「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 78 79 次へ＞- To enhance condensation efficiency when finer patterning is employed on the light receiving face or various kinds of film, e.g. a light shielding pattern or an interconnection pattern, are formed in layers on the light receiving face.
受光面の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターンのような各種の膜が受光面の上に多く積層されるようになった場合の集光効率を高める。 - 特許庁 - To satisfy both patterning accuracy and light shielding performance in using a hard mask and a light shielding band light shielding film in common relating to a method of manufacturing a halftone phase shift mask and a method of manufacturing a semiconductor device.
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、ハードマスクと遮光帯遮光膜を兼用する場合に、パターニング精度と遮光性を両立する。 - 特許庁 - To suppress a first warpage generated at the time of patterning of a copper foil on a single surface of a fluoroplastic substrate having copper foils laminated on both surfaces thereof and a second warpage generated at the time of reflow.
両面に銅箔が張り合わされたふっ素樹脂基板の片面の銅箔をパターニングした際に発生する第１の反り、並びにリフロー時に発生する第２の反りを共に抑える。 - 特許庁 - The present invention discloses a mask for forming a fine pattern to completely transfer a first and a second pattern from the mask through a double patterning step onto a transfer object below, and a method for forming the mask.
二重パターニング工程でマスク上の第１及び第２パターンをそのまま下部の被転写物に転写させる微細パターンを形成するためのマスク及びその形成方法である。 - 特許庁 - The terminal structure of a catcher in order to connect an antenna element and a cable has the conductor plate 1 composed of the conductive member and a notched part 11 that is installed by patterning to the conductor plate.
アンテナ素子とケーブルとを接続するためのキャッチャの端子構造は、導電性部材からなる導体板１と、導体板にパターンニングされて設けられる切り欠き部１１とを有する。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a multi-layered wiring board which can use the target of an internal layer material as the matching standard for the patterning of an external layer without requiring any extra process.
余計な工程を要さずに内層材のターゲットを外層のパターン加工のための整合基準として用いることができる多層配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A lithography system comprises a patterning chamber of lithography, a wafer replacement chamber coupled with the patterning chamber of lithography, and at least one alignment load lock separated from the wafer replacement chamber by a second gate valve wherein at least one alignment load lock comprises at least one alignment load lock including a stage for aligning a wafer.
本発明のリソグラフィシステムは、リソグラフィシステムであって、リソグラフィのパターニングチャンバと、上記リソグラフィのパターニングチャンバに結合されたウェハ交換チャンバと、第２のゲートバルブによって上記ウェハ交換チャンバから分離された少なくとも１つのアライメントロードロックであって上記少なくとも１つのアライメントロードロックはウェハの位置を合わせるアライメントステージを含む少なくとも１つのアライメントロードロックとを含む。 - 特許庁 - This boiler control device has: measuring instruments for measuring the flow of fuel supplied to the burners for every burner, and also has: a patterning means for forming a flow pattern of fuel flow based on the measured values of the measuring instruments; and an operation signal generating means for computing the air flow supplied to the burners or air ports based on the pattern information generated in the patterning means.
バーナーに供給する燃料の流量をバーナー毎に計測する計測器を有し、計測器で計測した計測値に基づいて、燃料流量の流量パターンを生成するパターン化手段と、パターン化手段で生成したパターン情報に基づいて、バーナー又は、エアポートに供給する空気流量を計算する操作信号生成手段を備えるボイラの制御装置。 - 特許庁 - A lithography system is disclosed which includes a lithography patterning chamber, a wafer replacement chamber coupled to the lithography patterning chamber, and at least one alignment load-lock separated from the wafer replacement chamber by a second gate valve, wherein the at least one alignment load-lock includes an alignment stage for aligning a wafer.
本発明のリソグラフィシステムは、リソグラフィシステムであって、リソグラフィのパターニングチャンバと、上記リソグラフィのパターニングチャンバに結合されたウェハ交換チャンバと、第２のゲートバルブによって上記ウェハ交換チャンバから分離された少なくとも１つのアライメントロードロックであって上記少なくとも１つのアライメントロードロックはウェハの位置を合わせるアライメントステージを含む少なくとも１つのアライメントロードロックとを含む。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes: an illumination system configured to condition a radiation beam; a support constructed to support a patterning device, the patterning device being capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; a substrate table constructed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板上のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter array having simplified manufacturing steps, particularly a method for manufacturing the color filter array substrate provided with an overcoat layer having a flat surface, and to provide a thin film patterning apparatus capable of performing the patterning step without using a photolithography step and capable of simplifying the manufacturing step and a method for manufacturing the color filter array substrate utilizing the same.
