A semiconductor layer consisting of the single crystal silicon substrate 200 is formed by etching and patterning the single crystal silicon substrate 200 using mixture liquid of hydrofluoric acid and ozone water. 単結晶シリコン基板200を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板200からなる半導体層を形成する。 - 特許庁
After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a. その後、水素含有シリコン系絶縁膜13をパターニングしてなるチャネル保護層13aから微結晶シリコン薄膜7aに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁
The polysilazane film 7 is exposed overall with ArF excimer laser light 8, humidified and developed to disclose the top face of the resist film 4, thereby patterning the polysilazane film 7. ポリシラザン膜7をArFエキシマレーザ光線8を用いて全面露光した後、加湿処理を施し、現像してレジスト膜4の上面を露出させ、ポリシラザン膜7をパターニングする。 - 特許庁
The connection part of the wiring pattern with a bump of the surface acoustic wave element 1 is copper-plated after patterning, nickel plating is applied to the copper plating and gold plating is applied to the nickel plating. ベース基板6の配線パターンは、弾性表面波素子1のバンプ部との接続部分が、パターンニング後に銅メッキされ、かつその上にニッケルめっきされ、さらにその上に金めっきされる。 - 特許庁
The alignment sensor recognizes and measures alignment marks (P1) on the substrate passing by the sensor during relative motion of the substrate and a patterning subsystem under control of a positioning subsystem. アライメントセンサは、位置決めサブシステムの制御の下での基板とパターニングサブシステムとの相対運動中にセンサの傍を通過する基板上のアライメントマーク(P1)を認識して測定する。 - 特許庁
By patterning a ruthenium film deposited on a gate insulation film 5, each gate electrode of the n-channel type MIS transistor and the p-channel type MIS transistor is formed simultaneously. ゲート絶縁膜5上に堆積したルテニウム膜をパターニングすることによって、nチャネル型MISトランジスタおよびpチャネル型MISトランジスタのそれぞれのゲート電極を同時に形成する。 - 特許庁
To establish a method for patterning a protein supermolecule appropriately on a silicon substrate, and to provide a new semiconductor device employing protein by that method. 従来確立していなかったタンパク質超分子をシリコン基板上で適切にパターニングする方法を確立し、当該方法によるタンパク質を用いた半導体新規デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a nanoparticle-containing photosensitive resin composition having good dispersibility of nanoparticles both in a resin and in a developer, and excellent in transmittance and patterning property, and its use. 樹脂中及び現像液中の双方でナノ粒子の分散性が良く、透過率、パターニング性に優れるナノ粒子含有感光性樹脂組成物及びその用途を提供する。 - 特許庁
To provide a fluorine composition with which the immobilization and patterning of a fluorine compound in a raw material having the fluorine compound can be easily performed, and a composition for a color filter. フッ素系化合物を有する素材におけるフッ素系化合物の固定化、及びパターン化を容易に行うことができるフッ素系組成物及びカラーフィルタ用組成物を提供する。 - 特許庁
To eliminate the need to control synchronization with a process of punching metal foil since patterning is unnecessary in a bonding process when a conductive member for a contactless type data carrier such as a wireless tag is manufactured. 無線タグ等の非接触型データキャリア用導電部材を製造する際、接着工程でパターンニングが不要のため、金属箔の打ち抜き工程との同期制御を不要とする。 - 特許庁
In second patterning to form the channel protective films 22, resist patterns are formed only by the rear surface exposure using the patterns of the scanning lines 11 and the gate electrodes 13 as a mask. チャネル保護膜22を作成するための第2のパターニングにおいては、走査線11及びゲート電極13のパターンをマスクとする裏面露光のみによりレジストパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same. 化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁
To provide a new SMC (sheet-molding compound) capable of patterning the surface of an SMC-molded article even in the case of without using a patterned material and without decreasing the productivity of the molded article. 成形品の生産性を低下させずに、模様材を使用しない場合であってもSMC成形品の表面に柄付けすることが可能な新しいSMCを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has a gate electrode having a width narrower than the minimum width formable by the patterning technology and an LDD structure the side wall thickness of which can be changed as the size of the gate electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the device. パターンニング技術によって形成可能な最小の幅よりもさらに細幅のゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Two or more layers are collectively patterned in at least part of the laminated film 24, so that the number of photomasks to be used is reduced as compared with that for patterning for each layer. 積層膜24のうちの少なくとも一部において2層以上を一括してパターニングすることにより、各層毎にパターニングする場合に比べ、使用するフォトマスクの枚数が減る。 - 特許庁
