「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 78 79 次へ＞- To provide a semiconductor device capable of suppressing characteristic variation to be caused by the patterning deviation of gate electrodes and capable of composing an SRAM.
ゲート電極のパターニングずれが引き起こす特性変動を抑制でき、ＳＲＡＭを構成する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - By patterning the intermediate layer 10 and the anti-reflection film 11, with the resist pattern 12a as a mask, the lower layer resist film 9 is developed.
レジストパターン１２ａをマスクとして中間層１０と反射防止膜１１をパターニングし、下層レジスト膜９を現像する。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method using double patterning capable of obtaining a fine pattern having a good shape.
良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a method for the patterning of the functional material on a substrate simply and cheaply, and a sheet for a pattern formation.
簡単で安価に基材上の機能材料をパターニングするための方法、およびパターン形成用シートを提供すること。 - 特許庁 - The array can be formed by patterning a positive or negative photosensitive resin composition to form the yellow filter layer.
ポジ型またはネガ型感光性樹脂組成物をパターンニングして黄色フィルタ層を形成する工程により形成することができる。 - 特許庁 - To provide a patterning means which has precision of micron order and forms a good functional thin film in a simple process.
ミクロンオーダーの精度を有し、尚且つ、簡便な工程で良質な機能性薄膜を形成するパターンニング手段を提供する。 - 特許庁 - The array can be formed by patterning a positive or negative photosensitive resin composition to form the red filter layer.
ポジ型またはネガ型感光性樹脂組成物をパターンニングして赤色フィルタ層を形成する工程により形成することができる。 - 特許庁 - The array can be formed by patterning a positive or negative photosensitive resin composition to form the blue filter layer.
ポジ型またはネガ型感光性樹脂組成物をパターンニングして青色フィルタ層を形成する工程により形成することができる。 - 特許庁 - The silicon oxide layer is patterned during the same step as patterning the conductive layer to expose the silicon nitride layer.
前記酸化シリコン層は、前記導電層をパターン化するのと同じステップ中にパターン化して、前記チッ化シリコン層を露光する。 - 特許庁 - To improve reliability in the patterning process of a negative resist layer and a wiring layer, in the manufacturing method of a semiconductor device.
半導体装置の製造方法において、ネガレジスト層及び配線層のパターニング工程における信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - PROCESS AND APPARATUS FOR PATTERNING FLUID-DISPERSIBLE MATERIAL ON SUBSTRATE, POROUS SHEET MATERIAL FOR THIS PURPOSE AND ITS PREPARATION PROCESS
流体分散可能物質を基板上にパターニングする方法及び装置とそのための有孔シート材並びにその製造方法 - 特許庁 - Then, by patterning, a first opening 20a, a second opening 20b and a contact part 20c are formed in the conductor layer 20.
次いで、パターニングにより、導体層２０に、第１の開口２０ａと、第２の開口２０ｂと、コンタクト部２０ｃと、を形成する。 - 特許庁 - When wiring width of a bent part 16 of metal wiring 14 is increased, coating width of resist for patterning the wiring is increased.
金属配線１４の屈曲部１６の配線幅が広くなると、配線をパターニングするためのレジストの塗布幅が広くなる。 - 特許庁 - To provide a line patterning method to perform line working with a liner laser beam emitted from a LD bar alley.
ＬＤバーアレイから出射されるライン状のレーザー光によって均質にライン加工するラインパターンニング方法を提供する。 - 特許庁 - SILPHENYLENE SKELETON-BEARING POLYMER COMPOUND, PHOTO-CURABLE RESIN COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS, AND SUBSTRATE CIRCUIT PROTECTIVE FILM
シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 - 特許庁 - LASER APPARATUS FOR PATTERNING AT LIGHT GUIDE PLATE OF BACK LIGHT UNIT AND METHOD FOR FORMING PATTERN AT LIGHT GUIDE PLATE OF BACK LIGHT UNIT USING THEREOF
バックライトユニット用導光板パターン形成レーザ装置、及びこれを用いたバックライトユニット用導光板パターンの形成方法 - 特許庁 - A patterning method is disclosed which includes steps of forming a resist film from the above negative resist composition and exposing and developing.
