「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 .... 78 79 次へ＞- An oxidized film 12, having openings 13 at places on which trenches 14 are to be formed, is formed by a patterning process as a hard mask for etching upon forming the trenches 14 on the surface of a silicon substrate 11 by etching.
シリコン基板１１の表面にトレンチ１４をエッチングで形成する際のエッチング用ハードマスクとして、トレンチ１４を形成すべき箇所に開口１３を有する酸化膜１２をパターニング工程で形成する。 - 特許庁 - Further, the translucent layer 2c is subjected to the patterning treatment, by which the halftone type phase shift mask 10 having the shading regions 2a, the translucent regions 2b and apertures 3 on the transparent substrate 1 is obtained.
さらに、半透明層２ｃをパターニング処理して、透明基板１上に遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び開口部３を有する本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク１０を得る。 - 特許庁 - To provide a simple and easy method by which pattern edges can be sharply exposed at a user's request in a patterning technique by photolithography in the vacuum deep UV region, therefore a fine pattern can be accurately formed.
真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、パターン端が所望通りに綺麗に露光でき、もって微細なパターンを正確に描画できる簡便な手法の確立が課題である。 - 特許庁 - The surface of the substrate 1 is patterned by irradiating the surface of the substrate 1 with ultraviolet rays 3 through an exposure mask 30, while bringing ozone water 2 into contact with the surface of the substrate 1 to which the exposure patterning is to be performed.
露光パターニングしようとする基板１の表面にオゾン水２を接触させながら、紫外線３を露光マスク３０を介して基材１の表面に照射して、基材１の表面をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a transparent substrate with a circuit pattern, having a circuit pattern not generating a disconnection when used as an electrode of an electronic circuit, etc., without pattern exfoliation and residual resist, and with good patterning accuracy.
パターン剥がれやレジスト残りがなくパターン精度が良好で、電子回路等の電極として用いたときに断線を生じない回路パターンを有する回路パターン付き透明基板を製造する方法の提供。 - 特許庁 - For patterning such a configuration on the printed circuit board 1, a temperature detection circuit 12 is composed of a constant-current circuit, and the thermistor TH1 is connected to the drain of the power MOSFET Q2 whose temperature should be measured.
また、プリント基板１上に、このような構成をパターン化するために、温度検出回路１２を定電流回路で構成し、サーミスタＴＨ１を温度測定対象であるパワーＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインに接続する。 - 特許庁 - Thus, Cu electrode can be formed precisely and with high production efficiency by patterning A1 easy to work and burying Cu in a part where the A1 pattern never exists and removing the A1 pattern.
このように、加工が容易なＡｌをパターニングし、Ａｌパターン２が存在しない部分にＣｕを埋め込んでＡｌパターン２を除去することで、高精度でかつ高い生産効率でＣｕ電極を形成することができる。 - 特許庁 - The operation system 4 positions the substrate 1 relatively to the projection system 3, projects the patterning radiation beam on a target portion of the substrate 1, and adjusts pattern data based upon the detection result to perform temperature compensation.
作動システム４により基板１を投影システム３に対して位置決めし、パターン化放射線ビームを基板１の目標部分上に投影し、検出結果に基づいてパターンデータを調整して温度補償する。 - 特許庁 - To provide a halftone phase shift mask blank and a halftone phase shift mask having proper chemical resistance and light resistance and ensuring accurate pattern drawing without a charge-up phenomenon on patterning a resist film by electron beam lithography.
耐薬品性、耐光性が良好で、レジスト膜に対して電子線描画してパターニングする際にも、チャージアップせずに正確なパターン描画ができるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁 - In a lithography method for manufacturing such product as a semiconductor device or a mask for lithography, etc., a material is applied to a substrate for patterning, and a product is manufactured by a series of steps using a patterned layer.
