「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 78 79 次へ＞- To provide a patterning method using a contractile photoresist film in which a distance between pad electrodes can be set equal to a minimum necessary interval.
収縮性フォトレジスト膜を使用した、パッド電極間の距離を最小必須間隔とすることの出来るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Exposure is performed successively by using the masks Ha1, Hb2 to perform patterning and heater patterns 11x, 12x having no line width difference in the boundary part are formed.
マスクＨ_a １とＨ_b ２を用いて順次露光してパターニングし、境界部に線幅差のないヒーターパターン１１ｘ、１２ｘを形成する。 - 特許庁 - A power bus 174 is also formed in the aluminum layer, in the patterning/etching steps identical with that used for forming the aluminum pad.
アルミニウム・パッドを形成するために用いられるのと同じパターニング、エッチング工程において、アルミニウム層内に電力バス１７４も形成する。 - 特許庁 - To improve accuracy and reproducibility for finer patterning by suppressing interference of light scattered by a metal thin film.
金属薄膜により散乱された光の干渉を抑えることにより、より微細なパターニングを行う上での精度や再現性を向上させる。 - 特許庁 - The patterning method on the semiconductor element may include a two-stage spacer formation step in order to provide ultra-fine line width and interval.
半導体素子上のパターン形成方法は、微細ライン幅及び間隔を提供するために２段階のスペーサ形成工程を含むことができる。 - 特許庁 - A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.
本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁 - An electron beam writing system includes an electron beam patterning machine operable to emit an electron beam to form a pattern on a substrate.
電子ビーム描画システムは、基板上にパターンを形成するために、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置を備えている。 - 特許庁 - Since patterning of the UV curable liquid crystal 240 can be easily performed, it can be selectively formed only in the reflection region.
また、ＵＶキュアラブル液晶２４０はパターニングが容易に行えることから、反射領域にのみこれを選択的に形成することができる。 - 特許庁 - A metallic oxide film (such as a ZnO film) is selectively formed on the first catalyst subjected to the patterning by a wet film forming technique.
パターニングされた第１触媒上に、湿式成膜技術による金属酸化膜（ＺｎＯ膜など）を選択的に形成する（第３の工程）。 - 特許庁 - To protect the channel region of a semiconductor film against radiation damage when the deposited semiconductor film etc. is subjected to plasma etching for patterning.
成膜された半導体膜等をプラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。 - 特許庁 - To overcome residual frictional force between the substrate and substrate holder, the substrate and substrate holder may be physically separated prior to further patterning.
基板と基板ホルダの間の残留摩擦力を克服するために、基板と基板ホルダは、次のパターニングの前に物理的に分離することができる。 - 特許庁 - The lithography apparatus includes: a lighting system configured so as to control radiation beams and a support member configured so as to support a patterning device.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターンニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含む。 - 特許庁 - Waffle patterning is made to utilize a lot of kinds of lithographic techniques, the use of which has been restricted before at the time of manufacturing large-area circuits.
ワッフルパターニングは、大きな面積の回路の製造時に以前なら制限されていた種々のリソグラフィ技法の多くを利用できるようにする。 - 特許庁 - To make ON resistance low and withstanding voltage high regardless of micro-patterning in a semiconductor device having a semiconductor substrate of parallel p-n structure.
並列ｐｎ構造の半導体基板を有する半導体装置において、微細化をしても、オン抵抗を低く、かつ耐圧を高くすること。 - 特許庁 - A silicon nitride film 5 and a silicon oxide film 2 are formed to cover the trench isolation region, and a memory cell region is exposed by patterning them.
トレンチ分離領域を覆うようにシリコン窒化膜５およびシリコン酸化膜２を形成し、これらをパターニングしてメモリセル領域を露出させる。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes a process of forming an upper electrode layer 46 and a process of patterning the piezoelectric material layer 44 and an upper electrode layer 46.
さらに、上部電極層４６を成膜する工程と、圧電体層４４および上部電極層４６をパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - When an external layer pattern is made by patterning on the copper plating layer (#4), a layer-insulation layer and catalyst particles appear in the region between patterns.
銅めっき層をパターン加工して外層パターンとすると（＃４），パターン間の領域では層間絶縁層とともに触媒粒子が露出する。 - 特許庁 - The photoresist is exposed from the rear surface with the gate electrode 10 as a mask for patterning, which is used as a mask for etching the second dielectrics layer 19.
