「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 78 79 次へ＞- By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.
フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜１９および導電性膜４Ａの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁 - To provide a multiple patterning wiring board capable of forming a plating film uniform in thickness with respect to a pattern to be plated by an electrolytic plating method.
電解めっき法により被めっきパターンに厚みが均一なめっき膜を被着させることが可能な多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁 - An outer layer board is laminated on the surface covering layer 6, and the conductive layer 9 of the outer layer board is subjected to a patterning treatment to form a required wiring pattern.
そこで、表面被覆層６上に外層基板を積層し、この外層基板の導電層９に対して所要の配線パタ−ンニング処理を施す。 - 特許庁 - While patterning is performed on the surface of a substrate W, deviation information is delivered from a position controller 74 to a position correction control circuit 72.
基板Ｗの表面にパターンが形成されている間に、位置コントローラ７４からは偏差情報が位置補正制御回路７２へ出力される。 - 特許庁 - To obtain a material capable of being developed in a short time when used for a positive type photosensitive resin composition and developing high sensitive and high contrast patterning properties.
ポジ型感光性樹脂組成物に用いた場合に短時間で現像が行え、かつ、高感度、高コントラストのパターニング性能を発現する材料を提供する。 - 特許庁 - Further the dielectric 12 on the glass substrate 11 is subjected to patterning by etching by using the patterned mask layer 13 and then the mask layer 13 is removed (Fig.1(h)).
次に、パターニングされたマスク層１３によりガラス基板１１上の誘電体（１２）をエッチングによりパターニングした後、マスク層１３を除去する（図１（ｈ））。 - 特許庁 - The conductive film or the adhesive layer is subjected to patterning processing to gain the same effect as a usual conductive plate including an ITO (Indium Tin Oxide) layer.
前記導電性フィルム又は前記接着層がパターン化処理され、従来のＩＴＯ層を含む導電板と同様の効果を奏することができる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a non-volatile memory element and a patterning method to realize a stepped structure gate in the non-volatile memory element.
本発明は、不揮発性メモリー素子の製造方法を提供し、不揮発性メモリー素子において階段形態のゲートを具現できるパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - A slimmed sidewall core 4 is formed in a memory cell array area 1a by patterning a polysilicon layer formed on a silicon nitride layer 3.
窒化シリコン層３上に形成されたポリシリコン層をパターニングすることによってメモリセルアレイ領域１ａにスリミングされたサイドウォールコア４を形成する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition excellent in solubility with an alkali aqueous solution during patterning and excellent in mechanical strength, particularly elastic modulus, after cured.
パターニング時のアルカリ水溶液への可溶性に優れ、かつ硬化後の機械的強度特に弾性率に優れる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an aromatic ring-containing polymer for a resist underlayer, a resist underlayer composition containing the polymer and a method for patterning a device.
レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、この重合体を含むレジスト下層膜組成物、および素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce dispersion of a pattern dimension and a pattern shape, and to improve superposition accuracy in manufacturing a semiconductor device using superposition on a lower layer or a double patterning method.
パターン寸法やパターン形状ばらつきの低減や下層との重ね合わせやダブルパターニング法を用いた半導体デバイス製造時の重ね合わせ精度向上。 - 特許庁 - To provide an inspection method for a photomask and an inspection apparatus for a photomask, for determining a defect of a photomask for double patterning and verifying a degree of influences by defects.
ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an oxide semiconductor film suitable for a patterning step upon the production of a semiconductor element, and to provide an oxide sintered compact allowing the semiconductor film to be deposited.
半導体素子の作製の際のパターニング工程に適した酸化物半導体膜、及び半導体膜を成膜できる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method of an organic film capable of preventing stitching unevenness occurring between widths of laser beams due to limit of beam sizes of a laser.
レーザのビームサイズ（幅）の限界によるレーザビームの幅間に発生するステッチングむらを防止することができる有機膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, even when a pattern is formed on a wafer by using a double patterning method, it is possible to achieve the high overlay accuracy of the pattern.
これにより、ダブルパターニング法を利用してウエハ上にパターンを形成する場合においても、パターンの高い重ね合わせ精度を実現することが可能となる。 - 特許庁 - Then, self-aligned lithographic patterning is used to form a pattern of the doped semiconductor layer 40 and generate a conductive lead 62.
次に、ドープ半導体層４０を自己整合リソグラフィー法（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いてパターン形成し、導電性リード６２を生成する。 - 特許庁 - To provide a negative resist composition hardly causing a bridge in forming a pattern and providing a high resolution and a patterning method using the same.
