「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 78 79 次へ＞- Further the dielectric 12 on the glass substrate 11 is subjected to patterning by etching by using the patterned mask layer 13 and then the mask layer 13 is removed (Fig.1(h)).
次に、パターニングされたマスク層１３によりガラス基板１１上の誘電体（１２）をエッチングによりパターニングした後、マスク層１３を除去する（図１（ｈ））。 - 特許庁 - By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.
フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜１９および導電性膜４Ａの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic EL display element of high productivity in which a patterning is easy and adhesive property of joint faces is improved.
容易にパターンニングすることができ、接合面の接着性を改善すると同時に、生産性の良い有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After floating and control gates 6 and 9 are subjected to patterning, an oxide film 21 using the CVD method is deposited and then is heat treated in an ammonia atmosphere.
浮遊ゲート６、制御ゲート９のパターニング後に、ＣＶＤ法を用いた酸化膜２１を堆積し、その後アンモニア雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a particle transfer type display element with which the frequency of photolithography is reduced, and patterning of a three-dimensional structure is made easy.
フォトリソグラフィーの回数を減らすことが可能で、かつ立体的な構造のパターニングが容易な粒子移動型表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Information on the structural body uses an information which an alignment system for conducting the patterning step or its upper system holds to the present.
上記構造体に関する情報は上記パターニング工程を実施する露光システム又はその上位システムが現在までに保持している情報を使用する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an illuminator configured to condition a beam of radiation and a support configured to hold a patterning device.
リソグラフィ装置は、放射線のビームを調整するように構成された照明装置、およびパターニングデバイスを保持するように構成された支持体を含む。 - 特許庁 - The apparatus further includes a sensor configured and arranged to intercept a portion of the beam and to measure a transmission of the beam through at least a portion of the patterning device.
装置はさらに、ビームの一部を中断し、パターニングデバイスの少なくとも一部を通るビームの透過を測定するように構成され、配置されたセンサを含む。 - 特許庁 - The first and the second patterning layers 20, 28 are defined in cooperation with at least one ink-injection chamber having at least one ink-injection nozzle.
第１および第２のパターニング層２０、２８は、少なくとも１つのインク射出ノズルを有する少なくとも１つのインク射出チャンバを連携して画定する。 - 特許庁 - To provide a formation method for patterning a positive photosensitive resin film so that the positive photosensitive resin film does not remain in openings.
ポジ型感光性樹脂膜が開口部に残留しないようにポジ型感光性樹脂膜をパターニングさせるための形成方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a nanowire arrangement substrate simple and excellent in patterning property by improving joining force of a nanowire to a substrate.
基板に対するナノワイヤの結合力を向上させることができ、簡便でパターンニング性に優れたナノワイヤ配列基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative type photosensitive composition, which can form a silicon-containing thick resist film, superior in dry etching resistance in which a crack is hardly generated when the patterning is performed.
ドライエッチング耐性に優れ、パターンニングの際にクラックが入りにくいケイ素含有レジスト厚膜を形成し得るネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁 - The patterning of the negative electrode is made by using a short pulse laser beam of a wavelength in the range 100 nm-400 nm and a light-emitting time at one time of 500 ns or less.
陰極のパターニングを、波長が１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲であって且つ一回の発光時間が５００ｎｓ以下の短パルスレーザを用いて行う。 - 特許庁 - Due to the nondoped polisilicon film, a selective oxide film 7 formed upon selective oxidation after gate electrode patterning can be made thin with a small bird's beak.
ノンドープポリシリコンとすることで、ゲート電極パターニング後の選択酸化時に形成される選択酸化膜を薄く、バーズビークを小さくすることができる。 - 特許庁 - A pad oxide film 112 and a silicon nitride film 113 are deposited on a semiconductor substrate 111 and then subjected to a patterning process to make a trench 115 therein.
半導体基板１１１上にパッド酸化膜１１２及びシリコン窒化膜１１３を堆積し、パターニングを行って溝（トレンチ）１１５を形成する。 - 特許庁 - For example, when a pixel is patterned on a flexible substrate to manufacture a display device, this method is suitably applicable to pixel patterning.
例えば、可撓性基板上に画素をパターニングして表示装置を製造する場合、画素のパターニングに上記の方法を好適に適用することができる。 - 特許庁 - A metal pad 152 for relaxing a stress is formed on the first plug 150n on the N-type diffusion layer by patterning the Ti/TiN/W deposited film 151.
Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１をパターニングして、Ｎ型拡散層上第１プラグ１５０ｎの上に応力緩和用金属パッド１５２を形成する。 - 特許庁 - Consequently, since the registry 5 is not charged and no charge-up phenomenon is generated, patterning accuracy of the register 5 is enhanced and the phase shift mask with high accuracy is obtained.