半導体デバイス又はリソグラフ用マスクのような製品を製造するためのリソグラフ方法において、基板上に材料を塗布し、パターン付けし、パターン付層を用いる一連のステップにより製品を製造する。 - 特許庁 - To provide an image display device manufactured by multiple patterning which can prevent infiltration of moisture, oxygen, etc. into a thin-film transistor (TFT) layer from a cut surface, and to provide a manufacturing method of the image display device.
多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - Since the polarization filter 16 is formed by patterning the polarization material deposited on the protective film 13, the alignment accuracy is improved because a unification can be conducted without a conventional junction process.
また、偏光フィルタ１６が保護膜１３の上に堆積された偏光材料をパターニングして形成されることから従来のような接合プロセスを行わずに一体化できることによりアライメント精度が向上する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electromechanical conversion element that carries out selective patterning by simplified steps, and to provide an electromechanical conversion element manufactured by the manufacturing method, a droplet discharging head, and a droplet discharging apparatus.
簡素化した工程で選択的にパターン化可能な電気機械変換素子の製造方法と、その製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin which is suitable for applications such as a color filter, a black matrix or a spacer and excellent in dispersion stability of an inorganic substance, and provides a flexible and tough cured film, and with which superior patterning properties are obtained, and to provide a resin composition.
カラーフィルター、ブラックマトリクス、スペーサー等の用途に適し、無機物の分散安定性に優れ、硬化膜が柔軟かつ強靭であり、優れたパターニング特性が得られる樹脂及び樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a development processing method capable of accurately controlling a line width of a second resist pattern in a second development processing of double patterning by LLE and accurately controlling a line width of a first resist pattern as well.
ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide dense contact hole pattern formation technique of a semiconductor device by using self-align double patterning technology so as to form a high-density hole pattern which is twice or three times higher than that formed by lithography technology.
半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。 - 特許庁 - In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.
第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁 - In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.
配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁 - To provide a wiring board incorporating semiconductor element components which can enhance degree of freedom in patterning of wiring by narrowing the area of a connection conductor connected with an terminal of the semiconductor element component, and to provide a method for manufacturing the same.
半導体素子部品の端子に接続される接続導体を面積狭小化して配線パターン形成の自由度を向上することができる部品内蔵配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can form dual oxide by a simplified process of forming and patterning a protection film such as a photosensitive organic film and forming an oxide film once.
感光性有機膜等の保護膜の成膜及びパターニングと１回の酸化膜形成という単純化された工程によってデュアルオキサイドを形成することができる半導体装置の製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck device which can provide a patterning process of increasing a product yield, and stabilizing dry etching by controlling discharge in the interior of an He gas supply hole.
Ｈｅガス供給穴内部での放電を制御して、製品の歩留りを向上させ、ドライエッチングによる安定したパターンニング工程を提供することができる静電チャック装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - Etching masks 5, corresponding to individual patterns, are formed by patterning on the whole surface of a conductive material 14 including a peripheral region not requiring pattern formation, and patterns are formed by etching on the whole surface of a substrate 3.
個々のパターンに対応するエッチングマスク５をパターンを形成する必要のない導電性材料１４の外周領域まで含めた全面にパターニングし、エッチングによって基板３の全面にパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chucking device which is resistant to a corrosive substance and can keep high insulation in the gap of an electrode pattern and respond to fine patterning of the electrode pattern.
腐食性物質に対する耐蝕性があり、電極パターンの間隙における絶縁性を高く維持することが可能であり、これによって電極パターンの微細化に対応可能な構造の静電吸着装置を提供する。 - 特許庁 - The light-shielding film 3 is made of a material, having conductivity of such a degree that charge-up phenomenon is not induced when patterning the resist film 4 by electron beam drawing, and the film is formed to cover the exposed portion 5 and the phase shift film 2.
遮光膜３は、レジスト膜４を電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料であり、露出部５及び位相シフト膜２を覆うように形成されている。 - 特許庁 - In order to provide the gas sensor having a gas channel formed in a space between the silicon substrate 2 and a glass substrate 1, the upper surface of the substrate 2 is etched, an insulating layer 5 is formed, and the electrode 4 is provided by electrode-patterning.
