「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 78 79 次へ＞- A patterning interconnect line employing nano copper metal particles is formed on a substrate by a direct writing system and then metal surface oxide film of that interconnect line is reduced by atomic hydrogen and/or organic substances are removed therefrom.
本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。 - 特許庁 - To provide a porous metal oxide film excellent in patterning fitness, adhesiveness to a substrate and electroconductivity, and furthermore, a display element using the porous metal oxide film excellent in driving stability.
パターニング適性、基板との密着性、導電性に優れた金属酸化物多孔質膜を提供することであり、更にかかる金属酸化物多孔質膜を用いた駆動安定性に優れた表示素子を提供することである。 - 特許庁 - To prevent film peeling of an auxiliary electrode 8 formed by shadow mask patterning in order to reduce a sheet resistance of a translucent electrode 7 in an active matrix type organic EL display device using a top emission type organic EL element.
トップエミッション型有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、透光性電極７のシート抵抗を低減させるためにシャドーマスクパターニングにより形成される補助電極８の膜剥がれを防止する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.
ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁 - A pulse-like solid-state laser 13 of a small pulse width emitting infrared radiation is used for patterning the front-side electrode 3 made of zinc oxide and formed on a transparent electrically-insulating substrate 2 in manufacturing a photovoltaic module.
光起電モジュールの製造時に透明な電気絶縁性の基板２上に成膜された酸化亜鉛製の前側電極層３をパターン加工するために、赤外放射を発する短いパルス幅のパルス状固体レーザ１３が使用される。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition containing nanoparticles excelling in dispersibility in both resin and a developing solution and having excellent transmissivity and patterning property, and to provide a photosensitive element using the photosensitive resin composition, and a method of forming a resist pattern.
樹脂中及び現像液中の双方でナノ粒子の分散性が良く、透過率、パターニング性に優れるナノ粒子を含有した感光性樹脂組成物及び、それを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To improve corrosion resistance of Al or an Al alloy without complicating a process for patterning a semiconductor layer and a layered metal film comprising a high melting point metal film and a low resistance metal film made of Al or an Al alloy.
半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の耐腐食性を改善する。 - 特許庁 - To obtain a photosensitive polyimide precursor composition having good suitability to patterning, giving a cured film excellent in adhesion to a sealing resin and producible in a short producing step without carrying out the reprecipitation of a polymer and to obtain a method for producing the composition.
良好なパターン加工性を有し、硬化膜の封止樹脂との密着性に優れ、ポリマーの再沈を経由せずに、短い製造工程で製造可能な感光性ポリイミド前駆体組成物およびその製造方法を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a resin which is a thermocurable or radiation-curable functional epoxy resin having high level heat resistance, electrical properties and optical properties and low shrinkage when being cured, and excellent in dispersibility and patterning property.
熱硬化性あるいは放射線硬化性の機能性エポキシ樹脂であって、高いレベルでの耐熱性および電気特性、光学特性を有し、硬化時の収縮率が低く、分散性、パターニング性に優れた樹脂を提供する。 - 特許庁 - A wiring pattern 2 for measuring dimension is that of a total length W formed at the outer peripheral part of a semiconductor chip 1, when the internal wiring pattern of the semiconductor chip is formed by patterning and etching with PR.
寸法測定用の配線パターン２は、半導体チップの内部配線パターンを形成する際、ＰＲによるパターニング及びエッチングによって、半導体チップ１の外周部に形成された全長Ｗの配線パターン２である。 - 特許庁 - This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.
このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁 - By using patterning sections corresponding to thin-film transistors and by using a mask corresponding to an aligning key in the amorphous silicon crystallizing process, only necessary parts are crystallized and a decrease is achieved in process time.
本発明では薄膜トランジスタに対応するパターン部とアラインキーに対応するマスクを利用して非晶質シリコンを結晶化することによって、必要な部分だけを結晶化できて工程時間を短縮させることができる。 - 特許庁 - To etch source/drain electrode layers without damaging an active layer due to over etching, or the like including the scraping of the active layer in patterning by one etching in a state where the electrodes are in contact with the active layer.
電極と活性層が接する状態における一方のエッチングによるパターニングにおいて、活性層を削るなどのオーバーエッチ等によるダメージを活性層に生ずること無くソース／ドレイン電極層のエッチングを行うこと。 - 特許庁 - In the circuit integration type molding by directly patterning a conductor film on the molding to integrate a circuit and the manufacturing method thereof, the molding is configured with a resin material having an electromagnetic wave absorbing characteristics.