本発明は、製造工程を単純化したカラーフィルタアレイ基板の製造方法、特に、平坦面を有したオーバーコート層を備えたカラーフィルタアレイ基板の製造方法、フォトリソグラフィ工程を使用せずにパターニング工程を行えると共に、製造工程の単純化を可能にした薄膜パターニング装置及びそれを利用したカラーフィルタアレイ基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.
本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁 - A lithographic equipment includes an illumination system configured to condition a radiation beam; a support constructed to support a patterning device, the patterning device being capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; a substrate table constructed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを含む。 - 特許庁 - This strain sensor is manufactured by a patterning process for forming a pattern having a beltlike aperture surrounding a predetermined point in one surface of the substrate, and a process for etching the substrate along the beltlike aperture by a predetermined amount after this patterning process, and integrally forming the diaphragm copying the outline of the beltlike aperture and the needlelike projection supported at the center of the diaphragm on the substrate.
この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。 - 特許庁 - In the method of cleaning the patterning device used for the lithographic projector, the patterning device includes the blank layer and the patterned layers of the opaque material existing on the surface of the blank layer and the PFPE liquid covering the surface is applied on the surface of the blank layer in order to form the PFPE liquid layer and at least a portion of the PFPE liquid layer is removed.
フォトリソグラフィ投影装置に使用するパターニング・デバイスのクリーニング方法、素材層と、素材層の表面上にある不透明材料のパターン状層とを含むパターニング・デバイス、ＰＦＰＥ液層を形成するため、ＰＦＰＥ液の表面に表面を覆うＰＦＰＥ液体を塗布することと、ＰＦＰＥ液層の少なくとも一部を除去することとを含む方法。 - 特許庁 - This lithography equipment comprises a radiation system, a second support for supporting a first support substrate supporting a patterning device for patterning a radiation beam, a projection system for projecting the patterned beam on the target of the substrate, and an interferometric measurement system for providing an interferometric measurement beam extending along an axis in an elongated volume of gas extending under the projection system.
リソグラフィ装置は、放射線システム、および放射線ビームをパターン化するパターニングデバイスを支持する第一支持体基板を支持する第二支持体、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システム、および投影システムの下に延在するガスの細長いボリューム内で、軸線に沿って延在する干渉計測定ビームを提供する干渉計測定システムを含む。 - 特許庁 - The color filter has a base material, a plurality of color layers formed on the base material in a pattern shape, layers for patterning formed on the color layers and/or boundary regions between the color layers and used for forming spacer parts and the spacer parts formed on the layers for patterning.
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上にパターン状に、かつ複数形成された着色層と、前記着色層上および／または前記着色層どうしの境界領域上に形成され、スペーサ部を形成するために用いられるパターニング用層と、前記パターニング用層上に形成された前記スペーサ部とを有することを特徴とするカラーフィルタを提供する。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning ceramic wiring board for an image sensor such as a CCD that improves flatness of a plane where a component such as an optical lens is mounted and suppresses production of dust due to ceramic crushing.
光学レンズ等の部品を搭載する平面の平坦度を向上させるとともに、セラミック破砕に起因したダストの発生を抑え、ＣＣＤ等のイメージセンサ用のセラミック配線基板を提供する。 - 特許庁 - An organic EL (electroluminescent) element material is vapor-deposited onto the surface of the glass substrate 130 from a vapor deposition source 140 via an opening 2 of the shadow mask 1 to carry out patterning of the organic EL element.
蒸着源１４０からシャドウマスク１の開口部２を通してガラス基板１３０の表面に有機ＥＬ素子材料の蒸着を行うことにより、有機ＥＬ素子のパターン形成を行う。 - 特許庁 - To control a patterning geometry by replacing excess acid on the boundary face between a resist and a base film by applying a basic substrate treating agent in which an acid generating agent which generates a weak acid on the resist base film is added.
レジスト下地膜に弱酸を発生する酸発生剤を添加した基板処理剤を塗布することにより、レジストと下地膜の界面の余剰酸を酸置換してパターニング形状を制御する。 - 特許庁 - A patterning sapphire substrate 1 in which the surface of a sapphire substrate 2 is covered with a mask 3 of a specific pattern is characterized in that the mask 3 is arranged in the shape of dots.
サファイヤ基板２の表面が所定パターンのマスク３で覆われているパターニングサファイヤ基板１において、前記マスク３がドット状に配置されていることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板１である。 - 特許庁 - To provide a one-sided or double-sided flexible printed wiring board, which is modified in dimensional stability without marring the physical properties of the board, excellent in a migration resistance and suitable to a fine patterning.
フレキシブル印刷配線用基板の物性を損ねることなく、寸法安定性が改善され、耐マイグレーション性に優れ、ファインパターン化に適した片面または両面フレキシブル印刷配線用基板を得ること。 - 特許庁 - To provide an electron emission device capable of increasing an aspect ratio of each opening formed in an insulating layer to enable minute patterning, and advantageous for realizing high resolution and high luminance as a result thereof.