パターン形成時にブリッジが発生しにくく、高い解像性を与えることができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a formation of an inversely tapered cross-sectional end portion of a scan line due to alkali formed from peeling liquid and water during a resist-peeling process after patterning of the scan line.
走査線をパターニング後、レジスト剥離の際、剥離液と水で形成されるアルカリによって走査線の断面端部が逆テーパとなることを防止する。 - 特許庁 - To provide a heat resistant photosensitive resin composition having high adhesiveness to a substrate, free of the problem of precipitation, etc., and exhibiting good patterning performance.
基板との高い接着性を有し、析出等の問題が無く、良好なパターニング性能を発揮する耐熱性感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The main magnetic pole layer 12 is formed through a series of patterning processes using a buffer layer 15 slow in etching speed or a nonmagnetic layer 13 as a stopper layer.
エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成する。 - 特許庁 - To perform specific patterning of a mask appropriately when a processed film on a substrate is etched under low temperature environment where the temperature of a substrate is 100°C or lower.
基板の温度が１００℃以下の低温環境下において、基板上の被処理膜をエッチングする際のマスクを所定のパターンに適切に形成する。 - 特許庁 - For example, when a pixel is patterned on a flexible substrate to manufacture a display device, this method is suitably applicable to pixel patterning.
例えば、可撓性基板上に画素をパターニングして表示装置を製造する場合、画素のパターニングに上記の方法を好適に適用することができる。 - 特許庁 - A metal pad 152 for relaxing a stress is formed on the first plug 150n on the N-type diffusion layer by patterning the Ti/TiN/W deposited film 151.
Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１をパターニングして、Ｎ型拡散層上第１プラグ１５０ｎの上に応力緩和用金属パッド１５２を形成する。 - 特許庁 - After floating and control gates 6 and 9 are subjected to patterning, an oxide film 21 using the CVD method is deposited and then is heat treated in an ammonia atmosphere.
浮遊ゲート６、制御ゲート９のパターニング後に、ＣＶＤ法を用いた酸化膜２１を堆積し、その後アンモニア雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a particle transfer type display element with which the frequency of photolithography is reduced, and patterning of a three-dimensional structure is made easy.
フォトリソグラフィーの回数を減らすことが可能で、かつ立体的な構造のパターニングが容易な粒子移動型表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The patterning of the negative electrode is made by using a short pulse laser beam of a wavelength in the range 100 nm-400 nm and a light-emitting time at one time of 500 ns or less.
陰極のパターニングを、波長が１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲であって且つ一回の発光時間が５００ｎｓ以下の短パルスレーザを用いて行う。 - 特許庁 - The first and the second patterning layers 20, 28 are defined in cooperation with at least one ink-injection chamber having at least one ink-injection nozzle.
第１および第２のパターニング層２０、２８は、少なくとも１つのインク射出ノズルを有する少なくとも１つのインク射出チャンバを連携して画定する。 - 特許庁 - To provide a formation method for patterning a positive photosensitive resin film so that the positive photosensitive resin film does not remain in openings.
ポジ型感光性樹脂膜が開口部に残留しないようにポジ型感光性樹脂膜をパターニングさせるための形成方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a single side lamination wiring board exhibiting excellent patterning precision with a high yield.
パターン形成精度に優れた片面積層配線基板を高い歩留まりで製造することができる片面積層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a mask for patterning an organic electroluminescence display device which can satisfactorily form a desired shape pattern, and its usage.
目的とする形状のパターンを良好に形成することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置のパターニング用マスクおよびその使用方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a nanowire arrangement substrate simple and excellent in patterning property by improving joining force of a nanowire to a substrate.
基板に対するナノワイヤの結合力を向上させることができ、簡便でパターンニング性に優れたナノワイヤ配列基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative type photosensitive composition, which can form a silicon-containing thick resist film, superior in dry etching resistance in which a crack is hardly generated when the patterning is performed.
ドライエッチング耐性に優れ、パターンニングの際にクラックが入りにくいケイ素含有レジスト厚膜を形成し得るネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁 - Due to the nondoped polisilicon film, a selective oxide film 7 formed upon selective oxidation after gate electrode patterning can be made thin with a small bird's beak.
ノンドープポリシリコンとすることで、ゲート電極パターニング後の選択酸化時に形成される選択酸化膜を薄く、バーズビークを小さくすることができる。 - 特許庁 - A wiring material is formed over the entire surface of the substrate thus obtained, and wiring 19 connected with the thin film resistor 14 is formed by patterning by dry etching.