また、これらのネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像工程を含むパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical patterning device and its method that improves luminance and phase modulation characteristics of an individually controllable element array.
個々に制御可能な素子アレイの輝度および位相変調特性を改善する光パターン形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - At the time of forming each the film by sputtering, all the films that constitute the multilayer films are carried out patterning using the same metal mask.
スパッタ法により各膜を成膜するに際し、多層膜を構成する全ての膜を同一のメタルマスクを使用してパターニングする。 - 特許庁 - To provide an electrode capable of patterning of high accuracy on a substrate by a treatment in an electrolytic solution in a short time.
電解液中での短時間の処理によって精度の高いパターニングを被エッチング物に施すことができる電極を提供する。 - 特許庁 - To provide a VCSEL accompanying modal control that is formed by the selective patterning of an upper-side mirror or a mesa structure.
上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。 - 特許庁 - To realize a high-accuracy patterning by substantially eliminating the influences of a local flare to a pattern to be exposed in lithography.
リソグラフィーにおいて露光されるパターンに対するローカルフレアの影響を実質的に除去し、高精度のパターニングを実現する。 - 特許庁 - POLYMERIZABLE COMPOSITION, AS WELL AS PHOTOSENSITIVE LAYER, PERMANENT PATTERN, WAFER LEVEL LENS, SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND PATTERNING METHOD USING THE SAME
重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法 - 特許庁 - IMPRINTING METHOD, IMPRINTING APPARATUS AND ITS MOLD MEMBER, AND METHOD OF PATTERNING FOR FORMING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE IMPRINTING METHOD
インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。 - 特許庁 - A photomask is manufactured by patterning the light shielding film 2 in the photomask blank 10 by dry etching.
また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 - 特許庁 - To manufacturing a diffraction grating having a desired transmissivity and a diffraction efficiency independent of the direction of patterning.
パターニング方向に依存させずに所望の透過率および回折効率を有する回折格子を作製することができるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for decomposing a target pattern to be printed on a wafer into multiple patterns upon using double patterning techniques.
ダブルパターニングを使用する際に、ウェーハに印刷されるターゲットパターンを複数のパターンに分解するための方法を提供する。 - 特許庁 - CONDUCTIVE POLYMER PATTERNED FILM AND METHOD OF PATTERNING THE SAME, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING THE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE ELEMENT
伝導性高分子パターン膜及びそのパターニング方法、並びにそれを利用する有機電界発光素子及びその製造方法 - 特許庁 - Since formation of the thin film and patterning are conducted simultaneously using the ink jet device, the conductive film pattern can be formed easily and inexpensively.
インクジェット装置を用いて薄膜形成とパターンニングを同時に行うため、簡単かつ安価に導電膜パターンを形成できる。 - 特許庁 - A polysilicon layer 25 and a silicon oxide film 36 are successively formed on a substrate 33, and are subjected to patterning for obtaining an island pattern 38.
基板３３上にポリシリコン層３５、酸化シリコン膜３６を順次形成し、これらをパターニングして島パターン３８を得る。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of accurately patterning nickel silicide, and also to provide the semiconductor device.
ニッケルシリサイドのパターニングを精度よく行なうことのできる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a phase shift mask and a phase shift mask blank capable of high precision patterning and high in acid resistance and reliability.
高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸性及び信頼性の高い位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクを提供する。 - 特許庁 - To realize a low-cost semiconductor memory device or memory hybrid LSI with higher performance whose gate electrode patterning is stably carried out.
