「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 78 79 次へ＞- In a joint step, metal plates 21A serving as a lead frame 21, a double-side metal attached laminate body 40 having patterning metal foils 25B, and metal plates 33A serving as spacers 33 are joined through metal layers formed by soldering.
接合工程では、リードフレーム２１となる金属板２１Ａと、パターン化金属箔２５Ｂを有する両面金属張積層体４０と、スペーサー３３となる金属板３３Ａとを、ろう接により形成した金属層を介して接合する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit capable of attempting both for reducing an effect that a coupling capacitance between interconnections buried in parallel such as a bus line, etc., affects to a voltage transition of these interconnections and for fine patterning of the circuit.
バス配線等、平行に敷設される配線間のカップリング容量がそれら配線の電位遷移に及ぼす影響の低減と回路の微細化との好適な両立を図ることのできる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - To etch source/drain electrode layers without damaging an active layer due to over etching, or the like including the scraping of the active layer in patterning by one etching in a state where the electrodes are in contact with the active layer.
電極と活性層が接する状態における一方のエッチングによるパターニングにおいて、活性層を削るなどのオーバーエッチ等によるダメージを活性層に生ずること無くソース／ドレイン電極層のエッチングを行うこと。 - 特許庁 - Since the second gate electrode being separated at the time of machining the word line is a conductive sidewall SW formed on the side face of control lines CL1 and CL2 formed by patterning a conductive film, residue is not generated at the time of separation.
ワード線加工時に分断する第２ゲート電極が、導電膜をパターンニングして出来た制御線ＣＬ１，ＣＬ２の側面に対し形成された導電線サイドウォールＳＷなので、その分断時に残差が発生しにくい。 - 特許庁 - The ultraviolet curable cyan ink which is used for patterning by ink jet recording includes a cobalt blue pigment as a colorant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer.
インクジェット記録による模様付けに用いられる紫外線硬化型シアンインクであって、着色材としてのコバルトブルー顔料と、紫外線吸収剤と、光安定剤とを含有することを特徴とする紫外線硬化型シアンインクである。 - 特許庁 - To provide a resist patterning method yielding finer resist patterns than resolution of an exposure apparatus and capable of processing, in a relatively short process, even a multilayer photoresist film (having a plurality of layers), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
露光装置の解像度に比べて微細なレジストパターンが得られると共に、多層（複数層）のフォトレジスト膜を用いても比較的に短いプロセスで処理できるレジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for thickening a resist pattern by coating the surface of the pattern with the thickening material after forming the pattern on an underlayer and a step for patterning the underlayer by etching through the pattern.
下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - In the patterning method using a liquid material while using an inkjet system, the liquid material is prevented from extruding by forming a concave structure by laser in the inside of a bent portion in a wiring forming route on the substrate.
インクジェット方式を用いた液体材料によるパターニング方法において、基板上の配線形成経路における折れ曲り部の内側にレーザにより凹構造を形成することによりの液体材料のはみだしを防止する。 - 特許庁 - Next, after a gate insulation film and a semiconductor layer are formed sequentially, a conductive film of MoW alloy is stacked and patterning is carried out using the same etchant as that for the gate line to form a data line having a source electrode and a drain electrode.
次に、ゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成した後、MoW alloyの導電膜を積層し、ゲート線用エッチング液と同一なエッチング液でパターニングしてソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁 - A plurality of anode electrodes 15 are formed by patterning on a TFT driving substrate 6, an oxide silicon base film 9' is formed so as to cover all the anode electrodes 15, and a resist film 8' is formed all over the oxide silicon base film 9'.
ＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極１５をパターニングし、全てのアノード電極１５を被覆するように酸化シリコン下地膜９’を形成し、酸化シリコン下地膜９’一面にレジスト膜８’を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electron source in which the lower electrode can be patterned in cross-sectionally trapezoidal shape and the yield of manufacture can be made greater compared with the case of patterning the lower electrode using a lift-off method.
下部電極を断面台形状の形状にパターニングすることができ且つリフトオフ法を利用して下部電極をパターニングする場合に比べて製造歩留まりを高めることができる電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric substance having high piezoelectric performance, a manufacturing method thereof, a piezoelectric element, a liquid discharge head using the same, which exhibits uniform and high discharge performance and can perform executing fine patterning, and a liquid discharge apparatus.
大きな圧電性を有する圧電体、その製造方法及び圧電素子並びにそれを用いた均一で高い吐出性能を示し、微細なパターニングを行うことが可能な液体吐出ヘッド及び液体吐出装置を提供する。 - 特許庁 - On the occasion of the patterning, the resin layer 102 is etched up to the bottom electrode 13a, so that resin forming the resin layer 102 does not substantially remain on the surface of the bottom electrode 13a facing the spaces 14a.