シリコン基板２とガラス基板１との間の空間にガス流路を形成しガスセンサを設けるために、シリコン基板２上面をエッチングして絶縁層５を形成し、電極パターニングによって電極４を設ける。 - 特許庁 - In a process to make a patterning of a transparent electrode 12 on a transparent substrate 11, an alignment mark 13 used for positioning of a shadow mask 14 and the transparent substrate 11 on the transparent substrate 11 is formed of an identical material as the transparent electrode 12.
透明基板11上に透明電極12をパターニングする工程において、透明基板11にシャドーマスク14と透明基板11との位置決めに使用するアライメントマーク13を透明電極12と同一の材料で形成する。 - 特許庁 - As shown in Fig. (c), a patterning film 15 having an opening 15a facing opposite a region is formed, where a metal wiring 12 is to be formed on a silicon wafer 11 in which a barrier metal 13 and a seed film 14 are stacked.
図１(c) に示すように、バリアメタル膜１３およびシード膜１４が積層されたシリコン基板１１上に、金属配線１２を形成すべき領域に対向した開口１５ａを有するパターニング膜１５を形成する。 - 特許庁 - The patterning of a phosphor is carried out on a glass substrate instead of a slit for detecting the rays of light from a reference pattern on a mask, and visible lights emitted by the phosphor are measured by a photo-diode through the glass substrate.
マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットの代わりに、ガラス基板上に蛍光体をパターニングし、蛍光体が発光する可視光を、ガラス基板を通してフォトダイオードで測定する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a film pattern on a substrate in which a thin film of fine and thin line can be formed conveniently while preventing or suppressing aggregation of patterning material particles.
基板上に膜パターンを形成するに際し、薄膜で、微細且つ細線な膜を簡便に形成することが可能で、パターン形成用の材料粒子の凝集を防止ないし抑制することが可能な方法を提供する。 - 特許庁 - The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.
凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁 - A seal patterning device 11 applies a frame-shaped first seal material on a first substrate W1 and a liquid crystal dropping device 12 drops liquid crystal on the first substrate W1 and inside the frame-shaped first seal material.
シールパターニング装置１１は第１の基板Ｗ１上に枠状の第１シール材を塗布し、液晶滴下装置１２は第１の基板Ｗ１上であって枠状の第１シール材の内側に液晶を滴下する。 - 特許庁 - To provide an aligner which can control a patterning dimension of a layered substrate having a plurality of layers formed on a substrate by exposure to be within a specified range, and to provide a method for manufacturing a layered substrate.
基板上に複数の層が露光処理によって形成されてなる積層基板のパターニング寸法を、所定の範囲内に調整できる露光装置、および、上記積層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.
半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁 - To provide a reflectively backed photosensitive element which reduces small defects, enhances production yield in patterning process and in subsequent process of the reflectively backed photosensitive resin layer, and improves reliability of parts.
微小欠陥を低減させ、反射下地感光性樹脂層のパターニング工程やその後工程での製造歩留りを向上させ、部品の信頼性を向上することができる反射下地感光性エレメントを提供する。 - 特許庁 - To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.
本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.
導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。 - 特許庁 - The beam length index is determined by an approximate expression including the pixel pitch as a parameter obtained from the equation of temperature resolution in response to the type of the stepper used for pixel patterning and the thermal conductivity of the material of the wiring 6.
梁長指数は、温度分解能の式に基づいて、画素のパターニングに用いられるステッパの種類及び配線６の材料の熱伝導率に応じて求められた、画素ピッチをパラメータとする近似式で与える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element that prevents a tunnel insulating film formed on a lower part thereof from being damaged when patterning a charge storage film.
本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁 - A layer insulating film 70 containing an impurity is formed on a semiconductor wafer 44, and a pad contact hole for exposing a prescribed area on the semiconductor wafer 44 is formed by patterning the layer insulating film 70.