成形品に直接的に導体膜をパターンニングして回路を一体化してなる回路一体型成形品でおよびその製造法あって、前記成形品を電磁波吸収特性を有する樹脂材料から構成してなるものである。 - 特許庁 - To provide pattern forming method wherein a thin film on a lift-off pattern formed of a resist film is removed by ion milling to improve the permeability of the lift-off liquid and apply the lift-off patterning.
本発明は、リフトオフによるパターン形成方法に関し、より詳細にはレジスト膜で形成したリフトオフパターン上の薄膜をイオンミーリングで除去し、リフトオフ液の浸透性を良くしてリフトオフパターニングを行なうパターン形成方法に関する。 - 特許庁 - To provide an electron emission element which, while maintaining such an effect as lowering of a threshold voltage due to a patterning of a carbon group material and an electric field strength, has a high mechanical strength and stability, and provide its manufacturing method.
炭素系材料をパターニングすることによる闘電圧の低下や電界強度の増加といった効果を維持しつつ、機械的強度が高い、安定した電子放出素子及びその製法を提供することを解決課題とする。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 3, a contact part 2, an counter- silicon diffused conductive layer 4, and a lower electrode layer 5 of Ru film are formed on a silicon substrate 1, and a hard mask layer 7 of SiO2, that is subjected to patterning, is formed on it using a photoresist 8.
シリコン基板１上に、層間絶縁膜３、コンタクト部２、対シリコン拡散導電層４、Ｒｕ膜の下部電極層５を形成し、この上に、フォトレジスト８を用いてパターンニングしたＳｉＯ_2 のハードマスク層７を形成する。 - 特許庁 - A plate-like member 3 is stuck on a support base board 1 via an adhesive layer 2, and plural cross-sectional pattern members 31, 32 and 33 are collectively formed by performing patterning up to penetrating through the plate-like member 3 by using a photolithography method.
支持基板１上に接着層２を介して板状部材３を貼り付け、フォトリソグラフィー法を用いて板状部材３を貫通するまでパターニングして複数の断面パターン部材３１，３２，３３を一括して形成する。 - 特許庁 - By doing so, since the tapered inclination spreading from the bottom part 18 toward the upper part 19 is make to decrease at the etching part 16 of the metal layer 12, fine pitch patterning can be easily realized.
このようにしてパターンを形成すれば、金属層１２のエッチング部分１６における、底部１８から上部１９に向かって広がるテーパ状の傾斜を小さくして、ファインピッチでのパターン化を容易に実現することができる。 - 特許庁 - To provide an inkjet recording head preventing the deterioration of patterning precision by the deformation of a discharge port pattern shape, while suppressing the deformation by reflecting light from a base plate surface in the pattern exposition of the discharge port.
吐出口のパターン露光における基板面からの反射光による吐出口パターン形状の変形を抑制しつつ、その変形抑制によるパターニング精度の低下を防止可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A material membrane constituting a TFT is laminated and formed on an insulating membrane substrate, and then a resist mask, having a plurality of regions whose thickness of the membrane is different to one another, is formed at the uppermost layer of the material membrane by conducting patterning.
ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁 - After closely and uniformly applying conductive ink to a display area where many pixel areas are arranged like a matrix on a main surface of an insulating substrate 1 by using an ink jet (IJ) method and curing the ink, patterning is performed by photolithography using resist.
絶縁基板１の主面に多数の画素領域がマトリクス状に配置された表示領域にインクジェット（ＩＪ）法を用いて隙間なく均一に透明導電膜インクを塗布・硬化した後、レジストを用いたホトリソグラフィでパターニングする。 - 特許庁 - A pattern of an organic light emitting layer 4a is formed on a transcription substrate 12 by making a belt-shaped shadow mask 13 running synchronously with the transcription substrate 12 tightly contacting with the belt-shaped transcription substrate 12 running through a patterning part 22.
パターニング部２２にて走行する帯状の転写基板１２に、この転写基板１２と同期して走行する帯状のシャドウマスク１３を密着させ、転写基板１２上に有機発光層４ａのパターンを形成する。 - 特許庁 - A material film constituting a TFT is laminated and formed on an insulating film substrate, and then a resist mask, having a plurality of regions whose thickness of the film is different to one another, is formed at the uppermost layer of the material film by conducting patterning.
ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁 - More particularly, the element is a lanthanide element such as the ytterbium (Yb), and the patterning has a structure (for example, a gate) including silicon and/or germanium doped with the lanthanide element, for example such as the ytterbium (for example, a Yb doped gate).