該パターニングにあたり、液媒収容空間１４ａに面する下部電極１３ａの表面上に樹脂層１０２を構成する樹脂が実質的に残存しないように樹脂層１０２を下部電極１３ａまでエッチングする。 - 特許庁 - This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.
このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁 - To provide a porous metal oxide film excellent in patterning fitness, adhesiveness to a substrate and electroconductivity, and furthermore, a display element using the porous metal oxide film excellent in driving stability.
パターニング適性、基板との密着性、導電性に優れた金属酸化物多孔質膜を提供することであり、更にかかる金属酸化物多孔質膜を用いた駆動安定性に優れた表示素子を提供することである。 - 特許庁 - To prevent film peeling of an auxiliary electrode 8 formed by shadow mask patterning in order to reduce a sheet resistance of a translucent electrode 7 in an active matrix type organic EL display device using a top emission type organic EL element.
トップエミッション型有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、透光性電極７のシート抵抗を低減させるためにシャドーマスクパターニングにより形成される補助電極８の膜剥がれを防止する。 - 特許庁 - A wiring pattern 2 for measuring dimension is that of a total length W formed at the outer peripheral part of a semiconductor chip 1, when the internal wiring pattern of the semiconductor chip is formed by patterning and etching with PR.
寸法測定用の配線パターン２は、半導体チップの内部配線パターンを形成する際、ＰＲによるパターニング及びエッチングによって、半導体チップ１の外周部に形成された全長Ｗの配線パターン２である。 - 特許庁 - A ramp edge surface is worked/molded at deca-nanometer scale precision with no resist patterning, with the machining surface used as a barrier.
任意の位置に任意の形状で、デカナノスケールの微細加工ができるという集束イオンビームの特長を利用して、レジストパターニングを必要とせず、デカナノスケールの精度でランプエッジ面を加工・成形して、その加工表面をバリアに用いる接合作製方法である。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor improved in element characteristics, and so having their uniform values by adjusting the position and direction of crystal growth by forming a seed in a line form for crystallization through the patterning of a capping layer.
キャッピング層のパターニングを通じてライン形態シードを形成して結晶化することにより、結晶が成長する位置及び方向を調節して素子特性を向上させ、均一な値を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which the variation of patterning is reduced by forming resist of a constant film thickness on an element region, regardless of the existence ratio between the element region and an isolation region.
素子領域と素子分離領域との存在比によらず、素子領域上に一定の膜厚のレジストを形成することにより、パターニングのばらつきが低減された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polymerizable monomer for use in a resist, suitable for microfabrication performed by dry exposure, immersion exposure or a double patterning process, and to provide a polymer of the same, a resist material using the same, and a pattern formation method.
ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In this pattern forming method, a first mask pattern 320A is formed in a first region A by patterning a dual mask layer on a substrate 300, and a second mask pattern 320B which is wider than the first mask pattern 320A is formed in a second region B.
基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。 - 特許庁 - An Al wiring is obtained by subjecting a multi-filmed Al layer made up of an Al film 2a of pure Al and an AlOx film 2b formed on the film 2a and made of Al containing oxygen elements to a photolithograpical patterning process.
純粋なＡｌによって構成されるＡｌ膜２ａと、その上層に積層された酸素元素を含むＡｌによって構成されるＡｌＯ_x 膜２ｂとからなる多層Ａｌ層３をフォトリソグラフィーによってパターニングし、Ａｌ配線を得る。 - 特許庁 - A method of manufacturing the multilayer wiring board has a process of forming an insulating layer 5 on a base on which bumps 4 for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates 22 and thermocompression-bonding the copper foil 3 onto the insulating layer 5, and a process of patterning the copper foil 3.
層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁 - In this display panel, after the patterning of a tantalum film which is formed on a dielectric substrate 1 is processed and the electrode wiring 2 of the first layer being the lowermost layer of input lead wirings 21 is formed, an SiNx film is formed as a gate insulating film 3.
絶縁性基板１上に成膜したタンタル薄膜をパターニング処理して、入力リード配線２１の最下層である第１層の電極配線２を形成した後、ゲート絶縁膜３としてＳｉＮｘ膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.
エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a pattern verifying method, used in a double patterning method in which after a first pattern is formed in a film to be processed, a second pattern is formed in the film to be process, verifying a pattern in consideration of a superposition error.
被加工膜に第１のパターンを形成してから被加工膜に第２のパターンを形成するダブルパターニング法に用いられ、重ね合わせ誤差を考慮してパターンを検証することができるパターン検証方法を提供する。 - 特許庁 - The lithography system drives two programmable patterning means 11 and 12, using a control signal from a computer 10, in order to pattern two different beams 13 and 14 being projected to two substrates 19 and 20.