半導体基板４４の上に不純物を含む層間絶縁膜７０を形成し、層間絶縁膜７０をパターニングして半導体基板４４の所定領域を露出させるパッドコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - When the predetermined voltage is applied between the electrodes, the coloring material of the electrolyte existing in the patterning portions of sheet body 4 causes the change in the optical absorption or optical reflection, thereby performing the display of the desired pattern in a specific color.
電極間に所定の電圧を印加すると、シート体のパターニング部分にある電解質の発色材料が光学的吸収や光学的反射を変化させ、特定色で所望パターンの表示が行なわれる。 - 特許庁 - A processor combines measurements of relative positions of the plurality of marks to provide measurement results with sufficient accuracy for positioning at least a first substrate portion to the alignment sensor at the patterning position.
プロセッサは複数の前記マークの相対位置の測定を組み合わせ、前記パターニング位置で少なくとも最初の基板部分を前記アライメントセンサに対して位置決めするのに十分な正確さで測定結果を提供する。 - 特許庁 - The substrate is subsequently annealed typically in vacuo at a temperature dependent on the particular patterning material, such as a carbide-forming temperature, a carbon-dissolution temperature or a low melting point metal-melting temperature.
次に、基板は典型的な場合真空中で、具体的なパターン形成材料に依存した温度、たとえばカーバイド形成が起こる温度、カーボン分解が起こる温度又は低融点金属が溶融する温度で、アニールされる。 - 特許庁 - According to the principle of this invention, it becomes possible to form the low resistance metallic film on the whole surface of the data wiring and the source electrodes by using a diffracting exposure method in the process for patterning the data wiring and the source electrodes.
本発明の原理に従えば、データ配線及びソース電極をパターンする工程で回折露光方式を用いて、データ配線及びソース電極の全面に低抵抗金属膜を形成することが可能となる。 - 特許庁 - The plurality of the photoelectric conversion cells 10, and a plurality of the photoelectric conversion cells 10 and the periphery part 100R of the photovoltaic apparatus 100 are separated by the isolation grooves G1-G3 formed by laser patterning.
分離溝Ｇ１〜Ｇ３は、レーザパターニングにより形成され、複数の光電変換セル１０間および複数の光電変換セル１０と光起電力装置１００の外周部１００Ｒとの間を分離している。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device comprises a process of forming the wiring layer on a semiconductor substrate, a process of patterning the wiring layer, and a process of covering the wiring layer with a protective insulating film.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線層を形成する工程と；前記配線層をパターニングする工程と；前記配線層を保護絶縁膜で覆う工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a method of forming a conductive material having superior conductivity and adhesion by forming an ink reception layer with good fixability on a substrate, and patterning and baking a metal particulate dispersion on the substrate.
基板上に定着性に優れるインク受容層を形成後、該基板上に金属微粒子分散液をパターニングして、焼成する導電性と密着性に優れる、導電材の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The copper foils are treated by patterning, wiring leads and the like are formed, the wiring leads are performed an electrolytic gold plating treatment or the like to form wiring patterned units 13a, 13b and 13c and a film carrier tape is formed.
銅箔をパターニング処理し配線リード等を形成し、配線リードを電解金めっき処理等を行って、配線パターンユニット１３ａ、１３ｂ及び１３ｃを形成し、本発明のフィルムキャリヤテープを作製する。 - 特許庁 - A processing apparatus comprises a laser irradiator 10 for patterning a laser beam into an elongated shape having a scheduled processing line in the longitudinal direction and irradiating the scheduled processing line on a brittle material substrate with the patterned laser beam.
加工装置は、レーザビームを加工予定線が長手方向である細長い形状にパターニングし、パターニングされたレーザビームを脆性材料基板の加工予定線上に照射するレーザ照射装置１０を備える。 - 特許庁 - The method further includes: patterning the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; and projecting the patterned radiation beam onto a target portion of a substrate.
この方法はさらに、放射ビームの断面がパターンを有するように放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含む。 - 特許庁 - To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.
被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁
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