprint process, the alignment between the template and the substrate for imprint can be easily achieved and an imprint process for a large area is enabled.
これにより、インプリント工程時にパターン用レジンとのコンタクト識別が容易であるので、テンプレートとインプリント用基板との間の整列を容易に合わせることができ、大面積のインプリント工程が可能である。 - 特許庁 - To provide a laminate for forming a substrate with wiring having a low resistance, excellent patterning performance and high resistance properties to the ozone generated as a result of cleaning by irradiation with UV rays, the substrate with wiring and a method of forming the same.
低抵抗でパターニング性能に優れ、かつ、紫外線照射による洗浄などで発生するオゾンに対して耐性の高い、配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法の提供。 - 特許庁 - The manufacturing method for BiCMOS forms a gate in a CMOS region by patterning a conductive layer for the gate while forming a conductive layer pattern that defines an aperture for opening an active region in a bipolar transistor region.
ゲート用導電層をパターニングしてＣＭＯＳ領域にゲートを形成すると同時にバイポーラトランジスタ領域の活性領域をオープンする開口部を定義する導電層パターンを形成するＢｉＣＭＯＳ製造方法。 - 特許庁 - A columnar spacer 31 and a shading pattern SP are formed by applying a black resin on the whole surface of the substrate, patterning, and treating at a high temperature to melt and hardening while shrinking the volume.
柱状スペーサ３１及び遮光パターンＳＰは、基板全面に塗布された黒色樹脂をパターニングし、高温処理することによって黒色樹脂をメルトさせ、体積収縮しながら硬化させることによって形成される。 - 特許庁 - The aluminum layer 11 is covered with a Ti film 12 and a TiO_2 film 13 formed by oxidizing the surface of the Ti film 12 as an anti-reflection layer to improve the precision of the wiring patterning made by using a photography technology.
アルミニウム層１１上には、フォトリソグラフィ技術を用いる配線パターニング精度向上のため反射防止層として、Ｔｉ膜１２及びその表面を酸化して得られたＴｉＯ_2膜１３が被覆されている。 - 特許庁 - A plurality of material films constituting TFTs are formed by stacking on an insulating-film coated substrate, and subsequently a resist mask having a plurality of regions of mutually different film thicknesses is formed by patterning on the uppermost layer of the material films.
ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁 - After removing the silicon oxide film 9, a low resistance portion 15 constituting a resistance element 17 and a gate electrode 19 are formed from the low-resistance poly silicon film 11 by patterning the poly silicon films 7a, 7b, 11 (f).
シリコン酸化膜９を除去した後、ポリシリコン膜７ａ，７ｂ，１１をパターニングして、低抵抗ポリシリコン膜１１から、抵抗素子１７を構成する低抵抗部１５と、ゲート電極１９を形成する（ｆ）。 - 特許庁 - A process of manufacture of an organic EL display device simultaneously performs patterning of a cathode 4 and transferring of a light emitting layer 5 by a transferring method using a laser beam, simplifies the process and improves display performance.
有機ＥＬ表示装置の製造方法において、レーザー光を用いる転写法により、陰極のパターニングと発光層の転写を同時に行い、プロセスの簡略化と表示性能の向上を実現した。 - 特許庁 - The bismuth-based lead-free glass is used as a light patterning glass material which is patterned by light irradiation and has a light absorption coefficient of 300-3,000 cm^-1 at the wavelength of 365 nm.
光照射によりパターニングされる光パターニングガラス材料に用いられ、３６５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が３００〜３０００ｃｍ^-1であることを特徴とするビスマス系無鉛ガラスを提供する。 - 特許庁 - To surely remove a polymer and particles adhering to a back surface without peeling off patterning applied to a surface, and to surely remove particles adhering to the respective surfaces by pressing force adapted to the respective surfaces.
表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去したり、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去したりすること。 - 特許庁 - To provide an etching solution for electrically conductive polymers having excellent etching power to the polymers and provide a patterning method to use the etching solution for conductive polymers.
導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。 - 特許庁 - An oxidized film 12, having openings 13 at places on which trenches 14 are to be formed, is formed by a patterning process as a hard mask for etching upon forming the trenches 14 on the surface of a silicon substrate 11 by etching.
シリコン基板１１の表面にトレンチ１４をエッチングで形成する際のエッチング用ハードマスクとして、トレンチ１４を形成すべき箇所に開口１３を有する酸化膜１２をパターニング工程で形成する。 - 特許庁 - Further, the translucent layer 2c is subjected to the patterning treatment, by which the halftone type phase shift mask 10 having the shading regions 2a, the translucent regions 2b and apertures 3 on the transparent substrate 1 is obtained.
さらに、半透明層２ｃをパターニング処理して、透明基板１上に遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び開口部３を有する本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク１０を得る。 - 特許庁 - The operation system 4 positions the substrate 1 relatively to the projection system 3, projects the patterning radiation beam on a target portion of the substrate 1, and adjusts pattern data based upon the detection result to perform temperature compensation.