絶縁層に形成される開口部の縦横比を高めて微細パターニングを可能にし、その結果高解像度と高輝度実現に有利な電子放出素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A wiring pattern 44 is formed by patterning using dry etching and connected with a heating element 39 through a contact part 41 in an opening provided in an insulating protective layer 40.
本発明は、ドライエッチングを用いたパターニングにより配線パターン４４を形成し、該配線パターン４４を絶縁保護層４０に設けられた開口によるコンタクト部４１を介して発熱素子３９に接続する。 - 特許庁 - To provide a patterning method for plating in which no resist is used and no influence is produced upon a pattern mask and which is capable of repeated use and requires relatively low equipment cost and can cope with the recent demand for finer pattern.
レジストを用いることなしに、また、パターンマスクへの影響がなく、繰り返し使用が可能で設備コストが比較的小さく、微細なパターンに対応できるめっきのパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The tunnel dielectric layer 210, the charge capture layer 230, the first length setting layer 310, and the second length setting layer 330, which have been formed, are processed by patterning in order so that the self-alignment may be executed mutually.
形成されたトンネル誘電層２１０、電荷捕獲層２３０、第１長さ設定層３１０及び第２長さ設定層３３０を相互間に自己整列されるように順にパターニングする。 - 特許庁 - As compared with a case having a scanning stage on each head, processes can be simplified, patterning time can be shortened and the acceleration of pattern formation can be realized.
これにより、各ヘッド毎に走査ステージを有する場合と比較して、工程を簡略化することができると共に、パタニング間の時間を短縮することができ、パターン形成の高速化を実現することができる。 - 特許庁 - In the step of forming the insulating film 30, the layer 30 is caused to deposit on the area by projecting an ion beam of a gas containing a rare gas as the main component upon the substrate after the patterning step is performed.
絶縁層３０を成膜する工程では、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、絶縁層３０を堆積させる。 - 特許庁 - A wiring 350 consists of a reflection conductive film 352 having grains larger than that of the reflection film 302 and a transparent conductive film 354 formed by patterning the same layer as the segment electrode 314.
一方、配線３５０は、反射膜３０２よりも結晶粒子が大きい反射性導電膜３５２とセグメント電極３１４と同一層をパターニングした透明導電膜３５４との積層膜からなる。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of patterning the crystalline silicon film, forming an insular silicon region, forming a gate insulating film on the insular silicon region, and forming a gate electrode on the gate insulating film.
そして前記結晶性シリコン膜をパターニングし、島状シリコン領域を形成し、前記島状シリコン領域上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a fine pattern of a semiconductor device capable of forming a fine pattern having a line thickness of 60 nm or less by preventing the deformation when patterning a hard mask.
ハードマスクをパターニングする際の変形を防止することにより、線幅が６０ｎｍ以下の微細パターンを形成することができる半導体素子の微細パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁 - An upper layer light shielding Al film 9a formed by patterning an Al film being used in the upper layer Al film 9b for the pat of a TEG is provided on the source-drain regions 5a and 5b of the monitor transistor.
ＴＥＧのパット用上層Ａｌ膜９ｂに用いられるＡｌ膜をパターニングして形成された遮光用上層Ａｌ膜９ａを、モニタ用トランジスタのソース／ドレイン領域５ａ、５ｂ上に設ける。 - 特許庁 - Thereafter, adhesion of a barrier 66 of a pressure room, patterning of the PZT piezoelectric membrane 63, forming of an individual electrode 67 and adhesion of a nozzle plate 68, are performed to prepare a liquid pressure cylinder 60 (Fig.5 (G)-(I)).
その後、圧力室隔壁６６の接着、ＰＺＴ圧電膜６３のパターン化、個別電極６７の形成、及びノズルプレート６８の接着を行って液圧シリンダ６０を作製する（図５（Ｇ）〜（Ｉ））。 - 特許庁 - That is, the electrode strips 19 and the dielectric strips 21a are multi-layered in the direction parallel to the substrate surface, thereby facilitating the multi-layering in the ceramic capacitor by a known patterning technology.
すなわち、電極片１９と誘電体片２１ａとは基板面に対して平行な方向に沿って多層化されているため、公知のパターニング技術によって容易にセラミックコンデンサの多層化が実現される。 - 特許庁 - To obtain an electroconductive resin composition capable of patterning a fine shape and forming an electroconductive resin film having heat resistance, solvent resistance and mechanical strengths, and to provide a method for forming a pattern.
微細な形状にパターニングすることができ、耐熱性、耐溶剤性、及び機械的強度を有する導電性樹脂膜を形成しうる導電性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor fine patterning technique is used for a ceramic or organic substrate to meander or U-shape line patterns of an unbalanced-side transmission line 50ubl and balanced-side transmission lines 50bl-a, 50bl-b.