このフォトレジストをゲート電極１０をマスクとして裏面より露光し、パターン化し、これをマスクとして第２誘電体層１９をエッチングする。 - 特許庁 - A particular embodiment may be fabricated utilizing a sequential laminating, patterning, selective stripping and selective epitaxial deposition method.
特定の実施形態は、順次の積層、パターン化、選択的な剥離、および選択的なエピタキシャル堆積法を利用して製作されることができる。 - 特許庁 - The projection system defines a pupil between the patterning system and the substrate table and a series of lens components are located between the pupil and the substrate table.
投影系は、パターン形成系と基板テーブルの間にひとみを画成し、ひとみと基板テーブルの間には一連のレンズ構成要素が位置する。 - 特許庁 - PLATING METHOD AND PATTERNING METHOD ON METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER, WET TREATMENT APPARATUS AND METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER FOR POWER MODULE
金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 - 特許庁 - The laser beam can selectively heat only the patterning material for removal, thus preventing the metallic thin-film layer and resin layer from being adversely affected.
レーザ光はパターニング材料のみを選択的に加熱して除去することができ、金属薄膜層や樹脂層に悪影響を与えない。 - 特許庁 - According to a viewpoint of the invention, a lithographic apparatus has a coupling system for positioning a patterning means with respect to a reticle stage.
本発明の１つの観点によれば、リソグラフィ装置は、パターン化手段をレチクル・ステージに対して位置決めするための結合システムを備えている。 - 特許庁 - Next, an amorphous semiconductor layer is formed on the gate insulating film and an amorphous channel region is formed on the gate electrode by patterning.
次に、ゲート絶縁膜の上に非晶質半導体層を形成し、パターニングによってゲート電極の上に非晶質チャンネル領域を形成する。 - 特許庁 - Consequently, an ink supply chamber shallower than the ink pressure chamber can be formed simultaneously by single patterning process and single etching process.
この結果、１回のパターニング工程および１回のエッチング工程により、インク圧力室よりも浅いインク供給室を同時に形成できる。 - 特許庁 - The metallic particle patterning film having about 1 μm precision is easily and firmly formed by the lithographic technique using photomasks or laser beams, etc.
フォトマスクやレーザービーム等のリソグラフィ技術により、約１μｍの精度を有した金属粒子パターニング膜を容易且つ強固に形成できる。 - 特許庁 - To provide a material for an organic EL element, together with its manufacturing method, wherein fine patterning is allowed, as well as an organic EL element using them.
微細なパターニングが可能な有機ＥＬ素子用材料およびその製造方法、ならびにそれらを用いた有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a top layer of a metal foil on a substrate to be protected, in which a patterning is carried out, the top layer supporting a local corona generation after a stroke of lightning.
保護されるべき基板の上にあるパターニングされた金属フォイルの上張りは、落雷後に局部的なコロナが発生するのを支持する。 - 特許庁 - To provide a glass substrate for an electronic device for enabling high-accuracy patterning and projection exposure, and to provide a photomask blank and a photomask using the substrate.
高精度のパターニングや投影露光を可能にする電子デバイス用ガラス基板並ぴにこれを用いたフオトマスクブランク及びフオトマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a coating method and a patterning roller used therefor capable of easily corresponding to architectural design efficiency of a diversified piece to be coated.
多様化した被塗装物の意匠性を容易に対応することができる塗装方法及びそれに用いられる模様付けローラを提供する。 - 特許庁 - To provide a lithographic device adapted to calibrate an array of individually controllable elements for patterning a beam so as to detect and compensate a malfunction or degradation.
誤動作や劣化を検出し、補償するように個別制御可能なビームパターン化要素の配列を較正するリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition with which a pattern having a favorable feature can be formed, and to provide a resist film and a patterning method using the composition.
良好な形状のパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus in which a position of a pattern is arbitrarily set and a sanitary napkin or a paper diaper is patterned at the position when patterning it.
生理用ナプキン、紙おむつに模様を入れる際に、模様の位置を任意の位置に設定でき、尚かつ同位置に模様が入れられる装置を提供する。 - 特許庁 - A single fluid channel resin layer 11 as a profile of ink channel is formed on an upper face of a device substrate 1 having a heater 2 formed thereon, and then a mask member 12 is formed on the fluid channel resin layer 11 to carry out patterning.
ヒータ２が形成された素子基板１の上面に、インク流路の型材として流路樹脂層１１を単一の層で形成する。 - 特許庁 - A substrate development processing machine 10 is provided with a first development tank 12, a second development tank (patterning tank) 13, a residual dross removal tank 14 and a substrate feeding part 21.