作動システム４により基板１を投影システム３に対して位置決めし、パターン化放射線ビームを基板１の目標部分上に投影し、検出結果に基づいてパターンデータを調整して温度補償する。 - 特許庁 - Therefore, an expensive circuit board, which was necessary in a conventional apparatus, is not necessary, and a process for patterning the wiring pattern and a process for connecting the external terminals to the wiring pattern are not necessary when the apparatus is manufactured.
したがって、従来装置で必要とされた高価な回路基板が不要であり、しかも、装置を製造する際に、配線パターンをパターニングする工程、および、外部端子を配線パターンに接続する工程が不要である。 - 特許庁 - To prevent the leakage of abrasives from a slit opening through which a supply piping system for the abrasives passes during sandblast machining for patterning ribs of a plasma display panel, without giving ill effect to a substrate being machined.
プラズマディスプレイパネルのリブをパターニングするサンドブラスト加工時に、加工中の基板に悪影響を与えることなく、研削材の供給配管系が通るスリット状開口部からの研削材漏れを防止できるようにする。 - 特許庁 - Since the gate insulating film and the semiconductor film are simultaneously machined into an element shape after the heating process, the expansion and contraction of a glass substrate does not exert influence on the alignment deviation in patterning.
加熱処理後にゲート絶縁膜と半導体膜を同時に素子形状に加工するため、加熱時のガラス基板の膨張、収縮がパターニングのアライメントずれに影響を及ぼさないことを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a method of preventing resist poisoning and the damage of a low-k dielectric insulating material or at least a method of minimizing the damages in a patterning approach of dual damascene structure using the via first of a semiconductor device.
半導体素子のビアファーストを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法において、レジスト汚染と低ｋ誘電体絶縁材料の損傷を避けるか、少なくとも最小にする方法を提供する。 - 特許庁 - After patterning the resist 32 of an etching mask by applying a resist 30 around a substrate 10, the thickness of the substrate 10 is reduced by etching the rear surface 10b of the substrate 10 except the outer peripheral section of the surface 10b.
基板１０の周囲にレジスト３０を塗布してエッチング用マスクのレジスト３２をパターニングし、基板１０の裏面１０ｂであって、裏面１０ｂの外周部以外の部分をエッチングして基板１０の厚みを減ずる。 - 特許庁 - To provide a method of growing and patterning nanowire stably at high temperature using a new material that can overcome a problem of instability of conventional lift off material at high temperature.
従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。 - 特許庁 - First and second halftone phase shifting masks 10, 20 having light transmitting parts 12, 22 for holes corresponding to the above holes of the respective groups are used to expose one resist film twice for patterning.
そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部１２及び２２を有する第１及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び２０を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を２回行なう。 - 特許庁 - To perform patterning by wet etching with a high aspect ratio even on a thick metal plate in a process for producing a circuit board, a process for producing a power module substrate, the circuit board, and the power module substrate.
回路基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法並びに回路基板及びパワーモジュール用基板において、厚い金属板でも高アスペクト比でウェットエッチングによりパターン形成を行うこと。 - 特許庁 - To provide a method for patterning, which is adaptable to problems associated with productivity and quality in arranging protrusions for controlling an alignment direction and columnar or rib shaped spacers defining liquid crystal layer thickness in a liquid crystal display.
液晶ディスプレイにおける、配向方向制御用突起や液晶層厚さを規定する柱状またはリブ状のスペーサを配設する際の生産性や品質の問題に対応できるパターンニング方法を提供する。 - 特許庁 - The masking layer can be obtained by conducting a conditioning process for more than five hours under a processing condition of the temperature being 30°C or more and the relative humidity being 90% or more after having pasted the dry film resist as a patterning mask.
このようなマスク層は、ドライフィルムレジストをパターニングマスクとして貼りつけた後、温度が３０℃以上、相対湿度が９０％以上の処理条件で５時間以上コンディショニング処理を行なうことで得られる。 - 特許庁 - On an interlayer insulating film 109 serving as a patterning layer, a predetermined range is removed to have an etching region for exposing at least a part of the upper clad layer 106 or a second conductive semiconductor region 108.
パターニング層としての層間絶縁膜１０９は、その所定範囲を除去して上部クラッド層１０６又は第２導電型半導体領域１０８の少なくとも一部を露出させるエッチング領域を有する。 - 特許庁 - The printed circuit board 1 has a ground insulating layer 10, a circuit pattern 21 formed by patterning a conductor layer 20 laminated on the ground insulating layer 10, and a coating insulating layer 30 covering the circuit pattern 21.