セラミックや有機基板等に半導体微細パターニング技術を用いて、不平衡側伝送線路５０ublと平衡側伝送線路５０bl-a，５０bl-bの線路パターンをメアンダ形状やコの字形状等とする。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor fabricated by a patterning method having a capability of forming a semiconductor channel layer of a submicron order, and a manufacturing method having mass productivity adaptable to a large area.
サブミクロンオーダーの半導体チャネル層形成能力をもつパターニング方法により作製された薄膜トランジスタの提供、および大面積化に対応でき量産性のある製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a display and the display wherein patterning can be made on a large-area substrate with a simple process, and improve light-emitting characteristics of the light-emitting layer.
簡素な工程で大面積基板に発光層をパターニングすることができると共に、発光層の発光特性を向上させることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁 - A bottom and/or a top of a plurality of lateral conductors 1a to 1q ajacent in a winding direction of one side or both sides of coil are connected by conductors 36 and 37 formed by patterning.
片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体１ａ〜１ｑの下端または／および上端をパターニングにより形成された導体３６、３７により接続する。 - 特許庁 - Continuously, the polycrystalline silicon film used as a control gate 5 is allowed to grow, the control gate 5 is formed by patterning, and a region 6 that becomes drain and source regions is formed for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory.
続けてコントロールゲート５となる多結晶シリコン膜を成長させ、コントロールゲート５を、パターンニングにより形成し、ドレイン、ソース領域となる領域６を形成して不揮発性半導体メモリを製造する。 - 特許庁 - To provide a nano gap electrode having a gap width of ≤100nm, ≤50nm in particular, by using technique of patterning precision of a micron order degree without using a wet process of light exposure, electronic beam exposure, etc.
光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、１００ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下のギャップ幅のナノギャップ電極を提供する。 - 特許庁 - In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.
工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁 - The substrate 14 and the ejection head 33 move relatively in two orthogonal directions to form a pattern, and ejection is controlled such that the thickness of the pattern becomes larger than the surface roughness of the patterning surface.
基板１４と噴射ヘッド３３は直交する２方向に相対移動してパターンを形成し、パターンの厚さをそのパターンが形成される面の表面粗さ以上の厚さとなるべく噴射制御する。 - 特許庁 - To provide a positive resist material having both chemical amplification and non-chemical amplification functions, which has high sensitivity and high resolution in exposure with high-energy radiation, and a patterning process using the same.
高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有するポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the substrate where patterning is performed using this mask, a movable region of the carrier consisting of the protruded section in the active layer expanded to the outside from the channel region (i.e., a leakage region) is contracted.
このマスクを用いてパターニングされた基板では、チャンネル領域から外に拡がる活性層の上記の突出部分から成るキャリアの移動可能領域（すなわち漏れ領域）が縮小する。 - 特許庁 - The multiple patterning circuit board 100 is provided with a plurality of through-holes 105 for vacuum-sucking the mask for solder ball alignment in the state of being dispersed to be a uniform density.
多数個取り配線基板１００には、はんだボール整列用マスクを真空吸着するための複数の貫通孔１０５が均等な密度となるように分散させた状態で設けられている。 - 特許庁 - Furthermore, after the adhering layer 14A, the reflecting layer 14B and the barrier layer 14C are all formed, the first electrode 14 is formed by patterning one by one from the barrier layer 14C side.
第１電極１４は、平坦化層１３の上に、密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃをすべて形成したのちに、バリア層１４Ｃ側から順にパターニングすることにより形成される。 - 特許庁 - In an organic EL element inspection method, ultraviolet rays are condensed for spot irradiation, thus detecting patterning positions and emission colors in each emission layer, in an organic film arranged for each pixel.
有機ＥＬ素子検査方法において、紫外光を集光してスポット照射することにより、画素ごとに配列された有機膜の各発光層におけるパターニング位置及び発光色を検出する。 - 特許庁 - A wiring layer 17 obtained by patterning a conductor layer having a uniform film thickness such as a copper foil into a predetermined wiring pattern is bonded on one main surface of a base film 16 with an adhesive layer 18 disposed therebetween.
ベースフィルム１６の一方の主面に銅箔等の均一な膜厚の導体層を所定の配線パターンにパターニングして得られる配線層１７が接着剤層１８により貼着されている。 - 特許庁 - By use of the hard mask manufactured by such a process of a two-time exposure and two-time processing, it becomes possible to process a more micro and identical contact hole than patterning by a reticle of a hole-shaped pattern.
このような二回露光二回加工プロセスにより作製されるハードマスクを用いることで、穴状のパターンのレチクルでパターニングを行うよりも微細でより忠実なコンタクトホールの加工が可能となる。 - 特許庁
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