このリソグラフィ装置は、二つの基板１９、２０上に投影するための二つの別々の投影ビーム１３、１４をパターン化するためにコンピュータ１０からの制御信号を使って二つのプログラム可能パターニング手段１１、１２を駆動する。 - 特許庁 - After patterning is carried out so that the dielectric film 12 and the oxide film 13 have the same pattern, the oxide film 13 is selectively etched starting from the dielectric film 12 and the oxide film 13 is formed to a pattern whose width is smaller than that of the dielectric film 12.
絶縁膜１２及び酸化膜１３が同じパターンとなるように、パターニングした後に、酸化膜１３を絶縁膜１２から選択的にエッチングし、酸化膜１３を絶縁膜１２よりも小さな幅のパターンに形成する。 - 特許庁 - In the patterning of the double-layer plate, a marking for positioning is formed at the outer-periphery edge of a substrate, a through-hole 19 is drilled, conductor bump 17, 17, and so on are printed onto the wiring pattern of the double-layer plate, and double-layer plates 18 and 28 with bumps are obtained.
２層板をパターニングする際に、基板外周縁に位置決め用マーキングを形成し、貫通孔１９を穿孔し、２層板の配線パターン上に導体バンプ１７，１７，…を印刷し、バンプ付２層板１８，２８を得る。 - 特許庁 - Next, the conductor layers 2, 3, the thin film conductor layer 6 and the conductor layer 7 are processed by patterning, and wiring layers 2a, 7a and lands for grating-like outside connection 3a, 7a are formed to obtain the film carrier 10.
次に、導体層２、導体層３、薄膜導体層６及び導体層７をパターニング処理し、配線層２ａ及び７ａと格子状の外部接続用ランド３ａ及び７ｂを形成して、本発明のフィルムキャリア１０を得る。 - 特許庁 - By using the material subjected to spin-on processing to the hard mask, a process can be executed by using a single tool, and usage of a single curing step is enhance, which is not normally used in a patterning process of the conventional technique, in which a CVD hard mask is used.
ハード・マスクにスピンオンされた材料を使用すると、プロセスが単一のツールで実施でき、ＣＶＤハード・マスクが使用される従来技術のパターニング・プロセスで通常使用されない単一の硬化ステップの使用が可能になる。 - 特許庁 - To provide a resin composition, an adhesive film and a resin varnish which are excellent in the precision in the registering for the application of a resin composition when applied on a substrate and besides which is improved in the resolution in a patterning treatment in the photolithographic technique.
基板上に適用したときに、樹脂組成物の適用のための位置合わせ精度に優れる上に、フォトリソグラフィ技術におけるパターニング処理の解像度を向上させる樹脂組成物、接着フィルム及び樹脂ワニスを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic EL element which carries out patterning of an organic EL layer by using a photolithography method, and which is superior in light-emitting characteristics and life characteristics.
本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機ＥＬ層をパターニングする有機ＥＬ素子の製造方法であって、発光特性および寿命特性に優れる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin film pattern having a narrow pattern, which is independent of the kind of a resist film and an optical limit of an exposure apparatus or the like, and thus to further provide a method for making a thin film patterning narrower.
レジスト膜の種類や露光器などの光学的限界によらず、狭小なパターンを有する薄膜パターンを作製する方法を提供し、もって薄膜パターニングを狭小化する方法を提供することをも目的とする。 - 特許庁 - To provide a deposition method and display material in a display material manufacturing process which realize accurate deposition of thin films of different characteristics by patterning on the same substrate and flat and uniform coating of liquid materials.
特性の異なる薄膜を同一基板上に精度よくパターニング成膜することと、液体材料を平坦かつ均一に塗布させることを可能とする表示体製造プロセスにおける成膜方法および表示体を提供すること。 - 特許庁 - To provide an intermediate layer material composition for a three- layer resist process soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free of a problem in trailing shape and line edge roughness in patterning of an upper layer resist and to provide a pattern forming method using the composition.
有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for nano imprint excellent in pattern formability and mold releasability, can form a good pattern, and give a pattern after the etching that is small in line edge roughness, and to provide a pattern and a patterning method using this.
パターン形成性およびモールド剥離性に優れ、良好なパターンが形成でき、かつエッチング後に得られたパターンのラインエッジラフネスが小さいナノインプリント用組成物、これを用いたパターンおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A lithographic apparatus comprises an illumination system configured to condition a radiation beam, a patterning device capable of modulating the radiation beam, a substrate table constructed to support a substrate, and a projection system configured to project the modulated radiation beam onto a target portion of the substrate.