よって、レジスト５が帯電せず、チャージアップ現象が発生しないため、レジスト５のパターニング精度が向上し、高精度の位相シフトマスクが得られる。 - 特許庁 - To reduce a high speed TFV due to a patterning factor without impairing pitch noise reducing effect and degree of freedom in design by means of pitch variation.
ピッチバリエーション法等によるピッチノイズの低減効果や設計の自由度などを損ねることなく、パターン要因による高速ＴＦＶを低減できる。 - 特許庁 - The masking layer is removed and the conductive nitride layer is subjected to a patterning process to form a first gate electrode 23 having a first work function value.
マスキング層（２０）を除去し、導電性窒化物層（２４）にパターニングを行い、第１仕事関数値を有する第１ゲート電極（２３）を形成する。 - 特許庁 - As a second electrode layer is formed on a flat face and an individual electrode 136 is formed by dividing and removing (patterning) it by etching or the like, an operation is easy.
第二電極層を平坦な面に形成し、エッチングなどで分割除去し（パターニングし）、個別電極１３６とするので、作業が容易である。 - 特許庁 - A wiring material is formed over the entire surface of the substrate thus obtained, and wiring 19 connected with the thin film resistor 14 is formed by patterning by dry etching.
そして、全面に配線材料を成膜してドライエッチングによりパターニングすることにより薄膜抵抗体１４と接続した配線１９を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING PATTERNING MATERIAL FOR ARTIFICIAL MARBLE OR PATTERNED RESIN MATERIAL, AND PATTERING MATERIAL FOR ARTIFICIAL MARBLE OR PATTERNED RESIN MATERIAL MANUFACTURED BY THE METHOD
人造大理石又は柄入り樹脂材料用柄材の製造方法及びこの製造方法により製造した人造大理石又は柄入り樹脂材料用柄材 - 特許庁 - A first resist layer 21 is formed on the conductor layer 11 of an insulating base material 1, a series of patterning processing is performed to form a first opening part 31.
絶縁基材１の導体層１１上に第１レジスト層２１を形成し、一連のパターニング処理を行って第１開口部３１を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an EL element capable of simultaneously improving patterning performance and a light emitting characteristic in the EL element using a photocatalyst.
光触媒を用いたＥＬ素子であって、パターニング性の向上と発光特性の向上を同時に実現できるＥＬ素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for accurately patterning microcapsules on a substrate without complicating processes in a method for manufacturing an electrophoretic display device.
電気泳動表示装置の製造方法において、工程の複雑化を招くことなくマイクロカプセルを基板上に正確にパターニングするための方法を提供すること。 - 特許庁 - This prevents bit line patterning failure in the core/peripheral circuit region, and can apply SPT (Spacer Pattern Technology) when forming a bit line is formed.
これを介し、本発明ではコア/周辺回路領域におけるビットラインパターニングの不良を防止し、ビットライン形成時にSPT(Spacer Pattern Technology)を適用することができる。 - 特許庁 - After the patterning of a nitride film 22, thickness of an SOI layer 3 is measured (S2) and the etching condition (etching time or the like) of the SOI layer 3 is determined (S3).
窒化膜２２のパターニング後に、ＳＯＩ層３の厚さを測定し（Ｓ２）、その結果を用いて、ＳＯＩ層３のエッチング条件（エッチング時間等）を決定する（Ｓ３）。 - 特許庁 - An optical assembly includes multiple optical elements two-dimensionally arranged between a radiation source and the patterning device to create a predetermined angular distribution of the radiation beam.
光学アセンブリは、放射ビームの所定角分布を作るために、放射ソースとパターニング装置との間に２次元的に配置された複数の光学素子を含む。 - 特許庁 - This suppresses partial trailing or production of an undercut part due to the dense or sparse state of the pattern and realizes high accuracy resist patterning without depending on the density of the pattern.
パターンの疎密による部分的なパターンの裾引きやアンダーカットの発生を抑制し、パターンの疎密にかかわらず精度の高いレジストのパターニングが可能になる。 - 特許庁 - A plurality of electrostatic clamping devices 6 are further provided to apply a clamping force to the substantially the same portion of the patterning device 2 as the vacuum device 4.
さらに複数の静電型クランピング装置６を備えており、真空装置４としてパターニングデバイス４の実質的に同じ部分にクランプ力を働かせる。 - 特許庁 - The step for doping the fin is carried out by depositing a blocking mask material at least on the top surface of the fin after patterning the gate stack.
フィンのドーピング工程は、ゲートスタックのパターニング工程後に、少なくともフィンの上面にブロッキングマスク材料を堆積する工程により行われる。 - 特許庁 - PATTERNING PRECISION MEASURING METHOD, METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTROOPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
パターニング精度測定方法、パターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - 特許庁 - After that, an anode substrate 1 is completed by patterning anode conductors 8 on the smooth surface of the thin glass 7 by making them correspond to the positions of the color filters (4).