より詳細には、上記元素はイットリビウム（Ｙｂ）等のランタニド元素であり、上記パターニングは、例えばイットリビウム等のランタニド元素がドープされたシリコン及び／又はゲルマニウム含有構造（例えばゲート）である（例えばＹｂドープゲート）。 - 特許庁 - The second transparent conductive film 152 is then formed on the substrate 101 with the TFT and patterning and etching are performed to the second transparent conductive film 152 so that parts corresponding to the color R and the color B remain.
次に、ＴＦＴ付き基板１０１上に第２の透明導電膜１５２が形成され、Ｒ色およびＢ色に対応する部分のみが残るよう第２の透明導電膜１５２にパターニングおよびエッチングが施される。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device in which sufficient contact can be ensured between first and second gate electrodes even when a contact hole of micro diameter is made in a semiconductor device subjected to fine patterning.
微細化された半導体装置において微小径のコンタクトホールを形成する場合においても，第１のゲート電極と第２のゲート電極との間で充分なコンタクトを取ることができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.
エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - The composite patterning layer is formed from (A) an acid- containing alkali developable photosensitive resin composition and (B) a photosensitive resin composition containing a photo-curable resin which is made alkali-soluble by acid decomposition.
（Ａ）酸を含むアルカリ現像型感光性樹脂組成物と、（Ｂ）酸により分解してアルカリ可溶性となる光硬化性樹脂を含有する感光性樹脂組成物とから形成されてなることを特徴とする複合パターン層を提供する。 - 特許庁 - Since the second gate electrode being separated at the time of machining the word line is a conductive sidewall SW formed on the side face of control lines CL1 and CL2 formed by patterning a conductive film, residue is not generated at the time of separation.
ワード線加工時に分断する第２ゲート電極が、導電膜をパターンニングして出来た制御線ＣＬ１，ＣＬ２の側面に対し形成された導電線サイドウォールＳＷなので、その分断時に残差が発生しにくい。 - 特許庁 - The ultraviolet curable cyan ink which is used for patterning by ink jet recording includes a cobalt blue pigment as a colorant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer.
インクジェット記録による模様付けに用いられる紫外線硬化型シアンインクであって、着色材としてのコバルトブルー顔料と、紫外線吸収剤と、光安定剤とを含有することを特徴とする紫外線硬化型シアンインクである。 - 特許庁 - The TiN anti-reflective film 21 having the flat surface is formed in order to prevent the occurrence of halation during the patterning of a layered wiring including the AlCu film 20, and also, to prevent penetration of an etchant during the wet etching.
平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 - 特許庁 - Another configuration includes the patterning of both gate electrode layers with the advantage of utilizing the drain extension and source/drain implants as the gate doping implants and the option of offsetting the two patterns to create an asymmetric device.
別の構成では、両ゲート電極層のパターン形成を含み、ドレイン延長部及びソース／ドレインの注入をゲートのドーピングの注入として使用する利点と、２つのパターンをずらし、非対称デバイスを生成するという選択肢がある。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method and photolithography method by which a resist film can be removed without leaving residues in the edge sections of a substrate, at the time of patterning the resist film on the substrate through silylation.
シリル化プロセスにより基板上にレジスト膜をパターン加工するときに、基板のエッジ部において残渣を残すことなく前記レジスト膜を除去することができる半導体装置の製造方法およびフォトリソグラフィー方法を提供する。 - 特許庁 - The electrode film 13 is formed on the gate insulation film 11 subjected to the two anneal processes, and gate electrodes, LDDs, side wall insulation films, and sources / drains are formed through patterning of the electrode film 13.
これらの２回のアニール処理が施されたゲート絶縁膜１１上に電極膜１３を形成し、電極膜１３のパターニングによるゲート電極の形成、ＬＤＤの形成、サイドウォール絶縁膜の形成、ソース・ドレインの形成を行う。 - 特許庁 - Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.
または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁 - A manufacture of the silicone coat 3 includes a step for preparing a silicone wafer 4 as a base material of the silicone coat 3, and a step for forming the fine pattern 5 on the surface of the silicone wafer 4 by patterning by lithography and anisotropic dry etching.
シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - The scanning ring field reduced projector performs a lithographic patterning for producing devices in a design unit of maximum 0.4 μm, using X-ray radiations in a wavelength range of 300-40 Å.
３００Åから４０Åまでの波長範囲内のＸ線放射線を用いて最大０．４μｍまでの設計単位につくられるデバイスを生産するためのリソグラフィパターニングを行う走査リングフィールド縮小投影装置である。 - 特許庁 - To provide a microarray substrate and its manufacturing method capable of immobilizing DNA firmly in high density with chemical combination with layers carrying DNA immobilized firmly to base material surface, and easily patterning finely.