リソグラフィ装置は、放射線ビームを調整する照明システム、放射線ビームを変調するパターニングデバイス、基板を支持する基板テーブル、および変調した放射線ビームを基板の目標部分に投影する投影システムを有する。 - 特許庁 - Then, etching is performed in three steps: (1) patterning of the ITO film along the resist pattern 8, (2) formation of the lower layer contact hole 41 by an etching liquid such as buffered hydrofluoric acid, and (3) removal of an "eaves-like part" 6a of the ITO film.
そして、（１）レジストパターン８に沿ったＩＴＯ膜のパターニング、（２）バッファードフッ酸等のエッチング液による下層コンタクトホール４１の作成、及び（３）ＩＴＯ膜の「ひさし状部分」６ａの除去という３段階のエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of microdevice capable of realizing an MEMS(Micro Electro Mechanic System) or rugate filter with a high operating characteristic by patterning a thick functional material film in a high aspect ratio by an easy and practical manufacturing method.
簡易で実用的な製造方法によって厚膜の機能性材料膜を高アスペクト比にパターニングして、動作特性の高いＭＥＭＳやルゲートフィルタなどを実現することが可能な微細装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this semiconductor device, in a step of patterning lamination films 205 to 207 containing a polycrystalline silicon film 206 as a base lead-out electrode, a base emitter layer forming region and a collector layer forming region are eliminated by the use of the same mask.
ベース引き出し電極となる多結晶シリコン膜２０６を含む積層膜２０５〜２０７をパターニングする工程において、同一のマスクを用いてベース・エミッタ層形成領域とコレクタ層形成領域とを除去する。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus in which a radiation beam which illuminates a patterning means polarizes to the substantially radial direction, and a diaphragm intercepts the diffraction polarized to the radial direction of patterned radiation.
パターニング手段を照明する放射線ビームがほぼ半径方向に偏光し、ダイアフラムが、パターン形成された放射線の半径方向に偏光した回折部分を遮断するよう構築、配置構成されるリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a forming method of an etching mask capable of improving uniformity of CD of a pattern in double patterning, and forming an etching mask having uniform and excellent CD, and to provide a control program and a program storage medium.
ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - In the patterning process of the thin film transistor 44, holographic exposure and a tracking focus system is employed, design rule of 1.0 μm or less is employed, and only a polysilicon layer 41 and a first metal layer 42 are employed as the interconnect lines of the element chip 45.
薄膜トランジスタ４４のパターニング工程で、ホログラフィック露光や追尾フォーカスシステムを用い、１．０μｍ以下の設計ルールを用い、素子チップ４５の配線として、多結晶シリコン層４１と第１の金属層４２のみを用いる。 - 特許庁 - After forming the overcoat layer 14 on a transparent substrate 13 so as to cover a color conversion filter layer, a photosensitive material 21 is formed so as to cover the overcoat layer, and patterning is applied to the photosensitive material by photolithography.
色変換フィルター層を覆うように透明な基板１３上にオーバーコート層１４を形成した後、このオーバーコート層を覆うように感光性材料２１を形成し、この感光性材料２１をフォトリソグラフィによりパターニングする。 - 特許庁 - Alternatively, a patterning foamable resin sheet formed into a patternwise shape using the foamed foamable resin sheet having a hue different from that of the foamable resin material sheet 1 is superposed on a plurality of the foamable resin material sheets 1 laminated within the mold 3 and hermetically sealed to be foamed under heating.
金型３内に積層した複数枚の発泡樹脂素材板１の上に、その色彩と異なる発泡済みの発泡樹脂板で模様形状とした模様用発泡樹脂板を重ねて、密封し、加熱発泡させてもよい。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning ceramic substrate and a ceramic wiring substrate, which ensure providing brazing materials in given positions regardless of the sizes etc. of pads for brazing, allowing skip of conventional setting procedures, and to provide a method of manufacturing the substrate.
ロウ付け用パッドの大きさなどに拘わらずロウ材を所定の位置に確実に配設でき、且つ従来のセッティング工程が省略できる多数個取りセラミック基板およびセラミック配線基板ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A tool hole 115 is provided at a conductive metal plate base 110, a solution releasing metal layer 120 is formed on it by plating, and further a metal layer 130 is laminated, patterning is made with resist 140, and a wiring part 130A is formed.
導電性金属板基材１１０に治具穴１１５を設け、その上に溶解剥離性金属層１２０をメッキ形成し、更に金属層１３０を積層してレジスト１４０でパターニングして配線部１３０Ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a processing method for a photosensitive ceramic sheet capable of adequately adhering with a support in a patterning process and easily peeling in a peeling process by reducing adhesiveness with the support.
パターン加工工程においては支持体と充分密着した感光性セラミックスシートを、剥離工程においては基板との密着性を低くして容易に剥離することができる感光性セラミックスシートの加工方法を提供すること。 - 特許庁
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