その後、薄板ガラス７の平滑な面の上にカラーフィルター４の位置に対応させて陽極導体８をパターニングして陽極基板１が完成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, ELECTROOPTIC DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC APPARATUS AND PATTERNING APPARATUS
電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及びパターニング装置 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an organic TFT element in which the substantial patterning of organic semiconductor channels can be performed very conveniently and which is stabilized in performance.
非常に簡便で実質的な有機半導体チャネルのパターニングが可能で、性能が安定な有機ＴＦＴ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive type photosensitive paste composition for a plasma display panel electrode formation by which hardly any edge curling is produced and micro-patterning of high resolution is possible.
エッジカールがほとんど発生せず，かつ高解像度の微細パターン化が可能なプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を提供する。 - 特許庁 - Patterning of a plurality of transistors 7, 8 and 9 is performed on a substrate 2 by applying a vapor phase growth method, lithography method and etching method or the like.
基板２に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法等を施すことによって複数のトランジスタ７，８，９を基板２上にパターニングする。 - 特許庁 - To form an electrode pattern for an organic device in any given shape with high accuracy, without being tied to various hurdles in an electrode patterning process.
電極パターニング工程に伴う種々の制約に捕われることなく、自由な形状にかつ高精度に有機デバイスの電極パターンを形成する。 - 特許庁 - The moving electrode wiring pattern 142 and a wiring pattern provided on the moving portion are formed by patterning a conductive films simultaneously deposited.
可動電極用配線パターン１４２と可動部に設けられた配線パターンとは、同時に成膜された導電膜をパターニングすることにより形成される。 - 特許庁 - To reduce chipping of a wiring substrate when a multiple patterning wiring substrate having a part where a splitting groove is discontinuously different in depth is divided.
分割溝の深さが不連続に異なる部分を有する多数個取り配線基板を分割する際、配線基板に発生する欠けを低減する。 - 特許庁 - To suppress pattern defects due to deposits, when patterning a ground layer such as a wiring layer, where a titanium nitride layer is provided at the uppermost part using a hard mask.
最上部に窒化チタン膜が設けられる配線層などの下地層を、ハードマスクを用いてパターニングする際の堆積物によるパターン欠陥を抑制する。 - 特許庁 - An etching agent for use in the patterning step is one which dissolves the conductive layer and does not dissolve the guard metal layer 39, and an etching rate is about 1 to 5 μm/min.
パターンニング工程で用いるエッチング液は、導体層を溶解しガード金属層３９を溶解しないものであって、エッチングレートが約１〜５μｍ／分である。 - 特許庁 - The vacuum suction of a GaAs substrate 1 to a vacuum chuck 5 is performed, and a positive resist 4 is exposed through a mask 7a from an exposing light source 6a to perform patterning.
ＧａＡｓ基板１を真空チャック５に真空吸着し、露光光源６ａからマスク７ａを通してポジ型レジスト４を感光させ、パターニングを行う。 - 特許庁 - A first pattern is formed by forming a first film on a first region on a processed film formed on a substrate and conducting patterning on the first film.
基板上に形成された被加工膜上の第１の領域に第１の膜を形成してパターニングすることにより第１のパターンを形成する。 - 特許庁 - To prepare test tubes for a plurality of patients on one rack, by patterning preparation of the test tubes on the rack relative to each patient or the like.
ラックへの試験管の準備を患者ごとなどにパターン化して一つのラックに複数患者分を準備できるようにすることを目的とする。 - 特許庁 - Then, after laminating a protective film thereon and patterning it, contact holes are so formed in the protective film as to expose respectively to the external of the surfaces of each drain electrode, each gate pad, and each data pad.
次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極、ゲートパッド及びデータパッドの表面を各々露出する接触孔を形成する。 - 特許庁 - To provide a simple method where cost effect for patterning a mutual connection structure, in which the material subjected to spin-on is used as a hard mask, is high.
スピンオンされた材料がハード・マスクとして使用される相互接続構造をパターン化するコスト効果が高くかつ簡単な方法を提供すること。 - 特許庁 - At least one of the solutions 210 and 230 is applied by an actively-controlled patterning or blanketing method.
前記陽イオン溶液２１０と前記陰イオン溶液２３０のうちの少なくとも一方は、能動的に制御されたパターニング方式又はブランケット方式にて適用される。 - 特許庁 - According to the manufacturing method, without using an expensive patterning device and an etching device, less expensive and precise shadow mask is available.
本発明によるシャドウマスクの製造方法によれば、高価なパタニング装置やエッチング装置を使用しなくても、安値で精密なシャドウマスクを生産できる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
