「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 44 45 46 47 48 49 50 51 52 .... 78 79 次へ＞- Thereby, in patterning a transparent conductive film in a manufacturing step of the data lines 314, a short circuit of the data lines 314 between themselves is prevented and the defective wiring is certainly prevented.
これにより、データ線３１４の製造工程において、透明導電膜をパターニングする際、データ線３１４同士が短絡するのを防止して配線不良を確実に防止する。 - 特許庁 - To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.
化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁 - To secure a predetermined distance between wirings, and to prevent the damage of a lower layer wiring when forming an insulator film formed for securing a distance between the wirings by patterning, etc.
所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which can achieve both excellent developability and excellent conformability to an immersion liquid, and a patterning method using the composition.
優れた現像性と優れた液浸液追随性との両立を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that has a gate electrode having a width narrower than the minimum width formable by the patterning technology and an LDD structure the side wall thickness of which can be changed as the size of the gate electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the device.
パターンニング技術によって形成可能な最小の幅よりもさらに細幅のゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The page size patterning methodology is performed globally on at least a sub-page basis, rather than on a pixel-by-pixel basis and may be performed based on or independent of specific image data.
ページサイズのパターン形成方法は、ピクセル毎ではなく、少なくともサブページ毎に広範囲で実行され、特定の画像データに基づいて、又はこれとは独立して実行することができる。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring substrate which allows electronic components to be accurately mounted in respective wiring substrate regions and can be accurately divided into each wiring substrate region.
多数個取り配線基板について、各配線基板領域に電子部品を正確に搭載することができるとともに、各配線基板領域ごとに正確に分割することを可能とする。 - 特許庁 - A method includes steps of: forming a material on a substrate; and patterning the material and removing a portion of the material to expose the portion of the substrate underlying the portion of the material.
方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。 - 特許庁 - A first patterning and an etching process are performed to the lower wiring material and the switching material to form a first structure 1102 having an upper surface area and a side area.
下部配線材料及びスイッチング材料に対して第１パターニング及びエッチングプロセスを行い、上部表面領域及びサイド領域を有する第１構造１１０２を形成する。 - 特許庁 - A thermal nitride film is formed on a silicon substrate 11 as a gate insulation film 13, a gate electrode material is formed on the insulation film, patterning is made, and a gate electrode 14 is formed.
シリコン基板１１上に熱窒化膜をゲート絶縁膜１３として形成し、この絶縁膜上にゲート電極材を形成した後、パターニングしてゲート電極１４を形成する。 - 特許庁 - When carrying out the patterning of the organic EL layer by using the photolithography method, by installing a conductive protection layer between the organic EL layer and a photoresist layer, objectives are achieved.
本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機ＥＬ層のパターニングを行う際に、有機ＥＬ層およびフォトレジスト層の間に導電保護層を設けることにより、上記目的を達成する。 - 特許庁 - To provide a method of producing organic EL element using photocatalyst, that is superior in patterning and light emission efficiency, bright and moreover low in power consumption.
光触媒を用いた有機ＥＬ素子であって、パターニング性に優れると共に発光効率に優れ、明るく、しかも消費電力が低い有機ＥＬ素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - More concretely, an upper portion is etched by dry etching so that ITO thin film may leave about 50 nm, and etching is continued by wet etching and patterned in this patterning method.
具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 - 特許庁 - The lithographic apparatus has an advantage that the coupling system is apart from the patterning means during the projection phase, so as to obtain the projection image with high accuracy.
このリソグラフィ装置は、投影フェーズの間に結合システムがパターン化手段から間隔を隔てられることを特徴としており、それによってより精度の高い投影イメージが得られる。 - 特許庁 - To provide a material for forming an insulating layer that enables patterning with a high aspect ratio by an alkali-developing type photolithography method and is excellent in electrical and thermal-mechanical reliability.
アルカリ現像型のフォトリソグラフィー法によるハイアスペクト比でのパターン加工が可能であり、かつ、電気的・熱機械的な信頼性に優れる絶縁層形成用材料を提供する。 - 特許庁 - The ohmic contact layer forming film 25 and the semiconductor film forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.
そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングにより、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁 - To provide a substrate for applying an ink discharge system to be processed by a new patterning technique in a method for forming a thin film pattern on the substrate by using the ink discharge system.
インク吐出方式を用いて基板上に薄膜パターンを形成する方法においおて、新規なパターニング技術で処理された、インク吐出方式を適用するための基板を提供する。 - 特許庁 - Patterning is carried out for an electrode film deposited on each flat principal plane of the crystal element strip, in order to form driven electrodes 12a and 12b and linking electrodes 13a and 13b drawn out from them.
平坦な水晶素子片各主面に成膜した電極膜をパターニングして、励振電極１２ａ，１２ｂ及びそれから引き出した接続電極１３ａ，１３ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide a surface acoustic wave filter for accurately patterning an interdigital electrode on a piezoelectric substrate at a prescribed interval and a prescribed finishing height and to provide its manufacturing method.