プリント配線板１は、下地絶縁層１０と、下地絶縁層１０に積層された導体層２０をパターニングして形成された回路パターン２１と、回路パターン２１を被覆する被覆絶縁層３０とを有する。 - 特許庁 - To provide a polymerizable fluoromonomer and a fluoropolymer for a resist suitable for use in microfabrication by immersion exposure or by a double patterning process based on immersion exposure, a resist material and a method of pattern formation using the same.
液浸露光や、液浸のダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用の含フッ素重合性単量体および含フッ素重合体、それらを使ったレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The oscillator filter comprises: a silicon substrate 40; an oscillator 41, which is provided by patterning a polycrystalline silicon layer which is deposited on the oscillator 41, in a rectangular pattern; an input terminal electrode 42; and an output terminal electrode 43.
振動子フィルタは、シリコン基板４０と、この上に堆積された多結晶シリコン層を矩形パターンに形成して得られた振動子４１と入力端子電極４２及び出力端子電極４３とを有する。 - 特許庁 - To provide a method and material for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material such as a light emitting material disposed therein; and to provide an element formed using the same.
重合性非晶質母材を前記母材に配置された発光材料など、電気活性材料でパターン化するための材料および方法、並びに前記材料および方法を用いて形成された素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a cylindrical aggregate obtained by patterning an oriented carbon nanotube (CNT) and to provide a method for manufacturing a field emission type cold cathode using the aggregate and capable of emitting an electron uniformly at a low voltage.
配向性カーボンナノチューブ（CNT）のパターン化された柱形状集合体の製造法及びこれを用いた低電圧で均一な電子放出可能な電界放出型冷陰極の製造法を提供する。 - 特許庁 - A pixel electrode 4 is constructed by patterning a belt shaped specified part 4a so as to be positioned in the vicinity of an intersection 13 of a data bus line 1 and an auxiliary capacitor bus line 6 where short-circuitting/disconnection defects are anticipated.
画素電極４は、短絡・断線の欠陥発生が想定されるデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３の近傍に位置するように、帯状の特定部位４ａがパターニングされてなる。 - 特許庁 - The patterning system comprises arrays of at least two components which are structured to be illuminated by a corresponding part of the beams and are individually controllable, with each array forming patterns in the corresponding part of the beams.
パターン形成システムは、ビームの当該の部分によって照明されるように構成された少なくとも２つの個別に制御可能な要素のアレイを備え、各アレイが、ビームの当該の部分にパターン形成する。 - 特許庁 - A substrate can be exposed in the process windows by using a patterning means having a pattern corrected in accordance with the determined optical proximity correction rules and by using the radiation source having the intensity distribution of the radiation source.
前記決定した光学的近接補正規則に従って修正したパターンを有するパターニング手段と前記線源強度分布の線源を使って前記プロセスウインドウ内で基板を露出することもできる。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device and a method of manufacturing the optical semiconductor device making it possible to precisely carry out a patterning in a manufacturing process of the optical semiconductor device having a light emitting device portion and a functional portion.
発光素子部と機能部とを有してなる光半導体素子の製造工程において、精密にパターニングすることを可能にする光半導体素子の製造方法および光半導体素子の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a simple and easy method by which pattern edges can be sharply exposed at a user's request in a patterning technique by photolithography in the vacuum deep UV region, therefore a fine pattern can be accurately formed.
真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、パターン端が所望通りに綺麗に露光でき、もって微細なパターンを正確に描画できる簡便な手法の確立が課題である。 - 特許庁 - The surface of the substrate 1 is patterned by irradiating the surface of the substrate 1 with ultraviolet rays 3 through an exposure mask 30, while bringing ozone water 2 into contact with the surface of the substrate 1 to which the exposure patterning is to be performed.
露光パターニングしようとする基板１の表面にオゾン水２を接触させながら、紫外線３を露光マスク３０を介して基材１の表面に照射して、基材１の表面をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a substrate for a vertical magnetic recording medium being superior in flatness, patterning accuracy, and mechanical strength, and its manufacturing method, and a vertical magnetic recording medium using the substrate and its manufacturing method.
平坦性、パターニング精度および機械的強度に優れた垂直磁気記録媒体用基板およびその製造方法、並びに、その基板を用いた垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In addition, a diffraction grating which is made of aluminum layer and has a plurality of fine slits formed thereon by patterning is disposed on the reflection type LCD 300 as a polarizing plate 41 which can be formed as thin as possible.
さらに、反射型ＬＣＤ３００には、極力薄く形成可能な偏光板４１として、アルミニウム層からなり複数の微細なスリットがパターニングにより形成された回折格子が配置されている。 - 特許庁 - In this case, when patterning of the wiring layer is applied in the external layer, laser treatment is adopted to partly remove a conductive film in the external layer and an insulating material so as to expose the confirmation hole 14 to the outside.
更に本形態では、外層の配線層のパターニング等を行う際に、レーザー加工により、外層の導電膜および絶縁材料を部分的に除去して確認孔１４を外部に露出させている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