ＤＮＡを化学的結合で強固にかつ高密度で固定化でき、しかも、ＤＮＡを担持した層が基材と強固に固定されており、また、容易に微細なパターニングが可能であるマイクロアレイ用基板とその作製方法を提案する。 - 特許庁 - A surface plate 20 for laser beam machining is for patterning a film with laser beam irradiation and is provided with, in the laser beam irradiation part thereof, an aperture 21 having an exhaust function.
レーザー照射部に開口部２１が設けてある、レーザー照射によりフィルムをパターン化のためのレーザー加工定盤２０において、前記開口部２１に排気機能を具備する事を特徴とするレーザー加工定盤２０を提供する。 - 特許庁 - A system for forming a pixel matrix is provided and includes a patterning tool including a laser ablation system operable to form pixel wells in the pixel matrix material coated with the ink-phobic material.
ピクセルマトリクスを形成するためのシステムが提供され、そのシステムはパターン化装置を含み、装置は疎インク性材料でコーティングされたピクセルマトリクス材料内にピクセル井戸を形成するために操作可能なレーザー溶発システムを含む。 - 特許庁 - A second mask is fabricated as a second sequentially used mask, for patterning a plurality of interconnections between individual regular elements and a plurality of interconnections between the regular elements and redundancy elements (step 50).
その後に、２番目に使用されるマスクとして個々の正規要素間の複数の相互接続および正規要素と冗長要素の間の複数の相互接続をパターン形成するために使用する第二のマスクが製造される５０。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a semiconductor device which enables removal of an organic antireflection film without damaging the substrate film of the organic antireflection film after forming and patterning the organic antireflection film as a resist lower layer.
レジスト下層に有機系反射防止膜を形成してパターニングを行った後、有機系反射防止膜の下地膜に損傷を与えずに、有機系反射防止膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, in this patterning method for the insulating layer, by simplifying a conventional usual lithographic process, an etching process and a stripping process, the processes are simplified, process cost is reduced and process time is shortened.
また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 - 特許庁 - The conductive pattern material manufacturing method comprises a step of providing the ITO film on the substrate, a step of directly coupling graft polymer on the surface of the ITO film, and a step of depositing the conductive material on the graft polymer, and further comprises a step of patterning the ITO film before or after the step of directly coupling the graft polymer.
基板上にパターン状に設けられたＩＴＯ膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。 - 特許庁 - To provide a black-colored composition for color filter, which has high sensitivity, and at the same time, can maintain physical properties, such as superior dispersion stability, patterning property or chemical durability, and to provide a color filter formed by using the same.
高い感度と、優れた分散安定性、パターニング性、耐薬品性等の物性の維持とを両立するカラーフィルタ用黒色着色組成物、および該カラーフィルタ用着色組成物を用いて形成されるカラーフィルタの提供。 - 特許庁 - Adhesion between the color filters 201R, 201G, 201B and the transparent base film 220 is preferable and, even when the amount of pigment in the color filter increases, so that the color filter can be prevented from coming off in a patterning process of the color filter.
カラーフィルタ２０１Ｒ、２０１Ｇ、２０１Ｂと透明下地膜２２０との接着は良好であり、カラーフィルタ中の顔料を多くしても、カラーフィルタのパターニング工程において、カラーフィルタが剥離する現象を防止することが出来る。 - 特許庁 - In this way, etching of the silicon substrate 21 progresses in a direction parallel to the silicon oxide film 22 from the side surface of each of the through holes 23 and the through holes 23 communicate with each other, thereby patterning the silicon substrate 21 into a desired shape.
これにより、各貫通孔２３の側面からシリコン酸化膜２２と平行な方向にシリコン基板２１のエッチングが進行し、各貫通孔２３間が連通することにより、シリコン基板２１が所望の形状にパターニングされる。 - 特許庁 - To provide a laminate for forming a wiring substrate in which electric resistance is made low, patterning performance and moisture/heat resistance are made superior, to provide a method to form the wiring substrate by etching the laminate and to provide the wiring substrate.
低抵抗でパターニング性能に優れ、かつ耐湿性・耐熱性の高い配線付き基体形成用の積層体、該積層体をエッチングして配線付き基体を形成する方法および得られた配線付き基板の提供。 - 特許庁 - To provide a mask for patterning an electro-conductive film, which prevents an occurrence of a display failure in a liquid crystal display in a low cost and superior productivity, by inhibiting an occurrence of a scratch on a substrate and preventing an exfoliation of a protection film.
低コストで生産性の優れた、基板へのキズの発生を抑制し、保護膜の剥離を防止することで、液晶表示装置の表示不良発生を防止することができる導電膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁
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