ゲート電極パターニングが安定して行われる半導体メモリ装置またはメモリ混載ＬＳＩの高性能化、低コスト化を実現する。 - 特許庁 - MASK PATTERN DATA PRODUCING METHOD, PATTERNING METHOD, RETICLE CORRECTING METHOD, RETICLE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURING METHOD
マスクパターンデータ作成方法、パターン形成方法、レチクルの補正方法、レチクルの作成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN, PATTERNING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY
有機半導体パターン及び有機半導体層のパターニング方法、有機半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置 - 特許庁 - The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.
本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁 - Thereafter the mask layer 13 is subjected to patterning (etching) by using the patterned photoresist 14 as the mask and then the photoresist layer 14 is removed.
その後パターニングされたフォトレジスト（１４）をマスクとしてマスク層１３をパターニング（エッチング）し、その後フォトレジスト層１４を除去する。 - 特許庁 - The patterning means includes an array of cells 10 having a polar fluid 12, a non-polar fluid 14, and an electrode 18.
パターニング手段は、極性流体１２及び非極性流体１４並びに電極１８を有するセル１０のアレイを含む。 - 特許庁 - A first dielectric film 2 is formed on the semiconductor substrate 1, and an opening part is formed on the first dielectric film 2 by patterning.
半導体基板１上に第１の誘電膜２を形成し、第１の誘電膜２にパターニングにより開口部を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, having a rare metal layer which reduces the problems in patterning and in annealing in hydrogen.
パターニング、水素中アニーリングにおける問題を低減したレアメタル層を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The doping method includes a process for patterning a fin in a substrate, a step for depositing a gate stack, and a process for doping the fin.
ドーピング方法は、フィンを基板にパターニングする工程と、ゲートスタックを堆積する工程と、フィンをドーピングする工程を含む。 - 特許庁 - After that, a lamination film of the titanium film 34, the film 35 containing aluminum, and the titanium nitride film 36 is subjected to patterning to obtain wiring 33.
その後、チタン膜３４とアルミニウムを含む膜３５、窒化チタン膜３６との積層膜をパターニングして配線３３を得る。 - 特許庁 - Thereafter, a gate electrode 11 is formed by patterning the polycrystal silicon film 3, the naturally oxidized film 4 and polycrystal silicon film 5.
その後、多結晶シリコン膜３、自然酸化膜４及び多結晶シリコン膜５をパターニングしてゲート電極部１１を形成する。 - 特許庁 - To provide a lithographic device which does not cause an alignment error nor disengagements of reticle even when the acceleration of a supporting object of patterning device is increased.
パターニングデバイスの支持体の加速度が増大しても、アライメント誤差やレチクルが外れることがないリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - Patterning of the current collector can include a continuous sheet, which includes a first and a second separable current collectors.
集電体のパターニングは、連続シートを含み、連続シートは第１及び第２の分離可能な集電体を配置することができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing artificial marble enabling the patterning of a surface and a cut surface at the same time by a simple method.
簡単な方法で、表面及び切断面の柄出しが同時に可能となる人造大理石の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes a fifth step of patterning by etching an Si wafer 1 using the SiO_2 layers 3 after the fourth step as a mask.
さらに、第４工程後のＳｉＯ_2層３をマスクにして、Ｓｉウエハ１をエッチングしてパターニングする第５工程を備えている。 - 特許庁 - In one example, the patterning device is used to pattern the beam of radiation, which patterned beam is projected onto an object.
パターニング用デバイスは、放射ビームにパターンを付与するのに用いられ、パターンが付与された放射ビームは対象物に投影される。 - 特許庁 - To form a highly precise mask pattern-shaped mask on a workpiece, and to highly precisely carry out patterning to the workpiece by using the mask.
被加工物に高精度のマスクパターンのマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングする。 - 特許庁 - Disclosed are 16 embodiments in which positions of exchange bias layers and hard bias layers and patterning of CPP type MR sensor stacks are different.
交換バイアス層、ハードバイアス層の位置およびＣＰＰ型ＭＲセンサスタックのパターニングが異なる１６個の実施態様を開示する。 - 特許庁
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