To provide a patterning method capable of accurately forming a drawing pattern with a desired shape, especially a thick-film and fine-line pattern, while reducing a tact time (the number of processes) and not requiring a pattern forming device with high drawing accuracy. タクトタイム(工程数)を低減し、かつ描画精度が高いパターン形成装置を必要とせずに、所望する形状の描画パターン、特に厚膜細線パターンが精度よく形成する。 - 特許庁
After patterning is carried out so that the side wall of a photoresist 4 and that of a TiN film 3 are inclined, the A1 film is etched using these side walls as a mask, and an A1 film 2 is processed in a trapezoidal shape. フォトレジスト4とTiN膜3の側壁が傾斜するようにパターニングにした後、これらをマスクにしてAl膜2をエッチングして、Al膜2を台形形状に加工する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flat and uniform organic EL display element capable of forming a organic layer with corrected patterning error, prevented from the generation of leakage and uneven brightness. 平坦で均一であり、かつパターニングエラーが補正された有機層の形成が可能であり、リーク、輝度ムラ等の発生が防止された有機EL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate electrode 105 is patterned, and then a resist 104 used for patterning is thermally treated at temperature of 150 to 250°C as being irradiated with UV rays, by which the resist 104 is cured. ゲート電極105をパターニングした後、パターニングに用いたレジスト104にUV光を照射しつつ150〜250℃の熱処理を施し、レジスト104を硬化させる(図2(d))。 - 特許庁
To suppress the reduction of characteristics of a grounding layer of a layer to be irradiated with light, and the reduction of characteristics of a functional thin film when carrying out the minute patterning of the functional thin film by the irradiation with the light. 光を照射して機能性薄膜の微細パターニングを行う場合に、光を照射する層の下地層の特性低下及び機能性薄膜の特性低下を抑制すること。 - 特許庁
To provide an optical clock recovery device that can effectively provide a solution to provide a short acquisition time Ta more decreasing a transmission time Te of a payload preamble and reduce a patterning effect. 効果的であり、ペイロードプリアンブルの伝送時間Teより短くできる短い獲得時間Taを提供する解決策を提供する一方、パターニング効果を低減すること。 - 特許庁
The patterning opening has a center part 361 and a plurality of wing parts 362 that extend outwardly from the edge of the center part and defines an exposure region with an electrically conductive structure into a solder pad 38. パターン化開口は中央部361と中央部周縁から外に延伸する複数の翼部362を有し、導電構造の露出領域を定義してソルダーパッド38とする。 - 特許庁
To provide an apparatus for patterning of a tufted machine, which is capable of freely drawing the pattern over the whole width of the tufted machine and expressing a high designability, at a low cost. 本発明の課題は、タフテッドマシーンの幅全体にわたって柄を自由に描くことができ、高い意匠性を表現できるタフテッドマシーンの柄出し装置を安価に提供することにある。 - 特許庁
For patterning a metal gate comprising TiN and TaN on top of a rare earth based high-k layer 2, chlorine-containing gas can be used since titanium and tantalum chlorides are volatile, and reasonable selectivity to other materials present on a wafer can be obtained. 希土類元素ベースの高k材料層2の上面において、TiN及びTaNを含有する金属ゲートをパターニングするため、塩素含有ガスを使用することができる。 - 特許庁
To make high-grade microfabrication possible by a double-patterning process or the like by providing a pattern-freezable resist material and a pattern-forming method including a step of curing a resist film. パターン硬化可能なレジスト材料、レジスト膜を硬化させる工程を含むパターン形成方法を提供することにより、ダブルパターニングプロセス等により高度な微細加工を可能にする。 - 特許庁
The method for manufacturing the piezoelectric substrate comprises the steps of forming a protective film having a lattice-like exposure part of a predetermined width by vapor-depositing or adhering by sputtering gold thin films on both side surfaces of the AT cut crystal substrate, and patterning the gold thin films. ATカット水晶基板の両面に金薄膜を、蒸着、あるいはスパッタで付着、パターン化し、所定幅の格子状露出部を有する保護膜を形成する。 - 特許庁