基板現像処理機１０は、第１現像槽１２と、第２現像槽（パターニング槽）１３と、残渣除去槽１４と、基板搬送部２１とを備える。 - 特許庁 - In executing the method of manufacturing of the phase change memory, a wafer is wet-cleaned using a cleaning liquid such as water or a chemical after patterning the phase change layer.
相変化メモリを製造する方法を実施する際に、相変化層をパターニングした後にウェハを水や薬液などの洗浄液でウェット洗浄する。 - 特許庁 - First tin plating is formed on a copper pattern is subjected to patterning.
パターニングされた銅パターン上に第一のスズメッキを形成し、その後レジストを形成し、レジストが形成されていない部分の銅パターン上に第二のスズメッキの加工を行う。 - 特許庁 - To provide a cured film for a liquid crystal display apparatus, the film having sufficient heat resistance, surface hardness, sputtering resistance and low degassing property and favorable patterning characteristics.
耐熱性、表面硬度、耐スパッタ性、低脱ガス性等を満たすとともに、パターニング特性が良好な液晶表示装置用硬化膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a color conversion filter enabling a precise patterning while simplifying the manufacturing process, and a color filter with color converting function.
製造工程を簡略化すると同時に、高精細のパターニングを可能とする色変換フィルタの製造方法、ならびに色変換機能付カラーフィルタの提供。 - 特許庁 - To provide an electrophoresis display apparatus 100 wherein patterning of a conductive thin film formed on a bottom surface of a transfer space 50 of charged particles 30 is unnecessary.
帯電粒子３０の移動空間５０の底面に形成する導電性薄膜のパターニングが不要電気泳動表示装置１００を提供する。 - 特許庁 - In order to form the layers, an element working step in the patterning of a tunnel joined film part is finished before the lowest layer of the tunnel joined film is completely patterned.
トンネル接合膜部をパターン化する際の素子加工工程を、トンネル接合膜を構成する各層のうち最下部までは行わないことによる。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method for enabling a double patterning process in which a substrate is processed by one-time dry etching, and a resist material used therefor.
１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a conveyance method of a film with a pattern, enabling high-definition patterning and highly-accurate lamination at a delivery destination after conveying to the delivery destination, etc.
納入先等に搬送後、納入先にて高精細なパターニング加工や高精度な貼合が可能なパターン付フィルムの搬送方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for nano-patterning by incorporating one or more block copolymers and one or more nano-imprinting steps in a fabrication process.
１つ以上のブロック共重合体および１つ以上のナノインプリントステップを製造プロセスに組込むことによってナノパターン化するための方法を提供する。 - 特許庁 - The lithography apparatus comprises: an illumination system IL for providing a projection beam of radiation PB; and a support structure MT for supporting a patterning means MA.
放射の投影ビームＰＢを提供するための照明装置ＩＬと、パターン形成手段ＭＡを支持するための支持構造体ＭＴとを有する。 - 特許庁 - After a metallic thin film 13 having a temperature-dependency is formed on an insulating substrate 2, heat-sensitive sections 5 and 6 are formed by patterning the film 13 by sputter etching.
絶縁性基板上に温度依存性の金属薄膜を形成し、金属薄膜をスパッタエッチング法によりパターニングして感熱部を形成する。 - 特許庁 - The organic layers 18a, 18b, 18c are produced by a light irradiating dry etching method whereby an organic substance layer 12 is irradiated with light so that patterning is made.
有機層１８ａ、１８ｂ、１８ｃを、有機材料層１２に光を照射してこれをパターニングする光照射ドライエッチング法によって形成する。 - 特許庁 - To provide a simple method where cost effect for patterning a mutual connection structure, in which the material subjected to spin-on is used as a hard mask, is high.
スピンオンされた材料がハード・マスクとして使用される相互接続構造をパターン化するコスト効果が高くかつ簡単な方法を提供すること。 - 特許庁 - At least one of the solutions 210 and 230 is applied by an actively-controlled patterning or blanketing method.
前記陽イオン溶液２１０と前記陰イオン溶液２３０のうちの少なくとも一方は、能動的に制御されたパターニング方式又はブランケット方式にて適用される。 - 特許庁 - According to the manufacturing method, without using an expensive patterning device and an etching device, less expensive and precise shadow mask is available.
本発明によるシャドウマスクの製造方法によれば、高価なパタニング装置やエッチング装置を使用しなくても、安値で精密なシャドウマスクを生産できる。 - 特許庁
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