圧電体基板上の櫛形電極を、所定の間隔でかつ所定の仕上り高さに精度よくパターニングできる表面弾性波フィルタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - By patterning a ruthenium film deposited on a gate insulation film 5, each gate electrode of the n-channel type MIS transistor and the p-channel type MIS transistor is formed simultaneously.
ゲート絶縁膜５上に堆積したルテニウム膜をパターニングすることによって、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタのそれぞれのゲート電極を同時に形成する。 - 特許庁 - To establish a method for patterning a protein supermolecule appropriately on a silicon substrate, and to provide a new semiconductor device employing protein by that method.
従来確立していなかったタンパク質超分子をシリコン基板上で適切にパターニングする方法を確立し、当該方法によるタンパク質を用いた半導体新規デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a nanoparticle-containing photosensitive resin composition having good dispersibility of nanoparticles both in a resin and in a developer, and excellent in transmittance and patterning property, and its use.
樹脂中及び現像液中の双方でナノ粒子の分散性が良く、透過率、パターニング性に優れるナノ粒子含有感光性樹脂組成物及びその用途を提供する。 - 特許庁 - To provide a fluorine composition with which the immobilization and patterning of a fluorine compound in a raw material having the fluorine compound can be easily performed, and a composition for a color filter.
フッ素系化合物を有する素材におけるフッ素系化合物の固定化、及びパターン化を容易に行うことができるフッ素系組成物及びカラーフィルタ用組成物を提供する。 - 特許庁 - After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a.
その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁 - The polysilazane film 7 is exposed overall with ArF excimer laser light 8, humidified and developed to disclose the top face of the resist film 4, thereby patterning the polysilazane film 7.
ポリシラザン膜７をＡｒＦエキシマレーザ光線８を用いて全面露光した後、加湿処理を施し、現像してレジスト膜４の上面を露出させ、ポリシラザン膜７をパターニングする。 - 特許庁 - The connection part of the wiring pattern with a bump of the surface acoustic wave element 1 is copper-plated after patterning, nickel plating is applied to the copper plating and gold plating is applied to the nickel plating.
ベース基板６の配線パターンは、弾性表面波素子１のバンプ部との接続部分が、パターンニング後に銅メッキされ、かつその上にニッケルめっきされ、さらにその上に金めっきされる。 - 特許庁 - The alignment sensor recognizes and measures alignment marks (P1) on the substrate passing by the sensor during relative motion of the substrate and a patterning subsystem under control of a positioning subsystem.
アライメントセンサは、位置決めサブシステムの制御の下での基板とパターニングサブシステムとの相対運動中にセンサの傍を通過する基板上のアライメントマーク（Ｐ１）を認識して測定する。 - 特許庁 - A polysilicon gate 11g, which is formed even on a silicon oxide film 9 and subjected to planarization processing and patterning processing, is silicide-processed from its surface to obtain a silicide region 18g.
シリコン酸化膜９上にも形成され、平坦化処理及びパターニング処理が施されたポリシリコンゲート１１ｇに対し、表面からシリサイド化してシリサイド領域１８ｇを得る。 - 特許庁 - Images reach from different angles which have the number NA of larger effective openings since the images are of from radiations generated from the mutually separated patterning arrays.
互いに間を隔てたパターニング・アレイから生成される放射線からイメージが形成されるため、異なる角度からイメージが到達し、これはより大きい有効開口数ＮＡを有している。 - 特許庁 - Accuracy of patterning using an electron beam aligner is enhanced by replacing the unevenness in exposure intensity uncontrollable for a pattern to be obtained by controllable double exposure.
得るべきパターン形状に対して制御不可能な露光強度むらを、制御可能な２重露光に置き換えることで、電子線露光装置を用いたパターン作製精度が向上する。 - 特許庁 - After depositing a polysilicon film 111 over the metal containing film 105, an N-type transistor gate electrode 113, and a P-type transistor gate electrode 114 are formed by patterning.
金属含有膜１０５上にポリシリコン膜１１１を堆積した後、パターニングにより、Ｎ型トランジスタ用ゲート電極１１３及びＰ型トランジスタ用ゲート電極１１４を形成する。 - 特許庁 - To provide an electron-emitting element capable of long-term stabilization of an emission current at a high yield, an electron gun, an electron microscope device and an electron beam patterning device using it.
エミッション電流の長期的な安定化が可能で、高歩留まりな電子放出素子，電子銃、それを用いた電子顕微鏡装置及び電子線描画装置を提供する。 - 特許庁 - To eliminate the need to control synchronization with a process of punching metal foil since patterning is unnecessary in a bonding process when a conductive member for a contactless type data carrier such as a wireless tag is manufactured.
無線タグ等の非接触型データキャリア用導電部材を製造する際、接着工程でパターンニングが不要のため、金属箔の打ち抜き工程との同期制御を不要とする。 - 特許庁 - In second patterning to form the channel protective films 22, resist patterns are formed only by the rear surface exposure using the patterns of the scanning lines 11 and the gate electrodes 13 as a mask.