Thereby, in patterning a transparent conductive film in a manufacturing step of the data lines 314, a short circuit of the data lines 314 between themselves is prevented and the defective wiring is certainly prevented. これにより、データ線314の製造工程において、透明導電膜をパターニングする際、データ線314同士が短絡するのを防止して配線不良を確実に防止する。 - 特許庁
To provide a resist pattern thickening material capable of forming a resist-void pattern which is fine exceeding exposure limits of a light source of an exposure device used for patterning by thickening a resist pattern. レジストパターンを厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an original pattern for optical elements equipped with a liquid crystal layer which makes it possible to perform patterning with a high efficiency and a high quality, and also provide an original pattern for optical elements. 効率的にかつ高い品質でパターニングを行うことが可能な液晶層を備えた光学素子用原版の製造方法および光学素子用原版を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a mask pattern having a fine pattern equal to or below the optical limit of an exposer or the like and to provide a method for making thin film patterning fine with the mask pattern. 露光器などの光学的限界以下の狭小なパターンを有するマスクパターンを作製する方法を提供し、もって薄膜パターニングを狭小化する方法を提供する。 - 特許庁
To increase the degree of integration of a semiconductor storage device by suppressing the occurrence of corner rounding at resist patterning time and contracting the size of a cell, by setting specific relations between the lengths and channel lengths of driving transistors and those of word transistors. レジストのパターニング時におけるコーナーラウンディングの発生を抑制することができ、セルサイズを縮小して高集積化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing amount measuring method capable of easily and surely measuring the polishing amount of a thin layer formed by patterning on a substrate and of achieving polishing with high accuracy. 基板上にパターニングして形成した薄膜の研磨量を容易にかつ確実に測定することを可能とし、高精度の研磨加工を可能にする研磨量計測方法を提供する。 - 特許庁
To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which can achieve both excellent developability and excellent conformability to an immersion liquid, and a patterning method using the composition. 優れた現像性と優れた液浸液追随性との両立を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an organic EL element capable of color-coding, of executing low-cost and large-area patterning, of simply forming organic compound layers, and of increasing the number of layers thereof. 塗り分けが可能で、低コストで大面積のパターニングが可能であり、簡便に有機化合物層の作成と多層化を行うことができる有機EL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laminate for use in an HDD suspension that excels in such properties as adhesive strength, heat resistance, flatness, and dimensional stability, and allows fine patterning on an electrically conductive layer and a polyimide resin layer. 接着力、耐熱性、平坦性、寸法安定性等の特性が優れ、導体層やポリイミド系樹脂層の微細なパターニングが可能なHDDサスペンション用積層体を提供する。 - 特許庁
A resist film is formed at a side of bonding surface of the nozzle substrate 1, and patterning is performed to remove the resist film at a portion to become a first nozzle hole 10a or the outer peripheral side surface 14a of the chip. ノズル基板1の接着面側にレジスト膜を形成し、第1ノズル孔10a、チップ外周側面14aとなる部分のレジスト膜を除去するパターニングを行う。 - 特許庁
To provide a process for producing a reflective mask blank and a process for producing a reflective mask in which displacement of the mask caused by flatness of the patterning surface of a mask is prevented when a pattern is transferred. マスクのパターン形成面のフラットネスに起因するパターン転写時の位置ずれを防止することができる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
When a semiconductor film (A) is deposited on the interlayer insulating film and patterning is conducted to form the signal lines 12, the conductive film (A) is less likely to remain in the step part of the interlayer insulating film. 層間絶縁膜上に半導体膜Aを成膜してからパターニングして信号線12を作成する際に、層間絶縁膜の段差部に導電性膜Aが残り難くなる。 - 特許庁