そして、全面に配線材料を成膜してドライエッチングによりパターニングすることにより薄膜抵抗体１４と接続した配線１９を形成する。 - 特許庁 - A pad oxide film 112 and a silicon nitride film 113 are deposited on a semiconductor substrate 111 and then subjected to a patterning process to make a trench 115 therein.
半導体基板１１１上にパッド酸化膜１１２及びシリコン窒化膜１１３を堆積し、パターニングを行って溝（トレンチ）１１５を形成する。 - 特許庁 - A first resist layer 21 is formed on the conductor layer 11 of an insulating base material 1, a series of patterning processing is performed to form a first opening part 31.
絶縁基材１の導体層１１上に第１レジスト層２１を形成し、一連のパターニング処理を行って第１開口部３１を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an EL element capable of simultaneously improving patterning performance and a light emitting characteristic in the EL element using a photocatalyst.
光触媒を用いたＥＬ素子であって、パターニング性の向上と発光特性の向上を同時に実現できるＥＬ素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - Information on the structural body uses an information which an alignment system for conducting the patterning step or its upper system holds to the present.
上記構造体に関する情報は上記パターニング工程を実施する露光システム又はその上位システムが現在までに保持している情報を使用する。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an illuminator configured to condition a beam of radiation and a support configured to hold a patterning device.
リソグラフィ装置は、放射線のビームを調整するように構成された照明装置、およびパターニングデバイスを保持するように構成された支持体を含む。 - 特許庁 - The apparatus further includes a sensor configured and arranged to intercept a portion of the beam and to measure a transmission of the beam through at least a portion of the patterning device.
装置はさらに、ビームの一部を中断し、パターニングデバイスの少なくとも一部を通るビームの透過を測定するように構成され、配置されたセンサを含む。 - 特許庁 - As a second electrode layer is formed on a flat face and an individual electrode 136 is formed by dividing and removing (patterning) it by etching or the like, an operation is easy.
第二電極層を平坦な面に形成し、エッチングなどで分割除去し（パターニングし）、個別電極１３６とするので、作業が容易である。 - 特許庁 - Consequently, since the registry 5 is not charged and no charge-up phenomenon is generated, patterning accuracy of the register 5 is enhanced and the phase shift mask with high accuracy is obtained.
よって、レジスト５が帯電せず、チャージアップ現象が発生しないため、レジスト５のパターニング精度が向上し、高精度の位相シフトマスクが得られる。 - 特許庁 - To reduce a high speed TFV due to a patterning factor without impairing pitch noise reducing effect and degree of freedom in design by means of pitch variation.
ピッチバリエーション法等によるピッチノイズの低減効果や設計の自由度などを損ねることなく、パターン要因による高速ＴＦＶを低減できる。 - 特許庁 - The masking layer is removed and the conductive nitride layer is subjected to a patterning process to form a first gate electrode 23 having a first work function value.
マスキング層（２０）を除去し、導電性窒化物層（２４）にパターニングを行い、第１仕事関数値を有する第１ゲート電極（２３）を形成する。 - 特許庁 - To provide a beam shaping method which offers high energy efficiency in the electrode patterning process of a tin oxide film by a laser beam shaped into a rectangular cross section.
断面矩形に整形したレーザービームによる酸化錫膜の電極パターン加工において、エネルギ利用効率の高いビーム整形方法を提供する。 - 特許庁 - After that, the soluble pattern resin layer is dissolved to perform the patterning so as to correlate the piezoelectric body 4 with the pressurizing chamber 1, and then the liquid jet head is produced.
その後に、溶解可能なパターン樹脂層を溶出し、圧電体４を圧力室１に対応するようにパターニングして、液体噴射ヘッドを作製する。 - 特許庁 - To provide a system and method for patterning a master disk with the required feature size that does not rely on conventional photolithography or electron-beam lithography.
従来のフォトリソグラフィあるいは電子線リソグラフィに依存しない、所要のフィーチャー・サイズのマスタ・ディスクをパターン化するためシステム及び方法が必要とされている。 - 特許庁 - Patterning of a plurality of transistors 7, 8 and 9 is performed on a substrate 2 by applying a vapor phase growth method, lithography method and etching method or the like.
基板２に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法等を施すことによって複数のトランジスタ７，８，９を基板２上にパターニングする。 - 特許庁 - To provide a method for accurately patterning microcapsules on a substrate without complicating processes in a method for manufacturing an electrophoretic display device.
電気泳動表示装置の製造方法において、工程の複雑化を招くことなくマイクロカプセルを基板上に正確にパターニングするための方法を提供すること。 - 特許庁
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