チャネル保護膜２２を作成するための第２のパターニングにおいては、走査線１１及びゲート電極１３のパターンをマスクとする裏面露光のみによりレジストパターンを形成する。 - 特許庁 - Many and unspecified persons such as self and familiar people can be expressed as a doll by statistically patterning the parts of hair style (1), a face (2) and dress (3) and combining them.
髪型（１）、顔（２）、服装（３）の部首を統計的にパターン化し、それを組み合わせることにより、自分や身近な人などの不特定多数の人を人形として表現することができる。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive resin composition which is excellent, when developing, in adhesion with the surfaces of substrates comprising inorganic substances not containing Si atoms and the element surfaces during the patterning process.
パターン加工時において、Ｓｉ原子を有しない無機物で構成される基板表面や素子表面との現像時接着性に優れたネガ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a photomask which can suppress the influence of the "stray light" while achieving high patterning precision for the circuit patterns transferred on a wafer without largely increasing the costs.
ウェハに転写される回路パターンの高いパターニング精度を実現しつつ、大幅なコストアップ無しに“迷光”の影響を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - First masks 6 having lattice type regular patterns in first opening sections (holes) 61 are manufactured by using a double patterning technique for forming the contacts 3 for the sub-lithographic.
サブリソグラフィックのコンタクト３を形成するために、第１の開口部（ホール）６１の格子型の規則正しいパターンを有する第１のマスク６をダブルパターニング技術を用いて製造する。 - 特許庁 - Next, trench mask patterns and filler insulating film patterns are formed for defining slit type openings crossing and exposing the active regions by patterning the trench masks and filler insulating films.
次に、トレンチマスク及び埋め立て絶縁膜をパターニングして活性領域を横切り、露出させるスリット型開口部を定義するトレンチマスクパターン及び埋め立て絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁 - A gate electrode 126 of a TLPM 100, a gate electrode 226 of an NMOS 200 and a gate electrode 326 of a PMOS 300 are formed by patterning the same polysilicon layer.
ＴＬＰＭ１００のゲート電極１２６、ＮＭＯＳ２００のゲート電極２２６およびＰＭＯＳ３００のゲート電極３２６を同一のポリシリコン層のパターニングにより形成する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a photomask which is hardly affected by errors of stage movement even when the real amount of stage movement for scanning the photomask has errors with respect to the set amount of movement.
フォトマスクを走査するステージが、設定移動量に対して実移動量が誤差を保有していても、その誤差の影響を受けにくいフォトマスクのパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - By performing patterning to the channel side substrate by dry etching with the channel side substrate and the reservoir forming substrate 30 held on the support, the communicating portion 13 is formed.
そして、流路側基板及びリザーバ形成基板３０を支持体に保持したまま、流路側基板に対してドライエッチングによるパターニングを行うことで、連通部１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method of a semiconductor element, which can simultaneously form patterns having a variety of widths, and can increase a pattern density in part of regions by double patterning technique.
多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus has a support configured so as to support a patterning device capable of forming a patternized radiation beam by giving a pattern to the section of the radiation beam.
リソグラフィ装置は放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成することの可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持を備える。 - 特許庁 - Toluene solution of NPD as hole transportation material is formed to a film by a spin coat method on a substrate 1 wherein an indium/tin oxide layer 2 is subjected to patterning, and an NPD film 3 is formed.
インジウム・スズ酸化物層２がパターニングされた基板１の上に、正孔輸送材料であるＮＰＤのトルエン溶液をスピンコート法にて膜状化して、ＮＰＤ膜３を形成した。 - 特許庁 - To provide a simple method which accomplishes patterning of a micron order and uniaxial orientation of a one dimensional conjugated oligomer simultaneously and a molecular oriented conjugated oligomer.
磁場を用いて一次元共役系オリゴマーのミクロンオーダーのパターニングと一軸配向を同時に実現することができる簡便な方法と、分子配向共役系オリゴマーを提供する。 - 特許庁 - To provide a condensation product having small absorption and polarized wave dependence in a band region used in an optical communication, capable of adjusting a refractive index and excellent in patterning, productivity and reliability.
光通信で使用される帯域での吸収及び偏波依存性が小さく、屈折率調整が可能でパターニング性、生産性、信頼性に優れた縮合生成物の提供。 - 特許庁 - To provide a resist composition capable of reducing a watermark defect and forming an excellently shaped resist pattern, and to provide a resist film using the same and a patterning method.
ウォーターマーク欠陥を減少させると共に、良好な形状のレジストパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To make the pattern widths of an isolated process pattern and a dense process pattern, obtained by trimming a resist mask comprising the isolated resist pattern and dense resist pattern and then patterning a layer to be processed, to agree with each other.
孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクをトリミングし、被加工層をパターニングして得られる孤立加工パターンと密集加工パターンのパターン幅を一致させる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which excels in film retention in its patterning and ensures very little change in profile by heat treatment, and a metal-resin complex using the same.
パターン加工時の残膜性に優れ、かつ、加熱処理による形状の変化が極めて少ない感光性樹脂組成物ならびにそれを用いた金属樹脂複合体を提供する。 - 特許庁
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