To provide a method of patterning a non-volatile memory gate capable of forming a gate-stack of NVM on a semiconductor substrate having the NVM region and a non-NVM region arranged so as not to overlap with the NVM region. 不揮発性メモリ(NVM)領域及び前記NVM領域と重ならないよう非NVM領域を有する半導体基板の上にNVMのゲートスタックを形成する。 - 特許庁
By the patterning of the insulating film, an opening 115 exposing a part of a conductive pattern is formed and preliminary diffusion prevention films 120 are formed on the inner wall of the opening and on the upper surface of the insulating film. 絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部115を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜120を形成する。 - 特許庁
To provide a thermosetting or photo-curable resin capable of forming a cured material having a high refractive index, excellent heat resistance and electric characteristics, and also being excellent in patterning property. 屈折率が高く、優れた耐熱性および電気特性を有し、かつパターニング性に優れた硬化物を形成し得る熱硬化性あるいは光硬化性の樹脂を提供することにある。 - 特許庁
The sample W to be inspected is irradiated with a specific light source pattern by the patterning light source 1 to image the light source pattern applied to the sample W to be inspected by a camera 2 (S1). 被検査試料Wに対して、所定の光源パターンをパターン化光源1より照射し、被検査試料Wに照射された光源パターンをカメラ2により撮像する(S1)。 - 特許庁
A minute conductive connecting part, of which the shape is controlled by a substrate processed finely and a patterning technology, is formed to connect the semiconductor chip and the circuit board. 微細加工を施した加工基板とパターニング技術により、形状を制御した微小な導電性接続部を形成し、これを用いて半導体チップと回路基板とを接続をする。 - 特許庁
A system, method, and product for manufacturing a semiconductor device by a lithography which are accompanied by a lithography double patterning process for adding a coloring matter to a first or second lithography pattern are provided. 第1または第2リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。 - 特許庁
To provide a direct patterning negative-working planographic imaging element which ensures high sensitivity, a high imaging speed, a long storage life and a long service life on a printing machine and does not require processing. 高い感度、高い画像形成速度、長い貯蔵寿命および長い印刷機寿命を与える処理不要の直描式ネガ型平版画像形成要素を提供すること。 - 特許庁
To provide a condensation product having small absorption and polarized wave dependence in a band region used in an optical communication, capable of adjusting a refractive index and excellent in patterning, productivity and reliability. 光通信で使用される帯域での吸収及び偏波依存性が小さく、屈折率調整が可能でパターニング性、生産性、信頼性に優れた縮合生成物の提供。 - 特許庁
To make the pattern widths of an isolated process pattern and a dense process pattern, obtained by trimming a resist mask comprising the isolated resist pattern and dense resist pattern and then patterning a layer to be processed, to agree with each other. 孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクをトリミングし、被加工層をパターニングして得られる孤立加工パターンと密集加工パターンのパターン幅を一致させる。 - 特許庁
To provide a resist composition capable of reducing a watermark defect and forming an excellently shaped resist pattern, and to provide a resist film using the same and a patterning method. ウォーターマーク欠陥を減少させると共に、良好な形状のレジストパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Since parts of a data line 6a located on a side wall and an upper face are covered by a reflection film 44, a middle layer 62 is not eroded by an etchant in the case of patterning the reflection film 44. データ線6aの側壁および上面の一部は反射膜44で覆われているから、反射膜44をパターニングする際に中央層62がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁
To suppress a first warpage generated at the time of patterning of a copper foil on a single surface of a fluoroplastic substrate having copper foils laminated on both surfaces thereof and a second warpage generated at the time of reflow. 両面に銅箔が張り合わされたふっ素樹脂基板の片面の銅箔をパターニングした際に発生する第1の反り、並びにリフロー時に発生する第2の反りを共に抑える。 - 特許庁